DE1541523B1 - Piezoelektrisches elektroakustisches Wandlerelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Piezoelektrisches elektroakustisches Wandlerelement und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
- Publication number
- DE1541523B1 DE1541523B1 DE19661541523 DE1541523A DE1541523B1 DE 1541523 B1 DE1541523 B1 DE 1541523B1 DE 19661541523 DE19661541523 DE 19661541523 DE 1541523 A DE1541523 A DE 1541523A DE 1541523 B1 DE1541523 B1 DE 1541523B1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- microcrystals
- normal
- transducer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 16
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 25
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 11
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000006187 pill Substances 0.000 description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 2
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 241001676573 Minium Species 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000011034 rock crystal Substances 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
- B06B1/0644—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using a single piezoelectric element
- B06B1/0662—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using a single piezoelectric element with an electrode on the sensitive surface
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
Description
1 2
Die Erfindung betrifft ein piezoelektrisches elektro- 1. Die Oberfläche der Auflageelektrode ist rauh und
akustisches Wandlerelement mit einem mindestens ungleichförmig gewölbt. Dadurch liegen solche
eine ebene Oberfläche aufweisenden akustischen Be- Kristallachsen auf dieser Oberfläche frei, die nor-
lastungskörper mit einer darauf befindlichen metal- malerweise nicht erscheinen, wenn die Elektrode
lischen Auflageelektrode, mit einer dieselbe bedecken- 5 mit senkrechter Einfallsrichtung aufgedampft wird,
den Wandlerschicht aus piezoelektrischen Mikro- Λ . . . ,,·,,-, ~
kristallen und mit einer zweiten Metallelektrode, wo 2· Die Mikroknstalle eines piezoelektrischen Stoffes
jeweils mindestens eine Kristallhauptachse aller Mikro- des hexagonalen Systems, z. B. ZnO CdS, haben
kristalle der Wandlerschicht unter einem beliebig vor- lhre ^-Achsen m einer geneigten Richtung hegen,
gegebenen Winkel gegenüber der Normalen der Ober- ίο ™&8& dle anderen ema?der entsprechenden
fläche eeneiet ist Kristallachsen nicht notwendigerweise zueinander
Es hlndelt sich beim Gegenstand der Erfindung um ParalJel si"d- Yen".di? Mikrokristalle dem tetraein
Wandlerelement, dessen Grundresonanzfrequenz gonalen oder rhombischen System angehören, wei-
zwischen 50 und 2 000 MHz liegt. sen Jewei!s Knstallachsen einer Orientierung m
Für ein piezoelektrisches elektroakustisches Wand- 15 eme &nn& Achtung und die übrigen einander
lerelement, dessen Ultraschallgrundfrequenz im Hoch- entsprechenden Knstallachsen sind zueinander
frequenzgebiet liegt, muß der eigentliche Wandler- parallel.
körper sehr dünn sein. Deshalb wird ein solcher piezo- Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der
elektrischer Körper normalerweise durch epitaxiales folgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die
Wachstum oder durch Vakuumaufdampfung herge- 20 Zeichnung erläutert, die einen Längsschnitt durch ein
stellt. Wenn man zu der Epitaxialtechnik greift, muß piezoelektrisches elektroakustisches Wandlerelement
man sowohl die Auflageelektrode als auch den piezo- nach der Erfindung zeigt.
