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Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen Die Erfindung
hat ein verbessertes Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen zum Ziel,
durch dessen Anwendung die Sperrfähigkeit des Halbleiterbauelements gegen die Einflüsse
von an der Oberfläche des Halbleiterkörpers am pn-Übergang adsorbierten Stoffen,
welche entweder mit positiven oder mit negativen Ionen auf den Halbleiterkörper
wirken, unempfindlich ist.
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Diese Ionen können aus Einflüssen der Umgebung des Halbleiterbauelements
wie Gasen, Dämpfen, Flüssigkeiten oder ähnlichen Verunreinigungen stammen.
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Hierbei ist auch in Betracht gezogen, daß das Halbleiterbauelement
gegebenenfalls an seinem pn-Übergang durch einen besonderen Überzug, wie z. B. durch
einen Lack, geschützt ist. Auch solche überzüge können eine gewisse Porosität aufweisen,
so daß dann durch diese Schutzschicht hindurch noch Einflüsse der angegebenen Art
an die Oberfläche des Halbleiterkörpers gelangen können, wo der pn-Übergang heraustritt,
und durch diese adsorbierten bzw. chemisorbierten Stoffe dann die unerwünschten
nachteiligen Erscheinungen im Güteverhalten des Halbleiterbauelements hervorgerufen
werden. Sind solche unerwünschten Stoffe an die Stelle der Oberfläche des Halbleiterkörpers
gelangt, an der der pn-Übergang heraustritt, so kann durch sie eine unerwünschte
Verringerung der Dicke der unter dem Einfluß der anliegenden Sperrspannung erzeugten
Raurffladungszone in nachteiliger Weise hervorgerufen werden. Die Folge ist dann,
daß der Durchbruch durch die Raumladungszone zufolge der adsorbierten Stoffe und
der dadurch hervorgerufenen Verringerung der Raumladungszone früher stattfindet,
als es sonst zu erwarten wäre. Liegt z. B. eine Anordnung vor, bei welcher eine
stark dotierte Zone des einen Leitungstyps, z. B. des n-Leitungstyps, an eine schwach
dotierte Zone entgegengesetzten Leitungstyps, also des p-Leitungstyps angrenzt,
und es werden negative Ionen an der Oberfläche der Zone adsorbiert, so ist die Folge,
daß die Dicke der Raumladungszone, die sich in diesem Fall vorwiegend in der schwach
dotierten Zone befindet, an der Oberfläche der Halbleiteranordnung herabgesetzt
wird. Diese erwähnten negativen Ionen, die zur Herabsetzung der Dicke der Raumladungszone
im schwach p-dotierten Zonenbereich Anlaß geben, sind an sich auch an der stark
n-dotierten Zone vorhanden. An dieser Zone rufen sie jedoch eine Verbreiterung der
Raumladungszone hervor, die aber zufolge der hohen im n-Bereich vorhandenen Dotierung
und des dadurch nur sehr geringen Maßes der Verbreiterung praktisch keinen merklichen
Einfluß auf die Widerstandsfähigkeit der Raumladungszone gegen einen Durchbruch
ergeben kann. Bei diesen vorausgehenden Überlegungen ist beispielsweise in Betracht
ge±ogen, daß .ein Halbleiterbauelement in Form eines Flächengleichrichters vorliegt,
der eine stark n-dotierte Zone, eine schwach p-leitende Zone sp und eine stark p-leitende
Zone besitzt.
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Was soeben für einen pspn-Gleichrichter erörtert worden ist, gilt
sinngemäß auch für einen Gleichrichter mit dem Aufbau ns"p. In diesem Falle befindet
sich also auf der einen Seite des pn-Überganges eine starke p-leitende Zone und
auf der anderen Seite eine schwach n-leitende Zone sn: An diese schwach n-leitende
Zone grenzt schließlich eine stark n-leitende Zone an. Werden an der Oberfläche
eines solchen Halbleiterbauelements positive Ionen adsorbiert, so haben diese zur
Folge, daß die Raumladungsschicht, die sich vorwiegend in der schwach n-leitenden
Zone befindet, in ihrer Dicke an der Oberfläche des Halbleiterkörpers wieder herabgesetzt
wird, so daß auf diese Weise also ein Durchbruch durch die Raumladungszone früher
stattfinden wird, als er sonst zu erwarten wäre. Diese beiden überlegungen sind
an Hand der F i g. 1 und 2 nochmals bildlich wiedergegeben.
