DE1539321B2 - Kontaktstück zur Kontaktierung von ThermoelementschenkeIn - Google Patents
Kontaktstück zur Kontaktierung von ThermoelementschenkeInInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- LIZIAPBBPRPPLV-UHFFFAOYSA-N niobium silicon Chemical compound [Si].[Nb] LIZIAPBBPRPPLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/82—Connection of interconnections
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Contacts (AREA)
Description
diese Brückenmaterialien für Betriebstemperaturen bis etwa 800° C geeignet sind. Die-genannten Materialien
neigen aber bei Temperaturen von etwa 700 bis 800° C bereits zum Verzundern. Kontaktstücke
aus diesen bekannten Materialien sind deshalb für Heißseitentemperaturen oberhalb 1000° C im Dauerbetrieb
nicht verwendbar.
Ferner können sich bei den bekannten Materialien in der Kontaktzone insbesondere mit den Dotierungsstoffen der Thermoelementschenkel, beispielsweise
mit Bor, Legierungen bilden, die die mechanische Belastbarkeit der Kontaktzonen erheblich vermindern.
Außerdem wird der elektrische Widerstand der Kon-
der Thermogeneratoren entsprechend verkleinert.
De Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Kontaktstück der einleitend genannten Art anzugeben,
das alle diese eingangs genannten Forderungen erfüllt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Kontaktstück aus einer Niob-Silizium-Legierung
besteht und daß das Mischungsverhältnis
Temperaturbeständigkeit dieser Materialien ist je- 45 beispieles näher erläutert. In der Figur ist ein Ther-
doch verhältnismäßig gering. Es ist bekannt, daß mogenerator dargestellt mit einem Wärmeaustauscher
1 für ein gasförmiges Medium an der heißen Kontaktstelle und einem Wärmeaustauscher 2 für ein
flüssiges Medium an der kalten Kontaktstelle. Der 50 Thermogenerätor enthält zwei Thermoelementschenkel
3 und 4 aus Germanium-Silizium-Halbleitermaterial, von denen der eine durch eine Dotierung mit
z. B. Bor, Gallium oder Indium p-leitend, der andere durch eine Dotierung mit z. B. Phosphor, Arsen oder
55 Antimon η-leitend gemacht ist. Die Kontaktstücke 5, 6 und 7 des Thermogenerators, von denen das erste
als Brücke ausgebildet ist, bestehen aus einer Niob-Silizium-Legierung. Sie sind durch eine elektrisch isolierende
und thermisch leitende Schicht 9 und 10, die
taktzonen vergrößert und damit der Wirkungsgrad 60 Aluminiumoxyd sein kann, von den Wärmeaustauschern
getrennt. Zwischen den Halbleiterkörpern und den Kontaktstücken sind den Halbleitermaterialfluß
in .das Kontaktstück hinein behindernde Schich
ten 8 aus Wolfram vorgesehen. Die Kontaktstücke und 7 besitzen elektrische Zuleitungen 11 und 12.
Die Kontaktierung wird auf die folgende Weise durchgeführt. Kontaktstücke aus einer Niob-Silizium-Legierung
werden entsprechend vorgeformt. Auf sie
werden Halbleiterschenkel an den vorgesehenen Berührungsflächen aufgeschmolzen oder aufgelötet. Die
Zwischenschichten 8 erhält man, wenn man vor dem Aufschmelzen der Halbleiterschenkel eine Folie oder
ein Netz aus Wolfram einlegt.
Claims (2)
1. Kontaktstück zur Kontaktierung von Thermoelementschenkeln
aus Germanium-Silizium-Halbleiterkörpern in Thermogeneratoren, das aus einer Silizium enthaltenden Legierung besteht,
dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktstück (5, 6, 7) aus einer Niob-Silizium-Legierung
besteht und daß das Mischungsverhältnis der Komponenten Niob und Silizium wenigstens angenähert
einer eutektischen oder dystektischen Zusammensetzung entspricht.
2. Kontaktstück nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Niob-Silizium-Legierung
die Zusammensetzung Nb0il2Si088 hat.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0103759 | 1966-05-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1539321A1 DE1539321A1 (de) | 1970-02-26 |
DE1539321B2 true DE1539321B2 (de) | 1970-10-15 |
Family
ID=7525411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19661539321 Pending DE1539321B2 (de) | 1966-05-12 | 1966-05-12 | Kontaktstück zur Kontaktierung von ThermoelementschenkeIn |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE697086A (de) |
DE (1) | DE1539321B2 (de) |
-
1966
- 1966-05-12 DE DE19661539321 patent/DE1539321B2/de active Pending
-
1967
- 1967-04-14 BE BE697086D patent/BE697086A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1539321A1 (de) | 1970-02-26 |
BE697086A (de) | 1967-09-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
SH | Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971 |