elektrischen Stoff so auswählen, daß beide Stoffe gleich- Nach der Zeichnung umfaßt ein piezoelektrisches {
artige Kristallstruktur und gleichartige Gitterkon- elektroakustisches Wandlerelement 10 einen akustistanten
aufweisen. Außerdem muß man die Ausrich- 25 sehen Belastungskörper 11, eine Auflageelektrode 13
tung der Kristallachsen des piezoelektrischen Stoffes auf einer Oberfläche 12 des Belastungskörpers, eine
so festlegen, daß der entstehende piezoelektrische Kör- piezoelektrische Wandlerschicht 14, die auf der Elekper
in dem gewünschten Schwingungsmodus schwingt. trode durch Vakuumaufdampfung gebildet ist, und
Die Einschränkungen hinsichtlich der Auflageelek- eine der Elektrode 13 gegenüberstehende Gegenelektrode
sind so einschneidend, daß dieselbe häufig als 30 trode 15. Die Elektroden 13 und 15 sind jeweils über
akustische Belastung ungeeignet ist. Außerdem führt Kontaktbeläge 16 und 17 mit Anschlußleitern 18 und
die dann zusätzlich erforderliche akustische Belastung 18' verbunden, die an eine Wechselspannungsquelle 19
normalerweise zu einer Vergrößerung der Wandlerver- angeschlossen sind. In dieser Ausführungsform des
luste, wodurch der Wirkungsgrad des Wandlers herab- Wandlerelementes nach der Erfindung bestehen der
gesetzt wird. Bei Anwendung der Vakuumaufdampf- 35 akustische Belastungskörper 11 aus geschmolzenem
technik kann man ein Wandlerelement dadurch her- Quarz, die Auflageelektrode 13 aus Aluminium und
stellen, daß man unmittelbar auf einer akustischen die Wandlerschicht 14 aus Cadmiumsulfid. Die Gegen-Belastung
eine Leiterschicht bildet und darauf eine elektrode 15 ist ein dünner Aufdampfungsbelag aus
piezoelektrische Schicht anordnet. Gold in einer entsprechenden Dicke. Die Wandler-
Aus der belgischen Patentschrift 654 914 ist ein 40 schicht 14 aus Cadmiumsulfid besteht aus Mikrokripiezoelektrischer
Wandler bekannt, bei dem die Mikro- stallen des hexagonalen Kristallsystems,
kristalle der Wandlerschicht gegenüber der Erstrek- Wenn die Aufdampfung des Cadmiumsulfids in be-
kungsrichtung der Auflageelektrode und damit gegen- kannter Weise in einer Richtung 21 unter einem Winüber
der diese tragenden Belastungskörper-Oberfläche kel α gegenüber der Normalen 20 der Oberfläche 12 (
geneigt ausgerichtet sind. Diese Neigung hängt von 45 erfolgt, stellen sich die C-Achsen der Cadmiumsulfiddem
Werkstoff der Auflageelektrode ab. Durch die mikrokristalle der Wandlerschicht 14 geneigt zur Nor-Neigung
der Mikrokristalle in der Wandlerschicht läßt malen 20 ein. Untersuchungen haben ergeben, daß
sich der Ausbreitungsmodus der Ultraschallwellen be- die Richtung der C-Achsen der Mikrokristalle von der
einflussen. Vor allem stellt sich bei einer bestimmten Richtung der Normalen 20 innerhalb eines bestimm-Neigung
eine Komponente des Schermodus ein. Aller- 5° ten Streubereichs abweichen, so daß die parallelen Gedings
zeigt die Ausrichtung der Mikrokristalle der raden zur Normalen 20 nicht unbedingt den gleichen
Wandlerschicht eine Streuung, so daß nur ein begrenzter oder den äquivalenten Satz von Millerindizies haben.
Wirkungsgrad für den Schermodus erzielbar ist. Es hat sich gezeigt, daß dieses Verfahren die Herstel-
Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung eines lung eines elektroakustischen Wandlerelements er-Wandlerelements
der genannten Art mit hohem Wir- 55. möglicht, das in gewissem Grade im Schermodus
kungsgrad für die Erzeugung des Schermodus. schwingen kann, es ist jedoch schwierig, einen aus-
Diese Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch ge- reichend hohen Wirkungsgrad für den Schermodus zu
löst, daß auch die Mikrokristalle der Auflageelektrode erzielen.
geneigt gegenüber der Oberfläche ausgerichtet sind. Demgegenüber sieht die Erfindung vor, daß nicht
Die geneigte Ausrichtung der Mikrokristalle der 60 nur die Cadmiumsulfidschicht, sondern auch die Alu-Auflageelektrode
bedingt bereits eine Orientierung der miniumelektrode 13 in geneigter Richtung aufge-Wachstumsfläche
für die Kristalle der Wandlerschicht. dampft wird. Wenn Aluminium in geneigter Rich-Dadurch
erreicht man eine Ausrichtung der Mikro- tung 22 unter einem Winkel b gegenüber der Normakristalle
der Wandlerschicht in zwei Achsrichtungen. len 20 und darauf auch Cadmiumsulfid in der bereits
Dies bedingt eine erhebliche Verbesserung des Wir- 65 genannten geneigten Richtung aufgedampft wird, läßt
kungsgrades bei der Erzeugung des Schermodus. sich bestätigen, daß bei nahezu allen Cadmiumsulfid-
Im einzelnen ergeben sich folgende Vorteile der Aus- mikrokristallen der Wandlerschicht 14 die jeweilige
richtung der Mikrokristalle: C-Achse in eine feste Richtung unter einem vorgege-
benen Winkel gegenüber der Normalen 20 weist und Quarz an einem Ende und der Schwefel am anderen
daß eine Gerade parallel zur Normalen 20 einen vor- Ende des Gefäßes befindet. Das Gefäß wird in einen
gegebenen oder einen äquivalenten Satz von Miller- Zweistufenofen eingestellt, womit der Quarz auf einer
indizies besitzt. Es ist anzunehmen, daß die Aluminium- Temperatur zwischen 200 und 450° C und der Schwefel
elektrode, die durch Vakuumaufdampfung in geneigter 5 auf einer niedrigeren Temperatur zwischen 20 und
Richtung gebildet ist und die geneigten Kristallachsen 100° C gehalten werden kann. Auf diese Weise wird die
sowie eine rauhe und wellenförmige Oberfläche auf- Wandlerschicht 14 in einer Schwefelatmosphäre
weist, eine Ausrichtung aller C-Achsen der Cadmium- wärmebehandelt. Bei einer dickeren Wandlerschicht 14
sulfidmikrokristalle in ein und derselben Richtung be- muß man die Wärmebehandlung bei höherer Tempedingt.
