DE1182206B - Verfahren zur Herstellung eines Stabes aus hochreinem Halbleitermaterial durch tiegelfreies Zonenschmelzen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Stabes aus hochreinem Halbleitermaterial durch tiegelfreies Zonenschmelzen

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DE1182206B
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    • C30B13/08Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
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DE1109141B (de) * 1959-04-22 1961-06-22 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen hochgereinigten Halbleiterstabes

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