DE1236078B - Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL282550 | 1962-08-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1236078B true DE1236078B (de) | 1967-03-09 |
Family
ID=19754070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEN23650A Withdrawn DE1236078B (de) | 1962-08-27 | 1963-08-24 | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE636610A (enrdf_load_stackoverflow) |
CH (1) | CH432658A (enrdf_load_stackoverflow) |
DE (1) | DE1236078B (enrdf_load_stackoverflow) |
DK (1) | DK114787B (enrdf_load_stackoverflow) |
GB (1) | GB1065092A (enrdf_load_stackoverflow) |
NL (1) | NL282550A (enrdf_load_stackoverflow) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1126515B (de) * | 1960-02-12 | 1962-03-29 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung und danach hergestellte Halbleiteranordnung |
-
0
- NL NL282550D patent/NL282550A/xx unknown
- BE BE636610D patent/BE636610A/xx unknown
-
1963
- 1963-08-23 GB GB33475/63D patent/GB1065092A/en not_active Expired
- 1963-08-23 CH CH1044663A patent/CH432658A/de unknown
- 1963-08-24 DK DK404663AA patent/DK114787B/da unknown
- 1963-08-24 DE DEN23650A patent/DE1236078B/de not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1126515B (de) * | 1960-02-12 | 1962-03-29 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung und danach hergestellte Halbleiteranordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1065092A (en) | 1967-04-12 |
NL282550A (enrdf_load_stackoverflow) | |
DK114787B (da) | 1969-08-04 |
CH432658A (de) | 1967-03-31 |
BE636610A (enrdf_load_stackoverflow) |
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