DE1127483B - Elektrisches Halbleiterbauelement mit elektrisch formierter Nadelelektrode - Google Patents

Elektrisches Halbleiterbauelement mit elektrisch formierter Nadelelektrode

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DE1127483B
DE1127483B DEI15631A DEI0015631A DE1127483B DE 1127483 B DE1127483 B DE 1127483B DE I15631 A DEI15631 A DE I15631A DE I0015631 A DEI0015631 A DE I0015631A DE 1127483 B DE1127483 B DE 1127483B
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electrical semiconductor
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semiconductor
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DEI15631A
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Alan Coudry Sim
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International Standard Electric Corp
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International Standard Electric Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1208412B (de) * 1959-11-13 1966-01-05 Siemens Ag Elektrisches Halbleiterbauelement mit mindestens einem an die Oberflaeche des Halbleiterkoerpers tretenden pn-UEbergang und Verfahren zum Herstellen eines solchen Bauelements

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1722795U (index.php) * 1900-01-01
DE906955C (de) * 1952-03-28 1954-02-04 Licentia Gmbh Verfahren zur Erzeugung groesserer zusammenhaengender defektleitender Bereiche in den Aussenschichten von ueberschussleitenden Germaniumkristallen
US2767287A (en) * 1952-12-31 1956-10-16 Sprague Electric Co Electrode for crystalline negative resistance elements
DE1765071U (de) * 1957-07-23 1958-04-17 Telefunken Gmbh Zuleitung zu einer legierungsstelle einer kristallode des legierungstyps.
US2840770A (en) * 1955-03-14 1958-06-24 Texas Instruments Inc Semiconductor device and method of manufacture

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2583009A (en) * 1948-09-16 1952-01-22 Bell Telephone Labor Inc Asymmetric electrical conducting device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1722795U (index.php) * 1900-01-01
DE906955C (de) * 1952-03-28 1954-02-04 Licentia Gmbh Verfahren zur Erzeugung groesserer zusammenhaengender defektleitender Bereiche in den Aussenschichten von ueberschussleitenden Germaniumkristallen
US2767287A (en) * 1952-12-31 1956-10-16 Sprague Electric Co Electrode for crystalline negative resistance elements
US2840770A (en) * 1955-03-14 1958-06-24 Texas Instruments Inc Semiconductor device and method of manufacture
DE1765071U (de) * 1957-07-23 1958-04-17 Telefunken Gmbh Zuleitung zu einer legierungsstelle einer kristallode des legierungstyps.

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