DE1177745B - Verfahren zum Anlegieren einer Dotierungspille an eine Halbleiterplatte - Google Patents

Verfahren zum Anlegieren einer Dotierungspille an eine Halbleiterplatte

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DE1177745B
DE1177745B DES76499A DES0076499A DE1177745B DE 1177745 B DE1177745 B DE 1177745B DE S76499 A DES76499 A DE S76499A DE S0076499 A DES0076499 A DE S0076499A DE 1177745 B DE1177745 B DE 1177745B
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DE
Germany
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plate
cooling
heated
gas
pill
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DES76499A
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German (de)
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Inventor
Yoshiyuki Kawana
Akihiko Nakagawa
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Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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    • H10P95/00—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
    • C23C2/34—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor characterised by the shape of the material to be treated
    • C23C2/36—Elongated material
    • H10P95/50—

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1165567A (fr) * 1956-11-29 1958-10-27 Thomson Houston Comp Francaise Perfectionnements aux transistrons à jonctions
DE1063870B (de) * 1956-06-28 1959-08-20 Gustav Weissenberg Verfahren und Vorrichtung zum tiegellosen Zuechten von Einkristallen aus hochreinem Silicium oder Germanium

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1063870B (de) * 1956-06-28 1959-08-20 Gustav Weissenberg Verfahren und Vorrichtung zum tiegellosen Zuechten von Einkristallen aus hochreinem Silicium oder Germanium
FR1165567A (fr) * 1956-11-29 1958-10-27 Thomson Houston Comp Francaise Perfectionnements aux transistrons à jonctions

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