DE1203322B - Anordnung zur Einstellung der Daempfung in Modulatoren - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. CL:

Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:

H03c

Deutsche KL: 21 a4 -14/01

T24477IXd/21a4
13. August 1963
21. Oktober 1965

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung zur Einstellung der Dämpfung in solchen Modulatoren, die aus mindestens einem Paar von Transistoren bestehen, die für die Trägerfrequenzspannung parallel zueinander und für die Signalspannung im Gegentakt verbunden sind, wobei die Emitterelektroden dieses Transistorenpaares über je einen Widerstand an das Bezugspotential geschaltet sind, die Basiselektroden miteinander über eine Wicklung eines ersten Übertragers verbunden sind, wobei über diesen Übertrager die Signalspannung auf den Modulator gelangt, wobei weiterhin die Kollektorelektroden miteinander über eine Wicklung eines zweiten Übertragers verbunden sind, über dem die modulierte Signalspannung von dem Modulator abgenommen wird und wobei ferner die Trägerspannung zwischen dem Bezugspotential und der Mittelanzapfung der zwischen den Basen liegenden Wicklung zugeführt wird.

Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Emitterelektroden ein Zweipol-Netzwerk mit veränderlicher Impedanz liegt, durch das die Betriebsdämpfung des Modulators eingestellt wird. Der Arbeitspunkt der Transistoren, der durch die zugeführte Gleichspannung und die Trägerfrequenzspannung festgelegt ist, wird dadurch nicht mit verändert. Ferner werden damit auch nicht die Eingangs- und Ausgangsimpedanzen des Modulators beeinflußt.

Die Erfindung wird weiter in Verbindung mit der Zeichnung beschrieben, in der

Fig. 1 im Prinzip die Schaltung für einen Modulator mit einer Dämpfungseinstelleinrichtung gemäß der Erfindung, und

F i g. 2 eine ausgedehnte Form der Ausführung der Schaltung in F i g. 1 zeigt.

In Fig. 1 wird ein Modulator im Prinzip dargestellt, wobei dieser Modulator zwei Transistoren Tl und T 2 enthält. Es kann sich dabei um npn- oder pnp-Transistoren handeln. Die Emitterelektroden der Transistoren sind über je einen Widerstand R1 bzw. R 2 an das Bezugspotential geschaltet. Die Basiselektroden sind mit der einen Wicklung eines Eingangsübertragers TRl verbunden. An der anderen Wicklung des Übertragers liegen die Eingangsklemmen 1 und 1' des Modulators, über die die Signalspannung auf den Modulator gegeben wird. Die Kollektorelektroden der Transistoren sind mit der einen Wicklung eines Ausgangsübertragers Ti? 2 verbunden. Die andere Wicklung des Übertragers TR2 liegt an den Ausgangsklemmen 2 und 2' des Modulators, an denen die modulierte Signalspannung erhalten wird. Die Basiselektroden der Transistoren sind weiterhin durch Anordnung zur Einstellung der Dämpfung
in Modulatoren

Anmelder:

Telefonaktiebolaget LM Ericsson, Stockholm

Vertreter:

Dr.-Ing. H. Ruschke

und Dipl.-Ing. H. Agular, Patentanwälte,

Berlin 33, Auguste-Viktoria-Str. 65

Als Erfinder benannt:

Friedrich Karl Peter Echarti, Enskede

(Schweden)

Beanspruchte Priorität:

Schweden vom 5. September 1962 (9589)

einen Widerstand RA und die Kollektorelektroden durch einen Widerstand R3 miteinander verbunden.

Darüber hinaus sind die Emitterelektroden durch einen einstellbaren Widerstand R 5 miteinander verbunden. Der Modulator weist weiterhin Eingangsklemmen 3, 3' auf, wovon die eine, 3', auf Bezugspotential liegt und die andere, 3, mit der Mittel- anzapfung der zwischen den beiden Basen liegenden Wicklung verbunden ist. Hierüber wird die Trägerfrequenzspannung auf den Modulator gegeben. Über die Eingangsklemmen 4, 4' wird die Betriebsgleichspannung zugeführt. Hiervon liegt die eine Klemme 4 auf Bezugspotential und die andere an der Mittelanzapfung der zwischen den beiden Kollektoren liegenden Übertragerwicklung.

