DE1186503B - Elektrischer Transistorschalter - Google Patents
Elektrischer TransistorschalterInfo
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- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/042—Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0422—Anti-saturation measures
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: H 03 k
Deutsche KL: 21 al-36/18
Nummer: 1186 503
Aktenzeichen: E 23653 VIII a/21 al
Anmeldetag: 9. Oktober 1962
Auslegetag: 4. Februar 1965
Die Erfindung betrifft einen elektrischen Transistorschalter mit einem Hauptschaltkreis, der einen
zwischen zwei Anschlußklemmen geschalteten Haupttransistor aufweist, und einem Hilfsstromkreis, der
zwischen zwei Abgriffe unterschiedlichen Potentials einer elektrischen Stromquelle geschaltet ist und
einen zwischen Emitter- und Kollektorwiderständen in Serie geschalteten Hilfstransistor desselben Leitungstyps
aufweist und in dem die Kollektorelektroden der beiden Transistoren miteinander verbunden
sind, während die Basiselektrode des Haupttransistors mit der Emitterelektrode des Hilfstransistors
und die Emitterelektrode des Haupttransistors mit einem dritten Abgriff (Erde) der elektrischen
Stromquelle verbunden ist, der ein konstantes Potential aufweist, das zwischen den Potentialen der beiden
anderen Abgriffe liegt.
Es ist bereits eine als Stromverstärker wirkende Verstärkerstufe bekannt, bei der die Kollektorelektroden
mehrerer, z. B. dreier Transistoren miteinander leitend verbunden sind, um in Parallelschaltung
in einem Lastwiderstand einen ausreichend hohen Ausgangsstrom zu erzeugen bzw. im Ruhezustand
den Ausgangsstrom völlig zu sperren. Die Steuerung dieser Transistoren wird nach Art einer
Kaskadenschaltung vorgenommen, wobei jeweils der vorhergehende Transistor den folgenden in den leitenden
Zustand steuert. Hierzu ist jeweils die Emitterelektrode des vorhergehenden Transistors mit der
Basiselektrode des folgenden Transistors direkt verbunden. Die zur Sperrung des Transistors nötige Vorspannung
wird hierbei durch einen Spannungsteiler erzeugt, mit dessen Abgriffen die Emitter der Transistoren
verbunden sind. Durch diese bekannte Schaltung wird die Steuerung der Transistoren vereinfacht
und die Möglichkeit geschaffen, mehrere Transistoren auf einen gemeinsamen Lastwiderstand arbeiten
zu lassen. Hieraus läßt sich hingegen keine Anregung für den Aufbau eines schnellschaltenden Transistorschalters
entnehmen, der als Torschalter für eine äußere Stromquelle dienen kann und je nach
seinem Schaltzustand den Strom der äußeren Stromquelle sperrt oder durchläßt.
Es ist weiterhin eine Transistorsprungschaltung bekannt aus zwei gleichartigen Transistoren, wobei die
Kollektorelektrode des ersten Transistors mit der Basiselektrode des zweiten Transistors verbunden ist,
während die Emitter beider Transistoren unmittelbar miteinander verbunden sind. Auch diese Schaltung
kann keine Anregungen für den zweckmäßigen Aufbau eines Transistorschalters geben.
Die Schaltgeschwindigkeit von Transistorschalt-Elektrischer Transistorschalter
Anmelder:
The English Electric Company Limited, London
Vertreter:
Dipl.-Ing. C. Wallach, Patentanwalt,
München 2, Kaufingerstr. 8
München 2, Kaufingerstr. 8
Als Erfinder benannt:
Reginald Hugh Allmark,
Stoke-on-Trent, Staffordshire (Großbritannien)
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 11. Oktober 1961 (36478)
kreisen kann dadurch erhöht werden, daß durch geeignete Schaltmittel eine Steuerung in den Sättigungszustand
der Transistoren verhindert wird. Diese Möglichkeit ist bereits bekannt und ist schon in verschiedenen
Transistorschaltungen ausgenützt worden. Hiervon macht auch die Erfindung Gebrauch und
erzielt noch durch gleichzeitige Anwendung anderer Schaltungsmaßnahmen eine weitere Erhöhung der
Schaltgeschwindigkeit. Sie schlägt einen Transistorschalter der eingangs genannten Art vor, der dadurch
gekennzeichnet ist, daß eine Basissteuervorrichtung vorgesehen ist, welche auf ein Eingangssignal mit zwei
Zuständen anspricht und das Basispotential des Hilfstransistors in bezug auf das Potential der beiden Anzapfungen
der Speisestromquelle auf das eine oder das andere von zwei Steuerpotentialen einstellt, wodurch
der Hilfstransistor in Abhängigkeit vom Eingangssignal in den volleitenden oder in den nichtleitenden
Zustand gebracht wird, und daß die Emitter- und die Kollektorwiderstände so bemessen
sind, daß der Hilfstransistor, wenn er durch das Eingangssignal in den leitenden Zustand gebracht wird,
in den Sättigungszustand übergeht und sein Kollektor-Basis-pn-Ubergang derart in Durchlaßrichtung
vorgespannt ist, daß der Basis-Kollektor-np-Übergang des Haupttransistors wirksam kurzgeschlossen
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ist und der Haupttransistor sich fast aber nicht völlig einem Potential, das der O-Spannungsanzapfung der
im Sättigungszustand befindet. Gleichstromquelle entspricht, oder auf einem aus-
Ein solcher Transistorschalter erlaubt hohe Schalt- reichend hohen negativen Potential, derart, daß der
geschwindigkeiten. Er ist besonders gut für Anwen- Transistor 10 in den volleitenden Zustand gelangt,
dungszwecke geeignet, bei denen mehrere parallel ge- 5 gehalten wird.
schaltete Ausgangskreise gleichzeitig geschaltet wer- Ein zweiter oder Haupttransistor 20 liegt mit seiden
müssen, wobei die Anzahl der parallel geschal- nem Emitter an der 0-Volt-Anzapfung der Stromteten
Kreise, die gleichzeitig Stromimpulse führen, quelle; der Kollektor dieses Transistors ist mit dem
sich zeitweise ändert, so daß sich die Größe der zu Kollektor des Transistors 10, seine Basis mit dem
schaltenden Stromimpulse sich in gleicher Weise io Emitter des Transistors 10 verbunden,
ändert. Ausgangsleitungen 21, weiche eine Diode 34 auf-
ändert. Ausgangsleitungen 21, weiche eine Diode 34 auf-
Die hohe Schaltgeschwindigkeit des Transistor- weisen, verbinden den Emitter und den Kollektor
schalters nach der Erfindung wird insbesondere da- des Transistors 20 mit Eingangs-Ausgangs-Klemmen
durch erreicht, daß der Kollektor-Basis-pn-Übergang 21 a, die ihrerseits mit einem Lastkreis verbunden
des im Sättigungszustand befindlichen Hilfstransistors 15 sind, welcher einen Spannungsimpulsgenerator 22
so vorgespannt ist, daß der Kollektor-Basis-np-Über- und einen Verbraucher (Last) 23 aufweist,
gang des Haupttransistors effektiv kurzgeschlossen Im Betrieb wirkt die aus den Bauteilen 10 bis 21
wird und der Haupttransistor gleichzeitig im leiten- bestehende Schaltung als eine Schaltung mit ver-
den Zustand kurz vor Erreichen der Sättigungsgrenze änderlichem Widerstand oder als Schalter, welcher
gehalten wird. eo eine Steuerungswirkung auf Stromimpulse ausübt,
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der welche durch den Spannungsimpulsgenerator 22 her-Erfindung
ist vorgesehen, daß die Basissteuerung für vorgerufen werden. Diese Schaltung läßt keinen
den Hilfstransistor einen parallel zu der Hilfsschal- Strom in den Lastkreis fließen, wenn der Eingangstung
liegenden Spannungsteiler aufweist, mit einer kreis 18 in der erwähnten Weise auf Potential 0 geersten
Anzapfung, welche mit der Basis des Hilfs- as halten wird, wobei die Transistoren 10 und 20 dann
transistors verbunden ist, derart, daß diese Basis nor- im wesentlichen nichtleitend sind; andererseits bemalerweise
auf einem Potential gehalten wird, wel- wirkt die Schaltung eine Stromleitung für den Lastches
den Hilfstransistor in den volleitenden Zustand Stromkreis, sobald der Eingangskreis 18 auf dem gebringt,
und daß mit einer zweiten Anzapfung des nannten hohen negativen Potential gehalten wird.
Spannungsteilers eine Eingangsschaltung verbunden 30 Die Werte für die verschiedenen Schaltungsparaist, welche eine Diode aufweist, derart, daß Strom in meter sind so gewählt, daß sich die im folgenden beden Spannungsteiler fließen kann, um das Basispoten- schriebene Wirkungsweise ergibt,
tial des Hilfstransistors auf den nichtleitenden Wert Wird der Eingangskreis 18 auf Potential 0 gehalten, einzustellen, sobald das der Eingangsschaltung zu- so ist die Basis des Hilfstransistors 10 positiv bezüggeführte Eingangsspannungssignal den Zustand be- 35 lieh der 0-Anzapfung der Stromquelle, und der Transitzt, in welchem der Hilfstransistor nichtleitend ist, sistor 10 führt daher einen Basisstrom, der gerade wobei die Diode in Sperrichtung vorgespannt wird, ausreicht, um einen Emitterstrom fließen zu lassen, sobald das der Eingangsschaltung zugeführte Ein- der im wesentlichen durch die positive Speisegangssignal seinen anderen Zustand einnimmt. spannung und den Wert des Widerstandes 11 be-
Spannungsteilers eine Eingangsschaltung verbunden 30 Die Werte für die verschiedenen Schaltungsparaist, welche eine Diode aufweist, derart, daß Strom in meter sind so gewählt, daß sich die im folgenden beden Spannungsteiler fließen kann, um das Basispoten- schriebene Wirkungsweise ergibt,
tial des Hilfstransistors auf den nichtleitenden Wert Wird der Eingangskreis 18 auf Potential 0 gehalten, einzustellen, sobald das der Eingangsschaltung zu- so ist die Basis des Hilfstransistors 10 positiv bezüggeführte Eingangsspannungssignal den Zustand be- 35 lieh der 0-Anzapfung der Stromquelle, und der Transitzt, in welchem der Hilfstransistor nichtleitend ist, sistor 10 führt daher einen Basisstrom, der gerade wobei die Diode in Sperrichtung vorgespannt wird, ausreicht, um einen Emitterstrom fließen zu lassen, sobald das der Eingangsschaltung zugeführte Ein- der im wesentlichen durch die positive Speisegangssignal seinen anderen Zustand einnimmt. spannung und den Wert des Widerstandes 11 be-
Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung 40 stimmt ist. In diesem Zustand wird der Emitter des
ergeben sich aus der folgenden Beschreibung eines Transistors 10 auf einem Potential gehalten, das geelektrischen
Transistorschalters gemäß der Erfindung ringfügig positiver als das Potential der Basis des
an Hand der Zeichnung: in dieser zeigt Transistors 10 ist, derart, daß der Basiskreis des
F i g. 1 ein Schaltschema des Schalters gemäß einer Haupttransistors 20 auf einem Potential gehalten
Ausführungsform der Erfindung, 45 wird, das positiv bezüglich dem Potential des Emit-
F i g. 2 ein Schaltschema eines Lastkreises, der bei- ters des Transistors 20 ist. Der Transistor 20 ist daspielshalber
durch den Sehalter nach F i g. 1 gesteuert her nichtleitend. Die Emitter- bzw. Kollektorlastwerden
kann, wobei dieser Lastkreis einen Teil einer widerstände 11 bzw. 12 sind so abgestimmt, daß unter
elektrischen Digital-Rechenvorrichtung bildet. diesen Bedingungen die Kollektoren nahezu auf dem
Wie aus Fig. 1 ersichtlich, liegt ein erster oder 50 Potential der—10-Volt-Anzapfung der Gleichstrom-
Hilfstransistor 10 mit Emitter- bzw. Kollektorlast- quelle gehalten werden.
widerständen 11,12 zwischen einer + 5- und einer Falls daher der Generator 22 einen Spannungs-—10-Volt-Anzapfung
einer Gleichstromquelle. Der impuls in den Lastkreis abgibt, vermag in den Aus-Basissteuerkreis
für den Transistor weist eine als gangsleitungen 21 und dem Verbraucher 23 kein Ganzes mit 13 bezeichnete Spannungsteilerschaltung 55 nennenswerter Strom zu fließen,
auf, welche zwischen denselben Spannungsanzapfun- Wird hingegen der Eingangskreis 18 auf dem gegen der Gleichstromquelle liegt und eine Wider- nannten hohen negativen Potential gehalten, so fließt standskette 14,15,16 umfaßt. Im Nebenschluß zu ein Basisstrom in dem Hilfstransistor 10 und als dem Widerstand 15 liegt ein Kondensator 17; ein Folge hiervon ein Strom vom Emitter zu dem KoI-Eingangskreis 18, welchem ein Eingangs-Spannungs- 60 lektor dieses Transistors 10. Dieser Stromfluß durch signal mit zwei Zuständen zugeführt wird, ist über den Emitterlastwiderstand 11 bewirkt, daß das Basiseine Diode 19 mit dem Knotenpunkt der Widerstände potential des Haupttransistors 20 negativ bezüglich 14 und 15 verbunden. Die Basis des Transistors 10 dem Emitterpotential des Transistors 20 wird, derart, ist mit der Verbindungsstelle der Widerstände 15 daß dieser Transistor einen nennenswerten Basis- und 16 verbunden. 65 strom führt und damit ein Kollektorstromfluß in den
auf, welche zwischen denselben Spannungsanzapfun- Wird hingegen der Eingangskreis 18 auf dem gegen der Gleichstromquelle liegt und eine Wider- nannten hohen negativen Potential gehalten, so fließt standskette 14,15,16 umfaßt. Im Nebenschluß zu ein Basisstrom in dem Hilfstransistor 10 und als dem Widerstand 15 liegt ein Kondensator 17; ein Folge hiervon ein Strom vom Emitter zu dem KoI-Eingangskreis 18, welchem ein Eingangs-Spannungs- 60 lektor dieses Transistors 10. Dieser Stromfluß durch signal mit zwei Zuständen zugeführt wird, ist über den Emitterlastwiderstand 11 bewirkt, daß das Basiseine Diode 19 mit dem Knotenpunkt der Widerstände potential des Haupttransistors 20 negativ bezüglich 14 und 15 verbunden. Die Basis des Transistors 10 dem Emitterpotential des Transistors 20 wird, derart, ist mit der Verbindungsstelle der Widerstände 15 daß dieser Transistor einen nennenswerten Basis- und 16 verbunden. 65 strom führt und damit ein Kollektorstromfluß in den
Der EingangskreislS kann mit einem (nicht dar- Transistor 20 ermöglicht wird.
gestellten) Steuerkreis verbunden werden, mit Hilfe Die dadurch bewirkte Zunahme des Stromes in
dessen der Eingangskreis alternativ entweder auf den Kollektorlastwiderstand 12 erhöht zunehmend
das Potential der Kollektoren der beiden Transistoren und regelt so automatisch den in dem Hilfstransistor
10 fließenden Kollektorstrom.
Beim weiteren Anstieg des Kollektorstromes in den Haupttransistor 20 wird das Kollektorpotential des
Hilfstransistors 10 positiv gegenüber der Basis des Transistors 10 und damit die Kollektor-Basis-Diode
des Transistors 10 in Durchlaßrichtung vorgespannt, was einen zusätzlichen Basisstrom aus dem Kollektorkreis
des Transistors 10 verursacht. Da der Gesamt-Basisstrom des Transistors 10 durch die
Speisepotentiale und die Widerstandswerte der Widerstände 14,15 und 16 ziemlich fest definiert ist,
führt der vorstehend erwähnte zusätzliche Basisstrom aus dem Kollektorkreis seine entsprechende Abnähme
des Basisstromes aus dem Emitterkreis. Der Kollektorstrom des Transistors 20 stellt sich schließlich
auf einen Gleichgewichtszustand ein, sobald der infolge der veränderten Stromverteilung in dem Transistor
10 abfallende Emitter-Basis-Strom dieses Transistors einen Anstieg des Basispotentials des Transistors
20 und damit eine stabilisierende Wirkung auf den Emitter-Kollektor-Strom des Transistors 20 hervorruft.
In diesem Gleichgewichtszustand befindet sich der Hilfstransistor 10 in einem Sättigungszustand, wobei
nur eine kleine Potentialdifferenz zwischen dem Emitter und dem Kollektor vorliegt. Der Sättigungs-Basisstrom
des Transistors 10 wird weitgehend vom Kollektorkreis geliefert, der Emitter-Basis-Strom ist
auf einen geeignet niedrigen Wert herabgesetzt. Der Haupttransistor 20 befindet sich in einem Zustand
unmittelbar vor der Sättigung, mit Basis- und Kollektorströmen, wie sie zur Aufrechterhaltung dieses
Gleichgewichtszustandes erforderlich sind.
Wenn daher der Spannungsimpulsgenerator 22 nun einen Spannungsimpuls der angedeuteten Polarität in
dem Lastkreis induziert, so baut sich rasch ein Stromimpuls auf, und zwar anfänglich durch den Stromfluß
im Emitter-Basis-Kreis des Haupttransistors 20 und dem Emitter-Kollektor-Kreis des im Sättigungszustand
befindlichen Hilfstransistors 10. Der Transistor 10 verhält sich während dieser Anfangsperiode
des Stromimpulses vorübergehend wie ein Kurzschluß zwischen Basis und Kollektor des Transistors
20; er kommt so dem momentanen Strombedarf auf Grund seines Sättigungszustandes und innerhalb
einer durch seine Sättigungsstromverstärkung gegebenen Grenze entgegen. Der Basisstrom in dem
Transistor 20 macht diesen Transistor leitend, wodurch die Stärke des Stromimpulses wesentlich ansteigt.
Gleichzeitig bewirkt das vorübergehende Absinken des Kollektorpotentials von Transistor 10, daß
der Kollektorstrom dieses Transistors seine Richtung umkehrt und somit der Transistor 10 in seinen normalen
Verstärkerbetriebszustand zurückkehrt, wodurch der Basisstrom des Transistors 20 auf einen
Wert zunimmt, der gerade ausreicht, daß dieser Transistor nicht in den Sättigungszustand gelangt.
Am Ende des Spannungsimpulses kehrt die Schaltung in ihren erwähnten Gleichgewichtszustand, wie
er vor dem Spannungsimpuls bestand, zurück.
Die eben beschriebenen drei getrennten Effekte tragen sämtlich zur Erzielung einer sehr hohen Geschwindigkeit
bei, mit welcher sich jedesmal der Stromimpuls aufbaut, wenn der Generator einen
Spannungsimpuls erzeugt; die genannten drei Effekte sind:
a) Der Strompfad für den anfänglichen Impulsstromfluß durch den gesättigten Hilfstransistor
10;
b) der Haupttransistor 20 wird durch den anfänglichen Impulsstromfluß in den leitenden
Zustand gebracht;
c) der Hilfstransistor 10 wird in seinen normalen Verstärkerbetriebszustand zur Steuerung des
Haupttransistors 20 zurückgeführt.
In F i g. 2 ist die in F i g. 1 beschriebene Schaltung,
welche die Bauteile 10 bis 21 umfaßt, durch den Block 24 mit der Eingangs-Steuerschaltung 18
und den Ausgangsleitungen 21 angedeutet. Diese Ausgangsleitungen sind mit einer Lastschaltung verbunden,
die als Ganzes durch den Block 25 angedeutet ist und eine Reihe gleichartiger Schaltungen
26 in Parallelschaltung aufweist. Jede dieser Schaltungen 26 weist in Reihe zwei Sperrdioden 27 bzw. 28
zu beiden Seiten der Sekundärwicklung 29 eines Transformators 30 auf, welcher den Ausgang einer
Stufe einer Mehrstufen-Additionsvorrichtung 31 bildet; ferner weist jede der Schaltungen 26 eine
bistabile Vorrichtung 32 auf, welche ein Element einer Datenspeichervorrichtung bzw. eines Registers
33 bildet.
