DE1256808B - Elektrische Entladungsroehre mit einer Photokathode - Google Patents
Elektrische Entladungsroehre mit einer PhotokathodeInfo
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Description
HOll
DEUTSCHES VMVWi- PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT DeutscheKl.: 21g-29/20
Nummer: 1 256 808
Aktenzeichen: N 27690 VIII c/21 g
1 256 808 Anmeldetag: 27.November 1965
Auslegetag: 21. Dezember 1967
Die Erfindung bezieht sich auf eine elektrische Entladungsröhre mit einer Photokathode, deren
emittierender Teil aus einem p-leitenden mit einem Alkalimetall oder Alkalimetalloxyd aktivierten Halbleiter
besteht.
Die bekannten Photokathoden der obenerwähnten Zusammensetzung weisen eine verhältnismäßig große
Rotempfindlichkeit auf, während die maximalen Quantenausbeuten durchschnittlich 20°/o betragen
können. Zum Beispiel ist für eine Photokathode mit der Zusammensetzung Cs3Sb die Rotgrenze gut
6300 ÄE, und die maximale Quantumausbeute von etwa 20% w'r(i nach einer schnellen Steigung der
Empfindlichkeitskurve bei etwa 4200 ÄE erreicht. Für eine Photokathode der Zusammensetzung
Na2KSb—Cs liegt die Rotgrenze zwar bei etwa 8500 ÄE, aber die Empfindlichkeitskurve steigt nur
langsam mit abnehmender Wellenlänge, so daß die maximale Quantenausbeute von fast 40% erst bei
etwa 4200 ÄE erreicht wird. ao
Im obenstehenden wurde als Rotgrenze diejenige Wellenlänge angenommen, bei der die Quantenausbeute
1% der maximalen Ausbeute der Empfindlichkeitskurve beträgt. Die Rotgrenze gibt also
keinen Absolutwert für die Empfindlichkeit bei dieser Grenze an.
Die Rotgrenze stark p-leitenden Siliziums liegt etwa bei 5000 ÄE, aber die maximale Quantenausbeute ist
für praktische Anwendungen um einige Größenordnungen zu niedrig.
Die Erfindung hat den Zweck, Photokathoden anderer Zusammensetzung zu schaffen, die gleichfalls
eine günstige Rotgrenze aufweisen.
In einer elektrischen Entladungsröhre mit einer Photokathode, deren emittierender Teil aus einem
p-leitenden mit einem Alkalimetall oder Alkalimetalloxyd aktivierten Halbleiter besteht, besteht nach der
Erfindung der Halbleiter aus einer stark p-leitenden AIII-BV-Verbindung oder aus Mischkristallen solcher
Verbindungen mit einem Bandabstand zwischen 1,1 V und 1,6 V. Wie üblich, wird unter einer
AIII-BV-Verbindung eine intermetallische Verbindung eines der Elemente (AIII) der III. Gruppe
des Periodischen Systems Bor, Aluminium, Gallium, Indium einerseits mit einem Element (BV) der
V. Gruppe des Periodischen Systems Stickstoff, Phosphor, Arsen, Antimon andererseits verstanden. Bei
Mischkristallen ist die Menge an AIII-Atomen nahezu gleich der Menge an BV-Atomen. Vorzugsweise
besteht diese AIII-BV-Verbindung aus Galliumarsenid mit einer Akzeptorkonzentration von mindestens
1 · IO18 pro Kubikzentimeter, vorzugsweise Elektrische Entladungsröhre
mit einer Photokathode
mit einer Photokathode
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter:
Dr.-Ing. H. D. Zeller, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Als Erfinder benannt:
Johannes van Laar,
Johannes van Laar,
Jacob Jan Scheer, Eindhoven (Niederlande)
Beanspruchte Priorität:
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 2. Dezember 1964 (64 13 961)
mindestens 1 · IO19 pro Kubikzentimeter. Die maximale Konzentration beträgt etwa 1 · IO20. Auf diese
Weise wird eine Photokathode erhalten, deren maximale Quantenausbeute mindestens gleich der der
bekannten rotempfindlichen Kathoden ist. Die Rotgrenze liegt aber bei einer erheblich längeren Wellenlänge
als im Falle der bekannten Photokathode, und infolge der schnellen Steigerung der Empfindlichkeit
bei abnehmender Wellenlänge weist die Empfindlichkeitskurve am Langwellenende einen steilen Verlauf
auf.
Bei einer günstigen Zusammensetzung der Photokathode in einer elektrischen Entladungsröhre enthält
das Galliumarsenid 4 · IO19 Zinkatome pro Kubikzentimeter. Die Rotgrenze liegt dann bei gut 9200 ÄE,
und die maximale Quantenausbeute von etwa 40% wird bereits bei etwa 6000 ÄE erreicht.
Außer Zink können auch Kadmium, Quecksilber, Tellur oder andere in Galliumarsenid eine p-Leitfähigkeit
herbeiführende Elemente eingebaut werden.
Das Galliumarsenid kann höchstens einige Prozente Galliumphosphid oder Galliumantimonid enthalten.
Der emittierende Teil der Kathode kann z. B. die Form eines im Vakuum oder an der Luft aufgespaltenen
Einkristalles oder die Form einer aufgedampften Schicht aufweisen.
Eine elektrische Entladungsröhre mit einer Photokathode gemäß der Erfindung kann aus einer Photozelle,
einem Photovervielfacher, einem Bildverstärker,
709 709/379
Claims (7)
1. Elektrische Entladungsröhre mit einer Photokathode, deren emittierender Teil aus einem
p-leitenden mit einem Alkalimetall oder Alkalimetalloxyd aktivierten Halbleiter besteht, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter
aus einer stark p-leitenden AIII-BV-Verbindung oder Mischkristallen solcher Verbindungen
mit einem Bandabstand zwischen 1,1 V und 1,6 V besteht.
2. Elektrische Entladungsröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die AIII-BV-Verbindung
aus mit Cäsium aktiviertem Galliumarsenid mit einer Akzeptorkonzentration von mindestens 1 · IO18 pro Kubikzentimeter, vorzugsweise
1 · IO19 Kubikzentimeter besteht.
3. Elektrische Entladungsröhre nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Akzeptoren aus
Zink, Kadmium, Tellur oder Quecksilber bestehen.
4. Elektrische Entladungsröhre nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Akzeptorkonzentration
4 · IO19 Zinkatome/cm3 beträgt.
5. Elektrische Entladungsröhre nach Anspruch2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß das
Galliumarsenid höchstens einige Prozente Galliumphosphid oder Galliumantimonid enthält.
6. Elektrische Entladungsröhre mit einer Photokathode nach Anspruch 1, 2, 3 oder 5, dadurch
gekennzeichnet, daß der emittierende Teil der Kathode die Form eines im Vakuum oder an der
Luft aufgespalteten Einkristalles aufweist.
7. Elektrische Entladungsröhre mit einer Photokathode nach Anspruch 1, 2, 3, 4 oder 5, dadurch
gekennzeichnet, daß der emittierende Teil die Form einer aufgedampften Schicht hat.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
709 709/379 12.67 © Bundesdruckerei Berlin
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