Die Widerstände R 4 und R 3 sind im Verhältnis zu den Impedanzen der aktiven Elemente so bemessen, daß diese Widerstände die Eingangs- bzw. die Ausgangsimpedanz des Modulators festlegen. Mit Hilfe der Widerstände R1 und Rl wird die Verstär-

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Claims (1)

1. 3 4

   kung und andererseits die Dämpfung des Modulators der Emitterelektrode von TIb verbunden und das

   eingestellt. Diese Widerstände bewirken darüber gleiche gilt für die Emitterelektrode von T2a und

   hinaus eine Stabilisierung des Arbeitspunktes der T 2b. Für die Einstellung der Betriebsdämpfung des

   Transistoren bei Pegeländerungen der Trägerfrequenz- Modulators ist hier ein veränderlicher Widerstand R S

   spannung und bei Veränderungen in der Stromver- 5 vorgesehen. Dieser Widerstand verbindet die Emitter-

   stärkimg und der Temperatur. elektroden der Transistoren Π «und TIb mit denen

   Durch den Widerstand i? 5 kann die Betriebsdämp- der Transistoren T2a und T2b. Auch hier kann der

   fung des Modulators eingestellt werden. Diese Ein- Widerstand durch eine Induktivität oder eine Kapa-

   stellung kann graduell oder kontinuierlich erzielt zität oder irgendeine Kombination dieser drei

   werden. Da nur der Widerstand R 5 zwischen den io Elemente ersetzt werden.

   Emitterelektroden liegt, wird diese Einstellung unab- Die Trägerfrequenzspannung wird auf die Einhängig von der Trägerfrequenz sein. Die Einstellung gangsklemmen 3 und 3' gegeben. Die Klemmen 3 kann auch von der Frequenz abhängig gemacht wer- und 3' liegen auf der einen Seite direkt zwischen der den, wenn zu dem Widerstands5 z. B. eine Kapazi- Mittelanzapfung der Wicklung 11 und Bezugspotentät oder eine Induktivität parallel gelegt wird. Der 15 tial, auf der anderen Seite über einen Übertrager TR 3 Widerstand kann auch durch eine veränderliche In- zwischen der Mittelanzapfung der Wicklung 10 und duktivität oder eine veränderliche Kapazität oder Bezugspotential. Die Wicklungen des Übertragers durch irgendeine andere Kombination dieser drei Ti? 3 sind so angeschlossen, daß die an der Wicklung Elemente ersetzt werden. Die Einstellung kann wei- 10 erhaltene Spannung in der Phase um 180° in beter erzielt werden, ohne den Arbeitspunkt der Tran- 20 zug auf die Spannung an der Wicklung 11 verschoben sistoren zu ändern, wobei dieser Punkt durch die an- ist. Dadurch wird den Basiselektroden bei positiven gelegte Gleichspannung und die zugeführte Träger- Halbperioden der Trägerfrequenzspannung positive frequenzspannung festgelegt wird. Bei richtiger Be- Spannung an TIb und T2b und negative Spannung messung der Schaltung werden die Eingangs- und die an TIa und T2a zugeführt. Auf der anderen Seite Ausgangsimpedanz des Modulators von der Einstel- 25 erhalten die Basiselektroden bei negativen HaIblung nicht beeinflußt. Perioden positive Spannung an TIa und T2a und

   Wenn im Modulator der Fig. 1 die Transistoren negative Spannung an TIb und T2b. Durch die Tl und T2 pnp-Transistoren sind, der positive Pol unterschiedlichen Polungen der Wicklungen 10 und der Gleichspannungsquelle mit 4 und der negative 11 ist das durch Wicklung 10 hindurchgehende Signal Pol mit 4' verbunden sind und wenn ferner das nega- 30 immer in der Phase um 180° in bezug auf das Signal tive Potential an 3 in den negativen Halbperioden der durch die Wicklung 11 verschoben. Von dem Aus-Trägerfrequenzspannung anliegt, dann sind die Tran- gang des Übertragers TR2 wird auf diese Weise eine sistoren Tl und T2 für die an die Klemmen 1 und Γ Ausgangsspannung sowohl in positiven als auch in angelegte Signalspannung offen, so daß diese durch negativen Halbperioden der Trägerfrequenzspannung den Ausgangsübertrager TR 2 zur Wirkung gelangen 35 erhalten, wobei die Spannung in der positiven Halbkann. In der positiven Halbperiode der Träger- periode in der Phase um 180° in bezug auf die Spanfrequenzspannung wird das Potential an 3 positiv, nung in der negativen Halbperiode verschoben ist.
   wodurch die Transistoren gesperrt werden und ein Zusätzlich zu den vorher genannten Vorteilen der Signal infolgedessen nicht zum Übertrager TR 2 ge- Einstelleinrichtung, die der beschriebene Modulator langen kann. 40 enthält, ist ein weiterer Vorteil, daß das Verhältnis

   Bei der in Fi g. 1 gezeigten Schaltung wird deshalb der Amplituden der in dem Modulator auftretenden eine Spannung in dem Ausgangsübertrager nur in der harmonischen Produkte unverändert bleibt. Das Eineinen Halbperiode der Trägerfrequenzspannung er- Stellnetzwerk, das in Form einer veränderlichen Imhalten. Um auch die andere Halbperiode ausnutzen pedanz in den Modulator eingefügt wird, läßt also zu können, werden zwei weitere, parallel zueinander 45 die Kurvenform der erhaltenen Spannung unbeeinliegende Transistoren vorgesehen, so daß eine Schal- flußt.
   tung gemäß F i g. 2 erhalten wird.

   Von den hierin verwendeten vier Transistoren Tla,

   T2a und TIb, T2b sind jeweils zwei parallel mit Patentansprüche:

   jeder Seite der Primärwicklung des Ausgangsübertra- 50

   gers TR2 verbunden, nämlich TIa und TIb mit der 1. Anordnung zur Einstellung der Dämpfung einen und Γ2α und T2b mit der anderen Seite. Der in Modulatoren, die aus mindestens einem Paar Eingangsübertrager TRl ist auf der Sekundärseite Transistoren bestehen, welche für die Trägermit zwei Wicklungen 10 und 11 versehen, von denen frequenzspannung parallel zueinander und für die die Wicklung 10 die Basiselektroden der Transistoren 55 Signalspannung im Gegentakt verbunden sind, TIa und T2a und die Wicklung 11 die Basiselektro- wpbei die Emitterelektroden des Transistorenden der Transistoren Tl& und T2b verbindet. Die paares über je einen Widerstand an das Bezugs-Wicklungen 10 und 11 sind so angeschlossen, daß die potential angeschlossen sind, die Basiselektroden Spannung über der einen Wicklung in der Phase um miteinander über eine Wicklung eines ersten 180° im Verhältnis zur Spannung über der anderen 60 Übertragers verbunden sind, wobei über diesen Wicklung verschoben ist. Der Widerstand R 4 ist auf Übertrager die Signalspannung auf den Modulader Primärseite des Übertragers TRl parallel zu den tor gelangt, wobei weiterhin die Kollektorelektro-Eingangsklemmen 1 und 1' verbunden. Parallel zum den miteinander über eine Wicklung eines zwei-Ausgangsübertrager TR 2 liegt wie in der Anordnung ten Übertragers verbunden sind, über dem die nach Fig. 1 ein Widerstand A3. Die Emitterelektro- 65 modulierte Signalspannung von dem Modulator den sind auch wie vorher mit Hilfe von Widerständen abgenommen wird und wobei ferner die Träger- Rl und R2 mit dem Bezugspotential verbunden. spannung zwischen dem Bezugspotential und der Darüber hinaus ist die Emitterelektrode von TIa mit Mittelanzapfung der zwischen den Basen liegen-

   den Wicklung zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Emitterelektroden ein Zweipolnetzwerk mit einer veränderlichen Impedanz eingeschaltet ist, durch das die Betnebsdämpfung des Modulators eingestellt wird.

   2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Netzwerk aus einem veränderlichen Widerstand, einer veränderlichen Kapazität oder einer veränderlichen Induktivität oder einer Kombination von zwei oder drei dieser veränderlichen Elemente besteht.

   Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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