DE1271840B - Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen der Dotierungsdichte in einem Halbleiterkristall - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen der Dotierungsdichte in einem Halbleiterkristall

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DE1271840B
DE1271840B DEP1271A DE1271840A DE1271840B DE 1271840 B DE1271840 B DE 1271840B DE P1271 A DEP1271 A DE P1271A DE 1271840 A DE1271840 A DE 1271840A DE 1271840 B DE1271840 B DE 1271840B
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Germany
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insulating layer
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semiconductor crystal
capacitor
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DEP1271A
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German (de)
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Hans-Eberhard Longo
Dr Manfred Zerbst
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Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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    • H04B3/462—Testing group delay or phase shift, e.g. timing jitter
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
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    • G01R27/28—Measuring attenuation, gain, phase shift or derived characteristics of electric four pole networks, i.e. two-port networks; Measuring transient response
    • G01R27/32—Measuring attenuation, gain, phase shift or derived characteristics of electric four pole networks, i.e. two-port networks; Measuring transient response in circuits having distributed constants, e.g. having very long conductors or involving high frequencies
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1089887B (de) * 1959-11-21 1960-09-29 Siemens Ag Verfahren und Einrichtung zur Bestimmung des elektrischen Widerstandes eines Koerpers aus einem extrem reinen Halbleitermaterial fuer elektronische Zwecke

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1089887B (de) * 1959-11-21 1960-09-29 Siemens Ag Verfahren und Einrichtung zur Bestimmung des elektrischen Widerstandes eines Koerpers aus einem extrem reinen Halbleitermaterial fuer elektronische Zwecke

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