Wird der Eingangskreis 18 auf dem genannten negativen Potential gehalten, so bewirkt ein von
einem der Transformatoren 30 erzeugter Spannungsimpuls einen Stromimpuls in der zugehörigen Schaltung
26 zur Betätigung der zugehörigen bistabilen Vorrichtung 32.
Da in jedem beliebigen Zeitpunkt eine beliebige Anzahl der Additionsstufen einen Ausgangsspannungsimpuls
erzeugen können, kann der an die Schaltung 24 gestellte Impulsstrombedarf jeden beliebigen
Wert bis zu einem Maximalwert, entsprechend einem Zustand, in welchem sämtliche Stufen gleichzeitig Impulse erzeugen, annehmen. Der
durch die Schaltung 24 zu tastende Stromimpuls kann daher in manchen Fällen, beispielsweise wenn nur
eine oder einige wenige Additionsstufen gleichzeitig Ausgangsspannungen erzeugen, zur Gänze durch den
Stromfluß im Basiskreis des Haupttransistors 20 und den im wesentlichen kurzgeschlossenen Hilfstransistor
10 geliefert werden. Der Maximalwert eines derartigen Stromimpulses wird durch die Sättigungsstromverstärkung des Hilfstransistors 10 bestimmt.
Falls jedoch ein wesentlich größerer Stromimpuls erforderlich ist, beispielsweise wenn sämtliche oder
eine wesentliche Anzahl der Additionsstufen gleichzeitig betätigt werden, bildet der Haupttransistor 20
den Hauptleitungspfad für diesen Stromimpuls.
Hat der erforderliche Stromimpuls eine solche Größe, daß der Haupttransistor 20 hierdurch in den
leitenden Zustand gebracht 'wird, so ist die Geschwindigkeit, mit welcher der Transistor 20 in den
leitfähigen Zustand gebracht wird, grob gesehen, proportional der Stromstärke, welche der Hilfstransistor
10 anfänglich leitet, wenn er sich in seinem Kurzschlußzustand befindet. Obgleich der volle Strombedarf
durch die beschriebene Schaltung nicht augenblicklich geliefert werden kann, kann er wenigstens
teilweise durch den Hilfstransistor 10 befriedigt werden und die Einschaltgeschwindigkeit des Haupttransistors
20 kann groß gemacht werden, derart, daß nur ein kleiner Teil des Eingangs-Spannungsimpulses
verlorengeht. ■
Da der zu Anfang benötigte Strom durch den Basiskreis des Haupttransistors 20 fließt und dabei
die Einschaltung dieses Transistors bewirkt, ist somit nur ein sehr kleiner Strombedarf für die Tastung bzw.
Schaltung des erforderlichen Stromimpulses vonnoten. Man erkennt, daß die in F i g. 1 beschriebene
Schaltanordnung die Schaltung eines sehr großen Stromimpulses mit Hilfe eines verhältnismäßig kleinen
Eingangs- oder Steuerstromes erlaubt und daß diese Schaltanordnung zur Leitung von Stromimpulsen
verwendet werden kann, deren Beträge zwischen einem sehr kleinen Wert und einem wesentlich
größeren Wert veränderlich sind, ohne daß hierdurch die Wirksamkeit beeinträchtigt wird.
Der Grenzwert des Stromimpulses, der mit dieser Schaltanordnung erzielbar ist, wird nur durch die
von der Verlustleistung und der maximalen Stromauslegung der Transistoren auferlegten Grenzen bestimmt,
und die Schaltgeschwindigkeit dieser Schaltung ist von der gleichen Größenordnung wie eine
einfache Schaltung, bei welcher der Haupttransistor fortgelassen und die Ausgangsleitungen 21 mit
dem Kollektor und dem Emitter des Hilfstransistors verbunden sind.
Claims (5)
1. Elektrischer Transistorschalter mit einem Hauptschaltkreis, der einen zwischen zwei Anschlußklemmen
geschalteten Haupttransistor aufweist, und einem Hilfsstromkreis, der zwischen zwei Abgriffe unterschiedlichen Potentials einer
elektrischen Stromquelle geschaltet ist und einen zwischen Emitter- und Kollektorwiderständen in
Serie geschalteten Hilfstransistor desselben Leitungstyps aufweist und in dem die Kollektorelektroden
der beiden Transistoren miteinander verbunden sind, während die Basiselektrode des
Hauprtransistors mit der Emitterelektrode des Hilfstransistors und die Emitterelektrode des
Haupttransistors mit einem dritten Abgriff (Erde) der elektrischen Stromquelle verbunden ist, der
ein konstantes Potential aufweist, das zwischen den Potentialen der beiden anderen Abgriffe
liegt, dadurchgekennzeichnet, daß eine Basissteuervorrichtung (13 bis 19) vorgesehen ist,
welche auf ein Eingangssignal mit zwei Zuständen anspricht und das Basispotential des Hilfstransistors
(10) in bezug auf das Potential der beiden Anzapfungen der Speisestromquelle auf das eine
oder das andere von zwei Steuerpotentialen einstellt, wodurch der Hilfstransistor (10) in Abhängigkeit
vom Eingangssignal in den volleitenden oder in den nichtleitenden Zustand gebracht
wird, und daß die Emitter- und die Kollektorwiderstände (11,12) so bemessen sind, daß der
Hilfstransistor (10), wenn er durch das Eingangssignal in den leitenden Zustand gebracht wird, in
den Sättigungszustand übergeht und sein KoI-lektor-Basis-pn-Übergang
derart in Durchlaßrichtung vorgespannt ist, daß der Basis-Kollektornp-Ubergang
des Hauprtransistors (20) wirksam kurzgeschlossen ist und der Haupttransistor (20)
sich fast, aber nicht völlig im Sättigungszustand befindet.
2. Elektrischer Transistorschalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basissteuerung
für den Hilfstransistor (10) einen parallel zu der Hilfsschaltung liegenden Spannungsteiler (14,15,16 in F i g. 1) aufweist, mit einer
ersten Anzapfung, welche mit der Basis des Hilfstransistors verbunden ist, derart, daß diese Basis
normalerweise auf einem Potential gehalten wird, welches den Hilfstransistor in den volleitenden
Zustand bringt, und daß mit einer zweiten Anzapfung des Spannungsteilers eine Eingangsschaltung
(18) verbunden ist, welche eine Diode (19) aufweist, derart, daß Strom in den Spannungsteiler
fließen kann, um das Basispotential des Hilfstransistors auf den nichtleitenden Wert
einzustellen, sobald das der Eingangsschaltung (18) zugeführte Eingangsspannungssignal den
Zustand besitzt, in welchem der Hilfstransistor nichtleitend ist, wobei die Diode in Sperrichtung
vorgespannt wird, sobald das der Eingangsschaltung (18) zugeführte Eingangsspannungssignal
seinen anderen Zustand einnimmt.
3. Elektrischer Transistorschalter nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch einen Kondensator
(17 in Fig. 1) zwischen der ersten und der zweiten Anzapfung des Spannungsteilers (14,
15,16).
4. Elektrischer Transistorschalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den beiden Anschlußklemmen (21a) mehrere zueinander
parallel geschaltete elektrische Schaltkreise angeordnet sind, deren jede die Reihenschaltung
einer Impulsspannungsquelle (22) und eines Verbrauchers (23) aufweist, und die nur, wenn das
Eingangssignal den Hilfstransistor in den leitenden Zustand steuert, in der Lage sind, Stromkreisimpulse
durchzulassen.
5. Elektrischer Transistorschalter nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als
Impulsspannungsquelle die Ausgangsübertrager (29,30) einer mehrstufigen binären Additionsvorrichtung (31) dient und daß die Verbraucher
bistabile Vorrichtungen (32) eines Datenspeicherregisters (33) aufweisen.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 028 617,
079 162, 1 006 895.
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 028 617,
079 162, 1 006 895.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509507/314 1.65 Q Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB36478/61A GB1044374A (en) | 1961-10-11 | 1961-10-11 | Transistor switching means |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE1186503B true DE1186503B (de) | 1965-02-04 |
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ID=10388522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DEE23653A Pending DE1186503B (de) | 1961-10-11 | 1962-10-09 | Elektrischer Transistorschalter |
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JP (1) | JPS4023861B1 (de) |
DE (1) | DE1186503B (de) |
GB (1) | GB1044374A (de) |
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GB1044374A (en) | 1966-09-28 |
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