DE1489271A1 - Verfahren zur Herstellung einer hochtemperaturbestaendigen,stossfesten und niedrigohmigen mechanischen Verbindung zwischen den metallischen Elektroden und dem Halbleiterkoerper eines thermoelektrischen Generators
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Verfahren zur Herstellung einer hochtemperaturbestaendigen,stossfesten und niedrigohmigen mechanischen Verbindung zwischen den metallischen Elektroden und dem Halbleiterkoerper eines thermoelektrischen Generators
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H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
H10N10/80—Constructional details
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Pressure Welding/Diffusion-Bonding
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Electrodes Of Semiconductors
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DE196514892711965-12-201965-12-20Verfahren zur Herstellung einer hochtemperaturbestaendigen,stossfesten und niedrigohmigen mechanischen Verbindung zwischen den metallischen Elektroden und dem Halbleiterkoerper eines thermoelektrischen Generators
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Verfahren zur Herstellung einer hochtemperaturbestaendigen,stossfesten und niedrigohmigen mechanischen Verbindung zwischen den metallischen Elektroden und dem Halbleiterkoerper eines thermoelektrischen Generators
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