DE1490653A1 - Magnetfeldhalbleiter - Google Patents
MagnetfeldhalbleiterInfo
- Publication number
- DE1490653A1 DE1490653A1 DE19641490653 DE1490653A DE1490653A1 DE 1490653 A1 DE1490653 A1 DE 1490653A1 DE 19641490653 DE19641490653 DE 19641490653 DE 1490653 A DE1490653 A DE 1490653A DE 1490653 A1 DE1490653 A1 DE 1490653A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- magnetic field
- carrier plate
- buffer layer
- semiconductor
- ground
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 19
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 claims description 2
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 229910000595 mu-metal Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000947853 Vibrionales Species 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N gallium antimonide Chemical compound [Sb]#[Ga] VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/923—Physical dimension
- Y10S428/924—Composite
- Y10S428/926—Thickness of individual layer specified
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/928—Magnetic property
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12486—Laterally noncoextensive components [e.g., embedded, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12528—Semiconductor component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12681—Ga-, In-, Tl- or Group VA metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12778—Alternative base metals from diverse categories
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31511—Of epoxy ether
- Y10T428/31529—Next to metal
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
SIEMENS-SCHUCKERTWERKE Erlangen, den " 9' Sep*
Aktiengesellschaft Werner-von-Siemenn-Str.
U90653
PLA 64/1588
Dr. Expl.
Magnetfeldsonden mit magnetfeldabhängigem Halbleitermaterial sind
in verschiedenen Ausführungsformen bekannt. Die Sonden sollen im
allgemeinen eine möglichst geringe Dicke haben, damit unter anderem der Widerstand der Feldsonde möglichst grofS und der Luftspalt des
Magneten, in den die Sonde eingesetzt wird, so schmal wie irgend möglich gehalten werden kann. Um günstige Betriebseigenschaften dieser
sogenannten Feldplatten zu erzielen, geht man also mit der Dicke der halbleitenden Schicht bis auf etwa 5 Mikron und weniger herunter.
" '*
90982 7/0579 vC/kö
PLA 64/1588
. U90653
So dünne Plättchen lassen sich ohne eine mechanisch stabile Unterlage
im praktischen Gebrauch nicht handhaben. Die Plalbleiterplättchen werden daher auf eine Unterlage, eine sogenannte Trägerplatte, aufgebracht.
Damit der effektive Luftspalt trotz der relativ dicken Trägerplatte schmal sein kann, hat man versucht, Träger aus ferromagnetischera
Material oder aus Ferrit zu verwenden. Meist muß dann das Halbleitermaterial gegen die Trägerplatte isoliert 3ein. Als
Isoliermaterial wurden bisher relativ feste Stoffe, z.B. Glimmerplättchen,
benutzt.
Da Träger, Halbleitermaterial und das zwischen beiden liegende Isoliermaterial im allgemeinen verschiedene Ausdehnungskoeffizienten
besitzen, können die bekannten Pedlplatten bei starken Temperaturänderungen
beschädigt werden oder gar zerspringen. Weiterhin konnten die Isolierschichten, die ja wegen ihrer nichtmagnetischen Eigenschaft
zur Verbreiterung des effektiven Luftspaltes beitragen, bisher nicht so dünn hergestellt werden, wie es wünschenswert wäre, wenn ein sehr
starkes Magnetfeld, also ein sehr schmaler Luftspalt, gebraucht wird.
Die Erfindung betrifft einen magnetfeldabhängigen Widerstand mit einer auf eine ferro- oder ferrimagneti3che Trägerplatte aufgebrachten
ebenen Halbleiterschicht, wobei die genannten Mängel vermieden sind. ErfindungBgemäß ist auf die Oberfläche der dem Halbleiter zugewandten
Fläche der geschliffenen Trägerplatte eine gegenüber Halbleiter- und Trägermaterial relativ weiche, plangeschliffene und isolierende
Pufferschicht aufgebracht. Die Pufferschicht kann insbesondere aus Kunstharz mit einem Füllstoff, wie Quarzmehl, Aluminiumoxyd
und Magnesiumoxyd bestehen. Sie dient unter anderem zum Auffüllen und damit zum Ausgleich der restlichen Oberflächenrauhigkeit der Träger-Platte. 909827/057 9
PLA 64/1588
Bei Temperaturschwankungen wird die erfindungsgemäße Feldplatte
nicht beschädigt, da die Pufferschicht erstens sehr genau - auf wenigstens 1 Mikron genau - plangeschliffen werden kann und zweitens
gegenüber Träger- und Halbleitermaterial relativ weich ist. Bei TemperaturSchwankungen eventuell auftretende verschiedene Ausdehnungsraten von Träger und Halbleiter können sich also über die Pufferschicht
ausgleichen. Durch die Erfindung wird demnach die Möglichkeit gegeben, Halbleitermaterialien auf metallischen oder sonstigen
Werkstoffen aufzubringen, ohne wesentliche Rücksicht auf deren Aus- dehnungskoeffizienten
nehmen* zu müssen.
Bei Verwendung von magnetischen Werkstoffen aln Träger für den erfindungsgemäßen
magnetfeldabhänpiren Widerstand mit elektrisch isolierender
Pufferschicht kann der Luftspalt im magnetischen Kreis bis auf wenige Mikron über den Wert der Dicke des Halbleitern verkleinert
werden. Die Luftspaltbreite kann dann nämlich auf im wesentlichen
die Dicke von Pufferschicht und Halbleiter reduziert werden.
Der erfindungsgemäße magnetfeldabhängige Widerstand kann folgender- (
maßen hergestellt werden: Auf die vorgeschliffene Trägerplatte wird eine Pufferschicht obengenannter Art in flüssigem Zustand mit einer
Dicke von etwa 10 Mikron aufgestrichen, gehärtet und anschließend auf eine Dicke in der Größenordnung von 5 Mikron abgeschliffen. Auf
die fertige Trägerplatte wird dann die Halbleiterschicht aufgebracht.
Anhand von schematischen Zeichnungen werden einige weitere Erläuterungen
zur Erfindung angegeben. Es zeigen:
90982IJ0579
BAD ORIGtNAl
PLA 64/1588
H
U90653
Figur 1 einen Aufriß einer erfindungsgemäßen Feldplatte, Figur 2 die Oberflächengüte einer Trägerplatte ohne bzw. mit Pufferschicht.
In Figur 1 ist ein Beispiel einer Feldplatte nach der Erfindung im
Aufriß gezeichnet. Der Maßstab böträgt ungefähr 100 : 1. Mit 1 ist
die Trägerplatte, mit 2 die Pufferschicht und mit 3 die Halbleiterschicht symbolisiert.
Zur Verkleinerung der effektiven Breite des Luftspaltes, in den die
Feldplatte bei Verwendung eingesetzt ist, wird die Trägerplatte Vorzugsweise aus einem weichmagnetischen Material hergestellt. En eignen
sich hierfür zum Beispiel Mu-Metall oder Dynamoblech. Unter bestimmten
Voraussetzungen, wie sie im deutschen Patent (Anmeldung
S 88 506 VIIId/21c; PLA 63/1784) angegeben sind, kann es auch zweckmäßig
sein, einen ganz oder teilweise aus Ferrit bestehenden Träger für die Feldplatte zu benutzen.
Die Halbleiterschicht der Feldplatte soll einen möglichst stark magnetfeldabhängigen
Widerstand haben. Verschiedene solcher Materialien, deren Widerstand sich bei Änderung des einwirkenden Magnetfeldes von
0 auf 10 Kilogauß auf mehr als den 10-fachen Wert vergrößert, sind
bekannt. Als Halbleitereubstanzen eignen sich unter anderem die so-
III V
genannten A B -Materialien, wie Indiumantimonid, Indiumarsenid oder Galliumantimonid, aus der III. und V. Gruppe des Periodensystems der Elemente.
genannten A B -Materialien, wie Indiumantimonid, Indiumarsenid oder Galliumantimonid, aus der III. und V. Gruppe des Periodensystems der Elemente.
