DE1489884B2

DE1489884B2 - Anordnung zur unterdrueckung der kissenfoermigen verzeichnung und bildfeldwoelbung bei der abbildung mittels elektrischer linsen

Info

Publication number: DE1489884B2
Application number: DE19651489884
Authority: DE
Inventors: Walter Prof. Dr.-Ing. 6200 Wiesbaden-Dotzheim; Scherzer Otto Prof. Dr. 6100 Darmstadt Heimann
Original assignee: Heimann Gmbh, 6200 Wiesbaden-Dotzheim
Priority date: 1965-03-26
Filing date: 1965-09-21
Publication date: 1973-08-09
Also published as: GB1137669A; DE1489884A1; DE1489869B2; NL6603568A; US3448317A; DE1489869A1; DE1489869C3; DE1489884C3

Description

Gegenstand der Hauptanmeldung P 14 89 869 ist eine Anordnung zur Verminderung bzw. Unterdrükkung der kissenförmigen Verzeichnung und der Bildfeldwölbung elektrischer Elektronenlinsen, die zur Abbildung einer Großflächenkathode, z.B. in Bildwandler- und Bildverstärkeranordnungen, dienen, wobei die abzubildende Fläche einen radial verlaufenden Potentialgradienten zwischen Mitte und Rand der Hache aufgezwungen erhält.

Der Hauptanmeldung lag die Aufgabe zugrunde, zwei der bedeutendsten Bildfehler bei der elektronenoptischen Abbildung einer Plankathode zu vermindern bzw. ganz zu unterdrücken. Hierfür wurde eine spezielle Anordnung der Photokathoden-Unterlage gegeben, die einen Potentialgradienten, radial verlaufend, zu erzeugen gestattet.

Aufgabe der Erfindung ist die Weiterentwicklung des Gegenstandes des Hauptpatentes durch Aufzeigen einer besseren Möglichkeit zur Erzeugung des notwendigen Potentialgradienten.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die transparente, leitende Schicht vom Typus SnO₂ unmittelbar auf eine Glasunterlage, darüber eine transparente Halbleiterschicht und auf letztere eine transparente Schicht mit hohem Widerstand aufgebracht ist. In der Zeichnung ist zunächst auf die Glasunterlage eine transparente, leitende Schicht 1 aufgebracht, die eine Verbindung nach außen erhält. Auf diese Schicht wird eine Halbleiterschicht 2 niedergeschlagen, die dann eine transparente Schicht mit hohem Widerstand 3 aufnehmen muß. Der Widerstandsverlauf der letzten Schicht 3 muß so gestaltet werden, daß bei Anlegen einer Spannung zwischen 1 und 3 ein solcher Potentialgradient entsteht, daß im mittleren Teil der Kathodenfläche der Feldstärkeverlauf linear mit dem Radius geht. Das bedeutet, daß der Potentialverlauf quadratisch mit dem Radius verläuft. In den äußeren Zonen der Kathodenfläche bringt eine geringfügige Abweichung vom linearen Feldstärkeverlauf den Vorteil, daß dadurch auch die Feldfehler höherer Ordnung kompensiert werden. Eine Verzeichnung von der 5. Seideischen Ordnung wirkt sich z. B. dahin aus, daß im Bildfeld von innen nach außen die Verzeichnung von kissenförmig nach tonnenförmig umschlägt. Die Abhilfe besteht in einem geringen Abgehen vom linearen Feldstärkeverlauf, was durch die Abweichung vom linearen Feldstärkeverlauf vermieden wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Anordnung zur Verminderung bzw. Unterdrückung der kissenförmigen Verzeichnung und der Bildfeldwölbung elektrischer Elektronenlinsen, die zur Abbildung einer Großflächenkathode, z. B. in Bildwandler- und Bildverstärkeranordnungen, dienen, und bei der die abzubildende Fläche einen radial verlaufenden Potentialgradienten zwischen Mitte und Rand der Fläche aufgezwungen erhält, nach Patentanmeldung P 14 89 869.2-33, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente, leitende Schicht vom Typus SnO₂ unmittelbar auf eine Glasunterlage, darüber eine transparente Halbleiterschicht und auf letztere eine transparente Schicht mit hohem Widerstand aufgebracht ist.

2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der radiale Widerstandsverlauf der Schicht mit dem hohen Widerstand durch Dickenänderung so gestaltet ist, daß bei Anlegen einer Spannung zwischen dieser und der transparenten, leitenden Schicht der Spannungsverlauf von der Mitte nach dem Rand quadratisch mit dem Radius geht.

3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erforderliche Potentialverlauf durch entsprechende Inhomogenität der Halbleiterschicht oder durch entsprechende Inhomogenitäten sowohl der Halbleiterschicht wie auch der Schicht mit hohem Widerstand erzwungen wird.

4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten so gewählt werden, daß in den äußeren Zonen der emittierenden Kathodenfläche eine solche Abweichung vom linearen Feldstärkeverlauf auftritt, daß Bildfehler von höherer Ordnung unterdrückt werden.