DE112021000681T5 - Elektronische vorrichtung - Google Patents

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electrode
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terminal
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English (en)
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Yuji Ishimatsu
Kenji Hama
Hideo Hara
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Abstract

Eine elektronische Vorrichtung umfasst:ein isolierendes Substrat, das eine Substratvorderseite aufweist, welche einer Seite in einer Dickenrichtung zugewandt ist; einen Verdrahtungsabschnitt, der auf der Substratvorderseite ausgebildet ist und aus einem leitenden Material besteht; einen Anschlussrahmen, der auf der Substratvorderseite angeordnet ist;ein erstes Halbleiterelement und ein zweites Halbleiterelement, die mit dem Anschlussrahmen elektrisch verbunden sind; und eine erste Steuereinheit, die mit dem Verdrahtungsabschnitt elektrisch verbunden ist und bewirkt, dass das erste Halbleiterelement als ein erster oberer Arm operiert und dass das zweite Halbleiterelement als ein erster unterer Arm operiert. Der Anschlussrahmen weist einen ersten Pad-Abschnitt, mit welchem das erste Halbleiterelement verbunden ist, und weist einen zweiten Pad-Abschnitt auf, mit welchem das zweite Halbleiterelement verbunden ist. Der erste Pad-Abschnitt und der zweite Pad-Abschnitt sind von dem Verdrahtungsabschnitt beabstandet und in einer ersten Richtung so angeordne, dass ein erster Trennbereich zwischen dem ersten Pad-Abschnitt und dem zweiten Pad-Abschnitt eingezwängt ist, wobei die erste Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung steht. Die erste Steuereinheit ist von dem Anschlussrahmen in einer Betrachtung in der Dickenrichtung beabstandet und überlappt mit dem ersten Trennbereich in einer Betrachtung in einer zweiten Richtung, wobei die zweite Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung und der ersten Richtung steht.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine elektronische Vorrichtung.
  • STAND DER TECHNIK
  • Eine IPM (intelligentes Leistungsmodul, „intelligent power module“) genannte elektronische Vorrichtung ist eine von verschiedenen elektronischen Vorrichtungen. Solch eine elektronische Vorrichtung weist ein Halbleiterelement, ein Steuerelement und einen Anschlussrahmen („lead frame“) auf (siehe Patentdokument 1). Das Halbleiterelement ist ein Leistungshalbleiterelement, das Leistung steuert. Das Steuerelement steuert den Betrieb des Halbleiterelements. Der Anschlussrahmen stützt das Halbleiterelement und das Steuerelement und dient als ein Leitungspfad für diese Elemente.
  • DOKUMENTE DES STANDES DER TECHNIK
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: JP-A-2020-4893
  • KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Von der Erfindung zu lösendes Problem
  • Da die Anzahl von Steuersignalen, die in das Steuerelement eingespeist werden bzw. an dieses angelegt werden oder von diesem ausgegeben werden, mit einem Anstieg der Integrationsdichte der elektronischen Vorrichtung steigt, muss die Anzahl an Leitungspfaden zum Steuerelement hin vergrößert werden. Allerdings kann ein Anstieg in der Integrationsdichte der elektronischen Vorrichtung schwierig sein, wenn diese Leitungspfade, wie in herkömmlichen Fällen durch Benutzung von Metallanschlussrahmen gebildet werden. Zum Beispiel werden die Anschlussrahmen durch Pressen, welches bspw. durch Benutzung einer Form oder von Ätzen ausgeführt wird, bearbeitet und deswegen ist es schwierig die Leitungspfade dünn zu machen oder die Dichte der Leitungspfade zu vergrößern und dies ist ein Faktor, der einen Anstieg in der Integrationsdichte verhindert.
  • In Anbetracht des Vorangegangenen ist es ein Ziel der vorliegenden Offenbarung, eine elektronische Vorrichtung bereitzustellen, die einen weiteren Anstieg in der Integrationsdichte erlaubt.
  • Mittel zur Lösung des Problems
  • Eine elektronische Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung weist auf: ein isolierendes Substrat, welches eine Substratvorderseite aufweist, die einer Seite in einer Dickenrichtung zugewandt ist; einen Verdrahtungsabschnitt, der auf der Substratvorderseite ausgebildet ist und aus einem leitenden Material besteht; einen Anschlussrahmen, der auf der Substratvorderseite angeordnet ist; ein erstes Halbleiterelement und ein zweites Halbleiterelement, welche elektrisch mit dem Anschlussrahmen verbunden sind; und eine erste Steuereinheit, die mit dem Verdrahtungsabschnitt elektrisch verbunden ist und die bewirkt, dass das erste Halbleiterelement wie ein erster oberer Arm („upper arm“) operiert und dass das zweite Halbleiterelement wie ein erster unterer Arm („lower arm“) operiert. Der Anschlussrahmen weist einen ersten Pad-Abschnitt auf, der mit dem ersten Halbleiterelement verbunden ist, und einen zweiten Pad-Abschnitt auf, der mit dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist. Der erste Pad-Abschnitt und der zweite Pad-Abschnitt sind von dem Verdrahtungsabschnitt beabstandet und sind in einer ersten Richtung ausgerichtet, wobei ein erster Trennbereich zwischen dem ersten Pad-Abschnitt und dem zweiten Pad-Abschnitt eingezwängt („sandwiched“) ist, wobei die erste Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung verläuft. Die erste Steuereinheit ist von dem Anschlussrahmen in einer Betrachtung in der Dickenrichtung beabstandet und überlappt bzw. überschneidet den ersten Trennbereich in Betrachtung in einer zweiten Richtung, die senkrecht zu der Dickenrichtung und der ersten Richtung steht.
  • Vorteile der Erfindung
  • Gemäß der elektronischen Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung ist es möglich, die Integrationsdichte weiter zu vergrößern.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt.
    • 2 ist eine Draufsicht, welche die elektronische Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
    • 3 ist ein Diagramm, welches zu der Draufsicht von 2 gehört, in welchem ein Harzteil („resin member“) durch eine imaginäre Linie gezeigt ist.
    • 4 ist eine Unteransicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
    • 5 ist eine Seitenansicht (linke Seitenansicht), die die elektronische Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
    • 6 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VI-VI in 3.
    • 7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VII-VII in 3.
    • 8 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VIII-VIII in 3.
    • 9 ist ein Beispiel eines Schaltdiagramms der elektronischen Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 10 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer Variation der ersten Ausführungsform zeigt, in welcher das Harzteil durch eine imaginäre Linie gezeigt ist.
    • 11 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer Variation der ersten Ausführungsform zeigt, in welcher das Harzteil durch eine imaginäre Linie gezeigt ist.
    • 12 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt, in welcher das Harzteil durch eine imaginäre Linie gezeigt ist.
    • 13 ist ein Beispiel eines Schaltdiagramms der elektronischen Vorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform.
    • 14 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform zeigt, in welcher das Harzteil durch eine imaginäre Linie gezeigt ist.
    • 15 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XV-XV in 14.
    • 16 ist ein Beispiel eines Schaltdiagramms der elektronischen Vorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform.
    • 17 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform zeigt, in welcher das Harzteil durch eine imaginäre Linie gezeigt ist.
    • 18 ist ein Beispiel eines Schaltdiagramms der elektronischen Vorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform.
    • 19 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform zeigt, in welcher das Harzteil durch eine imaginäre Linie gezeigt ist.
    • 20 ist ein Beispiel eines Schaltdiagramms der elektronischen Vorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform.
    • 21 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform zeigt, in welcher das Harzteil durch eine imaginäre Linie gezeigt ist.
    • 22 ist ein Beispiel eines Schaltdiagramms der elektronischen Vorrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform.
  • MODUS BZW. AUSFÜHRUNGSFORM ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Bevorzugte Ausführungsformen einer elektronischen Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung werden nachstehend mit Bezug auf die Zeichnungen erläutert. In der folgenden Beschreibung werden die gleichen oder ähnliche Bestandteile mit den gleichen Bezugszeichen benannt und überflüssige Beschreibungen davon werden weggelassen. In der vorliegenden Offenbarung werden Begriffe wie „erster“, „zweiter“, „dritter“ usw. lediglich als Bezeichnungen benutzt, und sind nicht notwendigerweise dafür vorgesehen, eine Reihenfolge des beschriebenen Gegenstandes bei Benutzung dieser Begriffe zu geben.
  • Die 1 bis 9 zeigen eine elektronische Vorrichtung A1 gemäß einer ersten Ausführungsform. Die elektronische Vorrichtung A1 weist ein isolierendes Substrat 1, einen Verdrahtungsabschnitt 2, zwei Halbleiterelemente 31 und 32, eine Steuereinheit 41, eine Vielzahl von passiven Elementen 5, Anschlussrahmen 6, eine Vielzahl von Verbindungsteilen 71 bis 74 und ein Harzteil 8 auf. Die Steuereinheit 41 weist zwei Steuerelemente 4a und 4b auf. Die Anschlussrahmen 6 weisen eine Vielzahl von Anschlüssen 61 bis 64, 69 und 60 auf. Die elektronische Vorrichtung A1 ist zum Beispiel ein IPM (intelligentes Leistungsmodul) und wird als eine Klimaanlage, ein Motorsteuergerät oder Ähnliches benutzt. Die elektronische Vorrichtung A1 ist nicht auf ein IPM beschränkt.
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine elektronische Vorrichtung A1 zeigt. 2 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung A1 zeigt. 3 ist ein Diagramm, das zu der Draufsicht von 2 gehört, in welchem das Harzteil 8 durch eine imaginäre Linie (Zwei-Punkt-Kettenlinie) gezeigt ist. 4 ist eine Unteransicht, die die elektronische Vorrichtung A1 zeigt. 5 ist eine Seitenansicht (linke Seitenansicht), die die elektronische Vorrichtung A1 zeigt. 6 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VI-VI in 3. 7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VII-VII in 3. 8 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VIII-VIII in 3. In 8 sind die Verbindungsteile 71 und 72 weggelassen. 9 ist ein Schaltdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration der elektronischen Vorrichtung A1 zeigt.
