DE1215770B - Schaltungsanordnung mit zwei abwechselnd verstaerkenden Transistorstufen - Google Patents
Schaltungsanordnung mit zwei abwechselnd verstaerkenden TransistorstufenInfo
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
H03f
Deutsche KL: 21 a2-18/08
Nummer: 1215 770
Aktenzeichen: T 28399 VIII a/21 a2
Anmeldetag: 15. April 1965
Auslegetag: 5. Mai 1966
Die Erfindung befaßt sich mit einer Schaltungsanordnung, die zwei Transistorverstärkerstufen aufweist
mit getrennten Eingängen, wobei die Transistoren durch eingangsseitige Steuerung abwechselnd
auf einen gemeinsamen, als Bandfilter ausgebildeten Ausgangskreis arbeiten.
In der Zeichnung ist eine derartige Schaltung dargestellt,
die beispielsweise dazu benutzt wird, um zwei verschiedene, an den Eingängen El und E2 anliegende
Signale miteinander vergleichen zu können. Im gezeichneten Schaltzustand besitzt die Basis des
einen Transistors TrI gegenüber dem Emitter eine
positive Vorspannung, die über den Schalter S und den aus den Widerständen Wl und W 2 gebildeten
Spannungsteiler zugeführt wird. Bei dem mit der Basis am Eingang El angeschlossenen Transistor
TrI fließt ein Kollektorstrom, und das Eingangssignal gelangt verstärkt über den in normaler
Emitterschaltung arbeitenden Transistor TrI und das ausgangsseitig angeschlossene Bandfilter BF zum
Ausgang^ der Anordnung. Der Emitter des Transistors TrI ruft am Widerstand Wl, der zwischen
der Gleichspannungsquelle B und dem Emitter des genannten Transistors liegt, einen Spannungsabfall
hervor, welcher die Basis des zweiten Transistors Tr 2 gegen den Emitter negativ vorspannt und so
diesen Transistor sperrt. Deshalb gelangt gleichzeitig das am Eingang E 2, der mit der Basis des Transistors
Tr 2 verbunden ist, liegende Signal nicht zum Ausgang A der Schaltung. Durch Umlegen des Schalters
5 lassen sich die Rollen der beiden Transistoren vertauschen. In der Praxis wird der Schalter S meist
als elektronischer Schalter aufgebaut sein.
Beim Betrieb einer derartigen Schaltung hat es sich gezeigt, daß die Sperrdämpfung für die anliegenden
Eingangssignale nicht ausreicht. Dies ist dadurch bedingt, daß für hochfrequente Signale jeder Transistor
einen Rückwirkungsleitwert aufweist, der in der Zeichnung durch die beiden gestrichelt eingezeichneten
Kapazitäten Cl und C 2 angedeutet wurde. Dies bedeutet, daß ein Teil des Eingangssignals zum Ausgang gelangt, und umgekehrt.
Ziel der Erfindung ist es, die eingangs geschilderte Schaltung so zu verbessern, daß die erwähnten Nachteile
vermieden werden.
Ausgehend von einer Schaltungsanordnung, die aus zwei Transistorverstärkerstufen besteht, die getrennte
Eingänge aufweisen und durch eingangsseitige Steuerung abwechselnd auf einen gemeinsamen, als
Bandfilter ausgebildeten Ausgangskreis arbeiten, wird deshalb erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß
zwischen dem Ausgangskreis BF und den Ausgängen
Schaltungsanordnung mit zwei abwechselnd
verstärkenden Transistorstufen
verstärkenden Transistorstufen
Anmelder:
Telefunken
Telefunken
Patentverwertungsgesellschaft m. b. H.,
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Ing. Roland Heer,
Egon Douverne, Backnang (Württ.)
al, α2 der beiden vorzugsweise in Emitter-Schaltung
betriebenen Transistoren TrI, Tr 2 jeweils eine in Flußrichtung vorgespannte Diode Dl, D 2 eingefügt
ist und daß zwischen Masse und Anode der Diode ein Widerstand W 9 liegt, der so dimensioniert ist,
daß durch den an ihm erzeugten Spannungsabfall — verursacht durch den Strom des jeweils leitenden
Transistors — die zwischen Ausgangskreisen und Kollektor des jeweils gesperrten Transistors eingeschaltete
Diode Dl oder D 2 in Sperrichtung beaufschlagt wird.
Bei der bereits eingangs beschriebenen Schaltung ist der Transistor TrI im dargestellten Zustand leitend,
während der Transistor Tr 2 gesperrt ist. Die Sperr dämpfung der Transistoren ist durch Einfügen
der beiden Dioden D1 und D 2 zwischen den jeweiligen
Ausgang al bzw. ω2 der Transistoren und das ausgangsseitige Bandfilter BF verbessert. Die Diode
D1 wird beim gezeichneten Schaltzustand vom KoI-lektorstrom
des Transistors TrI durchflossen und stellt für den dem Kollektorgleichstrom überlagerten
Signalwechselstrom einen kleinen differentiellen Widerstand dar. Das Signal am Eingang El gelangt
deshalb verstärkt zum Ausgang./!. Der Kollektorstrom
des Transistors TrI ruft an dem Widerstand W9, der zwischen dem Fußpunktende des Primärkreises
des Bandfilters und Masse eingefügt ist, einen Gleichspannungsabfall hervor. Diese Spannung liegt
über die Primärwicklung Ll des Bandfilters einerseits und dem Widerstand W 6 und Masse andererseits
an der Diode D 2, die gesperrt ist. Die zuletzt genannt^ Diode, liegt zwischen dem Ausgang «2 des
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Transistors 2>2 und dem heißen Ende des Primärkreises
des Bandfilters BF.
Beim Umlegen des Schalters S vertauschen sich die Rollen der Transistoren und auch die der Dioden.
In Weiterführung des Erfindungsgedankens wird die erforderliche Kapazität des Primärkreises des
ausgangsseitigen Bandfilters BF im wesentlichen durch die Ausgangskapazität des leitenden Transi-.
stors und durch die Sperrschichtkapazität der gesperrten Diode gebildet.
Ferner kann man zwischen die Dioden Dl und D 2
und das Ausgangsfilter BF einen zusätzlichen Folgetransistor einfügen.
Mit einer gemäß der Erfindung aufgebauten Schaltung erhält man, verglichen mit der bisher bekannten
Schaltung, wesentliche Vorteile. Ohne die Einfügung der Dioden Dl und D 2 wird in jedem Schaltzustand
die Primärkapazität des Bandfilters durch die Parallelschaltung der Transistorausgangskapazitäten C 3
und C 4 gebildet. Nach Einfügung der Dioden ist nur noch die Ausgangskapazität des leitenden Transistors
und die sehr viel kleinere Sperrschichtkapazität der gesperrten Diode wirksam. Damit kann die Verstärkung
und die Aussteuerungsfähigkeit oder die Bandbreite der Stufe um bis zu 3 db verbessert werden,
was insbesondere bei Verstärkern mit extremen Bandbreiten von Bedeutung ist. Ferner wird durch die eingefügten
Dioden die bisher störende zu geringe Sperrdämpfung so erhöht, daß keine schädliche Beeinflussung
der beiden Eingangssignale mehr auftritt.
Claims (3)
1. Schaltungsanordnung, bestehend aus zwei Transistorverstärkerstufen, die getrennte Eingänge
aufweisen und durch eingangseitige Steuerung abwechselnd auf einen gemeinsamen als
Bandfilter ausgebildeten Ausgangskreis arbeiten, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen
dem Ausgangskreis (BF) und den Ausgängen (al, al) der beiden vorzugsweise in Emitter-Schaltung
betriebenen Transistoren (TrI, Tr 2) jeweils eine in Flußrichtung vorgespannte Diode
(Dl, D 2) eingefügt ist und daß zwischen Masse
und Anode der Diode ein Widerstand (W 9) liegt, der so dimensioniert ist, daß durch den an ihm
erzeugten Spannungsabfall — verursacht durch den Strom des jeweils leitenden Transistors — die
zwischen Ausgangskreis und Kollektor des jeweils gesperrten Transistors eingeschaltete Diode
(D 1 oder D 2) in Sperrichtung beaufschlagt wird.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erforderliche Kapazität
des Primärkreises des ausgangsseitigen Bandfilters (BF) im wesentlichen durch die Ausgangskapazität
des leitenden Transistors und durch die Sperrschichtkapazität der gesperrten Diode gebildet wird.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Ausgangskreis
(BF) und den Dioden (Dl, D 2) eine Transistorstufe eingefügt ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
609 567/367 4.66 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET28399A DE1215770B (de) | 1965-04-15 | 1965-04-15 | Schaltungsanordnung mit zwei abwechselnd verstaerkenden Transistorstufen |
GB1653966A GB1145872A (en) | 1965-04-15 | 1966-04-15 | Circuit arrangement with two transistor stages which amplify alternately |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET28399A DE1215770B (de) | 1965-04-15 | 1965-04-15 | Schaltungsanordnung mit zwei abwechselnd verstaerkenden Transistorstufen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1215770B true DE1215770B (de) | 1966-05-05 |
Family
ID=7554142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DET28399A Pending DE1215770B (de) | 1965-04-15 | 1965-04-15 | Schaltungsanordnung mit zwei abwechselnd verstaerkenden Transistorstufen |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1215770B (de) |
GB (1) | GB1145872A (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3037850B2 (ja) * | 1993-04-30 | 2000-05-08 | アルプス電気株式会社 | 高周波増幅器 |
US6252457B1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-06-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Differential amplifier circuit |
-
1965
- 1965-04-15 DE DET28399A patent/DE1215770B/de active Pending
-
1966
- 1966-04-15 GB GB1653966A patent/GB1145872A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1145872A (en) | 1969-03-19 |
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