Die Cadmiumsulfidschicht 14 ist dadurch für io ratur während einer längeren Zeitdauer durchführen,
elektroakustische Wandlerelemente mit hohem Wir- Temperaturen oberhalb 450° C sind ungünstig, da sich
kungsgrad zur Erzeugung von Schwerschwingungen eine Reaktion zwischen den Schichten 13 und 14 ausgeeignet.
Die durch Vakuumauf dampf ung in geeigneter bildet. Temperaturen unter 200° C ergeben ein sehr
Richtung erhaltene Aluminiumschicht 13 enthält die schlechtes Endprodukt der Wärmebehandlung. In das
(lll)-Achsen geneigt gegenüber der Normalen 20. 15 Gefäß muß man eine genügende Schwefelmenge ein-Diese
Neigung der (lll)-Achsen der Aluminiumschicht geben, damit nicht der gesamte Schwefel während der
13 bildet vermutlich den Grund für die Ausrichtung der Wärmebehandlung verdampft. Nach Beendigung der
Kristallachsen der Cadmiumsulfidschicht 14 in der ge- Wärmebehandlung ist der spezifische Widerstand der
nannten Weise. Die Winkel α und b können nach Cadmiumsulfidschicht 10 ΜΩ cm. Auf die wärmebe-Wunsch
zwischen 0 und 90° ausgewählt werden. Gros- 20 handelte Cadmiumsulfidschicht wird in üblicher Weise
sere Werte für die Winkel α und b ergeben bessere Er- in Vakuum Gold aufgedampft, so daß man die Elek-
. gebnisse, doch wird die Herstellung der Schichten in trode 15 mit einer Mindestdicke von 3 000 Ä erhält.
ψ der erforderlichen Dicke unwirtschaftlich. Deshalb er- Das auf diese Weise hergestellte piezoelektrische
weist sich ein Wert von etwa 60° für beide Winkel als elektroakustische Wandlerelement 10 erzeugt Scheroptimal.
25 schwingungen mit hohem Wirkungsgrad und zeigt bei Die Cadmiumsulfidschicht 14 muß nicht nur in der der Resonanzfrequenz einen Einfügungsverlust von
beschriebenen Weise eine gerichtete Anordnung der weniger als 15 db. Obgleich auch Longitudinalschwin-Kristallachsen
aufweisen, damit man den gewünschten gungen entstehen, spielt dieses keine Rolle, da die Ein-Schwingungsmodus
erhält, sondern die Wandler- fügungsdämpfung für Longitudinalschwingungen um schicht 14 muß auch einen ausreichend hohen spezi- 30 mehr als 30 db größer als die Einfügungsdämpfung der
fischen Widerstand besitzen, damit eine anliegende Scherschwingungen bei der Resonanzfrequenz der
elektrische Spannung einen genügenden piezoelektri- Scherschwingungen ist.
sehen Effekt erzeugt. Die durch Vakuumaufdampfung Ein abgewandeltes Verfahren zur Herstellung eines
erzeugte Cadmiumsulfidschicht besitzt jedoch im all- elektroakustischen Wandlerelementes nach der Erfin-
gemeinen einen geringen spezifischen Widerstand. Zur 35 dung wird nunmehr dargestellt.
Vergrößerung des spezifischen Widerstandes führt man Auf eine Oberfläche der Größe 8 · 8 mm2 eines Qua-
nach der Erfindung eine Wärmebehandlung der Cad- ders der Größe 8 · 8 mm3 aus erschmolzenem Quarz,
miumsulfidschicht in einer Schwefelatmosphäre durch. der als akustischer Belastungskörper 11 dient, wird in
Ein akustischer Belastungskörper 11 aus erschmölze- einem Vakuum von 10~5 Torr eine Aluminiumschicht
nem Quarz wird so aufgestellt, daß die Vakuumauf- 40 13 in einer Dicke von 3 500 Ä aufgedampft. Dar Win-
dampfung in Richtung 22, wobei der Winkel b bei 60° kel b wird auf 60° eingestellt. Dar geschmolzene Quarz
einen Optimalwert erreicht, erfolgen kann. Dann wird 11 mit der Schicht 13 wird nunmehr im Vakuum bei
Aluminium auf die Oberfläche 12 im Vakuum auf ge- 400° C während 15 Minuten entgast. Die Temperatur
dampft. In dieser Verfahrensstufe ist das Vakuum vor- des Quarzes wird dann auf 150° C abgesenkt, und eine
zugsweise kleiner als 10~5Torr, die Temperatur des 45 Cadmiumsulfidschicht wird in einem Vakuum von
geschmolzenen Quarzes liegt unter 100°C, und die weniger als 5-10~5Torr aufgedampft. D sr Winkele
Aluminiumschicht 13 ist dicker als 3000 Ä. Der Be- wird auf 60° eingestellt. Die Cadmiumsulfidquelle be-
lastungskörper 11 bleibt unter diesem Winkel aufge- steht aus einem Pulver, das unter einem Druck von
stellt, und nunmehr wird Cadmiumsulfid auf die Elek- 1 t/cm2 und 2 t/cm2 zu Pillen geformt ist. Die Masse
trodenschicht 13 in einem Vakuum aufgedampft, das 50 einer Pille beträgt 0,5 g. Sechs derartige Pillen werden
besser als 5 · 10~5 Torr ist. in ein Heizgefäß mit einer Wolframspirale eingelegt,
Während dieser Auf dampf stufe hält man den Quarz das mit Aluminium überzogen ist und im Durchmesser
auf einer Temperatur zwischen 120 und 300° C, da sich 2 cm und in der Tiefe 1 cm mißt sowie in einer Ent-
Cadmiumsulfid im allgemeinen nicht auf einem Körper fernung von 10 cm vor dem Quarz 11 aufgestellt wird,
niederschlägt, dessen Temperatur oberhalb 200° C 55 Die Temperatur des Heizgefäßes wird zur Verdampfung
liegt, und da Cadmiumsulfid auf der Aluminium- des Cadmiumsulfids auf 900° C erhöht. Nahezu alle
schicht 13 keine gute Haftverbindung ergibt, wenn die Mikrokristalle der Cadmiumsulfidschicht 14 liegen mit
Temperatur unter 120° C liegt. Damit die Arbeitsfre- ihren C-Achsen in einer Richtung unter etwa 32° gegen-
quenz des Wandlers in dem gewünschten Frequenzbe- über der Normalen 20 und die (103)-Achsen erstrecken
reich liegt, muß die Dicke der Wandlerschicht 14 60 sich parallel zur Normalen 20. Dsr Quarz 11 mit den
zwischen 0,5 und 18 μ liegen. Die Verdampfungsquelle Schichten 13 und 14 sowie 0,5 g Schwefel werden in ein
des Cadmiumsulfids wird auf einer Temperatur zwi- Vakuumgefäß aus Quarz dicht eingeschlossen und in
sehen 650 und 1 000° C gehalten, da die Verdampfung einem Zweistufenofen mit jeweiligen Temperaturen
von Cadmiumsulfid oberhalb 1000° C zu schnell und von 400 und 350° C etwa 5 Stunden lang behandelt,
unterhalb 650°C zu langsam ist. Dar Quarz 11 mit den 65 D arch diese Wärmebehandlung steigt der spezifische
Aufdampfungsschichten 13 und 14 wird nunmehr zu- Widerstand der Cadmiumsulfidschicht 14 auf über
sammen mit Schwefel in ein Vakuumgefäß aus Quarz 10 ΜΩ cm an. Nach der Wärmebehandlung wird bei
oder Hartglas dicht eingeschlossen, wobei sich der Zimmertemperatur eine Goldschicht in einer Dicke
von 3 000 Ä auf die Cadmiumsulfidschicht aufgedampft.
Das auf diese Weise erhaltene Wandlerelement arbeitet im Schermodus und besitzt eine Resonanzfrequenz
bei 130 MHz sowie eine Einfügungsdämpfung von 13 db.
Bei einem jeden der zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiele wurde erschmolzener Quarz für den
akustischen Belastungskörper 11 benutzt. Der Belastungskörper 11 kann jedoch auch aus einem anderen
Stoff, z. B. Glas, Bergkristall, Rubin, Cadmiumsulfid od. dgl., bestehen, das der Temperatur der Wärmebehandlung
standhält und nicht mit dem Stoff der Elektrode 13 reagiert. Die Elektrode 13 braucht auch nicht
aus Aluminium zu bestehen, sie kann aus jedem anderen Metall hergestellt sein, das den akustischen Belastungskörper
11 fest mit der piezoelektrischen Wandlerschicht 14 bei allen Temperaturen bis zur Temperatur
der Wärmebehandlung berbindet und nicht mit den anderen Stoffen reagiert. Die Elektrode 13 braucht
auch nicht einschichtig zu sein, sondern sie kann aus ao mehreren Schichten aus verschiedenen Metallen aufgebaut
sein. Man kann Gold oder ein anderes Metall für den Kontaktbelag 16 der Elektrode 13 benutzen,
um die elektrische Verbindung zu verbessern. Die Wandlerschicht 14 kann auch aus einem anderen
piezoelektrischen Stoff, z. B. Zinksulfid oder einer anderen II-VT-Verbindung bestehen.
Claims (5)
1. Piezoelektrisches elektroakustisches Wandlerelement mit einem mindestens eine ebene Oberfläche
aufweisenden akustischen Belastungskörper mit einer darauf befindlichen metallischen Auflageelektrode,
mit einer dieselbe bedeckenden Wandlerschicht aus piezoelektrischen Mikrokristallen und
mit einer zweiten Metallelektrode, wo jeweils mindestens eine Kristallhauptachse aller Mikrokristalle
der Wandlerschicht unter einem beliebig vorgegebenen Winkel gegenüber der Normalen der Oberfläche
geneigt ist, dadurch gekennzeichnet,
daß auch die Mikrokristalle der Auflageelektrode geneigt gegenüber der Oberfläche ausgerichtet
sind.
2. Wandlerelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die weiteren Kristallachsen
der Mikrokristalle der Wandlerschicht jeweils parallel zueinander ausgerichtet sind.
3. Verfahren zur Herstellung eines Wandlerelements nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Auflageelektrode
und die Wandlerschicht nacheinander auf die ebene Oberfläche des Belastungskörpers
aufgedampft werden, die Wandlerschicht jedoch in geneigter Richtung gegenüber der Normalen der
Oberfläche, dadurch gekennzeichnet, daß auch die Auflageelektrode in geneigter Richtung gegenüber
der Normalen der Oberfläche aufgedampft wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch einen Aufdampfneigungswinkel von 60°
gegenüber der Normalen.
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, gekennzeichnet durch eine Wärmebehandlung der Wandlerschicht
in einer Schwefelatmosphäre.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7876865 | 1965-12-21 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1541523B1 true DE1541523B1 (de) | 1970-07-09 |
Family
ID=13671067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19661541523 Pending DE1541523B1 (de) | 1965-12-21 | 1966-12-16 | Piezoelektrisches elektroakustisches Wandlerelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3469120A (de) |
DE (1) | DE1541523B1 (de) |
GB (1) | GB1174909A (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1314818A (en) * | 1969-07-29 | 1973-04-26 | Mullard Ltd | Acoustical transducers |
US3688222A (en) * | 1971-03-18 | 1972-08-29 | Us Army | Matched ultrasonic delay line with solderable transducer electrodes |
US3786373A (en) * | 1971-10-01 | 1974-01-15 | Raytheon Co | Temperature compensated acoustic surface wave device |
US3877982A (en) * | 1972-04-12 | 1975-04-15 | Us Army | Monolithic acoustic surface wave amplifier device and method of manufacture |
US3868719A (en) * | 1973-04-02 | 1975-02-25 | Kulite Semiconductor Products | Thin ribbon-like glass backed transducers |
US3846649A (en) * | 1973-06-18 | 1974-11-05 | Rca Corp | Piezoelectric transducer comprising oriented zinc oxide film and method of manufacture |
US3948089A (en) * | 1973-10-12 | 1976-04-06 | Westinghouse Electric Corporation | Strain gauge apparatus |
DE2460207A1 (de) * | 1974-12-19 | 1976-09-02 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen eines akustooptischen bauelementes oder eines breitbandigen ultraschall-bauelementes |
FR2498405A1 (fr) * | 1981-01-16 | 1982-07-23 | Thomson Csf | Hydrophone a lame piezoelectrique mince |
JPH0763101B2 (ja) * | 1985-02-04 | 1995-07-05 | 株式会社日立製作所 | 圧電変換器およびその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE654914A (de) * | 1963-10-31 | 1965-02-15 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3012211A (en) * | 1959-01-27 | 1961-12-05 | Bell Telephone Labor Inc | Microwave ultrasonic delay line |
NL284622A (de) * | 1961-10-24 | |||
US3311854A (en) * | 1962-06-13 | 1967-03-28 | Bell Telephone Labor Inc | Single crystal quartz filter elements, transducers and delay lines |
US3254231A (en) * | 1962-07-10 | 1966-05-31 | Philco Corp | Frequency changer employing a moving sonic-energy-reflecting boundary in a semiconductor medium |
US3388002A (en) * | 1964-08-06 | 1968-06-11 | Bell Telephone Labor Inc | Method of forming a piezoelectric ultrasonic transducer |
-
1966
- 1966-12-16 DE DE19661541523 patent/DE1541523B1/de active Pending
- 1966-12-19 US US602804A patent/US3469120A/en not_active Expired - Lifetime
- 1966-12-21 GB GB57094/66A patent/GB1174909A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE654914A (de) * | 1963-10-31 | 1965-02-15 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3469120A (en) | 1969-09-23 |
GB1174909A (en) | 1969-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2917698C2 (de) | Piezoelektrische Vorrichtung | |
DE3437498C2 (de) | Akustischer Wellenresonator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2633063C2 (de) | ||
DE1791285B2 (de) | Verfahren zum Nachstimmen piezoelektrischer Resonatoren und nach dem Verfahren nachgestimmte piezoelektrische Resonatoren | |
DE2154163C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines verlustbehafteten Hochfrequenzfilters | |
DE112016006701T5 (de) | Anorganische piezoelektrische Materialien, die auf Fasern ausgebildet sind, und Anwendungen davon | |
DE1541523B1 (de) | Piezoelektrisches elektroakustisches Wandlerelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3049193C2 (de) | ||
DE3237358A1 (de) | Element fuer elastische oberflaechenwellen | |
DE3336281A1 (de) | Oberflaechenschallwellenvorrichtung | |
DE112010002790T5 (de) | HERSTELLUNGSVERFAHREN FüR EINE PIEZOELEKTRISCHE SCHICHT SOWIE MITDEM HERSTELLUNGSVERFAHREN HERGESTELLTE PIEZOELEKTRISCHE SCHICHT | |
DE3422108A1 (de) | Akustische oberflaechenwellen ausbildendes bauelement | |
DE3308365A1 (de) | Akustische oberflaechenwellen bildende vorrichtung | |
DE10121169A1 (de) | Oberflächenwellenbauelement, Schervolumenwellenwandler und Longitudinalvolumenwellenwandler | |
DE3789909T2 (de) | Vorrichtung mit einem ferroelektrischen Film. | |
DE69209760T2 (de) | Herstellungsverfahren für akustische Oberflächenwellenanordnungen | |
DE3510247A1 (de) | Wandler | |
DE102008029378B4 (de) | Anordnung eines piezoakustischen Resonators auf einem akustischen Spiegel eines Substrats, Verfahren zum Herstellen der Anordnung und Verwendung der Anordnung | |
DE2210165A1 (de) | Ladungsgekoppelte Halbleiteranordnung | |
DE1280357B (de) | Frequenzselektive Resonanzanordnung mit einem Festkoerper und einem darauf befestigten piezoelektrischen Resonator | |
DE1422620B2 (de) | Verfahren zum herstellen eines piezoelektrischen wandlers | |
DE1766665A1 (de) | Keramisches Wandlerelement und unter Benutzung solcher Wandlerelemente ausgebildeter Beschleunigungsmesser | |
DE2821539A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiter-bauelementen | |
DE1541523C (de) | Piezoelektrisches elektroakustisches Wandlerelement und Verfahren zu seiner Her stellung | |
DE102010036256B4 (de) | Mikroakustisches Bauelement und Herstellungsverfahren |