DE1261119B - Verfahren zum Ziehen von NPN- oder PNP-Silicium- oder Germaniumeinkristallen - Google Patents

Verfahren zum Ziehen von NPN- oder PNP-Silicium- oder Germaniumeinkristallen

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DE1261119B
DE1261119B DE1960K0039630 DEK0039630A DE1261119B DE 1261119 B DE1261119 B DE 1261119B DE 1960K0039630 DE1960K0039630 DE 1960K0039630 DE K0039630 A DEK0039630 A DE K0039630A DE 1261119 B DE1261119 B DE 1261119B
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DE
Germany
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melt
crystal
pulling
npn
conductivity type
Prior art date
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Pending
Application number
DE1960K0039630
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German (de)
English (en)
Inventor
Kogo Sato
Masami Tomono
Hiroshi Kodera
Shoji Tauchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

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NL (1) NL247569A (en, 2012)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19936651A1 (de) * 1999-08-04 2001-02-15 Forsch Mineralische Und Metall Verfahren und Herstellung eines segmentierten Kristalls

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE964708C (de) * 1955-01-13 1957-05-29 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Zonen unterschiedlicher Dotierung in Halbleiterkristallen durch Ziehen des Kristalls aus der Schmelze
US2851341A (en) * 1953-07-08 1958-09-09 Shirley I Weiss Method and equipment for growing crystals

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GB944153A (en) 1963-12-11
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