Man erhält eine besondere starke Magnetfeldabhängigkeit, wenn beispielsweise
im Indiumantimonid parallel zueinander ausgerichtete
909827/0579
- 4 -BADORIQINAL O
PLA 64/1588
nadeiförmige Einschlüsse aus Nickelantimonid enthalten sind. Andererseits
können auf die Halbleiterschicht auch parallele Streifen au3 gutleLtendem Material, wie Silber, Kupfer oder Indium, aufgebracht
sein. Pur ein und dieselbe* Hatbleiterschicht erhält man die stärkste
Magnetfeldabhängigkeit, wenn die Einschlüsse bzw. Streifen, das einwirkende Magnetfeld und der den Halbleiter durchfließende elektrische
Strom senkrecht zueinander ausgerichtet sind.
Die Fi^ur 2 zeigt Meßergebnisse, die an einem Ausführungsbeispiel
des erfindungogeraäßen magnetfeldabhängigen Widerstandes während dessen
Herstellung aufgenommen worden sind. Es sind Kurven betreffend die Oberflächengüte einer geschliffenen Trägerplatte aus Metall und
einer mit einer geschliffenen Pufferschicht versehenen Trägerplatte - in deren Zustand vor dem Aufbringen der Halbleiterschicht - gegenübergentellt.
Die Abszisse in Figur 2 liegt parallel zur Oberfläche der Trägerplatte und die Ordinate senkrecht zu dieser Oberfläche.
Die Kurve 4 int an einer geschliffenen Mu-Metallplatte (Feinschliff
mit Korundochleifscheiben) aufgenommen und die Kurve 5 an einer Mu-Metallplatte, auf die zusätzlich die beschriebene plangeschlif- (
fene Pufferschicht (Feinschliff mit Diamantschleifscheibe) aufgebracht ist.
Wie aun der Figur 2 hervorgeht, weist die Oberfläche der Mu-Metallplatto,
obwohl diese geschliffen, ist, Höhenschwankungen bis zu 4 i.iikrori auf. Diese restliche Rauhigkeit der Trägerplatte ist erwünscht,
um eine große Flächenberührung zwischen Pufferschicht und Trägerplatte
zu'gewährleisten. Es ist daher auch zweckmäßig, für die Herstellung
der Pufferschicht ein Material zu verwenden, dessen Körnung wesentlich kleiner ist als die Rauhtiefe der Oberfläche der (vorgeschliffenen)
Trägerplatte. 909827/0579
Claims (4)
1. Magnetfeldabhängiger Widerstand mit einer auf eine ferro- oder
ferrimagnetische Trägerplatte aufgebrachten ebenen Halbleiterschicht, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Oberfläche der dem
Halbleiter zugewandten Fläche der Trägerplatte eine gegenüber Halbleiter und Trägermaterial relativ weiche, plangeschliffene
und isolierende Pufferochicht aufgebracht ist.
™ 2. Magnetfeldabhängiger Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Pufferschicht aus Kunstharz mit einem Füllstoff, insbesondere Quarzmehl und Aluminiumoxyd, besteht.
3. Magnetfeldabhängiger Widerstand nach den Ansprüchen 1 und 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die auf die Trägerplatte aufgebrachte Pufferschicht eine Dicke in der Größenordnung von 5 Mikron hat
und auf wenigstens 1 Mikron genau plangeschliffen ist.
4. Verfahren zur Herstellung eines magnetfeldabhängigen Widerstandes
nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf die vorgeschliffene Trägerplatte die Pufferschicht in flüssigem Zu-'
stand mit einer Dicke von etwa 10 Mikron aufgestrichen, gehärter't
und anschließend auf eine Dicke in der Größenordnung von 5 Mikr^ön
abgeschliffen wird und daß danach die Halbleiterschicht auf die;
Pufferschicht aufgebracht wird. ' · , ';
- 6 909827/0579
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0093079 | 1964-09-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1490653A1 true DE1490653A1 (de) | 1969-07-03 |
Family
ID=7517715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19641490653 Pending DE1490653A1 (de) | 1964-09-10 | 1964-09-10 | Magnetfeldhalbleiter |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3410721A (de) |
BE (1) | BE669226A (de) |
CH (1) | CH430840A (de) |
DE (1) | DE1490653A1 (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1665750C3 (de) * | 1966-09-23 | 1974-02-21 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Magnetfeldabhängiger Widerstand mit streifenförmigem Metallraster zum Kurzschließen der Hallspannung |
JPS529515B2 (de) * | 1972-11-08 | 1977-03-16 | ||
US3898359A (en) * | 1974-01-15 | 1975-08-05 | Precision Electronic Component | Thin film magneto-resistors and methods of making same |
US4584552A (en) * | 1982-03-26 | 1986-04-22 | Pioneer Electronic Corporation | Hall element with improved composite substrate |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3315204A (en) * | 1967-04-18 | Galvanomagnetic semiconductor device | ||
US2649569A (en) * | 1950-09-28 | 1953-08-18 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor magnetoresistive device |
US3240625A (en) * | 1962-01-10 | 1966-03-15 | Air Reduction | Semiconductor film resistor |
US3288633A (en) * | 1962-12-17 | 1966-11-29 | Kubo Juro | Method of producing non-fired decorative glaze coatings on metal surfaces |
US3312572A (en) * | 1963-06-07 | 1967-04-04 | Barnes Eng Co | Process of preparing thin film semiconductor thermistor bolometers and articles |
-
1964
- 1964-09-10 DE DE19641490653 patent/DE1490653A1/de active Pending
-
1965
- 1965-06-30 CH CH912665A patent/CH430840A/de unknown
- 1965-09-06 BE BE669226D patent/BE669226A/xx unknown
- 1965-09-10 US US48628865 patent/US3410721A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3410721A (en) | 1968-11-12 |
CH430840A (de) | 1967-02-28 |
BE669226A (de) | 1965-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3888595T2 (de) | Verbundstoff für elektrische Verbindung. | |
DE69608933T2 (de) | Magnetisches Kompositartikel zur Unterdrückung von elektromagnetischen Interferenzen | |
EP0030041B1 (de) | Messwandler zum Messen eines insbesondere von einem Messstrom erzeugten Magnetfeldes | |
DE3787549T2 (de) | Material für magnetische Abschirmung. | |
DE60133187T2 (de) | Gestanzte massen-komponente aus amorphem magnetischen metall | |
DE69301312T2 (de) | Verfahren zur Herstellung vielpoliger Magneten | |
DE2450364C2 (de) | Elektromagnetischer Wandler mit magnetoresistiven Schichten zur Umwandlung von Magnetfeldänderungen in elektrische Ströme | |
DE1665794B2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer magnet feldabhangigen Widerstandsanordnung | |
EP0025160B1 (de) | Verfahren zur Beschichtung von magnetischen, bindemittelhaltigen Dispersionen auf flexible Schichtträger | |
DE2948762A1 (de) | Messwandler zum messen eines insbesondere von einem messstrom erzeugten magnetfeldes | |
DE2107076A1 (de) | Magnetischer Dickenmesser | |
DE2355672A1 (de) | Magnetischer wandler in duennschichttechnik | |
DE3787401T2 (de) | Magnetischer Film und denselben verwendender Magnetkopf. | |
DE2440920A1 (de) | Anordnung zur herstellung eines magnetischen aufzeichnungstraegers mit magnetischer vorzugsrichtung | |
DE2846186A1 (de) | Wechselwirkungsvorrichtung fuer magnetoelastische oberflaechenwellen | |
DE1490653A1 (de) | Magnetfeldhalbleiter | |
DE2315795A1 (de) | Verfahren zum kontaktlosen messen des spezifischen widerstandes von halbleitermaterialien | |
DE3440386A1 (de) | Aufzeichnungstraeger fuer quermagnetisierung | |
DE1448264B2 (de) | Hohlraumresonator fuer gyromagnetische resonanzspektro meter | |
DE102014105778A1 (de) | R-t-b-basierter permanentmagnet | |
Wakabayashi et al. | Spin-wave dispersion and exchange interactions in Y 0.90 Tb 0.10 and Y 0.90 Ho 0.10 alloys | |
EP0730162A2 (de) | Sensoreinrichtung mit einer Brückenschaltung von magnetoresistiven Sensorelementen | |
DE1239789B (de) | Elektronisches Festkoerperbauelement mit negativem Widerstand | |
DE102022106912A1 (de) | Magnetsensor | |
DE68921363T2 (de) | Magnetisches Band und Magnetkern. |