DE1260031B - Verfahren zum Nachbearbeiten von durch Legieren hergestellten pn-UEbergaengen - Google Patents
Verfahren zum Nachbearbeiten von durch Legieren hergestellten pn-UEbergaengenInfo
- Publication number
- DE1260031B DE1260031B DEL36521A DEL0036521A DE1260031B DE 1260031 B DE1260031 B DE 1260031B DE L36521 A DEL36521 A DE L36521A DE L0036521 A DEL0036521 A DE L0036521A DE 1260031 B DE1260031 B DE 1260031B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- alloying
- alloying process
- alloy
- semiconductor body
- junctions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H10P95/50—
-
- H10P95/90—
-
- H10P95/00—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL266775D NL266775A (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1960-07-08 | ||
| DEL36521A DE1260031B (de) | 1960-07-08 | 1960-07-08 | Verfahren zum Nachbearbeiten von durch Legieren hergestellten pn-UEbergaengen |
| GB24286/61A GB963222A (en) | 1960-07-08 | 1961-07-05 | A method of improving p-n junctions |
| BE605818A BE605818A (fr) | 1960-07-08 | 1961-07-06 | Procédé pour retravailler des jonctions p-n fabriquées par alliage |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEL36521A DE1260031B (de) | 1960-07-08 | 1960-07-08 | Verfahren zum Nachbearbeiten von durch Legieren hergestellten pn-UEbergaengen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1260031B true DE1260031B (de) | 1968-02-01 |
Family
ID=7267516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEL36521A Pending DE1260031B (de) | 1960-07-08 | 1960-07-08 | Verfahren zum Nachbearbeiten von durch Legieren hergestellten pn-UEbergaengen |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE605818A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| DE (1) | DE1260031B (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| GB (1) | GB963222A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| NL (1) | NL266775A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1029483B (de) * | 1954-01-28 | 1958-05-08 | Marconi Wireless Telegraph Co | Verfahren zur Herstellung von npn- oder pnp-Transistoren |
| GB836851A (en) * | 1956-09-26 | 1960-06-09 | Gen Electric | Improvements in semiconductor devices and methods of making same |
-
0
- NL NL266775D patent/NL266775A/xx unknown
-
1960
- 1960-07-08 DE DEL36521A patent/DE1260031B/de active Pending
-
1961
- 1961-07-05 GB GB24286/61A patent/GB963222A/en not_active Expired
- 1961-07-06 BE BE605818A patent/BE605818A/fr unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1029483B (de) * | 1954-01-28 | 1958-05-08 | Marconi Wireless Telegraph Co | Verfahren zur Herstellung von npn- oder pnp-Transistoren |
| GB836851A (en) * | 1956-09-26 | 1960-06-09 | Gen Electric | Improvements in semiconductor devices and methods of making same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL266775A (cg-RX-API-DMAC10.html) | |
| GB963222A (en) | 1964-07-08 |
| BE605818A (fr) | 1961-11-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1073111B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Flachentransistors mit einer Oberflachenschicht erhöhter Storstellenkonzentration an den freien Stellen zwischen den Elektroden an einem einkristallmen Halbleiterkörper | |
| DE2422120A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung | |
| DE2162445C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE1012696B (de) | Halbleiteruebergang zwischen Zonen verschiedenen Leitungstypus und Verfahren zur Herstellung des UEberganges | |
| DE1260031B (de) | Verfahren zum Nachbearbeiten von durch Legieren hergestellten pn-UEbergaengen | |
| DE1806980A1 (de) | Halbleiter-Bauelement | |
| DE1126513B (de) | Verfahren zur Bearbeitung von Halbleiteranordnungen | |
| DE1193766B (de) | Verfahren zur Stabilisierung der durch AEtzen erzielten Sperreigenschaften von Halbleiteranordnungen | |
| DE966906C (de) | Verfahren zur sperrfreien Kontaktierung von Flaechengleichrichtern oder -transistoren mit einem eine p-n-Schichtung aufweisenden Halbleitereinkristall | |
| DE1058158B (de) | Verfahren zum Anbringen einer Legierungs-Elektrode auf einem halbleitenden Koerper | |
| AT201114B (de) | Verfahren zur Herstellung von halbleitenden Vorrichtungen | |
| DE1071846B (cg-RX-API-DMAC10.html) | ||
| DE1033334B (de) | Verfahren zur Herstellung von Gleichrichtern, Transistoren u. dgl. mit Metallkontakten nach dem Legierungs- bzw. Diffusions-Verfahren | |
| AT233119B (de) | Halbleiteranordnung mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper | |
| DE1061906B (de) | Verfahren zur Herstellung von Flaechen-Halbleiterkristalloden mit mindestens zwei verschmolzenen Halbleiterteilen vom entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyp | |
| DE1168567B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Transistors, insbesondere fuer Schaltzwecke | |
| DE1015937B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitern mit p-n-Schichten | |
| AT218570B (de) | Verfahren zur großflächigen Kontaktierung eines einkristallinen Siliziumkörpers | |
| DE1639581B1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
| DE1166936B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE1089075B (cg-RX-API-DMAC10.html) | ||
| DE1285625B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
| AT228273B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| AT247415B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen, insbesondere von Tunneldioden | |
| AT227778B (de) | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Halbleiteranordnungen |