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In der F i g. 1 ist mit n die n-leitende Zone, mit s, die schwach
p-leitende Zone und mit p die stark p-leitende Zone des Gleichrichters gekennzeichnet.
Um die Zonen in der Darstellung besser voneinander zu unterscheiden, sind sie durch
eine abweichende Schraffur gekennzeichnet. Der in die schwach p-leitende Zone eingetragene
Linienzug soll mit seinem Abstand von der stark n-leitenden Zone die Dicke der Raumladungszone
veranschaulichen, die sich in der schwach p-leitenden Zone ausbildet. Die obere
Begrenzungslinie
der Darstellung ist jeweils die Oberfläche der Halbleiteranordnung. Sie ist durch
den Buchstaben O näher bezeichnet. In der F i g. 1 ist wiederum angedeutet, daß
an der Oberfläche eine Adsorption eines Stoffes stattgefunden hat, der mit negativen
Ionen wirksam wird. Die Folge dieser Adsorption negativer Ionen ist gemäß der Darstellung,
daß die Dicke der Raumladungszone von dem Wert gemäß der gestrichelt eingetragenen
Linie, d. h. vom Wert D1, auf den Wert D, herabgesetzt wird.
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Der Durchbruch durch die Raumladungszone, hervorgerufen entweder durch
Stoßionisation oder durch den Zenereffekt oder beide Einflüsse, tritt also, wenn
eine solche Adsorption von negativen Ionen stattgefunden hat, wesentlich früher
als sonst ein, weil die Dicke der Raumladungszone an der Oberfläche des Halbleiterbauelements
in unerwünschter Weise wesentlich herabgesetzt worden ist. Die gleichartigen Verhältnisse
sind in der F i g. 2 angedeutet, die sich dadurch von der F i g. 1 unterscheidet,
daß ein Halbleiterbauelement vom Typ ns"p vorliegt, an dessen Oberfläche O die Annahme
gemacht ist, daß in unerwünschter Weise ein Stoff adsorbiert worden ist, der mit
positiven Ionen wirksam wird. Auch hier ist wieder zu erkennen, wie die Dicke der
Raumladungszone von dem idealen Wert Dl durch den Einfluß der adsorbierten positiven
Ionen in unerwünschter Weise auf den Wert Dz herabgesetzt wird.
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Es wäre daher eine Lösung der Aufgabe erwünscht, ein solches Halbleiterbauelement
zu schaffen, bei welchem der Mangel der Herabsetzung der Dicke der Raumladungszone
in dem schwach dotierten Teil durch äußere Einflüsse bzw. die Anlagerung oder Adsorption
von Stoffen, welche entweder positiv oder negativ wirksam werden, nicht eintreten
kann.
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Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements der eingangs
erwähnten Art wird zur Lösung dieser vorstehend aufgezeichneten Aufgabe erfindungsgemäß
so durchgeführt, daß zur Erhaltung der bei der anliegenden Sperrspannung sich ergebenden
Dicke der Raumladungszone die den pn-Übergang bildenden beiden Zonen entgegengesetzten
Leitungstyps mindestens über die Dicke der zu erwartenden Raumladungszonen der ganzen
pn-Übergangsfläche derart etwa gleich stark dotiert werden, daß in ihnen senkrecht
und symmetrisch zur pn-Übergangsfläche eine homogene Verteilung der Störstellen
oder eine von der pn-Übergangsfläche aus ansteigende Verteilung der Störstellen
vorliegt.
