DE1490278A1 - Magnetfeldabhaengiges Halbleiterbauelement mit kleiner Thermostoerspannung - Google Patents

Magnetfeldabhaengiges Halbleiterbauelement mit kleiner Thermostoerspannung

Info

Publication number
DE1490278A1
DE1490278A1 DE19621490278 DE1490278A DE1490278A1 DE 1490278 A1 DE1490278 A1 DE 1490278A1 DE 19621490278 DE19621490278 DE 19621490278 DE 1490278 A DE1490278 A DE 1490278A DE 1490278 A1 DE1490278 A1 DE 1490278A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
magnetic field
contact points
semiconductor component
low thermal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19621490278
Other languages
English (en)
Inventor
Weiss Dipl-Phys Dr Herbert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of DE1490278A1 publication Critical patent/DE1490278A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices
    • H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT . P H 90 278.4
PLA 62/1138 vC/Rd
Neue Beschreibung
Magnetfeldabhängiges Halbleiterbauelement mit kleiner
Thermostörspannung.
Bei Halbleiteranordnungen sind im allgemeinen Temperaturunterschiede innerhalb des Halbleiterkörpers nicht zu vermeiden. Diese führen zu Thermospannungen, die sich in gewissen Fällen störend bemerkbar machen. Bei vielen Anwendungen von galvano-magnetischen Bauelementen, z.B. von Hallgeneratoren oder ma-gnetf eidabhängigen Halbleiterwiderständen, liegen die Signalspannungen in der Größe von Mikrovolt (fiY). Dies ist z.B. der Fall, wenn mit einem Hallgenerator Magnetfelder unterhalb 1 Gauß gemessen werden oder wenn, um ein weiteres Beispiel zu nennen, ein magnetfeldabhängiger Halbleiterwiderstand zur Modulation kleiner Gleichspannungen verwendet wird. Unter den üblichen Bedingungen treten dabei bei einem InSb- -Halbleiterkörper Thermospannungen bis zu etwa 300 μΥ/°0 auf.
Aus der deutschen Auslegeschrift 1072 316 ist eine Hallgeneratoranordnung, bei der sich zur Vermeidung von Thermostörspannungen die Hallspannungsabnahmestellen praktisch auf gleichem Wärmepotential befinden, bekanntgeworden. Jedoch besteht die Anordnung nicht aus einem Stück, sondern aus zwei Halbleiterbauelementen, die aufeinandergelegt sind. Eine solche Anordnung hat also eine relativ große Dicke und ist deshalb unvorteilhaft, wenn siö als Feldsonde in einen Luftspalt eines Eisenkreises eingesetzt werden soll.
- 1 - 26.3.68
809810/1098
Außerdem hat die "bekannte Anordnung zwischen den Hallgenerät'oren zwei zusätzliche Kontakte, die die Herstellung verteuern und störende Grenzschichteffekte hervorrufen können. Ferner ist es aus der deutschen Auslege schrift 1056 244 bekannt, den ganzen Halbleiterkörper in einen Isolierstoff hoher Wärmeleitfähigkeit einzubetten. Dadurch wird eine Kompensation der Thermospannung jedoch nicht erreicht.
Demgegenüber bezieht sich die Erfindung auf ein magnetfeldabhängiges Halbleiterbauelement mit kleiner Thermostörspannung, bei dem die signalgebenden Kontaktstellen sich praktisch auf gleichem Wärme-P potential befinden, derart, daß die vorgenannten Störeffekte praktisch vollkommen vermieden sind. Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß das in den Luftspalt eines Magnetkreises einsetzbare Halbleiterbauelement ein Halbleiterplättchen solcher Formgebung enthält, daß die signalgebenden Kontaktstellen räumlich unmittelbar beisammen an den Enden von Verlängerungsarmen liegen, wobei letztere aus dem gleichen Material wie das Halbleiterplättchen bestehen.
Bei der erfindungsgemäßen Anordnung ist die Gewähr gegeben, daß an den Kontaktstellen keine störenden Temperaturunterschiede wirksam werden. Der Effekt kann noch verstärkt werden, wenn die signalgebenden Kontaktstellen in einem gut wärmeleitenden Medium angeordnet sind. Bei magnetisch steuerbaren Halbleiteranordnungen, z.B. bei Hallgeneratoren oder magnetfeldabhängigen Widerständen, ist es darüber hinaus vorteilhaft, wenn die Kontaktstellen außerhalb des Wirkungsbereiches des steuernden Magnetfeldes liegen.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf die Zeichnung verwiesen; es zeigen
Fig.1 und 2 die Ausführung eines Hallgenerators und eines magnetfeldabhängigen Widerständskörpers in bisher
üblicher Ausführung,
o vC/Rd
- d - 26.3.68
Pig.3 und 4 die den Anordnungen der Fig.1 und 2 entsprechenden erfindungsgemäßen Ausführungen,
Pig.5 eine Weiterbildung des Ausführungs"beispiels gemäß
Fig.4.
In Pig. 1 ist mit T1 eine Trägerplatte, mit 12 ein Hallgenerator mit den Primärstromelektroden 13 und 14 und den Hallelektroden 15 und 16 dargestellt.
In Pig.2 ist auf einer Trägerplatte 21 ein mäanderförmiger Halbleiterkörper 22 angebracht ι dessen Elektroden sind mit 23 und 24 bezeichnet. Es handelt sich hierbei um eine übliche Ausführungsform einer magnetfeldabhängigen Halbleiteranordnung, die unter
der Bezeichnung "Feldplatte" bekannt ist.
In Pig.3 ist ein Beispiel einer der Erfindung entsprechenden Ausführungsform der Hallgeneratoranordnung gemäß Pig.1 dargestellt. Mit 31 ist die Trägerplatte, mit 32 der Halbleiterkörper mit den Primärstromelektroden 33 und 34 und den Hallelektroden 35 und 36 angegeben. Diese sind mit Hilfe der mit 37 und 38 bezeichneten,
aus dem Material des Halbleiterkörpers hergestellten Hallarme
räumlich unmittelbar beisammen angeordnet; bei der herkömmlichen Ausführungsform gemäß Pig.1 iat dagegen der Abstand der Hallelektroden gleich der Breite des Halbleiterkörpers. Dadurch ist erreicht, daß die Elektroden praktisch auf gleichem Wäraepotential liegen und die an den Hallelektroden auf Grund eines Temperaturgradienten im Halbleiterkörper auftretende Themostöripannung - unabhängig von der Breite des Halbleiterkörpers - rernaehlässigbar klein ist. . '
Fig.4 eeigt die entsprechende erfindungBgeaäBe Ausführungsform der
vC/Rd 80B8 130/1098 26'3*6
Anordnung gemäß Fig.2. Die Trägerplatte M mit 41» der Halbleiterkörper mit 42, die Kontakte sind mit 43 und 44 bezeichnet; die
letzteren sind durch die bei 45 und 46 angegebenen Verlängerungsarme des Halbleiterkörpers räumlich unmittelbar zusammengeführt.
Bei der Weiterbildung der Anordnung der Fig.4 gemäß Fig.5 sind die signalgebenden Kontaktstellen im Schlitz eines Kupferblocks und
außerdem außerhalb des Wirkungsbereiches des steuernden Magnetfeldes angeordnet. Mit 51 ist die Trägerplatte, mit 52 der Halbleiterkörper und mit 53 und 54 sind die Stromanschlußelektroden bezeichnet. Diese sind mit Hilfe der Arme 55 und 56, die aus dem Material des Halbleiterkörpers bestehen, außerhalb des Wirkungsbereiches
des steuernden Magnetfeldes angeordnet; dieses ist durch die
gestrichelte linie bei 57 angedeutet. Außerdem befinden sich die
Kontaktstellen im Schlitz des Kupferblocks 58. Durch diesen ist es möglich, die Kontaktstellen 53 und 54 praktisch auf gleicher Temperatur zu halten. Anstelle eines Kupferblockes kann als Wärmeausgleicher z.B. auch ein flüssiges Medium benutzt werden.
3 Patentansprüche
5 Figuren
vC/Rd - 4 - . 26.3.68
809810/1098

Claims (1)

  1. Magnetfeldabhängiges Halbleiterbauelement mit kleiner Thermostörspannung, bei dem die signalgebenden Kontaktstellen sich praktisch auf gleichem Wärmepotential befinden, dadurch gekennzeichnet, daß das in den Luftspalt eines Magnetkreises einsetzbare Halbleiterbauelement ein Halbleiterplättchen (32) solcher Formgebung enthält, daß die signalgebenden Kontaktstellen räumlich unmittelbar beisammen an den Enden von Verlangerungsannen (37>38) liegen, wobei letztere aus dem gleichen Material wie das Halbleiterplättchen (32) bestehen.
    Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die signalgebenden Kontaktstellen des Halbleiterkörpers in einem gut wärmeleitenden Medium angeordnet sind.
    Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die signalgebenden Kontaktstellen im Schlitz eines Metallblockes, z.B. eines Kupferblocks, angeordnet sind.
    8098 1 0/1098
    26.3.68
DE19621490278 1962-03-15 1962-03-15 Magnetfeldabhaengiges Halbleiterbauelement mit kleiner Thermostoerspannung Pending DE1490278A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0078497 1962-03-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1490278A1 true DE1490278A1 (de) 1968-11-28

Family

ID=7507503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19621490278 Pending DE1490278A1 (de) 1962-03-15 1962-03-15 Magnetfeldabhaengiges Halbleiterbauelement mit kleiner Thermostoerspannung

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE1490278A1 (de)
GB (1) GB1026485A (de)
NL (1) NL288525A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3903919A1 (de) * 1989-02-10 1990-08-16 Helmut Dr Weidlich Verfahren zur nutzbarmachung der kinetischen energie von elektronen

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3903919A1 (de) * 1989-02-10 1990-08-16 Helmut Dr Weidlich Verfahren zur nutzbarmachung der kinetischen energie von elektronen

Also Published As

Publication number Publication date
GB1026485A (en) 1966-04-20
NL288525A (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3339037C2 (de) Magnetischer Mehrkanal-Wandlerkopf
DE60027257T2 (de) Stromdetektor mit einer Hall-Effekt-Anordnung
DE2948762C2 (de) Meßwandler zum Messen eines Magnetfeldes oder eines das Magnetfeld erzeugenden Meßstromes
DE1615957B2 (de) Anordnung mit mehreren Festkörperschaltungsplättchen
DE2433645A1 (de) Magnetoresistives element
DE69125271T2 (de) Dünnschicht-Wandler/Transformatoranordnung
DE1300321B (de) Vorrichtung zum Messen der Stroemungsgeschwindigkeit eines elektrisch leitenden stroemenden Mediums
DE3447312A1 (de) Magnetfeldsensor
DE1490278A1 (de) Magnetfeldabhaengiges Halbleiterbauelement mit kleiner Thermostoerspannung
EP0915491A2 (de) Schalter mit einem temperaturabhängigen Schaltwerk
DE3402828A1 (de) Schalteinrichtung zum kurzschliessen mindestens einer supraleitenden magnetwicklung
DE1205178B (de) Anordnung zur Unterdrueckung von Nullpunktsfehlern infolge von Thermokraeften bei einem Hallspannungserzeuger
DE2736056A1 (de) Elektrisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE69315271T2 (de) Magnetkopf mit einer Mehrschichtstruktur und Verfahren zum Herstellen des Magnetkopfes
DE2329488C3 (de) Magnetischer Fühler mit einem parametrisch erregten zweiten harmonischen Oszillator
DE3401488C1 (de) Meßsonde
DE68906044T2 (de) Supraleitende logische vorrichtung.
DE700930C (de) cher Hochspannungsmaschinen
DE1162406B (de) Kryotronanordnung mit zwei in geringem Abstand voneinander sich kreuzenden oder parallel zueinander verlaufenden duennen Leiterstreifen
DE9102779U1 (de) Schwingkreisspule für einen magnetfeldgesteuerten Oszillator
DE1011041B (de) Einrichtung, bei der ein in einem stromdurchflossenen Widerstandskoerper unter dem Einfluss eines Magnetfeldes auftretender Effekt ausgenutzt wird
DE1524967A1 (de) Magnetkopf
DE1764873B1 (de) Photoempfindliche Vorrichtung
DE2237309C3 (de) Spulenkern für eine Hochfrequenzspule, mit mindestens einem Luftspalt
DE3522985C2 (de) Anordnung zur Temperaturmessung mit einem Quarzoszillator