  • Der Einfachheit der Beschreibung halber sind die drei zueinander senkrecht stehenden Richtungen in den 1 bis 8 als eine x-Richtung, eine y-Richtung und eine z-Richtung definiert. Die z-Richtung ist eine Dickenrichtung der elektronischen Vorrichtung A1. Die x-Richtung ist eine Links-Rechts-Richtung in einer Draufsicht (siehe 2 und 3) der elektronischen Vorrichtung A1. Die y-Richtung ist eine Oben-Unten-Richtung in einer Draufsicht (siehe 2 und 3) der elektronischen Vorrichtung A1. Eine Richtung der x-Richtung wird als x1 bezeichnet sein und die andere Richtung der x-Richtung wird als x2 bezeichnet sein. In ähnlicher Weise wird eine Richtung der y-Richtung als y1-Richtung und die andere Richtung der y-Richtung als y2-Richtung bezeichnet, und eine Richtung der z-Richtung wird als z1-Richtung bezeichnet, und die andere Richtung der z-Richtung wird als z2-Richtung bezeichnet. In der folgenden Beschreibung bezieht sich „Draufsicht“ auf eine Ansicht in der z-Richtung. Die x-Richtung ist ein Beispiel einer „ersten Richtung“, und die y-Richtung ist ein Beispiel einer „zweiten Richtung“.
  • Das isolierende Substrat 1 hat eine plattenförmige Form. Die Form des isolierenden Substrats 1 in einer Draufsicht ist nicht in besonderer Weise beschränkt, aber ist zum Beispiel, eine rechteckige Form, die länglich in der x-Richtung ist. Die Dicke (Länge in der z-Richtung) des isolierenden Substrats 1 ist nicht in besonderer Weise beschränkt, aber beträgt bspw. zumindest 0,1 mm und ist nicht größer als 1,0 mm. Das isolierende Substrat 1 ist ist aus einem Material hergestellt, das eine isolierende Eigenschaft aufweist. Das Material des isolierenden Substrats 1 ist vorzugsweise ein Material, das eine höhere Wärmeleitfähigkeit hat als bspw. das Harzteil 8. Zum Beispiel wird ein keramisches Material wie Alumina (Al2O3) , Siliziumnitrid (SiN), Aluminiumnitrid (AlN), oder zirconiumumfassendes Alumina verwendet als Material für das isolierende Substrat 1.
  • Wie in den 6 bis 8 gezeigt, weist das isolierende Substrat 1 eine Substratvorderseite 11 und eine Substratrückseite 12 auf. Die Substratvorderseite 11 und die Substratrückseite 12 sind in z-Richtung voneinander beabstandet. Die Substratvorderseite 11 zeigt in die z2-Richtung und die Substratrückseite 12 zeigt in die z1-Richtung. Jede der Substratvorderseite 11 und der Substratrückseite 12 ist eine flache Oberfläche, die senkrecht zu der z-Richtung verläuft. Die Verdrahtungsabschnitte 2 sind auf der Substratvorderseite 11 ausgebildet und die Anschlussrahmen 6 und eine Vielzahl von elektronischen Bestandteilen sind auf der Substratvorderseite 11 angebracht. Die Vielzahl von elektronischen Bestandteilen umfasst zwei Halbleiterelemente 31 und 32 und die Steuereinheit 41 (Steuerelemente 4a und 4b). Die Substratrückseite 12 wird von dem Harzteil 8 freigelegt. Die Substratrückseite 12 kann durch das Harzteil 8 bedeckt sein.
  • Die Verdrahtungsabschnitte 2 sind, wie in 3 gezeigt, auf der Substratvorderseite 11 ausgebildet. Die Verdrahtungsabschnitte 2 bestehen aus einem leitenden Material. Zum Beispiel werden Silber (Ag) oder eine Ag-Legierung (z.B. Ag-Pt oder AgPd) als ein Materialbestandteil der Verdrahtungsabschnitte 2 verwendet. Anstatt von Ag oder einer Ag-Legierung, können auch Kupfer (Cu), eine Cu-Legierung, Gold (Au), eine Goldlegierung oder dergleichen als Materialbestandteil verwendet werden. Die Verdrahtungsabschnitte 2 werden gebildet durch Druck eines pastenförmigen Materials, das die oben beschriebenen Materialbestandteile umfasst, und dann Brennen des pastenförmigen Materials. Das Verfahren zur Bildung der Verdrahtungsabschnitte 2 ist nicht auf dieses Verfahren beschränk, und kann in angemessener Weise gemäß dem Materialbestandteil geändert werden. Die Verdrahtungsabschnitte 2 sind Leitungspfade zur Steuereinheit 41. Verschiedene Steuersignale zur Steuerung der Halbleiterelemente 31 und 32 passieren die Verdrahtungsabschnitte 2. Diese Steuersignale umfassen Treibersignale („driving signals“), Erfassungssignale und dergleichen. Die Treibersignale sind Signale zur Steuerung des Betriebs der Halbleiterelemente 31 und 32. Die Erfassungssignale sind Signale zur Erfassung von Betriebszuständen (z.B. ein Spannungswert, ein Stromwert, usw.) der Halbleiterelemente 31 und 32. Außerdem wird der Betriebsstrom der Steuereinheit 41 zu den Verdrahtungsabschnitten 2 übermittelt.
  • Die Verdrahtungsabschnitte 2 umfassen eine Vielzahl von Pad-Abschnitten 21 und eine Vielzahl von Verbindungsdrähten 22 wie in 3 gezeigt. Die Form von jedem der Vielzahl von Pad-Abschnitten 21 in einer Draufsicht ist nicht in besonderer Weise beschränkt, aber ist zum Beispiel eine rechteckige Form. Die Form von jedem Pad-Abschnitt 21 in einer Draufsicht kann bspw. eine kreisförmige Form, eine elliptische Form oder eine polygonale Form sein. Die Vielzahl von Pad-Abschnitten 21 sind voneinander beabstandet. Die Vielzahl von Pad-Abschnitten 21 sind Abschnitte mit denen in angemessener Weise andere Bestandskomponenten verbunden sind. In der elektronischen Vorrichtung A1 sind die Steuereinheit 41 (Steuerelemente 4a und 4b), die Vielzahl von passiven Elementen 5, die Vielzahl von Anschlüssen 69 und 60 und die Vielzahl von Verbindungsteilen 71, 73 und 74 mit der Vielzahl von Pad-Abschnitten 21 verbunden. Die Vielzahl von Verbindungsdrähten 22 verbindet die Vielzahl von Pad-Abschnitten 21 untereinander, so dass die Leitungspfade der elektronischen Vorrichtung A1 eine Schaltungskonfiguration, wie bspw. in 9 gezeigt, bilden. Anordnung und Formen der Vielzahl von Pad-Abschnitten 21 und der Vielzahl von Verbindungsdrähten 22 in den Verdrahtungsabschnitte 2, sind nicht auf die der dargestellten Beispiele beschränkt.
  • Jedes der zwei Halbleiterelemente 31 und 32 ist ein Leitungstransistor, der bspw. die Leistung steuert. Jedes der Halbleiterelemente 31 und 32 ist ein MOSFET (Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistor), der bspw. aus einem SiC (Siliconcarbid)-Substrat besteht. Zu beachten ist, dass jedes der Halbleiterelemente 31 und 32 ein MOSFET bestehend aus einem Si-Substrat sein kann, anstatt aus einem SiC-Substrat, und bspw. ein IGBT-Element umfassen kann. Außerdem kann jedes der Halbleiterelemente ein MOSFET sein, der GaN (Galliumnitrid) umfasst. Wie in den 3 und 8 gezeigt, ist das Halbleiterelement 31 auf dem Anschluss 61 angeordnet (Pad-Abschnitt 611, welcher später beschrieben werden soll) und das Halbleiterelement 32 ist auf dem Anschluss 62 angeordnet (Pad-Abschnitt 621, welcher später beschrieben werden soll). Jedes der Halbleiterelemente 31 und 32 überlappt mit dem isolierenden Substrat 1 und den Anschlussrahmen 6, aber ist in einer Draufsicht von den Verdrahtungsabschnitten 2, wie in 3 gezeigt, beabstandet. Die zwei Halbleiterelemente 31 und 32 sind in der x-Richtung angeordnet. Das Halbleiterelement 31 ist ein Beispiel eines „ersten Halbleiterelements“ und das Halbleiterelement 32 ist ein Beispiel eines „zweiten Halbleiterelements“.
  • Das Halbleiterelement 31 umfasst eine Elementvorderseite 31a (erste Elementvorderseite) und eine Elementrückseite 31b (erste Elementrückseite) wie in den 6 und 8 gezeigt. Die Elementvorderseite 31a und die Elementrückseite 31b sind in der z-Richtung voneinander beabstandet. Die Elementvorderseite 31a zeigt in die z2-Richtung und die Elementrückseite 31b zeigt in die z1-Richtung. Jede der Elementvorderseite 31a und der Elementrückseite 31b ist flach. Die Elementvorderseite 31a und die Elementrückseite 31b sind im Wesentlichen senkrecht zur z-Richtung.
  • Wie in den 3, 6 und 8 gezeigt, umfasst das Halbleiterelement 31 eine Steuerelektrode 311 (erste Steuerelektrode), eine Vorderseitenelektrode 312 (erste Vorderseitenelektrode) und eine Rückseitenelektrode 313 (erste Rückseitenelektrode). Die Steuerelektrode 311 und die Vorderseitenelektrode 312 sind auf der Elementvorderseite 31a ausgebildet. Die Steuerelektrode 311 und die Vorderseitenelektrode 312 sind voneinander beabstandet und voneinander isoliert. Wie in 3 gezeigt, ist in einer Draufsicht die Vorderseitenelektrode 312 größer als die Steuerelektrode 311. Ein Verbindungsteil 71 ist mit der Steuerelektrode 311 verbunden. Eine Vielzahl von Verbindungsteilen 72 ist mit der Vorderseitenelektrode 312 verbunden. Die Rückseitenelektrode 313 ist auf der Elementrückseite 31b ausgebildet. Die Rückseitenelektrode 313 erstreckt sich im Wesentlichen über die gesamte Elementrückseite 31b. Die Rückseitenelektrode 313 ist mit dem Anschluss 61 (Pad-Abschnitt 611, welcher später beschrieben werden soll) verbunden. In einem Beispiel, in dem das Halbleiterelement 31 aus einem MOSFET besteht, ist die Steuerelektrode 311 bspw. eine Gate-Elektrode, die Vorderseitenelektrode 312 bspw. eine Source-Elektrode und die Rückseitenelektrode 313 bspw. eine Drain-Elektrode.
  • Das Halbleiterelement 32 umfasst eine Elementvorderseite 32a (zweite Elementvorderseite) und eine Elementrückseite 32b (zweite Elementrückseite), wie in den 7 und 8 gezeigt. Die Elementvorderseite 32a und die Elementrückseite 32b sind in der z-Richtung voneinander beabstandet. Die Elementvorderseite 32a zeigt in die z2-Richtung, und die Elementrückseite 32b zeigt in die z1-Richtung. Jede der Elementvorderseite 32a und der Elementrückseite 32b ist flach. Die Elementvorderseite 32a und die Elementrückseite 32b sind im Wesentlichen senkrecht zu der z-Richtung.
