DE1286658B - Durch Differenzbildung erzeugter Infrarot- oder Mikrowellenstrahl - Google Patents

Durch Differenzbildung erzeugter Infrarot- oder Mikrowellenstrahl

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DE1286658B DEJ25492A DEJ0025492A DE1286658B DE 1286658 B DE1286658 B DE 1286658B DE J25492 A DEJ25492 A DE J25492A DE J0025492 A DEJ0025492 A DE J0025492A DE 1286658 B DE1286658 B DE 1286658B
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Description

  • Die Erfindung betrifft einen durch Differenzbildung zweier optischer kohärenter Primärstrahlen erzeugten Infrarot- oder Mikrowellenstrahl, der von einem eng ausgeblendeten elektrisch vorgespannten Halbleiterkristall zurückgeworfen wird.
  • Aus »British Journal of Scientific Instruments«, Bd. 40, Nr.1, 1963, S. 89/90, ist ein Verfahren zum Nachweis von Frequenzdifferenzen eines optischen Senders (Lasers) bekannt, bei dem der kohärente Strahl auf ein nichtlineares Medium gelenkt wird, derart, daß dort ein Ausgangsstrahl entsteht, dessen Frequenz ausschließlich durch die nachzuweisende Differenzfrequenz bestimmt ist. Das nichtlineare Medium kann dabei z: B. ein p-n-Halbleiter sein.
  • Für einen Wellenbereich zwischen 10 und 1000 Mikrometer, der im folgenden auch als überinfraroter Bereich bezeichnet wird, standen wirtschaftlich verwertbare Strahlungserzeuger bislang nicht zur Verfügung. Dies gilt auch für die genannte Vorveröffentlichung, die nur eine Meßvorrichtung beschreibt. An einen Strahlungserzeuger für den überinfrarotbereich muß, damit dieser wirtschaftlich verwertbar ist, die Anforderung gestellt werden, daß die Richtung und/oder Konvergenz bzw. Divergenz des erzeugten überinfraroten Strahls mit einfachen Mitteln einstellbar ist.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, einen überinfraroten Wellenstrahl vorbestimmter Richtung und/oder Konvergenz bzw. Divergenz zu erzeugen. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß Richtung und/oder Konvergenz bzw. Divergenz des Differenzstrahls durch Beeinflussung der optischen Primärstrahlen einstellbar ist. Die Erfindung macht sich den Umstand zunutze, daß der gewünschte Überinfrarotstrahl als Differenzstrahl in der eingangs beschriebenen Weise herstellbar ist und daß er hinsichtlich Richtung und/oder Konvergenz bzw. Divergenz von den entsprechenden Charakteristika der optischen Primärstrahlen abhängt. Diese Charakteristika lassen sich jedoch leicht mit optischen Mitteln verändern bzw. einstellen, im Gegensatz zu dem überinfrarotstrahl,_ für den solche Mittel, jedenfalls in einfacher Ausführung, zur Zeit nicht zur Verfügung stehen.
  • Die der Erfindung zugrunde liegenden Effekte, nämlich die Abhängigkeit der Richtung und Bündelung des Differenzstrahls von den Charakteristika der Primärstrahlen machen es wahrscheinlich, daß die Differenzstrahlung, die also von dem optischen Bereich abgestrahlt wird, durch Überlagerung der dort einfallenden Primärstrahlen an den nichtlinearen Eigenschaften des Halbleiters entsteht. Das Problem der Überlagerung zweier Lichtwellen an der Grenzfläche zwischen einem linearen und einem nichtlinearen Medium ist in Physical Review, Bd. 128, Nr. 2 (Oktober 1962), S. 606 bis 622, behandelt, und zwar wird dort die Summenfrequenz quantitativ durchgerechnet und darauf hingewiesen, daß für die Differenzfrequenz ähnliche Ergebnisse zu erwarten seien.
  • Das nach der Erfindung erzielte abgestrahlte Differenzstrahlenbündel scheint dieser Theorie zu folgen, wenn man die Beugungseffekte berücksichtigt, die bei den langen Wellen die Strahlungsausbreitung stark beeinflußt.
  • Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt F i g.1 schematisch ein erstes Ausführungsbeispiel nach der Erfindung, F i g. 2 ebenfalls schematisch ein zweites Ausführungsbeispiel nach der Erfindung, F i g. 3 ebenfalls schematisch ein drittes Ausführungsbeispiel nach der Erfindung, F i g. 4 ein Vektor-Diagramm für eine Betriebsweise des in F i g. 3 dargestellten Ausführungsbeispiels und F i g. 5 ein Vektor-Diagramm für eine andere Betriebsweise des in F i g. 3 dargestellten Ausführungsbeispiels.
  • In F i g.1 ist mit 10 ein halbleitender Kristall bezeichnet, auf dessen Oberfläche 12 zwei Elektroden 14 und 16 mit Abstand zueinander befestigt sind. Die beiden Elektroden 14 und 16 sind so dicht aneinandergerückt, daß sie nur einen schmalen Bereich 18 eines Leitfähigkeitstyps aus der Oberfläche 12 zwischen sich frei lassen. Mit 20 ist eine Gleichspannungsquelle bezeichnet, die an die Elektroden 14 und 16 angeschlossen ist. Die Gleichspannungsquelle ist vorzugsweise so bemessen, daß die Feldstärke des durch sie hervorgerufenen elektrischen Feldes ungefähr 2000 Volt pro Zentimeter beträgt.
  • Mit 22 und 24 sind zwei optische Sender bezeichnet, die kohärente optische Strahlenbündel unterschiedlicher Wellenlänge aussenden, die durch das Prisma 26 und die Linse 28 auf den Bereich 18 gerichtet sind. Dort wird die mit der Erfindung angestrebte Strahlung angeregt, die, wie durch die gestrichelte Linie 30 angedeutet, abgestrahlt wird. Diese Strahlung hat die Differenzfrequenz der beiden eingestrahlten Strahlungen und ist sehr stark. In das dispersive Prisma 26 treten die beiden kohärenten Strahlenbündel von den optischen Sendern 22 und 24 ein und verlassen das Prisma als zusammengefaßtes einziges Lichtstrahlenbündel. Zu diesem Zweck ist die Anordnung so getroffen, daß die beiden Lichtstrahlenbündel mit einem ihrer Wellenlänge entsprechenden Einfallswinkel in das Prisma 26 einfallen. Der Abstand zwischen dem Prisma 26 und jedem der beiden optischen Sender 22 und 24 kann auch wesentlich größer als in F i g. 1 dargestellt sein. Die Linse 28 kann mit dem Prisma 26 zu einer Baueinheit zusammengefaßt werden, wenn nur der gleiche optische Effekt erzielt wird.
  • In einem solchen Fall ist die Absorption in dem optischen Material, aus dem die Teile bestehen, etwas geringer.
  • In F i g. 2 ist ein zweites Ausführungsbeispiel dargestellt, das im wesentlichen genauso aufgebaut ist wie das in F i g. 1 dargestellte mit der Ausnahme, daß an Stelle des Prismas 26 zwei Spiegel 32 und 34 vorgesehen sind, um die beiden kohärenten Strahlenbündel zusammenzuführen. Der Spiegel 32 ist ein vollreflektierender Spiegel, während der Spiegel 34 ein halbreflektierender Spiegel ist. Da der Spiegel 34 einerseits die Strahlung von dem optischen Sender 24A durchlassen muß und andererseits die Strahlung von dem optischen Sender 22A reflektieren muß und diese beiden Vorgänge nicht nebeneinander mit 1000%iger Ausbeute ablaufen können, entsteht bei dieser Anordnung eingangsseitig ein Verlust von mindestens 50%. Die beiden optischen Sender 22A und 24A sind bei diesem Ausführungsbeispiel entsprechend den gezeichneten Strahlengängen anders angeordnet und im übrigen aber genauso ausgebildet wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel. Die übrigen bei beiden Ausführungsbeispielen mit gleichen Bezugsziffern bezeichneten Bauteile sind bei beiden Ausführungsbeispielen gleich ausgebildet und haben auch die gleiche Wirkung.
  • In F i g. 3 ist ein drittes Ausführungsbeispiel dargestellt, bei dem die Strahlenbündel von den optischen Sendern 22B und 24B im Winkel zueinander auf den Bereich 18 des Kristalls 10 gerichtet sind. Das von dem optischen Sender 22B ausgehende Strahlenbündel, das durch die gestrichelte Linie 40 angedeutet ist, durchquert die Linse 36 und das von dem optischen Sender ausgehende Strahlenbündel, das durch die gestrichelte Linie 42 angedeutet ist, durchquert die Linse 38. Wie bei den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen wird auch bei diesem Ausführungsbeispiel eine durch die strichpunktierte Linie 30 angedeutete Strahlung angeregt. Die Linsen 36 und 38 sind im wesentlichen genauso ausgebildet wie die Linse 28 aus F i g. 1. Bei den in F i g. 1 und 2 dargestellten Ausführungsbeispielen fielen die beiden Strahlenbündel im wesentlichen parallel in den Bereich 18 ein. Die Achse des Strahlenbündels 30 tritt dabei unter einem Winkel aus, der etwa so groß ist wie der Reflexionswinkel sein würde, wenn an dem Kristall 10 eine optische Reflexion stattgefunden hätte. Mit anderen Worten, der Einfallswinkel, unter dem die beiden Strahlenbündel bei den ersten beiden Ausführungsbeispielen auf den Kristall einfallen - das ist der Winkel zwischen den Strahlen und der Normalen auf die Einfallsebene -, ist gleich dem Ausfallswinkel, unter dem der Strahl 30 austritt - das ist der Winkel zwischen der Normalen und der Richtung des Strahles 30. Wenn jedoch die beiden Einfallsstrahlen in verschiedener Richtung, wie bei 40 und 42 in F i g. 3 angedeutet, auf den Kristall treffen, dann besteht zwischen den Einfallswinkeln und dem Ausfallwinkel eine komplizierte Beziehung. Zur Erläuterung dessen ist in F i g. 3 eine Konstruktionslinie 44, die den Winkel zwischen den Strahlen 40 und 42 halbiert, eingezeichnet. Außerdem ist eine weitere Konstruktionslinie 46 eingezeichnet, die mit der nicht eingezeichneten Normalen der Kristalloberfläche den gleichen Winkel einschließt wie die Konstruktionslinie 44. Wenn man eine einfache Beziehung zwischen dem Einfallswinkel der Strahlen 40 und 42 und dem Ausfallswinkel des Strahles 30 unterstellt, dann könnte man annehmen, der Strahl 30 würde entsprechend dem Reflexionsgesetz in Richtung der Konstruktionslinie 46 austreten. Es hat sich jedoch gezeigt, daß, wenn die Strahlung des optischen Senders 24B, der dichter an der Normalen der Oberfläche 12 des Kristalls angeordnet ist, die kurzwelligere ist, der Ausgangsstrahl 30, wie in F i g. 3 dargestellt, mit kleinerem Ausfallswinkel austritt. Wenn dagegen die Strahlung mit höherer Frequenz von dem außen angeordneten optischen Sender 22B ausgeht, dann ist der Winkel zwischen der Flächennormalen der Oberfläche 12 und dem Strahl 30 größer als der zwischen dieser Normalen und der Konstruktionslinie 46. Man kann dies so ausdrücken, daß der mit höherer Frequenz einfallende Lichtstrahl mehr den Ausfallswinkel des austretenden Strahles 30 bestimmt als der mit tieferer Frequenz einfallende Strahl. Die genaue Richtung, unter der der Strahl 30 bei dem in F i g. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel austritt, wird nun an Hand des Vektor-Diagramms aus F i g. 4 erläutert.
  • In F i g. 4 ist der Vektor 40 C, bezogen auf die Kristalloberfläche 12, so gerichtet, wie der einfallende Strahl 40 aus F i g. 3. Die Vektorlänge ist proportional der Frequenz des Strahles 40. Entsprechend ist der Vektor 42C, bezogen auf die Oberfläche 12 des Kristalls, genauso gerichtet wie der Strahl 42 aus F i g. 3, und seine Länge ist proportional zur Frequenz des Strahles 42. Mit 48 und 50 ist eine Projektionslinie bezeichnet, die von den Enden der Vektoren 40C und 42C ausgeht und senkrecht zur Oberfläche 12 des Kristalls gerichtet ist. Bei 52 ist die Längendifferenz der beiden Vektoren abgegriffen. Die Linie 52A zwischen den beiden Projektionslinien 48 und 50 ist genauso lang wie der Doppelpfeil 52 und kennzeichnet die Richtung, unter der die Strahlung 30 austritt. Der dazugehörige Vektor ist in F i g. 4 mit 30 C bezeichnet. Der Vektor 30 C ist parallel zur Linie 52A und geht von dem Einfallspunkt auf der Oberfläche 12 aus.
  • An Hand von F i g. 5 wird nun der umgekehrte Fall erläutert, bei dem also der außen gelegene Einfallsstrahl höhere Frequenz hat. Dementsprechend repräsentiert der Vektor 40D einen von dem optischen Sender 22B aus F i g. 3 ausgehenden Strahl mit höherer Frequenz und der Vektor 42D einen von dem Laser 24B ausgehenden Strahl mit tieferer Frequenz. Der Vektor 30D, der die Ausfallsrichtung des Strahles 30 kennzeichnet, wird konstruktiv auf die gleiche Weise gewonnen, wie im Text zu F i g. 4 beschrieben. Wie aus F i g. 4 ersichtlich, ist der Winkel zwischen dem Vektor 30D und der Normalen der Oberfläche 12 größer als nach F i g. 4. Mit dieser Beziehung zwischen dem Einfalls- und dem Ausfallswinkel können physikalische Bewegungen vergrößert werden. Wenn z. B. der Kristall 10 rotiert, so daß die Einfallswinkel der Strahlen ständig wechseln, dann wechselt auch die durch den Vektor 30D angezeigte Ausfallsrichtung des Strahles 30. Die Richtung des ausfallenden Strahles kann dann zur Anzeige der Stellungsänderung des Kristalls 10 herangezogen werden. Schließlich kann auch der Winkel zwischen den einfallenden Strahlen 40 und 42 durch Versetzen eines der optischen Sender, z. B. des optischen Senders 22 B, verändert werden. Dies hat eine größere Richtungsveränderung des ausfallenden Strahles 30D zur Folge. Diese Richtungsänderung kann dann auch wieder als Meßgröße verwendet werden.
  • Aus den oben angegebenen Vektor-Diagrammen ergibt sich, daß, wenn die Einfallsstrahlen nicht in sich parallelstrahlige Bündel sind, auch der Ausfallsstrahl kein parallelstrahliges Bündel ist. Wenn z. B. die beiden Einfallsstrahlen in der gleichen optischen Achse einfallen, der eine Strahl ein parallelstrahliges Bündel ist und der andere Strahl konvergierend ist, dann ist auch der Ausgangsstrahl konvergent. In ähnlicher Weise kann ein divergenter Ausgangsstrahl erzeugt werden. Daraus ergibt sich, daß der Ausgangsstrahl durch optische Mittel, die an den Eingangsstrahlen angreifen, beeinflußt werden kann. Dies hat sich als außerordentlich vorteilhaft erwiesen, weil die üblichen Linsen mindestens für einige Spektralbereiche des überinfraroten Spektrums -des Spektrums, in dem der Ausgangsstrahl 30 liegt -undurchlässig sind. Daher können solche Linsen nicht im Strahlengang des Ausgangsstrahls angeordnet werden. Wendet man sie eingangsseitig an, dann treten diese Schwierigkeiten nicht auf.
  • Die optischen Sender (z. B. 22 und 24 aus F i g. 1) sind Lichtquellen, die einen kohärenten Strahl aussenden. Es können hierzu die handelsüblichen optisehen Sender verwendet werden. Diese optischen Sender müssen auf die gewünschte Ausgangsfrequenz abgestimmt sein, und sie sollten einen Strahl von möglichst hoher Intensität abstrahlen. Besonders vorteilhaft für Vorrichtungen nach der Erfindung ist die Kombination zweier optischer Rubin-Sender und die Kombination eines Rubin-Senders mit einem Helium-Neon-Sender. Es sind auch optische Sender bekannt, die einen kohärenten Strahl mit zwei verschiedenen Frequenzen ausstrahlen. Werden solche optische Sender verwendet, dann können die optischen Mittel zum Zusammenführen der Strahlen, z. B. das Prisma 26 aus F i g. 1, in Fortfall geraten.
  • Es ist auch möglich, zwei gleich stimulierbare Kristallmedien zu verwenden und diese zur Erzielung der Differenzfrequenz bei unterschiedlicher Temperatur zu betreiben. Bekanntlich verändert sich die Frequenz des von einem optischen Sender abgestrahlten kohärenten Strahles mit der Betriebstemperatur. Dies kann man zur Temperaturmessung ausnutzen, indem der eine optische Sender auf konstanter Temperatur gehalten wird. Die Frequenz und Wellenlänge des Ausgangsstrahles ist dann ein Maß für die unbekannte Betriebstemperatur des anderen optischen Senders.
  • Der Kristall 10 besteht aus einem Halbleiter mit hoher Elektronenbeweglichkeit. Die elektrische Durchbruchsspannung des Halbleiters für den Kristall 10 ist vorzugsweise hoch; sie sollte mindestens in der Größenordnung von einigen tausend Volt pro Zentimeter liegen, zweckmäßig ist sie noch höher. Es sind zusammengesetzte Halbleiter bekannt, die diese Bedingungen erfüllen, z. B. solche aus Verbindungen von Elementen der Gruppen III und V des Periodischen Systems und die Gallium-Arsenid, Gallium-Phosphid, Gallium-Antimonid, Indium-Phosphid, Indium-Arsenid und Indium-Antimonid enthalten. Darüber hinaus sind auch elementare Halbleiter aus Silizium und Germanium und solche aus Bleisalzen sowie solche aus Blei-Seleniden und Blei-Telluriden vorteilhaft anwendbar. Im wesentlichen sind Materialien mit einem kleinen Bandabstand vorzuziehen, weil sie in einem breiteren Frequenzband betrieben werden können und eine höhere Trägerbeweglichkeit haben. Die höchste Energieausbeute bei hohen überinfraroten Frequenzen ist erzielbar, wenn die Quantenenergie des einfallenden Lichtes mindestens um die optische Phonon-Energie des Kristallmaterials größer ist als die Energielücke im photoleitenden Kristall. Dieses Energiedifferenzminimum liegt in der Größenordnung eines zehntel Elektronenvolt.
  • Zur Herstellung eines hochgradig gereinigten Kristalls kann man von einem Gallium-Arsenid-Kristall, der besonders bei tiefen Temperaturen eine sehr hohe Beweglichkeit hat, ausgehen.
  • Der wirksame Bereich 18 des Kristalls wird zweckmäßig so behandelt, daß er eine sehr niedrige Rekombinationsrate hat. Eine solche Oberfläche kann durch Abspalten im Vakuum gebildet werden. Sie kann aber auch gebildet werden, indem zunächst mit anderen Mitteln oberflächliche Spannungen, Unregelmäßigkeiten und Unreinheiten entfernt werden und dann eine Ätzung vorgenommen wird. Die Ätzung kann z. B. durch Eintauchen in ein Ätzbad erfolgen, das aus 1 Teil Fluor-Wasserstoffsäure, 2 Teilen Salpetersäure und 2 Teilen Wasser besteht. Nachdem der Kristall etwa 3 Minuten in diesem Ätzbad eingetaucht war, wird er zunächst mit Wasser und dann mit Azeton gespült. Die Oberfläche wird außerdem vorzugsweise durch einen geeigneten transparenten Überzug, z. B. einen üblichen Viertelwellenlängenüberzug, geschützt.
  • Der Abstand zwischen den beiden Elektroden 14 und 16 über dem wirksamen Kristallbereich 18 ist vorzugsweise eng begrenzt. Bei der dargestellten Anordnung ist es sehr einfach, den Bereich 18 sehr genau zu bemessen. Zu diesem Zweck kann der Kristall 10 mit einem metallischen Überzug versehen werden, der die Elektroden 14 und 16 bildet. Der Bereich 18 kann dann freigelegt werden, indem das Elektrodenmaterial an dieser Stelle durch Ätzung entfernt wird. Wenn die Abmessungen des Bereichs 18 zwischen den Elektroden 14 und 16 ungefähr eine halbe Wellenlänge, bezogen auf den abgestrahlten Strahl 30 betragen, dann ist die Energieausbeute am größten. Wenn jedoch der Abstand zwischen den beiden Elektroden 14 und 16 ein Mehrfaches der Wellenlänge der abgestrahlten Strahlung beträgt, dann ist der abgestrahlte Strahl weitgehend parallel gebündelt. Dies ist bei vielen Anwendungsfällen sehr vorteilhaft. Wenn ein konvergenter oder divergenter abgestrahlter Strahl, wie im Zusammenhang mit F i g. 3 bis 5 beschrieben, erzielt werden sollen, dann sind die Abmessungen des Bereichs zwischen den Elektroden 14 und 16 zweckmäßig ebenfalls in der Größenordnung mehrerer Wellenlängen der abgestrahlten Strahlung.

