DE1439708C3 - Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen

Info

Publication number
DE1439708C3
DE1439708C3 DE19641439708 DE1439708A DE1439708C3 DE 1439708 C3 DE1439708 C3 DE 1439708C3 DE 19641439708 DE19641439708 DE 19641439708 DE 1439708 A DE1439708 A DE 1439708A DE 1439708 C3 DE1439708 C3 DE 1439708C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
tabs
tape
contacting
semiconductor device
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19641439708
Other languages
English (en)
Other versions
DE1439708B2 (de
DE1439708A1 (de
Inventor
Georg 8500 Nuernberg Lutz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Publication of DE1439708A1 publication Critical patent/DE1439708A1/de
Publication of DE1439708B2 publication Critical patent/DE1439708B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1439708C3 publication Critical patent/DE1439708C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen, bei dem ein elektrisch leitendes Band derart mit einer Aussparung versehen wird, daß nach innen in die Aussparung ragende Laschen entstehen, mit denen Bereiche des Halbleiterkörpers der Halbleiteranordnung elektrisch leitend verbunden werden, und bei dem die Laschen nach der Kontaktierung vom Band getrennt werden. Ein solches Verfahren ist bereits bekannt.
Weiterhin ist es bekannt, auf kleinen Plättchen oder einem Band eine Vielzahl von Transistoren aufzubringen, die nach Abschneiden von dem Band in eine Schaltung eingelötet werden. Die einzelnen Transistoren besitzen dabei keinerlei besondere Anschlußleitungen, so daß das Einlöten in Schaltungen oft sehr große Schwierigkeiten bereitet; denn die einzelnen Kontaktzonen der Transistoren liegen so eng beisammen, daß beim Einlöten in eine Schaltung, insbesondere bei einer Massenfabrikation, die Maßtoleranzen der Anschlußkontakte bereits in den Bereich der Abstände der Kontaktzonen des Transistors kommen. Dies ist besonders schwierig, wenn die Schaltungen nach Art der Siebdrucktechnik hergestellt werden.
Schließlich ist es auch bekannt, Transistoren dadurch herzustellen, daß die stabförmigen Halbleiterkörper in eine Aussparung eines Metallbandes derart eingelegt werden, daß sie mit ihren Enden auf Randstreifen aufliegen und in die Aussparung eine Lasche hineinragt, die auf die Mitte des Stabes aufgelegt ist (DT-AS 1 077 790). Nach der Kontaktierung der Aufiagestellen wird das Metallband so durchgetrennt, daß die Randstreifen und die Lasche die Kontaktanschlüsse bilden.
Der Erfindung Hegt die Aufgabe zugrunde, bei einem Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen, bei dem ein elektrisch leitendes Band derart mit einer Aussparung versehen wird, daß nach innen in die Aussparung ragende Laschen entstehen, mit denen Bereiche des Halbleiterkörpers der Halbleiteranordnung elektrisch leitend verbunden werden, und bei dem die
ίο Laschen nach der Kontaktierung vom Band getrennt werden, ein Metallband anzugeben, welches sich besser als die bekannten Metallbänder zur Kontaktierung von Halbleiteranordnungen eignet. Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei diesem Verfahren nach der Erfindung vorgeschlagen, daß das elektrisch leitende Band mit einem sternförmigen Ausschnitt versehen wird.
Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung wird die Halbleiteranordnung zuerst mit den Laschen aus dem Band herausgetrennt und dann auf einer isolierenden Unterlage befestigt. Die Laschen sind beispielsweise derart mit Ausschnitten versehen, daß abreißbare Stege entstehen. Es besteht auch die Möglichkeit, daß die mit den Laschen versehene Halbleiteranordnung zunächst auf einer isolierenden Unterlage befestigt und anschließend vom Band getrennt wird.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung erfolgt das Einlöten der Halbleiteranordnung in einer Schaltung dadurch, daß vom Band ein die Halbleiteranordnung und die Laschen enthaltender Bereich abgeschnitten und auf eine Schaltung gelegt wird, daß die Laschen mit entsprechenden Leiterzügen der Schaltung verlötet werden und daß anschließend der Bandrest entfernt wird.
Dieses erfindungsgemäße Verfahren kann vorteilhaft gleich im Anschluß an die Herstellung der Transistoren im Herstellerwerk angewandt werden, da dort die erforderlichen genauen Apparate bereits vorhanden sind. Außerdem sind dort die für die gute Kontaktierung notwendigen Erfahrungen vorhanden, so daß die Möglichkeit, daß ein Transistor beim Einbau in das Band zerstört wird, sehr gering ist.
Weitere vorteilhafte Einzelheiten der Erfindung sind nachfolgend an Hand eines in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiels beschrieben.