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Bei einem solchen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten
Halbleiterbauelement werden dann die genannten nachteiligen äußeren Einflüsse, die
entstehen, indem adsorbierte Stoffe entweder mit positiven oder mit negativen Ionen
wirksam werden, in beiden benachbarten Zonen je eine Wirkung solcher Art hervorrufen,
daß das Endergebnis die Erhaltung der Raumladungszone auch nahe und an der Oberfläche
des Halbleiterkörpers mit praktisch der gleichen Dicke wie in ihrem anderen Bereich
im Inneren des Halbleiterkörpers ist. In der einen Zone ergibt sich nämlich die
Wirkung, daß die Dicke der Raumladungszone herabgesetzt wird, und in der Zone entgegengesetzten
Leitungstyps die Wirkung, daß die Dicke der Raumladungszone heraufgesetzt wird.
Ist der Dotierungsgrad in beiden benachbarten Halbleiterzonen entgegengesetzten
Leitungstyps nahezu gleich groß, so muß dann rein überlegungsgemäß die gesamte Dieke
der Raumladungszone, die sich anteilig teils in der Zone des einen Leitungstyps
und teils in der Zone des anderen Leitungstyps befindet, gleich groß bleiben, so
daß also der N4chteil eines früherep Einsetzens der Stoßiönisätiori bzw. eines Zeneteffektes
nicht äuftreten känn.
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Soll die Halbleiteranordnung für die Beherrschung höher Spanhüngen
bestimmt sein, so würden die Störstellenkonzentrationen bzw. Dotierungen in den
beiden benachbarten Zonen sinngemäß entsprechend gering bemessen werden müssen,
denn die Dicke der Raumladungszone ist abhängig von der Konzentration der Störstellen.
Sie ist bei gleicher anliegender Sperrspannung um so größer, je geringer die Störstellenkonzentration
ist, und umgekehrt. Die kritische Feldstärke des Werkstoffes des Halbleiterkörpers
wird desto eher erreicht, je höher die Dotierung des Halbleiterwerkstoffes an Störstellen
ist. Wird demzufolge eine Halbleiteranordnung im Rahmen der Erfindung in der Weise
aufgebaut, daß sie nur zwei aneinandergrenzende Zonen schwacher Dotierung entgegengesetzten
Leitungstyps zur Bildung eines pn-Überganges aufweist, so wird sie in dieser einfachen
Form in Durchlaßrichtung einen relativ schlechten Wirkungsgrad besitzen. Dieser
Mangelerscheinung läßt sich jedoch erfindungsgemäß dadurch begegnen, daß an der
Halbleiteranordnung angrenzend an die schwach dotierten Zonen entgegengesetzten
Leitungstyps jeweils benachbart dem schwach dotierten Leitungstyp eine weitere Zone
starker Dotierung gleichen Leitungstyps ergänzt wird. Diese stark dotierten Zonen
injizieren dann Ladungsträger in die schwach dotierten Zonen in der Durchlaßrichtung
der Halbleiteranordnung, wodurch die Leitfähigkeit der schwach dotierten Zonen während
der Durchlaßphase wesentlich erhöht und damit die Durchlaßverluste herabgesetzt
werden.
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Zur näheren Erläuterung der Erfindung im Sinne der vorstehenden Ausführungen
an Hand von Figuren wird nunmehr zunächst auf F i g. 3 der Zeichnung Bezug genommen.
In dieser F i g. 3 ist eine Halbleiteranordnung mit dem Aufbau ps@s"n dargestellt,
d. h. eine Anordnung, welche die stark dotierten Zonen p vom p-Leitungstyp und n
vom n-Leitungstyp sowie die beiden schwach dotierten Halbleiterzonen, und zwar s"
von schwach p-leitendem Typ und s" von schwach n-leitendem Typ aufweist.
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Der Buchstabe O bezeichnet wieder die Oberfläche der Halbleiteranordnung.
Die beiden schwach dotierten Zonen s, und s" bilden an ihrer Berührungsstelle den
pn-Übergang. In beiden Zonen so und s" ist noch durch die eingetragenen strichpunktierten
Linien die Dicke einer bei einer bestimmten Spannung entstehende Raumladungszone
angedeutet. Auf der Oberfläche O ist angenommen, daß ein Stoff angelagert ist, der
mit negativen Ionen an der Anordnung wirksam wird. Die Folge dieser negativen Ionen
ist, daß, wie bereits an Hand der F i g. 1 erläutert worden ist, die Dicke der Raumladungszone
in der s" -Zone herabgesetzt wird, und zwar vom Wert D3 auf den Wert D4. Durch den
Einfluß dieser Ionen wird gleichzeitig die Dicke der Raumladungszone in der s"-Zone
vom Wert D, auf den Wert D6 heraufgesetzt. Es ist zu erkennen, daß damit die Summe
der Dicken der beiden Anteile an der Raumladungszone in den beiden schwach dotierten
Zonen sich praktisch in ihrer Summe, also die Dicke der gesamten
Raumladungszone
sich trotz des Einflusses der adsorbierten negativen Ionen nicht verändert hat.
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Was in der F i g. 3 an einer ps"san-Halbleiteranordnung erläutert
worden ist bei der Anlagerung bzw.. Adsorption von Stoffen an der Oberfläche, welche
mit negativen Ionen wirksam werden, ist in der F i g. 4 nochmals sinngemäß dann
erläutert, wenn Stoffe adsorbiert werden, die mit positiven Ionen wirksam werden.
Wie aus der Darstellung zu entnehmen ist, wird in diesem Falle durch den Einfluß
der adsorbierten positiven Ionen zwar in der schwach n-dotierten Halbleiterzone
s" die Dicke der Raumladungsschicht herabgesetzt, jedoch wiederum gleichzeitig in
der schwach p-dotierten Zone s" die Dicke der Raumladungsschicht entsprechend heraufgesetzt.
Vor und nach, also ohne und mit Vorhandensein adsorbierter Stoffe, welche mit positiven
Ionen wirksam werden, bleibt also die Dicke der gesamten Raumladungszone, die anteilig
auf die beiden schwach dotierten Zonen entgegengesetzten Leitungstyps s" bzw. s,
verteilt ist, in ihrer Größe auch an der Oberfläche des Halbleiterkörpers erhalten,
und damit ist gewährleistet, daß trotz der Adsorption von Stoffen an der Oberfläche
die Gleichrichteranordnung mit gleicher Güte hinsichtlich ihrer Widerstandsfähigkeit
gegen einen Durchbruch entweder zufolge der Stoßionisation oder/und -einer Zenererscheinung
erhalten bleibt.
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Die beiden an der Halbleiteranordnung nach den F i g. 3 bzw. 4 benutzten
zusätzlichen Zonen .starker Dotierung injizieren, wie bereits angeführt, Ladungsträger
in die jeweils benachbarte schwach dotierte Zone, wenn der Gleichrichter durch die
anliegende Spannung in Durchlaßrichtung beansprucht ist, so daß auf diese Weise
gute Durchlaßeigenschaften an der Halbleiteranordnung in der Flußrichtung gewährleistet
sind und der Gleichrichter betriebsmäßig mit einem guten Wirkungsgrad wegen der
in Durchlaßrichtung geringen Wirkleistungsverluste arbeitet.
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Die ideale Ausführung im Rahmen der Erfindung würde eine solche sein,
bei welcher die Dotierungen an Störstellen in den beiden benachbarten Zonen entgegengesetzten
Leitungstyps praktisch genau gleich und homogen sind. Es ist jedoch im Rahmen der
Erfindung auch ausreichend, wenn die Dotierung nur in symmetrischer Hinsicht, bezogen
auf die Berührungsfläche der beiden benachbarten Zonen entgegengesetzten Leitungstyps
bzw. den pn-Übergang, gleich sind, d. h., es kann auch der Grad der Dotierung in
den einzelnen Halbleiterzonen von der Kontaktzone beider Zonen mit wachsendem Abstand
ansteigen. Im Rahmen der Erfindung werden sich aber auch dann bereits sinngemäße
Verbesserungen ergeben, wenn eine genau gleiche Dotierung zu beiden Seiten der Berührungszone
in den dotierten Zonen entgegengesetzten Leitungstyps nicht vorhanden .ist, sondern
eine gewisse Abweichung der Dotierungsgrade in beiden schwach dotierten Zonen besteht,
die sich aber noch etwa im Rahmen einer Größenordnung, d. h. einer Zenerpotenz,
hält. Es ist sinngemäß auch in diesem Falle noch zulässig, daß in den benachbarten
Zonen keine Homogenität in der Verteilung der Störstellen besteht, sondern ihre
Konzentration gegebenenfalls von der Berührungszone `aus mit wachsendem Abstande
noch ansteigt.
