DE1215770B

DE1215770B - Schaltungsanordnung mit zwei abwechselnd verstaerkenden Transistorstufen

Info

Publication number: DE1215770B
Application number: DET28399A
Authority: DE
Inventors: Dipl-Ing Roland Heer; Egon Douverne
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1965-04-15
Filing date: 1965-04-15
Publication date: 1966-05-05
Also published as: GB1145872A

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. CL:

H03f

Deutsche KL: 21 a2-18/08

Nummer: 1215 770

Aktenzeichen: T 28399 VIII a/21 a2

Anmeldetag: 15. April 1965

Auslegetag: 5. Mai 1966

Die Erfindung befaßt sich mit einer Schaltungsanordnung, die zwei Transistorverstärkerstufen aufweist mit getrennten Eingängen, wobei die Transistoren durch eingangsseitige Steuerung abwechselnd auf einen gemeinsamen, als Bandfilter ausgebildeten Ausgangskreis arbeiten.

In der Zeichnung ist eine derartige Schaltung dargestellt, die beispielsweise dazu benutzt wird, um zwei verschiedene, an den Eingängen El und E2 anliegende Signale miteinander vergleichen zu können. Im gezeichneten Schaltzustand besitzt die Basis des einen Transistors TrI gegenüber dem Emitter eine positive Vorspannung, die über den Schalter S und den aus den Widerständen Wl und W 2 gebildeten Spannungsteiler zugeführt wird. Bei dem mit der Basis am Eingang El angeschlossenen Transistor TrI fließt ein Kollektorstrom, und das Eingangssignal gelangt verstärkt über den in normaler Emitterschaltung arbeitenden Transistor TrI und das ausgangsseitig angeschlossene Bandfilter BF zum Ausgang^ der Anordnung. Der Emitter des Transistors TrI ruft am Widerstand Wl, der zwischen der Gleichspannungsquelle B und dem Emitter des genannten Transistors liegt, einen Spannungsabfall hervor, welcher die Basis des zweiten Transistors Tr 2 gegen den Emitter negativ vorspannt und so diesen Transistor sperrt. Deshalb gelangt gleichzeitig das am Eingang E 2, der mit der Basis des Transistors Tr 2 verbunden ist, liegende Signal nicht zum Ausgang A der Schaltung. Durch Umlegen des Schalters 5 lassen sich die Rollen der beiden Transistoren vertauschen. In der Praxis wird der Schalter S meist als elektronischer Schalter aufgebaut sein.

Beim Betrieb einer derartigen Schaltung hat es sich gezeigt, daß die Sperrdämpfung für die anliegenden Eingangssignale nicht ausreicht. Dies ist dadurch bedingt, daß für hochfrequente Signale jeder Transistor einen Rückwirkungsleitwert aufweist, der in der Zeichnung durch die beiden gestrichelt eingezeichneten Kapazitäten Cl und C 2 angedeutet wurde. Dies bedeutet, daß ein Teil des Eingangssignals zum Ausgang gelangt, und umgekehrt.

Ziel der Erfindung ist es, die eingangs geschilderte Schaltung so zu verbessern, daß die erwähnten Nachteile vermieden werden.

Ausgehend von einer Schaltungsanordnung, die aus zwei Transistorverstärkerstufen besteht, die getrennte Eingänge aufweisen und durch eingangsseitige Steuerung abwechselnd auf einen gemeinsamen, als Bandfilter ausgebildeten Ausgangskreis arbeiten, wird deshalb erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß zwischen dem Ausgangskreis BF und den Ausgängen

Schaltungsanordnung mit zwei abwechselnd
verstärkenden Transistorstufen

Anmelder:
Telefunken

Patentverwertungsgesellschaft m. b. H.,
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3

Als Erfinder benannt:

Dipl.-Ing. Roland Heer,

Egon Douverne, Backnang (Württ.)

al, α2 der beiden vorzugsweise in Emitter-Schaltung betriebenen Transistoren TrI, Tr 2 jeweils eine in Flußrichtung vorgespannte Diode Dl, D 2 eingefügt ist und daß zwischen Masse und Anode der Diode ein Widerstand W 9 liegt, der so dimensioniert ist, daß durch den an ihm erzeugten Spannungsabfall — verursacht durch den Strom des jeweils leitenden Transistors — die zwischen Ausgangskreisen und Kollektor des jeweils gesperrten Transistors eingeschaltete Diode Dl oder D 2 in Sperrichtung beaufschlagt wird.

Bei der bereits eingangs beschriebenen Schaltung ist der Transistor TrI im dargestellten Zustand leitend, während der Transistor Tr 2 gesperrt ist. Die Sperr dämpfung der Transistoren ist durch Einfügen der beiden Dioden D1 und D 2 zwischen den jeweiligen Ausgang al bzw. ω2 der Transistoren und das ausgangsseitige Bandfilter BF verbessert. Die Diode D1 wird beim gezeichneten Schaltzustand vom KoI-lektorstrom des Transistors TrI durchflossen und stellt für den dem Kollektorgleichstrom überlagerten Signalwechselstrom einen kleinen differentiellen Widerstand dar. Das Signal am Eingang El gelangt deshalb verstärkt zum Ausgang./!. Der Kollektorstrom des Transistors TrI ruft an dem Widerstand W9, der zwischen dem Fußpunktende des Primärkreises des Bandfilters und Masse eingefügt ist, einen Gleichspannungsabfall hervor. Diese Spannung liegt über die Primärwicklung Ll des Bandfilters einerseits und dem Widerstand W 6 und Masse andererseits an der Diode D 2, die gesperrt ist. Die zuletzt genannt^ Diode, liegt zwischen dem Ausgang «2 des

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Transistors 2>2 und dem heißen Ende des Primärkreises des Bandfilters BF.

Beim Umlegen des Schalters S vertauschen sich die Rollen der Transistoren und auch die der Dioden.

In Weiterführung des Erfindungsgedankens wird die erforderliche Kapazität des Primärkreises des ausgangsseitigen Bandfilters BF im wesentlichen durch die Ausgangskapazität des leitenden Transi-. stors und durch die Sperrschichtkapazität der gesperrten Diode gebildet.

Ferner kann man zwischen die Dioden Dl und D 2 und das Ausgangsfilter BF einen zusätzlichen Folgetransistor einfügen.

Mit einer gemäß der Erfindung aufgebauten Schaltung erhält man, verglichen mit der bisher bekannten Schaltung, wesentliche Vorteile. Ohne die Einfügung der Dioden Dl und D 2 wird in jedem Schaltzustand die Primärkapazität des Bandfilters durch die Parallelschaltung der Transistorausgangskapazitäten C 3 und C 4 gebildet. Nach Einfügung der Dioden ist nur noch die Ausgangskapazität des leitenden Transistors und die sehr viel kleinere Sperrschichtkapazität der gesperrten Diode wirksam. Damit kann die Verstärkung und die Aussteuerungsfähigkeit oder die Bandbreite der Stufe um bis zu 3 db verbessert werden, was insbesondere bei Verstärkern mit extremen Bandbreiten von Bedeutung ist. Ferner wird durch die eingefügten Dioden die bisher störende zu geringe Sperrdämpfung so erhöht, daß keine schädliche Beeinflussung der beiden Eingangssignale mehr auftritt.

Claims

Patentansprüche:

1. Schaltungsanordnung, bestehend aus zwei Transistorverstärkerstufen, die getrennte Eingänge aufweisen und durch eingangseitige Steuerung abwechselnd auf einen gemeinsamen als Bandfilter ausgebildeten Ausgangskreis arbeiten, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Ausgangskreis (BF) und den Ausgängen (al, al) der beiden vorzugsweise in Emitter-Schaltung betriebenen Transistoren (TrI, Tr 2) jeweils eine in Flußrichtung vorgespannte Diode (Dl, D 2) eingefügt ist und daß zwischen Masse und Anode der Diode ein Widerstand (W 9) liegt, der so dimensioniert ist, daß durch den an ihm erzeugten Spannungsabfall — verursacht durch den Strom des jeweils leitenden Transistors — die zwischen Ausgangskreis und Kollektor des jeweils gesperrten Transistors eingeschaltete Diode (D 1 oder D 2) in Sperrichtung beaufschlagt wird.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erforderliche Kapazität des Primärkreises des ausgangsseitigen Bandfilters (BF) im wesentlichen durch die Ausgangskapazität des leitenden Transistors und durch die Sperrschichtkapazität der gesperrten Diode gebildet wird.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Ausgangskreis (BF) und den Dioden (Dl, D 2) eine Transistorstufe eingefügt ist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen