DE1263080B - Schaltungsanordnung zur Amplituden-Diskriminierung von Impulsen mit Hilfe einer Tunneldiode - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Amplituden-Diskriminierung von Impulsen mit Hilfe einer Tunneldiode

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Publication number
DE1263080B
DE1263080B DEE31825A DEE0031825A DE1263080B DE 1263080 B DE1263080 B DE 1263080B DE E31825 A DEE31825 A DE E31825A DE E0031825 A DEE0031825 A DE E0031825A DE 1263080 B DE1263080 B DE 1263080B
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DE
Germany
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tunnel diode
circuit arrangement
pulses
diode
low
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Application number
DEE31825A
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Inventor
Dr Luciano Stanchi
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European Atomic Energy Community Euratom
Original Assignee
European Atomic Energy Community Euratom
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/313Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic
    • H03K3/315Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic the devices being tunnel diodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/58Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being tunnel diodes

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  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

  • Schaltungsanordnung zur Amplituden-Diskriminierung von Impulsen mit Hilfe einer Tunneldiode Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Amplituden-Diskriminierung mit Hilfe einer Tunneldiode.
  • Solche Diskriminatoren nutzen die N-Form der Tunneldiodenkennlinien mit dem Bereich negativen Widerstandes zwischen zwei Bereichen positiven Widerstandes aus. Normalerweise werden Tunneldioden stromgesteuert, d. h., der Sprung über den negativen Bereich wird mit einem Stromimpuls erzielt, dessen Amplitude ausreicht, um den höchsten Punkt der Kennlinie zu überwinden. Dabei entsteht ein Spannungssprung an der Tunneldiode. Ist die Steuerstromamplitude geringer als der Maximalwert der Kennlinie, dann wird der negative Bereich nicht überstrichen, und es entsteht kein Spannungsimpuls.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, einen Diskriminator mit einer Tunneldiode zu entwerfen, der im wesentlichen spannungsgesteuert ist und einen Stromimpuls am Ausgang liefert. Ausgehend von einer Tunneldiode, deren erste Elektrode mit einer Gleichstromquelle und einem Eingang für die zu diskriminierenden Impulse verbunden ist, ist die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode über einen geringen Widerstand hochfrequenzmäßig geerdet ist, derart, daß interne Schwingungen im GHz-Bereich auftreten, und daß eine Ausgangsstufe niedriger Impedanz mit Tiefpaßcharakteristik bezüglich der Schwingungen an der zweiten Tunneldiodenelektrode angeschlossen ist.
  • Vorzugsweise ist ein weiteres Tiefpaßfilter parallel zur Tunneldiode und dem niedrigen Widerstand vorgesehen. Der genannte Widerstand ist gemäß weiterer Erfindung eine schnelle Diode, die mit Hilfe des aus der Gleichstromquelle kommenden Stromes in ihrem Leitbereich betrieben wird.
  • Die Ausgangsstufe besteht in einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung einfach aus einem relativ langsamen Transistor, der somit nicht in der Lage ist, den internen Schwingungen der Tunneldiode zu folgen.
  • Der Hauptgedanke, auf dem die Erfindung beruht, besteht darin, eine durch interne Schwingungen deformierte dynamische Charakteristik der- Tunneldiode als statische Kennlinie zu verwenden. Seit einiger Zeit ist es bekannt (beispielsweise aus IEEE Transactions an Electronic Devices, Juni 1965, S.373), daß Tunneldioden in entsprechend niedrigomigen Kreisen zu Schwingungen in der Größenordnung von 1 bis 100 GHz neigen. Diese Schwingungen waren bisher bei Verwendung der Tunneldiode als Schalter unerwünscht, und man suchte durch geeignete Dämpfung diese Schwingungen zu unterdrücken. Dieser Diskriminator eignet sich wie alle Tunneldiodenschaltungen zur Mikrominiaturisierung und für den Einsatz bei äußerst hohen Impulsfrequenzen. Darüber hinaus bietet die deformierte Kennlinie die Möglichkeit der Zweischwellendiskrimination, da eine Arbeitswiderstandskennlinie die Kennlinie der Tunneldiode in drei stabilen Arbeitspunkten schneiden kann.
  • Die Erfindung wird nunmehr im einzelnen an Hand zweier Figuren näher erläutert, von denen F i g. 1 das Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung und F i g. 2 ein Strom-Spannungs-Diagramm zur Erläuterung der Funktion der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung zeigen.
  • Der Diskriminator gemäß F i g. 1 besteht aus einer Signal-Eingangsstufe 1, einer Signal-Ausgangsstufe 2, einer Gleichstromquelle 3 und dem eigentlichen Tunneldiodenkreis, der alle erwähnten Stufen miteinander verbindet. Der Tunneldiodenkreis wiederum enthält im wesentlichen die Serienschaltung einer schnellen Diode 5, beispielsweise vom Germaniumtyp, und einer Tunneldiode 6. Parallel zu dieser Serienschaltung der beiden Dioden liegt ein Tiefpaßfilter, bestehend aus der Serienschaltung einer Spule 7 und einem Widerstand B.
  • Die Ausgangsstufe umfaßt für die hier gewählte Polarität des Ausgangssignals einen npn-Transistor 9, desesn Basiselektrode über einen Blockkondensator 11 und einen regelbaren Widerstand 10 geerdet ist. Die Emitterelektrode ist direkt mit der Tunneldiodenanode, die Kollektorelektrode über einen Koppelkondensator 12 mit dem Signalausgang 13 des Diskriminators verbunden.
  • Die Gleichstromquelle 3 umfaßt eine positive Spannung -f- U und einem pnp-Transistor 14, der einen konstanten Strom an den Verbindungspunkt von Diode 5 und Tunneldiode 6 liefert. Ein Potentiometer 15 in Basiskreis dieses Transistors erlaubt die Einstellung des Gleichstroms auf einen gewünschten Wert. Der Gleichstrom fließt teils durch die Diode 5 und teils durch die Tunneldiode 6 und die Filterelemente 7, 8 nach Erde 4.
  • Die Diode 5 wird in Durchlaßrichtung betrieben und stellt daher nur einen geringen Widerstand dar. Der Gleichstrom wird so eingestellt, daß die Tunneldiode 6 in dem Kennlinienbereich betrieben wird, der im statischen Betrieb einen negativen Widerstand aufweist. Wenn die Gesamtimpedanz im Tunneldiodenkreis geringer als ein kritischer Wert ist, dann treten Schwingungen im Bereich einiger Gigahertz auf, aber da die Ausgangsstufe (Transistor 9) diesen hochfrequenten Schwingungen nicht folgen kann, kann die Verformung der statischen Charakteristik auf Grund der Schwingungen nach außen hin wie eine echte statische Charakteristik verwendet werden.
  • F i g. 2 zeigt diese Charakteristik in einem Strom-Spannungs-Diagramm als durchgezogene Linie, wobei die Spannung von rechts nach links ansteigend angenommen ist. Man erkennt, daß diese Charakteristik zwei Bereiche negativen Widerstandes zwischen drei Bereichen positiven Widerstandes aufweist. Der Gleichstromwert ist so gewählt, daß die Tunneldiode sich in dem mittleren Bereich positiven Widerstandes (Punkt A) stabilisiert.
  • Die Summe der Spannungen Uo und UT über die Diode 5 und die Tunneldiode 6 wird praktisch durch die Ausgangsstufe 2 konstant gehalten. Erreicht nun beispielsweise ein positiver Impuls von der Eingangsstufe 1 die Tunneldiode, dann steigt die Spannung an der Diode 5 auf Kosten der Tunneldiodenspannung. Bei ausreichender Amplitude bewegt sich der Arbeitspunkt der Tunneldiode über den höchsten Wert B der Kennlinie hinweg, wobei sich der Tunneldiodenstrom plötzlich ändert. Dieser Stromimpuls kann von der Ausgangsstufe 2 abgelesen werden.
  • Es ist unmittelbar einzusehen, daß ein negativer Eingangsimpuls eine Verschiebung des Arbeitspunktes von A nach links und einen Ausgangsstromimpuls umgekehrter Polarität bewirken würde.
  • In F i g. 2 ist weiterhin in gestrichelter Linie über derselben Spannungsabszisse die Diodenkennlinie aufgetragen, mit von links nach rechts ansteigender Spannung, so daß die Arbeitspunkte auf den beiden Kurven sich jeweils für dieselbe Abszisse ergeben.
  • Die Beschreibung der Schaltungsanordnung muß nunmehr noch durch die Einzelheiten der Eingangsstufe vervollständigt werden, die jedoch keine Erfindungsmerkmale enthält. Diese Eingangsstufe umfaßt einen npn-Transistor in Basisschaltung (Vorspannung - U, einstellbarer Widerstand 16, Blockkondensator 17 im Basiskreis). Die Emitterelektrode ist über einen Impedanzanpassungswiderstand (oder einen geeigneten Transformator) und über einen Kondensator 19 an das Eingangskabel 20 angeschlossen.
  • Wenn nur eine Polarität von Ausgangsimpulsen benötigt wird, dann soll dies vorzugsweise diejenige sein, bei der der Höchstwert B der Tunneldiodenkennlinie überschritten wird, da dieser Punkt wesentlich stabiler gegen Temperaturänderungen ist als der Negativmaximalwert im linken Teil der Kennlinie. Dies ist ein bekannter Effekt von Tunneldioden, der auch bei normaler, unverformter Kennlinie auftritt.
  • Es ist offenbar, daß der Diskriminator gemäß F i g. 1 leicht verschiedenen Anforderungen angepaßt werden kann: Die Diskriminatorschwelle kann durch das Potentiometer 15 in der Gleichstromquelle und/oder durch den Widerstand 16 in der Eingangsstufe beeinflußt werden. Wenn beide Schwellen benutzt werden, dann beeinflußt man mit dem Potentiometer 15 den Abstand zwischen den beiden Schwellen und mit dem Widerstand 16 ihre Absolutwerte.
  • Die Erfindung ist nicht beschränkt auf die Ausführungsform gemäß F ig. 1, insbesondere was die Hilfskreise 1, 2 und 3 betrifft. In einer Versuchsausführung der Schaltung gemäß F i g. 1 wurden Ausgangsimpulse am Ausgang 13 von 70 mV mit einer Breite von 2 Nanosekunden erzielt:

Claims (5)

  1. Patentansprüche: 1. Schaltungsanordnung zur Amplituden-Diskriminierung von Impulsen mit Hilfe einer Tunneldiode, deren erste Elektrode mit einer Gleichstromquelle und einem Eingang für die zu diskriminierenden Impulse verbunden ist, d adurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode über einen geringen Widerstand (5) hochfrequenzmäßig geerdet ist, derart, daß interne Schwingungen im GHz-Bereich auftreten, und daß eine Ausgangsstufe (2) niedriger Impedanz mit Tiefpaßcharakteristik bezüglich der Schwingungen an der zweiten Tunneldiodenelektrode angeschlossen ist.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Tiefpaßfilter (7, 8) parallel zur Tunneldiode (6) und dem geringen Widerstand (5) angeordnet ist.
  3. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der geringe Widerstand eine schnelle Diode ist, die im Bereich großer Leitfähigkeit betrieben wird.
  4. 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsstufe einen relativ langsamen Transistor- (9) in Basisschaltung enthält.
  5. 5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichstromquelle (3) einstellbar ist.
DEE31825A 1966-06-09 1966-06-09 Schaltungsanordnung zur Amplituden-Diskriminierung von Impulsen mit Hilfe einer Tunneldiode Pending DE1263080B (de)

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US574001A US3479526A (en) 1966-06-09 1966-08-22 Electrical discriminator unit

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