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Es soll in der weiteren Beschreibung der Erfindung noch näher darauf
eingegangen werden, wie sich solche Zonen einer Halbleiteranordnung bei deren Aufbau
vom Typ psDsnn herstellen lassen. Nach dem einen Lösungsweg kann ein Legierungsvorgang,
nach dem anderen Lösungsweg ein Diffusionsvorgang benutzt werden: Wird die Halbleiteranordnung
nach dem Legierungsprinzip hergestellt, so kann in der Weise vorgegangen werden;
daß auf den Halbleiterkörper als Elektrodenmaterialkörper ein solcher aufgebracht
wird, der zwei Zusätze enthält, die zur Erzielung des gleichen Leitungstyps dotierend
wirken, jedoch einen voneinander thermisch abweichenden Verteilungskoeffizienten
an der Phasengrenze festflüssig in bezug auf den Halbleiterkörper besitzen. Es wird
daher beim Schmelzflüssigwerden des Elektrodenmaterialkörpers und der thermischen
Behandlung zwar die Legierungsfront bis zu einer gewissen Tiefe im Halbleiterkörper
vordringen: Bei der Abkühlung und Rekristallisation tritt jedoch zufolge der abweichenden
thermischen Verteilungskoeffizienten der beiden Stoffe der eine .Stoff bereits bei
höheren Temperaturen aus dein Hälbleitermaterial heraus als der andere. Das hat
zur Folge, daß der eine Stoff bereits bei der Abkühlung eine Zone des Halbleiterkörpers
verlassen hat, während der andere Stoff noch in dieser vorhanden ist.
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Die Aufgabestellung, Schichtkristalle so aufzubauen, daß Oberflächeneinflüsse,
wie Einflüsse an der Oberfläche bzw. in dicht unter der Oberfläche liegenden Schichten
des Kristalls; welche die Sperrfähigkeit weitgehend beeinflussen, vermieden werden
bzw. Maßnahmen getroffen werden, um die Sperrspannungsbildung an die theoretisch
mögliche Grenze zu erhöhen, war bekannt.
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Nach der bekannten Lösung soll bei der Herstellung von Halbleiterschichtkristallen
mit mindestens einem annähernd senkrecht zur Ober-ffläche des Halbleiterkörpers
angeordneten pn-Übergang ein Halbleiterschichtkristall so aufgebaut werden, daß
das Störstellenprofil in der Oberflächenschicht des Halbleiterkristalls gegenüber
demjenigen im Inneren dieses Kristalls durch Diffusionsvorgänge abgeflacht wird,
so daß also die Abnahme der Störstellendichte vom pn-Übergang, nach den Enden des
Kristalls zu in den oberflächlichen Schichten des Kristalls wesentlich langsamer
ist als im Inneren des Kristalls mit dem Ziel, eine wesentliche Verringerung der
Feldstärke an der Oberfläche des Schichtkristalls zu erreichen.
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Diese Wirkung soll durch eine Wärmebehandlung des Halbleiterkörpers
erfolgen, bei der hauptsächlich nur die oberflächlichen Schichten erwärmt werden,
indem der Kristall von außen kurzzeitig stark erhitzt und, bevor noch ein Temperaturausgleich
im Kristall stattfinden kann, wieder kräftig abgekühlt wird.
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Nach .einer anderen bekannten, Lösung soll die angestrebte unterschiedliche
Störstellenverteilung durch nachträgliches Aufbringen von dem jeweiligen Leitungstyp
entsprechenden störstellenbildenden Stoffen auf die Oberfläche des Kristalls in
der Nähe der Übergangszone und ein anschließendes Eintempern dieser Stoffe durchgeführt
werden.
