DE1514067A1 - Schaltbares Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren - Google Patents
Schaltbares Halbleiterbauelement und HerstellungsverfahrenInfo
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Description
INTERNATIONAL STANDARD J3LECTRIC CORPORATION, NM YORK
Schaltbares Halbleiterbauelement und Hefstellungsverfahren
Die Priorität der Anmeldung in G-rossbritannien vom
2. Dezember 1964 Nr. 48 362/64- ist in Anspruch genommen.
Durch die vorliegende Erfindung soll ein schaltbares
Halbleiterbauelement mit im wesentlichen sich gleichenden Fluss- und Sperr-Kennlinien und ein besonders vorteilhaftes
Verfahren seiner Herstellung angegeben werden.
Die Erfindung betrifft ein schaltbares Halbleiterbauelement
mit 5 aneinandergrenzenden Zonen abwechselnden I»eitfähigkeitstyps in einem Halbleiterkörper. Es
zeichnet sich erfindungsgemäss dadurch aus, dass in
einer Oberflächenzone vom ersten leitfähigkeitstyp, die
eine Zone des zweiten Leitfähigkeitstyps im Innern eines
Halbleiterkörpers umgibt, weitere Zonen des zweiten Leitfähigkeitetyps eingesetzt sind, die an der Oberfläche
flächenförmige Kontakte aufweisen, und dass die Oberflächenßone
vom ersten Leitfähigkeitstyp von einem Graben derartig durchdrungen ist, dass zwei elektrisch voneinander
getrennte den äusseren Zonen benachbarte Zonen entstehen.
Das Verfalaren eum Herstellen des Halbleiterbauelementes
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nach der Erfindung zeichnet sich durch besondere Einfachheit aus und besteht darin, dass über die gesamte
Oberfläche eines plattenförmigen Halbleiterkürpers des ersten Leitfähigkeitstyps eine Oberflächenzone dc3 zweiten
Leitfähigkeitstyps eindiffundiert wird, dass örtlich auf beiden Seiten des Halbleiterkörpers in die Oberflächenzone
mindestens je eine Endzone des Halbleiterbauelementes
vom Leitfähigkeitstyp des Halbleiterkörpera eindiffundiert
wird, dass durch Ätzen oder mechanische Mittel um eine Endzone auf einer Seite des Halbleiterkörpers
durch die Oberflilchensone ein dieao in avei dem Kndzonen
benachbarte Zonen trennender Graben hergestellt wird, und
dass dann zumindest an den Endzonen flächenförmige Kontakte angebracht werden.
Eine besondere Ausführungsfona der Erfindung soll im folgenden anhand der Zeichnung beschrieben werden, in der
die Pig. 1 im Querschnitt einen mit 2 Steuerelektroden versehenen plattenförmigen Halbleiterkörper
eines schaltbaren Halbleiterbauelementes mit fünf aufeinandergrenzenden Zonen nach der Erfindung
und
die Pig. 2 im Querschnitt einen plattenförmigen Halbleiterkörper
eines schaltbaren Halbleiterbauelementes nach der Erfindung mit einer einsigen
Mehrzonen-Steuerelektrode zeigt.
Bei beiden Ausführungsformen wird das Halbleiterbauelement in einer Platte aus η-leitendem Silicium mit einem
spezifischen Widerstand von 20 bis 40ilcm hergestellt.
Die Dicke der Platte beträgt etwa 200 Mikron und der Durchmesser wird; wie dem Fachmann bekannt i3t, auf die Strombelastungsgrenze
des Bauelementes abgestimmt.
Auf die Oberfläche der Platte lässt man durch Erhitzen
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über einen Zeitraum von 6 Std. bei 1.100° C in mit Wasserdampf
bei 100° C gesättigtem Sauerstoff eine Schicht aus
Siliciumdioxyd aufwachsen. Eine Schicht aus Gallium wird in die Oberfläche des Siliciums durch die Siliciumdioxydschicht
diffundiert, um eine Oberflächenzone 1 vom p-Leitfähigkeitstyp
und einen Übergang 2 in einer Tiefe von etwa 40 Mikron zu bilden. Die unverwandelte Zone von n-leitendem
Material stellt die Basiszone des Bauelementes dar.
Bei der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsform werden
auf beiden Flächen der Platte durch das Oxyd Fenster geätzt, durch die eine Phosphordiffusion zum Herstellen der
ringförmigen Endzonen 3 und 4 erfolgt. Es sollte beachtet
werden, dass das Diffusionsvermögen von Gallium und Phosphor durch ,Siliciumdioxyd auffallend unterschiedlich 1st,
so dass Quarz als Maske zwar für Phosphor aber nicht für Gallium wirkt. Später wird zum Herstellen von ohmsehen Kontakten
bei 5, 6» 7 und S lücke! plattiert.
. Danach wird durch einen bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen üblichen photolithographischen Prozess die
Siliciumplatte über ihre gesamte Oberfläche mit Ausnahme
eines Hinges DD maskiert. l<Xittels einer Mischung aus Fluss-
und Salpetersäure wird ein den übergang 2 bei AC freilegender
Graben 9 geätzt, um getrennte.Zonen In der p-Schicht zu
erhalten. Als Elektroden für die Anode-Gitter- und Kathoden-Zonen
sind ohmsche Kontakte 3, 6, 7 und 8 vorgesehen.
Die Kontakte 6 und 7 sind Elektroden für die beiden Gitter-Zonen
des Bauelementes, während die Kontakte 5 und 6 als
die Übergänge kurzschliessende Anoden- und Kathoden-Elektroden dienen. Da das Bauelement wie ersichtlich elektrisch
symmetrisch ist, ist der Kontakt 5 als Anode und der Kontakt
8 als Kathode oder umgekehrt geeignet.
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Ein gegenüber dem Kontakt 5 positiver an den Kontakt 6 angelegter Impuls wird das .Bauelement in den Zustand der
hohen Leitfähigkeit in eine Richtung schalten, während ein gegenüber dem Kontakt 8 an den Kontakt 7 angelegter
positiver Impuls das Bauelement in die andere Richtung einschalten wird.
Bei der anhand der Pig. 2 veranschaulichten zweiten Ausführungsform werden durch das Oxyd auf beiden Seiten
der Halbleiterplatte Fenster geätzt und durch diese Phosphor zum Herstellen von ringförmigen Zonen 3, 4 und
10 diffundiert. Bei 5, 7 und 11 wird nickel zuu Herstellen
von ohmschen Kontakten plattiert.
Die Siliciumplatte wird dann über ihre gesamte Oberfläche
mit Ausnahme eines Ringes DD maskiert und in der p~ Dchioht ein Graben S zum Herstellen getrennter Zonen geätzt.
Der Kontakt 11 ßtellt eine Doppel-Elektrode für die Gitter-Zone
dar. Ein bezüglich der Kathode an die Gitter-Eone angelegter positiver Impuls wird das Bauelement bei
Vorspannung in einer Richtung in den Zustand hoher Leitfähigkeit
und ein negativer Impuls bei entgegengesetzter Vorspannung es in. den Zustand einer hohen Leitfähigkeit
achalten. Im letzterkPall wirken die Zonen 3f 1 und 10
als Transistor im Sättlgungszustand.
Die Lage der weiteren diffundierten Zone 10 wird in bekannter
V/eise derartig vorgegeben,' dass der aus 12*, 1 und 3 bestehende Quertransistor eine\zum Schalten des
Halbleiterbauelemüii tee in den leitenden Zustand ausreichende
Stromverstärkung aufweist, iüt der ringförmigen
Elektrodenstruktur des dargestellten Bauelementes wird dieses besonders günstig durch die Anordnung der Diffusionszone
am Umfang des Gitter-Kontaktes erreicht.
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Obwohl sich die beschriebenen Ausführungsformen auf
Silicium beziehen, ist der beschriebcuc -C-x'und^^.dänke.
in gleicher Weise auf andere Halbleitermaterialien
anwendbar.
Es können ebenfalls Bauelemente von entgegengesetzter
Polarität hergestellt werden. Anstelle des Ätzens zum Teilen der oberflächlich diffundierten Zone in zwei
getrennte Zonen können auch mechanische Mittel, wie die
Anwendung von Abtragungsverfahren mit Preaaluft, vervrendet
werden.
Die Erfindung ist selbstverständlich nicht auf obige
Ausführungsbeispiöle beschr&nkt.
BAD ORIGINAL 90 98 32/0811 - 6 -
Claims (1)
- ISE/Reg. 3293 - Pl 253 - β - Z.J. Kurpiaz et al-3-2-115U067PAIEHIAN5PRÜCHE1. Schaltbares Halbleiterbauelement mit fünf aneinandergrenzenden Zonen abwechselnden Leitfähigkeitstyps in einem Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, dass in eine Oberflächenzone (1) vom ersten Leitfähigkeitetyp, die eine Zone des zweiten Leit- fähigkeitstypa im Innern eines Halbleiterkörpers umgibt, weitere Zonen (31 4, 10) des zweiten Leitfähigkeitstyps eingesetzt sind, die an der Oberfläche flächenfönaige Kontakte (5, 0, 11) aufweisen, und dass die Oberflächenwelle (1) vom ersten Leitfähigkeitstyp von einem Graben (9) derartig durchdrungen iat, dass zwei elektrisch voneinander getrennte den äuaseren Zonen benachbarte Zonen entstehen.2. Schaltbar es Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die flächenförmigen Kontakte (5, 8) Je zwei benachbarte Zonen (1, 4j;.Τβ 3) ohmisch kontaktieren.* Schal cbarea Halbleiterbauelement nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass innerhalb der Fläche eines ringförmigen Grabens (9) eine äuesere Zone (3) des zweiteh iöitfähigkeitetyps in die Obe2>· flachonzone (1) eingeseift und dass bei den Zonen (1,3) ein flächenförmiger\^ontakt (8) gemeinsam ist.4· Schal tbarea HalbleiterbaueleEient\nach Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daüß der Graben (9) eich durch mehr al· di· Hälfte des Halbleiterkörpera •rstreclct« ■■ ■909832/0611 " ? *" ·ORIGINAL INSPECTEDISE/Reg. 3293 - Fl 253 - 7 - Z.J. Kurpi&a et al-3-2-15. Schaltbares Halbleiterbü-ueiencml nudh ^bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass innerhalb der Fläche der äußseren Zone (3) in die Oberfläoherizone (1) eine v/eitere Zone (10) sura Steuern des Bauelementes eingesetzt ist, die mit der äuaseren 2ono (3) und der Qberflächenzone (1) an und parallel zur Oberfläche des Halbleiterkörpern einen Traneißtor bildet.6. Schalfrbareß Halblei terbaiielement nach A:ix:pi*uoh 5t dadurch gekennceichnet, dass die vcilere Sone (IQ) ringfürmig auseebildet und innerhalb ihrer Fläche mit der Oberflächenaone (1) einen gemeinsamen flächenförmigen Kontakt (11) zum Steuernaufweist, und dass die aus3ere Zone (3) an der Oberfläche des HaIbleiterkörpers an ihre üiurandung ^um Graben durch einen flächenförmigen Kontakt (R) kurzgeschlossen ist.7. Schaltbares Halbleiterbauelement nach Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gokennaeichnet, dast; der Halbleiter— körper aue Silicium besteht.8. Verfahren auia Herstellen eines schaltbaren Halbleitörbauelementes mit fünf aneinandergreüsüiideii Zonen abwechselnden Leitfähigkeitstyps nach JLnsprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass über die gesamte Oberfläche eines plattenfSrr4gen-lIalbleiterlcQrper8 des ersten Leitfahigkoitstyifa eine Oberflächenaone des zweiten Leitfähigkeitartyps eiadiffundierü wird, dass Örtlich auf beid^in-Seiten des Halbleiterlcörpers in die Oberflächenzone mindestens je eine lündzone dee Halbleiterbaueiemöntos Tom Iieitfähigkeitstyp dea Halbleiterkörpers eindiffundiert wird, dass durch Ätzen oder mechanische Mittel um eine Endzone9098 32/J0 6 1 1 - 8 -BAD ORIGINALISE/Reg. 3293 - Pl 253 - 8 - Z.J. Kurpisa et al-3-2-115H067auf einer Seite des Haluleiterkörperü uuruii die Oberflächenzone ein diese in av/ei den Endzonen benachbarte Zonen trennender Graben herausieilt wird) und dass dann zumindest an den End&onen flächenförioige Kontakte angebracht werden·9. Verfaliren riaoh Anspioicii G, dadurdi g dass an den Endzonen fläcnenfüriaige !Kontakte ange bracht werden, die an der Oberfläche des Halbleifcerkorperö die lindüon&n mit deii ilüien otuü-cLbarten So~ nen kurzschllessen.19. ifovember 1965
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|---|---|---|---|---|
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| US3209428A (en) * | 1961-07-20 | 1965-10-05 | Westinghouse Electric Corp | Process for treating semiconductor devices |
| US3271636A (en) * | 1962-10-23 | 1966-09-06 | Bell Telephone Labor Inc | Gallium arsenide semiconductor diode and method |
| US3249831A (en) * | 1963-01-04 | 1966-05-03 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor controlled rectifiers with a p-n junction having a shallow impurity concentration gradient |
| US3320485A (en) * | 1964-03-30 | 1967-05-16 | Trw Inc | Dielectric isolation for monolithic circuit |
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