In einem Band 1 aus Metall, z. B. Kupfer, Messing oder Silber, dessen Oberfläche gegebenenfalls mit einem Lotmetall oder einer Lotlegierung überzogen ist, sind durch einen sternförmigen Ausschnitt 2 drei Laschen 3 gebildet. Die Enden 4 der Laschen 3 sind nach innen gerichtet und derart angeordnet, daß sie sich im Bereich der Kontaktierungszonen 5 einer Transistoreinheit 6 oder einer anderen elektronischen Einheit befinden. Zumindest die Laschen 3 werden vor oder nach dem Anlöten der elektronischen Bauteile mit Lot über-
zogen.
Der Transistor 6 kann aus dem Band 1 durch Ausschneiden der Laschen 3 herausgetrennt werden. Die am Transistor 6 verbleibenden Laschen 3 können jetzt als Lötanschlüsse verwendet werden. Da die Lötlasehen 3 eine gute Wärmeabfuhr gewährleisten, ist die Gefahr, daß der Transistor beim Einlöten in das Band und später in die gedruckte Schaltung beschädigt wird, stark vermindert.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung sind im Bereich der Basis 7 der Laschen 3 Schlitze 8 derart eingestanzt, daß die Laschen 3 mit dem Band 1 nur noch durch schmale Stege 9 verbunden sind. Hierdurch können die Laschen 3 aus dem Band t z. B. durch
Ausreißen leicht herausgetrennt werden. Zweckmäßig erfolgt z. B. das Einsetzen eines derartigen Transistors 6 in eine Schaltung oder Leitung derart, daß zunächst ein Bandabschnitt 10 mit einem Transistor 6 vom Band 1 abgeschnitten wird. Hierauf wird der Transistor 6 mittels der Laschen 3 an die entsprechenden Leitungen z. B. einer gedruckten Schaltung oder eines Mikromoduls angelötet und hierauf der Bandrest durch Abreißen der Stege 9 abgetrennt.
Dies hat den weiteren Vorteil, daß beim Einlöten bzw. bis zum Einlöten oder Abreißen des Bandrestes an die einzelnen Kontaktzonen 5 kein schädliches Potential angelegt werden kann, da sie durch das Band in sich kurzgeschlossen sind.
Die Erfindung ist nicht auf Transistoren mit drei An-Schlüssen beschränkt. Sie kann auch mit Vorteil z. B. bei pnpn-Transistoren, Dioden, Kapazitätsdioden, Photodioden, Phototransistoren usw. angewandt werden. Besonders vorteilhaft ist die Erfindung für elektronische Bauteile, die in Planartechnik hergestellt sind und bei ao solchen, bei denen die Kontaktzonen alle auf einer Seite angeordnet sind.
An Stelle des Auflötens können die Bauteile 6 auch mittels eines elektrisch leitfähigen Klebers oder Kunststoffes aufgeklebt werden.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung können die mit den Laschen 3 versehenen Halbleiterbauelemente 6 auf dem Band 1 herausgetrennt und auf eine isolierende Unterlage 11 geklebt werden wie Fig.2 zeigt. Die Unterlage 11 kann Papier oder eine Kunststoffolie oder ein Metallband sein, dessen Oberfläche mit einer isolierenden Klebschicht versehen ist. Hierdurch ist es möglich, die Halbleiterbauelemente nach dem Lötprozeß derselben mit den Laschen 3 auf ihre Eigenschaften hin zu prüfen. Das Einlöten in eine Schaltung erfolgt vorzugsweise derart, daß zuerst die Laschen 3 mit den entsprechenden Leitungszügen verbunden werden und anschließend die Unterlage 11 abgezogen wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen, bei dem ein elektrisch leitendes Band derart mit einer Aussparung versehen wird, daß nach innen in die Aussparung ragende Laschen entstehen, mit denen Bereiche des Halbleiterkörpers der Halbleiteranordnung elektrisch leitend verbunden werden, und bei dem die Laschen nach der Kontaktierung vom Band getrennt werden, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch leitende Band mit einem sternförmigen Ausschnitt versehen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Laschen derart mit Ausschnitten versehen werden, daß abreißbare Stege entstehen.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteranordnung zuerst mit den Laschen aus dem Band herausgetrennt und dann auf einer isolierenden Unterlage befestigt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die mit den Laschen versehene Halbleiteranordnung zunächst auf einer isolierenden Unterlage befestigt und anschließend vom Band getrennt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß vom Band ein die Halbleiteranordnung und die Laschen enthaltender Bereich abgeschnitten und auf eine Schaltung gelegt wird, daß die Laschen mit entsprechenden Leiterzügen der Schaltung verlötet werden und daß anschließend der Bandrest entfernt wird.
DE19641439708 1964-08-01 1964-08-01 Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen Expired DE1439708C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET0026715 1964-08-01

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1439708A1 DE1439708A1 (de) 1969-01-02
DE1439708B2 DE1439708B2 (de) 1974-08-29
DE1439708C3 true DE1439708C3 (de) 1975-04-17

Family

ID=7552997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19641439708 Expired DE1439708C3 (de) 1964-08-01 1964-08-01 Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1439708C3 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1909480C2 (de) * 1968-03-01 1984-10-11 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Trägeranordnung und Verfahren zur elektrischen Kontaktierung von Halbleiterchips

Also Published As

Publication number Publication date
DE1439708B2 (de) 1974-08-29
DE1439708A1 (de) 1969-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2732529C2 (de) Gedruckte Schaltungsplatine
DE1121139B (de) Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen
DE1069236B (de)
DE4192038C2 (de) Herstellungsverfahren für bedruckte Schaltungsplatinen, bei dem sowohl Wellenlöten als auch das Einpressen von Bauteilen ermöglicht wird
EP0955691A2 (de) Kontaktierungsvorrichtung
EP0092086B1 (de) Anschlussvorrichtung für ein plattenförmiges elektrisches Gerät
DE2717372C3 (de) Baugruppe aus einem Digitalschalter und elektronischen Bauelementen
DE2709520A1 (de) Elektrischer verbinder, verfahren zu dessen herstellung und baugruppe mit diesem verbinder
DE2726697A1 (de) Nachgiebige folie mit an ihr haftenden elektrischen leitungen
DE1439708C3 (de) Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen
EP0026839B1 (de) Flexible gedruckte Schaltung
DE1201887B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Einloeten von Transistoren od. dgl.
DE1940373A1 (de) Verfahren zur Herstellung und Anordnung einer elektronischen Schaltung
DE2107591A1 (de) Verfahren zur Durchkontaktierung von beidseitig mit Leiterbahnen beschichteten Folien
DE2419327B2 (de) Verfahren zur elektrischen kontaktierung einer gedruckten leiterplatte
DE2508702A1 (de) Elektrisches bauelement fuer den einsatz in schichtschaltungen
DE1932380A1 (de) Schaltungsaufbau
DE1880761U (de) Einrichtung zum verbinden der leitungszuege von gedruckten leiterplatten.
DE2525864A1 (de) Anordnung zur erhoehung der kontaktanzahl bei steckverbindern von steckbaren flachbaugruppen
DE3017320C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Durchkontaktierung zwischen Metallschichten
DE1150724B (de) Blockfoermige Vorrichtung zum Halt fuer elektrische Bauelemente
DE1258934B (de) Kontaktloses Steuer- und Regelement
DE19527595A1 (de) Elektronische Karte mit gedruckten Schaltungen
DE1246840B (de) Gedruckte Schaltung
DE102009039377A1 (de) Leiterplattenmodul und zugehöriges Herstellungsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee