DE1275590B - Multivibrator mit stabilisierter Impulsfrequenz bzw. Impulsbreite - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. α.:

H03k

Deutsche Kl.: 21 al-36/02

Nummer: 1275 590

Aktenzeichen: P 12 75 590.7-31 (J 33548)

Anmeldetag: 27. April 1967

Auslegetag: 22. August 1968

Die Erfindung betrifft einen Multivibrator mit zwei gegenseitig, jeweils vom Kollektor des einen auf die Basis des anderen Multivibratortransistors gekoppelten Multivibratortransistoren.

Multivibratorschaltungen dieser Art weisen bekanntlich den Nachteil auf, daß ihre Impulsfolgefrequenz und das Tastverhältnis der abgegebenen Impulse weitgehend abhängig von der absoluten Größe der Betriebsspannungen, von Änderungen der Umgebungstemperatur und von der Alterung der verwendeten Halbleiterbauelemente ist. Wenn auch in vielen Fällen eine ausreichende Genauigkeit bei Anwendung solcher Multivibratoren erzielt werden kann, indem relativ aufwendige Maßnahmen zur Behebung dieser Nachteile ergriffen werden, so läßt sich doch im allgemeinen hiermit ohne weiteres keine hinreichend große Genauigkeit, d. h. eine in jeder Hinsicht befriedigende Arbeitsweise erzielen. Das Betriebsverhalten bekannter Multivibratoren entspricht, anders ausgedrückt, keineswegs dem eines idealen Multivibrators.

Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin, einen idealen Multivibrator bereitzustellen, dessen Impulsfolgefrequenz und Tastverhältnis weitgehend unabhängig von der absoluten Größe der Betriebsspannungen, von Änderungen der Umgebungstemperatur und von der Alterung der Halbleiterbauelemente bzw.-drift ist. Die Schaltung soll dabei möglichst einfach in ihrem Aufbau sein, so daß ihre Herstellung durch Anwendung von Verfahren der integrierten Schaltungstechnik möglich ist.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß jeweils ein Regelverstärker sowohl mit seinem Eingang zusätzlich an den Kollektor eines Multivibratortransistors angeschlossen ist als auch mit seinem nicht invertierenden Ausgang über ein lediglich im leitenden Zustand des zugeordneten Multivibratortransistors leitendes Halbleiterbauelement mit der Basis des gleichen Multivibratortransistors verbunden ist und daß die Multivibratortransistoren im Zusammenwirken mit mindestens einem Stromübernahme-Bauelement einen Stromübernahmeschalter zur Bereitstellung einer Bezugsspannung bilden.

Hierdurch ist gewährleistet, daß der Spannungssprung beim Umschalten des Multivibrators nicht mehr in einem mehr oder weniger stark gesättigten Inverter erzeugt wird, sondern durch den erfindungsgemäß angeschlossenen Regelverstärker selbst bestimmt wird. Dadurch, daß infolge der Wirkung der angelegten Bezugsspannung das Umschalten der Multivibratortransistoren exakt dann erfolgt, wenn die Basisspannung des jeweils gesperrten Multivibra-

Multivibrator mit stabilisierter Impulsfrequenz
bzw. Impulsbreite

Anmelder:

IBM Deutschland Internationale
Büro-Maschinen Gesellschaft m. b. H.,
7032 Sindelf ingen, Tübinger Allee 49

Als Erfinder benannt:

Dipl.-Ing. Wilhelm Otto Lütze, 7030 Böblingen

tortransistors die Bezugsspannung erreicht, ergibt sich

ao gegenüber bisher bekannten Multivibratoren die angestrebte Konstanz des Tastverhältnisses und der Impulsfolgefrequenz.

So erfolgt z. B. bei Anlegen einer Bezugsspannung mit dem Wert Null das Umschalten der Multivibratortransistoren exakt beim Nulldurchgang des jeweiligen Multivibratortransistors.

Eine besonders vorteilhafte Ausführung eines Regelverstärkers ergibt sich gemäß einer Weiterbildung der Erfindung dann, wenn zwischen dem Kollektoranschluß des Multivibratortransistors und dem Basisanschluß des Regelverstärkers in Kollektorschaltung ein zweiter Stromübernahmeschalter eingebaut ist, dessen zweitem Eingang ebenfalls die Bezugsspannung zugeführt wird.

Stromübernahmeschalter sind an sich bekannt (Steinbuch, Taschenbuch der Nachrichtenverarbeitung, S. 476). Ein solcher Stromübernahmeschalter hat die Wirkung, daß der normalerweise infolge der angelegten Bezugsspannung leitende Transistor in den Aus-Zustand gelangt, wenn der mit seinem Emitter mit dem Emitter des Bezugsspannungstransistors verbundene Transistor an seiner Basis ein Signal erhält und damit in den leitenden Zustand geschaltet wird, während der Bezugsspannungstransistor abgeschaltet wird. Der Emitterwiderstand ist dabei so gewählt, daß der hierdurch fließende Strom unabhängig davon, welcher der Transistoren leitend ist, nahezu konstant ist. Hierbei ist es auch ohne weiteres möglich, daß einer der Transistoren durch eine entsprechend vorgespannte Diode ersetzt wird.

Demgegenüber können aber Stromübernahmeschalter der erfindungsgemäß verwendeten Art auch

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so betrieben werden, daß zwar im ersten Schalt- Fig. 3 die rechte Seite eines erfindungsgemäß aufzustand des Stromübernahmeschalters der Bezugs- gebauten Multivibrators in einem weiteren Ausfühspannungstransistor voll leitend und der andere Tran- rungsbeispiel der Erfindung,

sistor gesperrt ist, daß aber im zweiten Schaltzustand F i g. 4 die Emitterschaltungsanordnung eines erfin-

beide Transistoren jeweils die Hälfte des Gesamt- 5 dungsgemäßen Multivibrators für ein anderes Ausstroms übernehmen. Auch hier ist demnach wie im führungsbeispiel der Erfindung,
vorherigen Fall gewährleistet, daß der Strom durch In der Schaltungsanordnung nach Fig. 1 besteht

den beiden Transistoren gemeinsamen Emitterwider- der eigentliche Multivibrator aus den Transistoren Tl stand unabhängig vom Schaltzustand des Stromüber- und Tl, deren Emitter jeweils an eine negative nahmeschalters immer nahezu konstant ist. io Potentialquelle —V angeschlossen sind und deren

Eine weitere Möglichkeit des Aufbaus der erfin- Kollektoren über die jeweiligen Arbeitswiderstände dungsgemäßen Schaltung besteht darin, daß jeweils Rl und Rl an eine positive Potentialquelle +V andie Multivibrator-Rückkopplungsleitung zur Kopp- geschlossen sind. Dieses sowie die übrigen gezeigten lung mit dem Kollektor eines Multivibratortransistors Ausführungsbeispiele besitzen zwar NPN-Transistonicht an den Kollektoranschluß selbst, sondern jeweils 15 ren; es lassen sich aber bei entsprechender Abändean den Ausgang des zweiten Stromübernahmeschal- rung der Betriebspotentiale ebenso gut PNP-Tranters angeschlossen ist. Hierdurch ist eine ideale An- sistoren verwenden. De»Kollektor des Transistors Tl sprechschwelle an der Basis des Multivibratortran- ist über ein Zeitglied, bestehend aus dem Kondensistors gewährleistet, indem der Spannungssprung sator Cl und dem veränderbaren Widerstand R8, beim Umschalten des Multivibrators innerhalb des 20 mit der Basis des zweiten Transistors Tl verbunden, Regelverstärkers abgegriffen wird. während der Kollektor des Transistors Tl über ein

Bei Anwendung von getrennten Emitterzuleitungen zweites Zeitglied, bestehend aus dem Kollektor Cl lassen sich in an sich bekannter Weise die Multivibra- und dem veränderbaren Widerstand R 7, mit der tortransistoren jeweils als Bestandteil eines Strom- Basis des ersten Transistors Tl gekoppelt ist. Fernerübernahmeschalters anwenden, indem jeweils am 25 hin liegt zwischen dem Emitter des ersten Transistors Emitter eines Multivibratortransistors ein Bezugs- Tl und der zugeordneten negativen Betriebspotenspannungstransistor mit seinem Emitter angeschlossen tialquelle — V ein Emitterwiderstand A3, während wird, bei dem dann der Basis die Bezugsspannung zu- zwischen dem Emitter des zweiten Transistors und geführt wird. der zugeordneten negativen Betriebspotentialquelle

Eine solche Schaltungsanordnung läßt sich aber 30 —V der Emitterwiderstand A4 liegt. Der jeweilige gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfin- Verbindungspunkt des Emitters mit seinem zugeorddung wesentlich vereinfachen, indem die beiden neten Emitterwiderstand liegt dabei jeweils am Emitterzuleitungen der Multivibratortransistoren über Emitter eines jeweils zugeordneten zusätzlichen Traneinen gemeinsamen Emitterwiderstand an die entspre- sistors Γ3 bzw. Γ 4, deren Basen die Bezugsspannung chende Betriebspotentialquelle angeschlossen werden. 35 Vggr zugeführt wird und deren Kollektoren jeweils Zur Bildung des ersten Stromübernahmeschalters sowohl mit einem Ausgang A 3 bzw. A 2 als auch mit wird dann derEmitter des Bezugsspannungstransistors einem jeweils zugeordneten Kollektorwiderstand R 9 an den Verbindungspunkt des Emitterwiderstandes bzw. RIO verbunden sind. Weitere AusgängeA4 mit den Emittern der Multivibratortransistoren ange- und A1 liegen in an sich bekannter Weise an den schlossen. Ein vorteilhafterweise vom Emitterverbin- 40 Kollektoren der Transistoren Tl und Tl. Die Emitdungspunkt beider Multivibratortransistoren zur Be- terwiderständei?3 und R 4 sind so bemessen, daß zugsquelle V_REF geschalteter Kondensator verbessert sowohl der Transistor Tl mit dem Transistor T 3 als weiterhin diese Schaltung, da dann die mit dem Um- auch der Transistor Tl mit dem Transistor Γ4 je schalten des Multivibrators etwa auftretenden Über- einen Stromübernahmeschalter bilden. Der Kollektor gangserscheinungen wirkungslos werden. Wenn nur 45 des Transistors Tl ist über eine Klemme Kl mit der leichte Betriebsspannungsschwankungen auftreten Basis eines Regeltransistors T6 verbunden, der in können, dann läßt sich die geforderte Konstanz des Kollektorschaltung betrieben wird. Der Emitter des Multivibrators auch dann erzielen, wenn im letzteren Regeltransistors Γ 6 ist sowohl über einen Emitter-Fall in hierfür vorteilhafter Weise kein besonderer widerstand R6 an die negative Betriebspotential-Bezugsspannungstransistor angeschlossen ist. 50 quelle —V als auch über eine Diode D1 und über Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung läßt eine Klemme K6 wieder an die Basis des zugeordnesich in gleicher vorteilhafter Weise für astabile, mono- ten Transistors Tl angeschlossen. In gleicher Weise stabile und bistabile Multivibratoren anwenden. Die ist der Kollektor des Transistors Tl an die Basis eines Ansteuerung der erfindungsgemäß aufgebauten mono- weiteren Regeltransistors T 5 angeschlossen, dessen stabilen und bistabilen Multivibratoren läßt sich dabei 55 Emitter über den Emitterwiderstand R 5 ebenfalls an in an sich bekannter Weise vornehmen, außerdem der negativen Betriebspotentialquelle —V liegt und aber auch an jedem geeigneten Punkt innerhalb der der auch in Kollektorschaltung betrieben wird. Auch vorgesehenen Regelverstärker. in diesem Fall ist der Emitter des Regeltransistors Γ 5 Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus über eine Diode Dl wieder mit der Basis des zügeder nachfolgenden Beschreibung, die an Hand von 60 ordneten Transistors Tl verbunden. Dabei sind die Ausführungsbeispielen mit Hilfe der nachstehend Dioden Dl und Dl jeweils so gepolt, daß sie bei aufgeführten Zeichnungen die Erfindung näher er- leitendem, jeweils zugeordnetem Multivibratortranläutert, und aus den Patentansprüchen. Es zeigt sistor Tl bzw. Tl ebenfalls leitend sind. Die Kollek-Fig. 1 die Schaltung eines erfindungsgemäßen torwiderständeRl und Rl und die Emitterwider-Multivibrators, 65 ständeR3 und R4 der Transistoren Tl und Tl sind Fig. 2 die rechte Seite eines erfindungsgemäß auf- nun jeweils so bemessen, daß die Ströme durch die gebauten Multivibrators in einem abgewandelten Emitterwiderstände A3 bzw. R4 nahezu unabhängig Ausführungsbeispiel, vom jeweiligen Schaltzustand der Transistoren Tl

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und Γ 2 sind, da ja im jeweils ausgeschalteten Zustand der Transistoren Tl bzw. Tl die zugeordneten Bezugsspannungstransistoren T3 bzw. Γ4 jeweils einen Strom durch den Emitterwiderstand R3 bzw. R 4 treiben.

Wird nun bei Betrieb z. B. der Transistor Γ2 leitend, dann wird der zugeordnete Regeltransistor T 6 in einen schwach leitenden Zustand gebracht, so daß die im stark leitenden Zustand des Regeltransistors T 6 gesperrte Diode D 2 geöffnet wird und damit der Transistor Γ 2 nicht in die Sättigung gelangen kann. Gleichzeitig wird dann aber auch der Stromfluß durch den Bezugsspannungstransistor T 4 reduziert. Das gleiche gilt analog für das Zusammenwirken der Transistoren Tl, T3 und T5. Während bei der sonst üblichen Betriebsart eines Multivibrators, wenn nämlich Erdpotential an den Emittern der Transistoren Tl und Γ 2 anliegt, der Ansprechpunkt an der Basis der Transistoren Tl bzw. T 2 etwa 0,7 V beträgt und damit abhängig ist vom absoluten Wert der Basis-Emitter-Spannung des jeweiligen Transistors, wird der Ansprechpunkt der erfindungsgemäßen Schaltung in vorteilhafter Weise vom Bezugspotential V_REF an der Basis des Bezugsspannungstransistors Γ 3 bzw. T 4 bestimmt. Wie bereits gesagt, sind die Emitterströme der Transistoren Tl und Γ 3 bzw. der Transistoren Γ 2 und T 4 bei geeigneter Dimensionierung der Widerstände R1, R 9, R 3 bzw. R 2, R10, R 4 im Ansprechpunkt im wesentlichen gleich. Damit ergibt sich aber, daß die Differenz zwischen dem absoluten Ansprechpotential an der Basis des Transistors Tl bzw. an der Basis des Transistors Γ2 und dem Bezugspotential V_REF an der Basis des Transistors Γ3 bzw. an der Basis des Transistors T 4 gegenüber bisher bekannten Anordnungen sehr klein gehalten werden kann.

Diese Potentialdifferenz läßt sich jedoch in vorteilhafter Weise auf nur wenige Millivolt herabdrücken, wenn der Transistor mit dem jeweils zugeordneten Bezugsspannungstransistor als angepaßtes Transistorpaar in ein und derselben Halbleiterscheibe eingebaut wird. In diesem Fall ist dann die Differenz praktisch vernachlässigbar. Darüber hinaus sind bei einer solchen Anordnung gleichzeitig auch ideale Voraussetzungen für eine Temperaturkompensation der Basis-Emitter-Diodenpaare der Transistoren Tl und T 3 bzw. der Transistoren Tl und Γ 4 gegeben.

Die erfindungsgemäße Verwendung des Regelverstärkers, wie oben beschrieben, ergibt eine im wesentlichen exakte Begrenzung des Spannungsabfalls am Kollektorwiderstand R2 auf den Spannungswert: +V — V_REF, indem das beim Leitendwerden des Transistors T'2 an seinem Kollektor absinkende Potential durch den Regeltransistor Γ 6 festgestellt und mit dem Basispotential des Transistors Γ2 verglichen wird. In Abhängigkeit vom Ergebnis des Vergleichs wird über den Basisstrom des Transistors T2 der Kollektorstrom des Transistors Γ 2 so lange verändert, bis das Potential an der Klemme K 2 annähernd identisch ist mit dem Bezugspotential V_REF. Anders ausgedrückt, es findet in diesem Fall eine Abfühlung und Regelung auf Nulldurchgang des Kollektorpotentials statt. Weiterhin ergibt sich eine Begrenzung der ansteigenden Basisspannung am Transistor Γ 2 beim Erreichen des Wertes des Bezugspotentials V_REF. Dies entspricht aber in diesem Spezialfall einer Begrenzerwirkung im Nulldurchgang des Basispotentials.

Obenstehende Erläuterungen sind zwar lediglich in bezug auf die rechte Multivibratorhälfte der Schaltungsanordnung nach F i g. 1 ausgeführt, sie gelten aber analog auch für die linke Multivibratorhälfte, so daß sich weitere Abhandlungen hierüber erübrigen dürften.

Mit der beschriebenen erfindungsgemäßen Multivibratoranordnung wird also in ausreichendem Maß sichergestellt, daß eine einigermaßen definierte Ansprechschwelle, nämlich der Wert des Bezugspotentials V_REF, an der Basis des Transistors Γ2 unter der

ίο Voraussetzung von nahezu gleichen Strömen in den Transistoren Γ 2 und Γ 4 gewährleistet ist.

Da die Multivibratorschaltung in der Regel bis auf die frei wählbare Dimensionierung der Zeitglieder im wesentlichen symmetrisch aufgebaut ist, werden weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der Darstellungen in F i g. 2 und 3 lediglich in bezug auf die rechte Multivibratorhälfte beschrieben. An den Klemmen Kl und KS ist dann über entsprechende Kopplungsleitungen mit den darin eingeschlossenen Zeitgliedern die in gleicher Weise aufgebaute linke Multivibratorhälfte angeschlossen zu denken. Zum Verständnis der Erfindung genügt es jedenfalls vollauf, wenn nur die Wirkungsweise einer Multivibratorhälfte erläutert wird. Die Schaltungsanordnung nach dem Ausführungsbeispiel in F i g. 2 unterscheidet sich nach dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel der Erfindung dadurch, daß der Regeltransistor T 6 an seiner Basis nicht direkt vom Kollektor des Transistors T 2 angesteuert wird, sondern über einen besonderen Stromübernahmeschalter. Dieser Stromübernahmeschalter besteht dabei aus zwei mit den Emittern verbundenen Transistoren T 8 und TlO, bei dem die Basis des ersten Transistors T 8 mit dem Kollektor des Transistors Γ2 und die Basis des zweiten Transistors Γ10 mit der Bezugspotentialquelle VREF verbunden ist. Der Kollektor des zweiten Transistors TlO liegt an der Basis des Regeltransistors T 6. Auch bei diesem Stromübernähmeschalter gilt wieder, daß der Strom durch den Emitterwiderstand i?12 nahezu unabhängig vom Schaltzustand der Transistoren T 8 und TlO im wesentlichen konstant ist. Dies wird durch entsprechende Bemessung des Emitterwiderstandes R12 und des am Kollektor des zweiten Transistors TlO angeschlossenen Kollektorwiderstandes R10 erreicht.

Bei Betrieb ergibt sich, daß der Stromfluß durch den ersten Transistor T 8 bei leitend werdendem Multivibratortransistor T 2 erst beim Absinken der Basisspannung des ersten Transistors T8 unter den Wert des Bezugspotentials V_REF reduziert und damit der zweite Transistor TlO leitend wird, so daß jetzt beide Transistoren T 8 und Γ10 nahezu den gleichen Emitterstrom ziehen, dessen Wert im übrigen etwa dem vorher bei stark leitendem erstem Transistor T 8 entspricht. Eine im Spezialfall auf Nulldurchgang des Kollektorpotentials des Multivibratortransistors T 2 stattfindende Abfühlung und Regelung ist mit dieser verbesserten Schaltungsausführung besonders gut zu erreichen, da hiermit das Potential an der Klemme K 2 nahezu gleich dem Wert des Bezugspotentials V_REF ist. Außerdem ist die Begrenzung der ansteigenden Basisspannung am Multivibratortransistor T2 beim Erreichen des Wertes des Bezugspotentials V_REF in ausreichendem Maß gewährleistet.

Der Schaltungsaufbau des Ausführungsbeispiels nach F i g. 3 entspricht im wesentlichen dem nach F i g. 2, jedoch mit dem Unterschied, daß die Klemme Kl nicht mit dem Kollektor des Multivibratortran-

sistors Γ 2 in Verbindung steht, sondern mit dem Ausgang des zusätzlichen Stromübernahmeschalters, also mit dem Kollektor des Transistors Γ10 und damit mit der Basis des Regeltransistors T6, direkt verbunden ist. Damit wird erreicht, daß neben einer wohldefinierten Ansprechschwelle V_REF an der Basis der Multivibratortransistoren Tl und Γ 2 die Einregelung des jeweiligen Kollektorpotentials der Multivibratortransistoren Tl und Γ 2 auf einen Wert erfolgt, der nahezu mit dem Bezugspotential identisch ist, und zwar zu dem Zeitpunkt, wenn der zusätzliche, von den Transistoren T 8 und Γ10 gebildete Stromübernahmeschalter in seinen anderen Schaltzustand kippt. Dies bedeutet aber, daß eine ideale Ansprechschwelle jeweils an der Basis der Multivibratortransistoren Tl und T 2 sichergestellt ist, indem der exakte Wert für den Spannungsabfall am Kollektorwiderstand R 2, nämlich in diesem Spezialfall beim Nulldurchgang des Potentials an der Klemme Kl, noch vor Beginn des eigentlichen Umschaltvorgangs ao der Multivibratortransistoren Tl bzw. Γ 2 abgewartet wird. Der Spannungssprung wird hierbei sozusagen innerhalb des Regelverstärkers abgegriffen. In vorteilhafter Weise läßt sich dabei außer dem über die Klemme Kl mit dem Kollektor des einen Multivibratortransistors Γ10 verbundenen Ausgang Al α ein weiterer Ausgang Alb an den Verbindungspunkt der Diode D 2 mit dem Emitter des Regeltransistors Γ 6 legen. Gleiches gilt entsprechend für die linke Multivibratorhälfte.

Die erfindungsgemäße Multivibratorschaltung läßt sich nun insofern wesentlich vereinfachen, wenn die Emitter der beiden Transistoren Tl und TI des Multivibrators miteinander verbunden werden und über einen gemeinsamen Emitterwiderstand gespeist werden. Diese Schaltungsanordnung, die in F i g. 4 gezeigt ist, läßt sich dann auch so auslegen, daß beide Transistoren Tl und T2 als Stromübernahmeschalter betrieben werden. Damit könnten grundsätzlich aber die in den vorherigen Ausführungsbeispielen verwendeten Stromübernahmetransistoren T 3 und T 4 entfallen. Da aber in diesem Fall für die jeweilige Basis der Multivibratortransistoren Tl und T 2 keine absolute Bezugsspannung zur Verfügung steht, ist der Einfluß von Betriebsspannungsschwankungen zwar größer als bei den bisher beschriebenen Ausführungsbeispielen, aber immerhin noch wesentlich geringer als bei bisher bekannten Multivibratorschaltungsanordnungen, so daß unter bestimmten Voraussetzungen auch diese Schaltung für die praktische Verwendung brauchbar ist, insbesondere schon deshalb, weil infolge der Verwendung der Regelverstärker Änderungen der Umgebungstemperatur und die Alterung bzw. Drift der verwendeten Halbleiterbauelemente keinen nachhaltigen Einfluß auf die Betriebsweise besitzen.

Diese möglicherweise nachteilige Wirkung läßt sich aber in einfacher Weise beheben, wenn, wie in der Darstellung nach F i g. 4 gezeigt, am Verbindungspunkt der beiden Emitter der Multivibratortransistoren Tl und Γ 2 mit dem Emitterwiderstand R13 ein Transistor TIl in Basisschaltung mit seinem Emitter angeschlossen wird. Da die Kollektorspannung des Transistors TIl über einen andererseits mit einem Ausgang .4 5 verbundenen Kollektorwiderstand R14 zugeführt wird und an der Basis des Transistors TIl wiederum die Bezugsspannung V_REP anliegt, ergibt sich aus dem Zusammenwirken der Multivibratortransistoren Tl und T 2 einerseits und dem zusätzlichen Transistor TIl andererseits sozusagen ein Stromübernahmeschalter mit drei Transistoren. Bei geeigneter Bemessung des Emitterwiderstandes R13 wird hierbei gewährleistet, daß der Bezugsspannungswert VRgp beim Ansprechen der Multivibratortransistoren Tl und T 2 absolut eingehalten wird. Die Wechselwirkung, d. h. das Schaltverhalten des so aufgebauten Multivibrators, hängt von der jeweiligen Potentialdifferenz zwischen den Basisanschlüssen der Multivibratortransistoren Tl und T 2 ab, während die absolute Höhe des Schaltpotentials infolge der angelegten Bezugsspannung F^ vom dritten Transistor TIl bestimmt wird. Um den Einfluß von Übergangserscheinungen während des relativ kurzzeitigen Umschaltvorganges des Multivibrators zu verhindern, kann der Emitterverbindungspunkt der beiden Multivibratortransistoren Tl und T 2 über einen Kondensator mit der Bezugspotentialquelle V_RBF oder mit der negativen Potentialquelle — V verbunden werden.

Der Wert des Bezugspotentials V_REP läßt sich innerhalb der durch die Durchbruchsspannung der Halbleiterbauelemente gegebenen Grenzen frei wählen. Unter diesen Voraussetzungen können entweder zwei Potentialquellen, nämlich +V und —V mit Erdpotential als Bezugspotential Verwendung finden oder auch nur eine positive oder negative Potentialquelle mit Erdpotential, wobei dann in an sich bekannter Weise das Bezugspotential V_REP intern gebildet und/oder geregelt werden kann. In einem praktischen Ausführungsbeispiel hat die negative Potentialquelle einen Wert von —6 V und die positive Potentialquelle einen Wert von +3V, während die Bezugspotentialquelle an Erde gelegt ist.

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Multivibrator mit stabilisierter Impulsfrequenz bzw. Impulsbreite, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils ein Regelverstärker (T 6, R 6) sowohl mit seinem Eingang zusätzlich an den Kollektor eines Multivibratortransistors (T 2) angeschlossen ist als auch mit seinem nicht invertierenden Ausgang über ein lediglich im leitenden Zustand des zugeordneten Multivibratortransistors (T 2) leitendes Halbleiterbauelement (D 2) mit der Basis des zugeordneten Multivibratortransistors (T 2) verbunden ist und daß die Multivibratortransistoren (Tl, T2) im Zusammenwirken mit mindestens einem Stromübernahmebauelement (TU) einen Stromübernahmeschalter zur Bereitstellung einer Bezugsspannung bilden.

2. Multivibrator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektoren der Multivibratortransistoren (Tl, T2) am Eingang je eines zweiten auf die Bezugsspannung eingestellten Stromübernahmeschalters (T 8, TlO) liegen, dessen Ausgang an der Basis eines Regeltransistors (T 6) in Kollektorschaltung liegt, dessen Emitter seinerseits über eine Diode (D 2) mit der Basis des jeweils zugeordneten Multivibratortransistors (T 2) verbunden ist.

3. Multivibrator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Multivibrator-Rückkopplungsleitungen zur jeweiligen Kopplung mit dem Kollektor eines Multivibratortransistors (Tl, T2) jeweils an den Ausgang des zweiten Stromübernahmeschalters (T 8, TlO) angeschlossen sind.

4. Multivibrator nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei getrennten Emitter-

Zuleitungen (Fig. 1) je ein Stromübernahmetransistor (Γ3, Γ4) in Basisschaltung zur Bildung je eines besonderen ersten Stromübernahmeschalters mit seinem Emitter an die Emitter der Multivibratortransistoren (Tl, Γ 2) angeschlossen ist, indem die Bezugsspannung (V_REP) jeweils der Basis der Stromübernahmetransistoren (Γ3, Γ 4) zugeführt wird.

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5. Multivibrator nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei gemeinsamer Emitterzuleitung (Fig. 4) der beiden Multivibratortransistoren (Tl und Γ 2) ein Stromübernahmetransistor (TU) in Basisschaltung, dessen Basis die Bezugsspannung (V_REP) zugeführt wird, mit seinem Emitter an die gemeinsame Emitterzuleitung angeschlossen ist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen