DE1514886B2 - Halbleiteranordnung - Google Patents

Description

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tung eingesetzt werden. Hierbei wird die Halbleiter- der Achse der rohrförmigen Anschlußleitungen ist scheibe mit den Kontaktbahnen umgekehrt in diese ein Justierstift 10 vorgesehen, während als Gegen-Schaltung gedrückt, wobei die Verbindung zwischen stück in die Halbleiterscheibe ein Loch 11 in ihrem

den Kontaktbahnen und den dazugehörigen Kontak- Mittelpunkt eingebracht ist. Die Verbindung der An-

ten in der Dünnfilmschaltung z. B. durch eine Ultra- 5 Schlußleitungen mit den Kontaktbahnen wird daschallbehandlung hergestellt wird. Beim Einsetzen durch hergestellt, daß das Halbleiterplättchen 1 mit

der Halbleiterscheibe in die Schaltung braucht nur dem Loch 11 über den Justierstift 10 geschoben und

der Mittelpunkt der konzentrischen Kontaktbahnen mit seinen Kontaktbahnen an die Anschlußleitungen

exakt einjustiert zu werden. Die beispielsweise als angedrückt wird. Ein dauerhafter Kontakt zwischen

Ringsegmente ausgebildeten Kontaktbahnen werden io den Anschlußleitungen und den Kontaktbahnen wird

dann durch einfaches Verdrehen der Halbleiter- beispielsweise durch einen Ultraschallbonder oder

scheibe um ihren Mittelpunkt mit den dazugehörigen durch einen Lötprozeß hergestellt.

Kontakten der Schaltung zur Deckung gebracht. Die F i g. 2 zeigt schließlich noch ein Ausführungs-

Die Erfindung wird im folgenden an einem Aus- beispiel für die Verwendung von Ringsegmenten als

führungsbeispiel näher erläutert. 15 Kontaktbahnen bei Halbleiteranordnungen mit mehr

Ein Hochfrequenzleistungstransistor mit ringför- als drei Kontaktstellen, z.B. bei integrierten HaIbmigen Kontaktbahnen auf der Isolierschicht nach der leiterschaltungsanordnungen. Nach der F i g. 3 sind Erfindung besteht beispielsweise aus einem Silizium- auf einer Halbleiterscheibe 1 auf zwei Kreisbahnen plättchen vom Leitungstyp der Kollektorzone, in das Ringsegmente als Kontaktbahnen angeordnet, und die Emitter- und die Basiszonen in bekannter Weise 20 zwar jeweils vier Ringsegmente pro Kreisbahn. Die durch Diffusion nach der Planartechnik eingebracht Ringsegmente auf der inneren Kreisbahn sind mit 12, werden. Dabei entsteht auf der Oberfläche des Halb- 13,14 und 15 bezeichnet, während die Ringsegmente leiterplättchens eine isolierende Schutzschicht aus Si- auf der äußeren Kreisbahn die Bezugsziffern 16, 17, liziumoxyd, die durch Oxydation des Siliziumplätt- 18 und 19 haben. Die vorhandenen acht Kontaktchens im Oberflächenbereich gewonnen wird. Diese 25 bahnen können beispielsweise zur Kontaktierung von Schutzschicht wird an denjenigen Stellen, an denen Transistoren, Dioden oder Widerständen auf der die Halbleiterzonen des Transistors kontaktiert wer- Halbleiterscheibe dienen.

den, freigelegt, indem Löcher in die Schutzschicht Die Halbleiterscheibe der F i g. 2 wird nun mit iheingebeizt werden. Anschließend werden auf die ren Kontaktbahnen auf die Schaltungsplatte 20 geSchutzschicht die ringförmigen Emitter-, Basis- und 30 legt, und zwar derart, daß die Kontaktbahnen der Kollektor-Kontaktbahnen aufgedampft, die durch die Halbleiterscheibe auf die entsprechenden und eben-Verbindungsstücke mit den entsprechenden Halb- falls auf zwei Kreisbahnen angeordneten Kontakte leiterzonen verbunden werden. 12', 13', 14', 15', 16', 17', 18', 19' zu liegen kommen.