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Auch eine Temperung des Halbleiterkristalls an Luft bei etwa 1000°
C mit dem Ziel der gleichzeitigen Erzeugung eines Überzuges aus Siliziumdioxyd auf
einem Siliziumhalbleiterkörper wurde durchgeführt.
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Gegenüber diesen bekannten Lösungen weist ein Halbleiterkörper nach
der vorliegenden Erfindung
auf jeden Fall durchgehende Zonen entsprechenden
Dosierungsgrades und elektrischen Leitungstyps auf, so daß der angestrebte Effekt
mit Sicherheit gewährleistet ist, ungeachtet dessen, wie groß die eventuelle Tiefenwirkung
der auf dem Halbleiterkörper zur Entstehung gelangenden adsorbierten Schichten gegebenenfalls
sein könnte.
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Bei der weiteren Abkühlung werden infolgedessen in der Ausscheidungsrichtung
aufeinanderfolgende Zonen verschiedener Störstellenkonzentrationen an den beiden
Stoffen gleichen Dotierungscharakters vorhanden sein.
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Das soll an Hand der F i g. 5 näher erläutert werden. In dieser ist
ein Halbleiterkörper 1 dargestellt, der bereits vor der Legierung schwach elektrische
p-Leitung aufweist. Auf diesen Halbleiterkörper 1 wird auf die untere Fläche ein
Elektrodenmaterialkörper 2 auflegiert, der eine stark p-leitende Zone 3 in dem Körper
1 erzeugt. Auf die obere Oberfläche des Halbleiterkörpers 1 wird ein Elektrodenmaterialkörper
4 aufgelegt, welcher zwei verschiedene Zusatzstoffe enthält. Bei einem Legierungsprozeß
dringen die beiden Zusatzstoffe in den Halbleiterkörper ein. Zufolge ihrer temperaturabhängig
verschiedenen Verteilungskoeffizienten, bezogen auf den Halbleiterkörper, tritt
jedoch der Elektrodenmaterialkörper zusammen mit den Zusatzstoffen bei einer Ausscheidung
derselben mit unterschiedlicher Konzentration in diesem Körper bei unterschiedlichen
Temperaturen wieder aus, so daß auf diese Weise dann zwei Zonen 5 und 6 von zwar
elektrisch gleichen Leitungstyps jedoch verschiedenen Dosierungsgrades an Störstellen
erzeugt werden. S" bezeichnet dabei die schwächer dotierte Zone, n die stark dotierte
Zone jeweils von n-Leitungstyp.
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Eine solche Anordnung muß dann sinngemäß vor ihrem Einsatz an der
Oberfläche mit einem Ätzmittel behandelt werden, um eine glatte Oberfläche zu erzeugen
und damit das Vorhandensein von Gitterstörungen oder Gitterversetzungen auszuschließen.
Die Anordnung kann nach der Ätzbehandlung mit einer Schutzschicht oder einem Überzug
aus einem chemisch inerten Materia17 überzogen werden.
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Bei dem Aufbau einer Halbleiteranordnung im Sinne der F i g. 3 kann
naturgemäß auch von einem Halbleiterkörper ausgegangen werden, der eine schwache
n-Leitung aufweist, bevor der Legierungsprozeß durchgeführt wird. Der Elektrodenmaterialkörper,
mit dessen Hilfe die beiden Zonen unterschiedlichen Dotierungsgrades erzeugt werden,
erhält dann sinngemäß Zusatzstoffe, die beide p-leitende Zonen an dem Halbleiterkörper
hervorrufen.
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In F i g. 6 ist ein Ausführungsbeispiel erläutert für die Herstellung
einer erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung unterBenutzung einesDiffusionsprozesses.
