DE1120790T1 - Magnetischer Speicher mit Strukturen die magnetische Störungen in Abfühlschichten verhüten - Google Patents

Magnetischer Speicher mit Strukturen die magnetische Störungen in Abfühlschichten verhüten

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Claims (22)

Patentansprüche
1. Eine magnetische Speicherzelle mit folgenden Merkmalen:
einer Erfassungsschicht (50) zum Speichern eines Magnetisierungszustands., der einen logischen Zustand der magnetischen Speicherzelle anzeigt;
einer Struktur (56) , die Störungen des Magnetisierungszustands in der Erfassungsschicht (50) verhindert.
2. Die magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 1, bei der die Struktur (56) ein Paar von gegenüberliegenden
Kantenregionen der Erfassungsschicht (50) überlappt und verhindert, daß sich ein oder mehrere Entmagnetisierungsfeider in den Kantenregionen der Erfassungsschicht (50) bilden.
20
3. Die magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 1, bei der die Struktur (56) aus einem permeablen ferromagnetischen Material gebildet ist, das eine Form aufweist, die eine Flußverriegelung für ein oder mehrere Entmagnetisierungsfelder in der Erfassungsschicht (50) liefert.
4. Die magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 1, bei der die Struktur (56) aus einem permeablen ferromagnetischen Material gebildet ist, das eine Achse der leichten Magnetisierbarkeit aufweist, die senkrecht zu einer Achse der leichten Magnetisierbarkeit der Erfassungsschicht (50) ist.
5. Die magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 1, bei
der die Struktur (56) einen Leiter einschließt, der
einen Lese- und Schreibzugriff auf die magnetische Speicherzelle liefert.
DE/EP 1 120 790 Tl
6. Die magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 1, die ferner eine Referenzschicht (54) und eine Tunnelsperrschicht (52) zwischen der Erfassungsschicht (50) und der Referenzschicht (54) aufweist.
7. Die magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 6, bei der die Erfassungsschicht (50) benachbart zu der Struktur (56) ist.
8. Die magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 6, bei der die Referenzschicht (54) benachbart zu der Struktur (56) ist.
9. Die magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 1, bei der die Erfassungsschicht (50) mit der Struktur (56) austauschgekoppelt ist.
10. Die magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 1, bei der die Struktur (56) aus einem hartferromagnetischen Material gebildet ist.
11. Die magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 10, bei der das hartferromagnetische Material senkrecht zu einer Achse der leichten Magnetisierbarkeit der Erfassungsschicht (50) magnetisiert ist.
12. Die magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 10, bei der die Erfassungsschicht (50) mit der Struktur (56) austauschgekoppelt ist.
13. Eine magnetische Speicherzelle mit folgenden Merkmalen:
einer Erfassungsschicht (50) zum Speichern einer Magnetisierung, die einen logischen Zustand der magnetischen Speicherzelle anzeigt;
DE/EP 1 120790T1
einer Einrichtung zum Liefern einer Flußverriegelung für ein oder mehrere Entmagnetisierungsfelder in der magnetischen Speicherzelle.
14. Die magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 13, bei der die Einrichtung zum Liefern einer Flußverriegelung ein permeables ferromagnetisches Material aufweist, das eine Form aufweist, die einen Weg für einen Magnetflußtransport zwischen einem Paar von gegenüberliegenden Kantenregionen der Erfassungsschicht (50) liefert.
15. Die magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 14, bei der das permeable ferromagnetische Material eine Achse der leichten Magnetisierbarkeit aufweist, die senkrecht zu einer Achse der leichten Magnetisierbarkeit der Erfassungsschicht (50) ist.
16. Ein Verfahren zum Bilden eines magnetischen Speichers mit einem Satz von Strukturen, das folgende Schritte aufweist:
Bilden eines Satzes von Gräben in einem Substrat;
Aufbringen einer Schicht aus einem magnetischem Material für die Strukturen, so daß das magnetische Material horizontale und vertikale Oberflächen der Gräben und des Substrats bedeckt;
Aufbringen einer Schicht aus einem Leitermaterial auf der Schicht des magnetischen Materials, um die Gräben zu füllen;
Polieren der Schicht des Leitermaterials und der Schicht des magnetischen Materials, um eine obere Oberfläche des Substrats freizulegen.
* «J ♦
DE/EP 1 120 790 Tl
17. Das Verfahren gemäß Anspruch 16, bei dem das Leitermaterial Kupfer ist.
18. Das Verfahren gemäß Anspruch 16, bei dem der Schritt des Polierens den Schritt des Polierens unter Verwendung eines chemomechanischen Prozesses aufweist.
19. Das Verfahren gemäß Anspruch 16, bei dem der Schritt des Bildens eines Satzes von Gräben den Schritt des Bildens eines Satzes von Gräben unter Verwendung von Reaktivionenätzung aufweist.
20. Das Verfahren gemäß Anspruch 16, das ferner folgende Schritte aufweist:
Aufbringen eines Materials für eine Erfassungsschicht in jeder eines Satzes von magnetischen Speicherzellen in dem magnetischen Speicher;
Aufbringen eines Materials für eine Tunnelsperrschicht in jeder der magnetischen Speicherzellen;
Aufbringen eines Materials für eine Referenzschicht in jeder der magnetischen Speicherzellen.
25
21. Das Verfahren gemäß Anspruch 16, bei dem das Material für die Erfassungsschicht vor den Materialien für die Tunnelsperrschicht und die Referenzschicht aufgebracht wird.
22. Das Verfahren gemäß Anspruch 21, bei dem das Material für die Referenzschicht vor den Materialien für die Tunnelsperrschicht und die Erfassungsschicht aufgebracht wird.
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