Die F i g. 1 zeigt den fertigen Transistor, der aus Zu diesem Zweck wird zunächst der Mittelpunkt 21 dem Halbleiterkörper 1, der auf dem Halbleiterkör- 35 der Halbleiterscheibe 1 mit dem Punkt 22 der Schalper befindlichen Isolierschicht 2 sowie aus den ring- tungsplatte 20 zur Deckung gebracht und die HaIbförmigen Emitter-, Basis- und Kollektor-Kontakt- leiterscheibe so lange gedreht, bis die Kontaktbahnen bahnen 4,5 und 6 besteht, die durch nicht darge- der Halbleiterscheibe auf die dazugehörigen Konstellte Zuleitungen mit den entsprechenden Halb- takte der Schaltungsplatte zu liegen kommen. Die leiterzonen verbunden sind. Die F i g. 1 zeigt außer- 40 elektrische Verbindung der Kontakte der Schaltungsdem die zu den Kontaktbahnen gehörigen Anschluß- platte mit anderen Schaltungselementen erfolgt durch leitungen 4', 5' und 6', die rohrförmig und gleichzei- die auf der Schaltungsplatte befindlichen Leitungstig als Schwingkreise ausgebildet sind. Im Bereich züge 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29 und 30.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

1 2 körper vorgesehen (deutsche Auslegeschrift Patentansprüche: 1 104 618). Schließlich ist noch eine Halbleiteranord nung mit einer Legierungselektrode bekannt, bei der

1. Halbleiteranordnung mit konzentrisch ein Hohlzylinder als Anschlußteil vorgesehen und zueinander verlaufenden, ringförmigen Kontakt- s mit der Legierungselektrode legiert ist (deutsche bahnen auf der einen Oberflächenseite des Halb- Auslegeschrift 1 118 889).

leitersystems, dadurch gekennzeich- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei net, daß die Kontaktbahnen ganz auf einer iso- Planaranordnungen die Kontaktierung zu erleichtern, lierenden Schutzschicht auf der einen Oberflä- Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einer Halbchenseite des Halbleiterkörpers verlaufen und io leiteranordnung mit konzentrisch zueinander verlaudurch Zuleitungen wie Dünnfilmstreifen oder Zu- fenden, ringförmigen Kontaktbahnen auf der einen leitungsdrähte mit den zu kontaktierenden Halb- Oberflächenseite des Halbleitersystems nach der Erleiterzonen von beliebiger Struktur verbunden findung vorgeschlagen, daß die Kontaktbahnen ganz sind. auf einer isolierenden Schutzschicht auf der einen

2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, da- 15 Oberfiächenseite des Halbleiterkörpers verlaufen und durch gekennzeichnet, daß der Mittelpunkt der durch Zuleitungen wie Dünnfilmstreifen oder Zuleikonzentrischen Kontaktbahnen auf dem Halb- tungsdrähte mit den zu kontaktierenden Halbleiterzoleiterkörper gekennzeichnet ist. nen von beliebiger Struktur verbunden sind.

3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 Die Halbleiterzonen, die durch die Kontaktbahnen oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halb- 20 kontaktiert werden, können bei der Halbleiteranordleiterkörper im Mittelpunkt der konzentrischen nung nach der Erfindung eine beliebige Struktur be-Kontaktbahnen eine Vertiefung zur Aufnahme sitzen und beispielsweise streifenförmig oder kreiseines zu einem Anschlußstück gehörigen Zapfens förmig ausgebildet sein. Eine konzentrische Anordaufweist. nung der auf der Isolierschicht befindlichen Kontakt-

4. Halbleiteranordnung nach einem der An- 25 bahnen nach der Erfindung hat den Vorteil, daß zur Sprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als genauen Festlegung der Halbleiteranordnung in einer Anschlußstücke für die Kontaktbahnen rohrför- Schaltung nur die exakte Einstellung eines einzigen mige konzentrische Leitungen vorgesehen sind. Punktes, nämlich des Mittelpunktes der konzentri-

5. Transistor nach Anspruch 4, dadurch ge- sehen Kontaktbahnen, erforderlich ist. Sind gemäß kennzeichnet, daß das Mittelrohr der konzentri- 30 einer Weiterbildung der Erfindung als Kontaktbahschen Leitungen als Basis- oder als Emitteran- nen Ringsegmente, die auf einer oder mehreren Schluß vorgesehen ist. Kreisbahnen verlaufen, so wird nach der Einjustie-

6. Halbleiteranordnung nach einem der An- rung des Mittelpunktes der Halbleiterkörper um seisprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als nen Mittelpunkt so lange gedreht, bis der erforder-Kontaktbahnen Ringsegmente vorgesehen sind, 35 liehe Kontakt hergestellt ist. Bei Verwendung von die auf einer oder mehreren Kreisbahnen verlau- ringförmigen Kontaktbahnen entfällt das Drehen des fen. Halbleiterkörpers sogar.

Eine konzentrische Anordnung der Kontaktbahnen hat eine besondere Bedeutung für den Einbau 40 von Halbleiteranordnungen in Hochfrequenz-Leistungsschaltungen. In diesem Falle kann man nämlich als Anschlußleitungen rohrförmige konzentrische

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung Leitungen verwenden und diese so ausbilden, daß sie mit konzentrisch zueinander verlaufenden, ringförmi- gleichzeitig als Schwingkreise dienen. Der Einbau in gen Kontaktbahnen auf der einen Oberflächenseite 45 die Schaltung erfolgt dann einfach dadurch, daß das des Halbleitersystems. flache Halbleiterplättchen mit seinen Kontaktbahnen

Es ist bei einer integrierten komplementären gegen die Kanten der konzentrischen Leitungen ge-Transistoranordnung (französische Patentschrift drückt und mit diesen beispielsweise verlötet wird. 680) bekannt, bei einem Lateraltransistor mit Auf diese einfache Weise kann man z. B. niederohringförmig um die Emitterzone verlaufender Kollek- 50 mige Schwingkreise an Transistoren anschließen, torzone die Elektroden der Ringform der Kollektor- ohne daß störende Induktivitäten oder Kapazitäten zone anzupassen und ringförmige, zueinander kon- auftreten.

zentrisch verlaufende Elektroden vorzusehen, die in Die konzentrische Anordnung von rohrförmigen

Aussparungen der Isolierschicht unmittelbar auf der Anschlußleitungen kann aber auch als völlige Ab-Halbleiteroberfläche verlaufen. Entsprechend ring- 55 schirmung von Eingangs- und Ausgangskreis eines förmig sind auch die ebenfalls unmittelbar auf der UHF-Verstärkers dienen, wo Rückwirkungskapazitä-Halbleiteroberfläche angeordneten Elektroden des ten von Bruchteilen eines pF eine entscheidende dazugehörigen Komplementärtransistors ausgebildet, Rolle spielen. Verwendet man das Mittelrohr der der ein normaler Planartransistor ist. konzentrischen Leitungen als Basisanschluß, so ist

Bei einer anderen bekannten Halbleiteranordnung 60 die Rückwirkungskapazität zwischen Kollektor und sind konzentrisch verlaufende, ringförmige Emitter- Emitter gleich Null. Verwendet man dagegen das zonen vorgesehen, die durch Legieren hergestellt Mittelrohr als Emitteranschluß, dann ist die Rücksind. Diese konzentrisch zueinander verlaufenden Wirkungskapazität zwischen Kollektor und Basis Emitterzonen sind durch das Legierungsmaterial als gleich Null. Dies gilt jeweils für die außerhalb des Elektrodenmaterial unmittelbar bedeckt. Zwischen 65 Halbleiterplättchens auftretenden Kapazitäten,
den ringförmigen Emitterzonen bzw. Emitterelektro- Eine weitere Anwendungsmöglichkeit der Erfinden sind ebenfalls ringförmige, konzentrisch zueinan- dung besteht bei integrierten Schaltungen oder Trander verlaufende Basiselektroden auf dem Halbleiter- sistoren, die in eine Dünnfilm- oder Siebdruckschal-