Claims (15)

  1. Patentansprüche: 1. Durch Differenzbildung zweier optischer kohärenter Primärstrahlen erzeugter Infrarot-oder Mikrowellenstrahl, der von einem eng ausgeblendeten elektrisch vorgespannten Halbleiterkristall zurückgeworfen wird, d a d u r c h g e -kennzeichnet, daß Richtung und/ oder Konvergenz bzw. Divergenz des Differenzstrahls (30) durch Beeinflussung der optischen Primärstrahlen einstellbar ist.
  2. 2. Infrarot- oder Mikrowellenstrahl nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Richtung und/oder Konvergenz bzw. Divergenz durch Beeinflussung der Einfallsrichtung der beiden Primärstrahlen einstellbar ist.
  3. 3. Infrarot- oder Mikrowellenstrahl nach Anspruch 1 und/ oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Primärstrahlen (40, 42) mit unterschiedlicher und von der Normalrichtung der bestrahlten Halbleiterfläche abweichender Einfallsrichtung einfallen.
  4. 4. Infrarot- oder Mikrowellenstrahl nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzielung eines großen Ausfallswinkels der hochfrequentere Primärstrahl mit größerem Einfallswinkel auf den Halbleiterkristall gerichtet ist als der niedriger frequente und umgekehrt.
  5. 5. Infrarot- oder Mikrowellenstrahl nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung von Konvergenz der eine Primärstrahl konvergierend auf den Halbleiterkristall gerichtet ist.
  6. 6. Infrarot- oder Mikrowellenstrahl nach einem oder mehreren der Ansprüche 1. bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung von Divergenz der eine Primärstrahl divergierend auf den Halbleiterkristall gerichtet ist.
  7. 7. Vorrichtung zur Erzeugung eines Infrarot-oder Mikrowellenstrahls nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite des ausgeblendeten Bereichs (18) des Halbleiterkristalls in der Größenordnung einer halben Wellenlänge des erzeugten Differenzstrahls liegt. B.
  8. Vorrichtung zur Erzeugung eines Infrarot-oder Mikrowellenstrahls nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite des ausgeblendeten Bereichs des Halbleiterkristalls in der Größenordnung des Mehrfachen der Wellenlänge des erzeugten Differenzstrahls liegt.
  9. 9. Vorrichtung zur Erzeugung eines Infrarot-oder Mikrowellenstrahls nach Anspruch 7 und/ oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper ein Halbleiterkristall (10) hoher Trägerbeweglichkeit und hoher Durchbruchsfeldstärke ist, der im wesentlichen aus Verbindungen von Elementen der Gruppe III und V des Periodischen Systems besteht.
  10. 10. Vorrichtung zur Erzeugung eines Infrarot-oder Mikrowellenstrahls nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch einen Halbleiterkristall (10) aus Gallium-Arsenid.
  11. 11. Vorrichtung zur Erzeugung eines Infrarot-oder Mikrowellenstrahls nach einem oder mehreren der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß zwei zur Vorspannung dienende Elektroden (14,16) den optischen Bereich (18) begrenzend angeordnet sind.
  12. 12. Vorrichtung zur Erzeugung eines Infrarot-oder Mikrowellenstrahls nach einem oder mehreren der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß als Quelle für die Primärstrahlen (40, 42) optische Sender (Laser) (22, 24, 22A, 24A, 22B, 24B) vorgesehen sind.
  13. 13. Vorrichtung zur Erzeugung eines Infrarot-oder Mikrowellenstrahls nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch je einen optischen Sender (22,22A, 22B bzw. 24,24A, 24B) als Quelle für die Primärstrahlen.
  14. 14. Vorrichtung zur Erzeugung eines Infrarot-oder Mikrowellenstrahls nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch einen einzigen optischen Sender als Quelle für die Primärstrahlen.
  15. 15. Vorrichtung zur Erzeugung eines Infrarot-oder Mikrowellenstrahls nach einem oder mehreren Ansprüchen 7 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Primärstrahlen mit gemeinsamer optischer Achse auf den ausgeblendeten Bereich des Halbleiterkristalls gerichtet sind (F i g. l).
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