  • Wie in den 3, 7 und 8 gezeigt, umfasst das Halbleiterelement 32 eine Steuerelektrode 321 (zweite Steuerelektrode), eine Vorderseitenelektrode 322 (zweite Vorderseitenelektrode) und eine Rückseitenelektrode 323 (zweite Rückseitenelektrode). Die Steuerelektrode 321 und die Vorderseitenelektrode 322 sind auf der Elementvorderseite 32a ausgebildet. Die Steuerelektrode 321 und die Vorderseitenelektrode 322 sind voneinander beabstandet und voneinander isoliert. Wie in 3 gezeigt, ist in einer Draufsicht die Vorderseitenelektrode 322 größer als die Steuerelektrode 321. Ein Verbindungsteil 71 ist mit der Steuerelektrode 321 verbunden. Eine Vielzahl von Verbindungsteilen 72 ist mit der Vorderseitenelektrode 322 verbunden. Die Rückseitenelektrode 323 ist auf der Elementrückseite 32b ausgebildet. Die Rückseitenelektrode 323 erstreckt sich im Wesentlichen über die gesamte Elementrückseite 32b. Die Rückseitenelektrode 323 ist mit dem Anschluss 62 (Pad-Abschnitt 621, der später beschrieben werden soll) verbunden. In einem Beispiel in welchem das Halbleiterelement 32 aus einem MOSFET besteht, ist die Steuerelektrode 321 bspw. eine Gate-Elektrode, die Vorderseitenelektrode 322 bspw. eine Source-Elektrode und die Rückseitenelektrode 323 bspw. eine Drain-Elektrode.
  • Ein erstes Treibersignal wird von der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4a) in die Steuerelektrode 311 (Gate-Elektrode) des Halbleiterelements 31 eingespeist und ein Leitungszustand und ein Unterbrechungszustand werden geschaltet gemäß dem eingespeisten ersten Treibersignal. Ein Betrieb bzw. eine Operation, bei welchem bzw. welcher der leitende Zustand und der Unterbrechungszustand geschaltet („switched“) werden, wird als Schaltungsbetrieb bzw. Schaltungsoperation bezeichnet. Wenn das Halbleiterelement 31 in dem Leitungszustand ist, fließt von der Rückseitenelektrode 313 (Drain-Elektrode) ein Strom zur Vorderseitenelektrode 312 (Source-Elektrode) und, wenn das Halbleiterelement 31 im Unterbrechungszustand ist, fließt kein Strom.
  • Ein zweites Treibersignal wird von der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4b) in die Steuerelektrode 321 (Gate-Elektrode) des Halbleiterelements 32 eingespeist und ein Leitungszustand und ein Unterbrechungszustand werden geschaltet gemäß dem eingespeisten zweiten Treibersignal. Wenn das Halbleiterelement 32 in dem Leitungszustand ist, fließt ein Strom von der Rückseitenelektrode 323 (Drain-Elektrode) zu der Vorderseitenelektrode 322 (Source-Elektrode), und wenn das Halbleiterelement 32 in dem Unterbrechungszustand ist, fließt kein Strom.
  • Die schützenden Elemente 39A und 39B dienen dazu Rückspannung auf die Halbleiterelemente 31 und 32 zu verhindern. Wie in den 3 und 6 gezeigt, ist das schützende Element 39A auf dem Anschluss 61 (Pad-Abschnitt 611, welcher später beschrieben werden soll) angeordnet zusammen mit dem Halbleiterelement 31. Wie in 3 gezeigt, ist das schützende Element 39B auf dem Anschluss 62 (Pad-Abschnitt 621) zusammen mit dem Halbleiterelement 32 angeordnet. Zum Beispiel werden, wie in 9 gezeigt, Dioden als schützende Elemente 39A und 39B verwendet. Wie in 9 gezeigt, ist das schützende Element 39A mit dem Halbleiterelement 31 antiparallel verbunden und das schützendes Element 39B ist mit dem Halbleiterelement 32 antiparallel verbunden.
  • Jedes der schützenden Elemente 39A und 39B umfasst eine Vorderseitenelektrode 391 und eine Rückseitenelektrode 392, wie in 6 gezeigt. Die Vorderseitenelektrode 391 ist auf der Vorderseite (Oberfläche, die in die z2-Richtung zeigt) von jedem der schützenden Elemente 39A und 39B ausgebildet. Die Rü ckseitenelektrode 392 ist auf der Rückseite (Oberfläche, die in die z1-Richtung zeigt) von jedem der schützenden Elemente 39A und 39B ausgebildet. In jedem der schützenden Elemente 39A und 39B ist eine Vielzahl von Verbindungsteilen 72 mit der Vorderseitenelektrode 391 verbunden. Die Vorderseitenelektrode 391 des schützenden Elements 39A und die Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 sind elektrisch miteinander über die Vielzahl von Verbindungsteilen 72 verbunden. Die Vorderseitenelektrode 391 des schützenden Elements 39B und die Vorderseitenelektrode 322 des Halbleiterelements 32 sind elektrisch über die Vielzahl von Verbindungsteilen 72 miteinander verbunden. Die Rückseitenelektrode 392 des schützenden Elements 39A ist mit dem Anschluss 61 verbunden und ist elektrisch mit der Rückseitenelektrode 313 des Halbleiterelements 31 über den Anschluss 61 verbunden. Außerdem ist die Rückseitenelektrode 392 des schützenden Elements 39B mit dem Anschluss 62 verbunden und ist elektrisch mit der Rückseitenelektrode 323 des Halbleiterelements 32 über den Anschluss 62 verbunden. In einem Beispiel, in dem die schützenden Elemente 39A und 39B aus Dioden bestehen, ist die Vorderseitenelektrode 391 eine Anodenelektrode, und die Rückseitenelektrode 392 ist eine Kathodenelektrode. Die elektronische Vorrichtung A1 muss nicht notwendigerweise die beiden schützenden Elemente 39A und 39B umfassen.
  • Die Steuereinheit 41 steuert den Betrieb der Halbleiterelemente 31 und 32. Die Steuereinheit 41 bewirkt, dass das Halbleiterelement 31 wie ein oberer Arm (erster oberer Arm) operiert und bewirkt, dass das Halbleiterelement 32 wie ein unterer Arm (erster unterer Arm) operiert. Die Steuereinheit 41 ist auf der Substratvorderseite 11 angeordnet. Wie in 3 gezeigt, überlappt in einer Draufsicht die Steuereinheit 41 nicht mit den Anschlussrahmen 6 und ist von dem Anschlussrahmen 6 beabstandet. Die Steuereinheit 41 umfasst das Steuerelement 4a (erstes Steuerelement) und das Steuerelement 4b (zweites Steuerelement) . Die Steuereinheit 41 ist ein Beispiel einer „ersten Steuereinheit“.
  • Das Steuerelement 4a steuert den Betrieb des Halbleiterelements 31. Insbesondere steuert das Steuerelement 4a einen Schaltbetrieb des Halbleiterelements 31 durch Einspeisung des ersten Treibersignals (z.B. Gate-Spannung) in die Steuerelektrode 311 (Gate-Elektrode) des Halbleiterelements 31. Das Steuerelement 4a erzeugt das erste Treibersignal, welches bewirkt, dass das Halbleiterelement 31 als der obere Arm operiert. In der vorliegenden Ausführungsform stellt das Steuerelement 4a eine Steuervorrichtung 40 zusammen mit einem Harzgehäuse 401 und einer Vielzahl von Verbindungsterminals 402 dar. Die Steuervorrichtung 40 ist zum Beispiel ein SOP (Small Outline Package)-Typ-Gehäuse. Der Gehäusetyp der Steuervorrichtung 40 ist nicht auf den SOP-Typ beschränkt, und kann ein anderer Gehäusetyp wie ein QFP (Quad Flat Package)-Typ, ein SOJ (Small Outline J-Lead Package)-Typ, ein QFN (Quad Flatpack No Lead)-Typ, oder ein SON (Small-Outline No Lead)-Typ sein. Das Harzgehäuse 401 ist bspw. aus einem Epoxidharz hergestellt und bedeckt das Steuerelement 4a. Die Vielzahl von Verbindungsterminals 402 steht von dem Harzgehäuse 401 ab und ist elektrisch mit dem Steuerelement 4a innerhalb des Harzgehäuses 401 verbunden. Die Verbindungsterminals 402 des Steuerelements 4a sind verbunden und elektrisch verbunden mit den Pad-Abschnitten 21 (Verdrahtungsabschnitte 2) durch ein leitendes Verbindungsmaterial (z.B. Lot bzw. ein Lötmittel, eine Metallpaste oder ein gesintertes Metall, nicht gezeigt). Das Steuerelement 4a ist mit der Steuerelektrode 311 des Halbleiterelements 31 über die Verdrahtungsabschnitte 2 und die Verbindungsteile 71 elektrisch verbunden. Dementsprechend wird ein Treibersignal, das von dem Steuerelement 4a ausgegeben wird, in die Steuerelektrode 311 des Halbleiterelements 31 über die Verdrahtungsabschnitte 2 und die Verbindungsteile 71 eingespeist.
  • Das Steuerelement 4b steuert den Betrieb des Halbleiterelements 32. Insbesondere steuert das Steuerelement 4b einen Schaltbetrieb des Halbleiterelements 32 durch Einspeisung des zweiten Treibersignals (z.B. Gate-Spannung) in die Steuerelektrode 321 (Gate-Elektrode) des Halbleiterelements 32. Das Steuerelement 4b erzeugt das zweite Treibersignal, um zu bewirken, dass das Halbleiterelement 32 als der untere Arm operiert. Jedes der Vielzahl von Verbindungsteilen 73 ist mit dem Steuerelement 4b verbunden. Die Steuerelemente 4b sind elektrisch verbunden mit der Steuerelektrode 321 des Halbleiterelements 32 über die Verbindungsteile 73, die Verdrahtungsabschnitte 2 und das Verbindungsteil 71. Dementsprechend wird ein Treibersignal, das von dem Steuerelement 4b ausgegeben wird, in die Steuerelektrode 321 des Halbleiterelements 32 über die Verbindungsteile 73, die Verdrahtungsabschnitte 2 und das Verbindungsteil 71 eingespeist.
  • Wie in 3 gezeigt, ist die Vielzahl von passiven Elementen 5 auf der Substratvorderseite 11 des isolierenden Substrats 1 angeordnet. Jedes der passiven Elemente 5 ist mit einem Pad-Abschnitt 21 (Verdrahtungsabschnitt 2) verbunden und ist mit dem Verdrahtungsabschnitt 2 elektrisch verbunden. Die Vielzahl von passiven Elementen 5 sind bspw. Widerstände, Kapazitoren, Spulen, Dioden oder Ähnliches. Die Vielzahl von passiven Elementen 5 umfasst zum Beispiel eine Vielzahl von Thermistoren 5a und eine Vielzahl von Widerständen 5b.