Es ist in diesem Falle ein Halbleiterkörper 8 benutzt. Bei diesem ist angenommen,
daß er schwach n-leitend ist, was durch den Buchstabens" angedeutet ist. Die eine
Oberfläche des Halbleiterkörpers 8 wird vor der Durchführung des Diffusionsprozesses
mit einem Schutzüberzug 9 aus einem Stoff versehen, der für den Dotierungsstoff
undurchlässig ist, der durch einen Diffusionsprozeß in den Halbleiterkörper für
die Erzeugung des pn-übergangs eingebracht werden soll. Dann wird der in dieser
Weise geschützte Halbleiterkörper in eine Dampfatmosphäre des Dotierungsstoffes
gebracht, wodurch bei der Einhaltung einer bestimmten hohen Temperaturbehandlung,
z. B. von etwa 1200° C, bei einem Halbleiterkörper aus Silizium dieser Stoff in
den Halbleiterkörper hineindiffundiert und auf diese Weise eine Diffusionsfront
10 erzeugt, so daß an dem Halbleiterkörper dann eine Zone 11 mit schwach
p-leitenden Charakter erzeugt worden ist. Nunmehr kann an der Halbleiteranordnung
die vorher aufgebrachte Schutzschicht 9 durch einen Atzvorgang oder einen mechanischen
Vorgang, wie z. B. einen Schleifprozeß, wieder entfernt werden.
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Für die Herstellung einer erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung kann
auch derart vorgegangen werden, daß von einem Halbleiterkörper bestimmten Leitungstyps
ausgegangen wird, dann auf diesen und in diesen hinein allseitig ein Diffusionsprozeß
mittels des Dotierungsstoffes vorgenommen wird und schließlich an der Halbleiteranordnung
ein solcher mechanischer Behandlungsprozeß, z. B. durch Abschleifen oder mittels
eines Sägeschnittes, vorgenommen wird, daß dann an der Halbleiteranordnung nur noch
eine Schichtenfolge aus den beiden Zonen entgegengesetzten elektrischen Leitungstyps
vorhanden ist. Anschließend können an einer Anordnung nach F i g. 6 dann noch durch
einen Legierungsprozeß die stark dotierten Zonen erzeugt werden, indem auf den Halbleiterkörper
entsprechende Elektrodenmaterialkörper 12 bzw. 13 aufgebracht werden und anschließend
ein Legierungsprozeß vorgenommen wird. Es bilden sich dann die stark dotierten Zonen
entsprechenden elektrischen n- und p-Leitungstyps aus, die in der F i g. 6 mit
14 und 15 bezeichnet sind, so daß jeweils der schwach dotierten Zone
eine stark dotierte Zone gleichen Leitungstyps benachbart liegt.
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Wie bereits aus der vorausgehenden Beschreibung hervorgeht, ist die
Anwendung der Erfindung nicht auf solche Anordnungen beschränkt, an welchen entweder
nur schwach dotierte Zonen entgegengesetzten elektrischen Leitungstyps benachbart
dem pn-übergang vorhanden sind oder außer diesen schwach dotierten Zonen zusätzlich
noch stark dotierte Zonen vorhanden sind, sondern die Erfindung ist ebenso gut auch
in der Form anwendbar, daß nur stark dotierte Zonen, benachbart dem pn-Übergang
benutzt werden. Solche stark dotierten Zonen lassen den Knick für den Übergang in
den steilen Teil der Stromspannungskennlinie in Sperrrichtung bereits bei niedrigeren
Sperrspannungen eintreten. Da bei sogenannten Zenerdioden grundsätzlich von diesem
steilen Anstieg der Kennlinie in der Sperrichtung Gebrauch gemacht wird, kann die
Erfindung auch angewendet werden, um Zenerdioden herzustellen, die für ihre Zenerkennlinien
ein konstantes Verhalten aufweisen, d. h. deren Kennlinie unabhängig vom Auftreten
von Adsorptionserscheinungen an der Oberfläche der Zenerdioden-Halbleiterkörper
in ihrer Lage und Form erhalten bzw. gewährleistet bleibt. Auch bei einer solchen
Zenerdiode muß naturgemäß im Sinne der Erfindung die Bedingung eingehalten werden,
daß an dem pn-übergang entweder in den benachbarten Zonen entgegengesetzten Leitungstyps
ein gleicher homogener Dotierungsgrad oder ein symmetrischer Dosierungsgrad oder
mindestens noch eine Abweichung der Dotierungen der benachbarten Zonen entgegengesetzten
elektrischen Leitungstyps vorliegt, die innerhalb der Grenzen einer Größenordnung,
d. h. einer Zenerpotenz liegt.