  • Jeder der Vielzahl von Thermistoren 5a ist so angeordnet, dass er zwei Pad-Abschnitte 21 der Verdrahtungsabschnitte 2 überspannt („spanning two pad portions“). Jeder Thermistor 5a ist verbunden und elektrisch verbunden mit diesen zwei Pad-Abschnitten 21. Die Pad-Abschnitte 21 sind mit zwei verschiedenen Anschlüssen 60 elektrisch über die Verdrahtungsabschnitte 2 verbunden. Jeder Thermistor 5a gibt einen Strom aus, der als Ergebnis einer Spannung, die zwischen den beiden Anschlüssen 60 anliegt, einer Umgebungstemperatur entspricht.
  • Jeder der Vielzahl von Widerständen 5b ist so angeordnet, dass er zwei Pad-Abschnitte 21 der Verdrahtungsabschnitte 2 überspannt. Jeder Widerstand 5b ist verbunden und elektrisch verbunden mit diesen zwei Pad-Abschnitten 21. Von den zwei Pad-Abschnitten 21, die mit einem Widerstand 5b verbunden sind, ist ein Pad-Abschnitt 21 mit dem Steuerelement 4a oder 4b elektrisch verbunden, und der andere Pad-Abschnitt 21 ist mit der Steuerelektrode 311 oder 321 des Halbleiterelements 31 oder 32 über das Verbindungsteil 71 elektrisch verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist jeder Widerstand 5b bspw. ein Gate-Widerstand.
  • Die Anschlussrahmen 6 umfassen ein metallisches Material. Die Anschlussrahmen 6 haben eine höhere Wärmeleitfähigkeit als das isolierende Substrat 1. Zum Beispiel wird Kupfer (Cu), Aluminium, Eisen (Fe), sauerstofffreies Kupfer, oder eone Legierung von irgendeinem dieser Metalle (z.B. eine Cu-Sn-Legierung, eine Cu-Zr-Legierung, eine Cu-Fe-Legierung, usw.) verwendet als Materialbestandteil der Anschlussrahmen 6. Die Oberflächen der Anschlussrahmen 6 können, falls angebracht, mit Nickel plattiert sein. Die Anschlussrahmen 6 können gebildet werden durch Pressen, wobei eine Form gegen eine Metallplatte gepresst wird, oder bspw. durch Ätzen einer Metallplatte. Die Dicke (Länge in der z-Richtung) von jedem Anschlussrahmen 6, ist nicht in besonderer Weise beschränkt, aber ist größer als die Dicke (Länge in der z-Richtung) der Verdrahtungsabschnitte 2. Die Dicke von jedem Anschlussrahmen 6 beträgt bspw. mindestens 0,4 mm und ist nicht größer als 0,8 mm. Die Anschlussrahmen 6 sind voneinander beabstandet. Wie in 3 gezeigt, umfassen die Anschlussrahmen 6 die Vielzahl von Anschlüssen 61 bis 64, 69 und 60. Jeder der Vielzahl von Anschlüssen 61 bis 64, 69 und 60 umfasst einen Abschnitt, der durch das Harzteil 8 bedeckt ist und einen Abschnitt, der von dem Harzteil 8 freigelegt ist.
  • Jeder der zwei Anschlüsse 61 und 62 wird durch das Harzteil 8 und das isolierende Substrat 1 gestützt. Wie in 3 gezeigt, umfasst der Anschluss 61 einen Pad-Abschnitt 611 und einen Terminal-Abschnitt 612. Der Pad-Abschnitt 611 und der Terminal-Abschnitt 612 sind miteinander verbunden. Wie in 3 gezeigt, umfasst der Anschluss 62 einen Pad-Abschnitt 621 und einen Terminal-Abschnitt 622. Der Pad-Abschnitt 621 und der Terminal-Abschnitt 622 sind miteinander verbunden. Der Anschluss 61 ist ein Beispiel eines „ersten Anschlusses“, und der Anschluss 62 ist ein Beispiel eines „zweiten Anschlusses“.
  • Jeder der Pad-Abschnitte 611 und 621 ist durch das Harzteil 8 bedeckt. Jeder der Pad-Abschnitte 611 und 621 ist auf der Substratvorderseite 11 des isolierenden Substrats 1 angeordnet und überlappt das isolierende Substrat 1 in einer Draufsicht. Jeder der Pad-Abschnitte 611 und 621 hat in einer Draufsicht bspw. eine rechteckige Form. Jeder der Pad-Abschnitte 611 und 621 ist mit der Substratvorderseite 11 durch Verwendung eines Verbindungsmaterials (nicht gezeigt) verbunden. Eine Metallschicht kann auf der Substratvorderseite 11 bereitgestellt werden, mit welcher die Pad-Abschnitte 611 und 621 verbunden sind, um die Stärke der Bindung zwischen jedem der Pad-Abschnitte 611 und 621 und dem isolierenden Substrat 1 zu vergrößern. Wenn die Metallschicht aus dem gleichen Material hergestellt ist wie die Verdrahtungsabschnitte 2, kann die Metallschicht zusammen mit the Verdrahtungsabschnitten 2 ausgebildet sein.
  • Das Halbleiterelement 31 und das schützende Element 39A sind auf dem Pad-Abschnitt 611 montiert bzw. angebracht. Die Rü ckseitenelektrode 313 (Drain-Elektrode) des Halbleiterelements 31 und die Rückseitenelektrode 392 (Kathodenelektrode) des schützenden Elements 39A sind mit dem Pad-Abschnitt 611 durch Verwendung eines leitenden Verbindungsmaterials (nicht gezeigt) verbunden. Zum Beispiel wird Lot, eine Metallpaste, ein gesintertes Metall oder dergleichen als leitendes Verbindungsmaterial verwendet. Als Ergebnis sind die Rückseitenelektrode 313 des Halbleiterelements 31 und die Rückseitenelektrode 392 des schützenden Elements 39A elektrisch miteinander verbunden. Die Elementrückseite 31b des Halbleiterelements 31 und die Rückseite (Seite, die in die z1-Richtung zeigt) des schützenden Elements 39A sind dem Pad-Abschnitt 611 zugewandt. Der Pad-Abschnitt 611 ist ein Beispiel eines „ersten Pad-Abschnitts“.
  • Das Halbleiterelement 32 und das schützende Element 39B sind auf dem Pad-Abschnitt 621 montiert. Die Rückseitenelektrode 323 (Drain-Elektrode) des Halbleiterelements 32 und die Rückseitenelektrode 392 (Kathodenelektrode) des schützenden Elements 39B sind durch Verwendung eines leitenden Verbindungsmaterials (nicht gezeigt) mit dem Pad-Abschnitt 621 verbunden. Zum Beispiel wird Lot, eine Metallpaste, ein gesintertes Metall oder dergleichen als leitendes Verbindungsmaterial verwendet. Als Ergebnis sind die Rückseitenelektrode 323 des Halbleiterelements 32 und die Rückseitenelektrode 392 des schützenden Elements 39B elektrisch miteinander verbunden. Die Elementrückseite 32b des Halbleiterelements 32 und die Rückseite (Seite, die in die z1-Richtung zeigt) des schützenden Elements 39B sind dem Pad-Abschnitt 621 zugewandt. Der Pad-Abschnitt 621 ist ein Beispiel eines „zweiten Pad-Abschnitts“.
  • Jeder der Terminal-Abschnitte 612 und 622 ist von dem Harzteil 8 freigelegt. Jeder der Terminal-Abschnitte 612 und 622 ist in der z2-Richtung gebogen („bent in the z2 direction“). Die Terminal-Abschnitte 612 und 622 sind externe Terminals der elektronischen Vorrichtung A1. Der Pad-Abschnitt 611 ist mit der Rückseitenelektrode 313 (Drain-Elektrode) des Halbleiterelements 31 elektrisch verbunden und dementsprechend fließt ein Drain-Strom des Halbleiterelements 31 durch den Terminal-Abschnitt 612. Außerdem ist der Pad-Abschnitt 621 mit der Rückseitenelektrode 323 (Drain-Elektrode) des Halbleiterelements 32 elektrisch verbunden und dementsprechend fließt ein Drain-Strom des Halbleiterelements 32 durch den Terminal-Abschnitt 622. Der Terminal-Abschnitt 612 ist ein Beispiel eines „ersten Terminal-Abschnitts“ und der Terminal-Abschnitt 622 ist ein Beispiel eines „zweiten Terminal-Abschnitts“.
  • Jeder der zwei Anschlüsse 63 und 64 wird durch das Harzteil 8 gestützt. Wie in 3 gezeigt, umfasst der Anschluss 63 einen Pad-Abschnitt 631 und einen Terminal-Abschnitt 632. Der Pad-Abschnitt 631 und der Terminal-Abschnitt 632 sind miteinander verbunden. Wie in 3 gezeigt, umfasst der Anschluss 64 einen Pad-Abschnitt 641 und einen Terminal-Abschnitt 642. Der Pad-Abschnitt 641 und der Terminal-Abschnitt 642 sind miteinander verbunden. Der Anschluss 63 ist ein Beispiel eines „dritten Anschlusses“ und der Anschluss 64 ist ein Beispiel eines „vierten Anschlusses“.
  • Jeder der Pad-Abschnitte 631 und 641 wird durch das Harzteil 8 bedeckt. Jeder der Pad-Abschnitte 631 und 641 überlappt nicht mit dem isolierenden Substrat 1 in einer Draufsicht. Eine Vielzahl von Verbindungsteilen 72 ist mit jedem der Pad-Abschnitte 631 und 641 verbunden. Jedes Verbindungsteil 72, das mit dem Pad-Abschnitt 631 verbunden ist, ist auch mit der Vorderseitenelektrode 322 des Halbleiterelements 32 verbunden. Deswegen ist der Pad-Abschnitt 631 mit der Vorderseitenelektrode 322 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 32 über die Verbindungsteile 72 elektrisch verbunden. Jedes Verbindungsteil 72, das mit dem Pad-Abschnitt 641 verbunden ist, ist auch mit der Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 verbunden. Deswegen ist der Pad-Abschnitt 641 mit der Vorderseitenelektrode 312 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 31 über die Verbindungsteile 72 elektrisch verbunden.
  • Jeder der Terminal-Abschnitte 632 und 642 ist von dem Harzteil 8 freigelegt. Jeder der Terminal-Abschnitte 632 und 642 ist in der z2-Richtung gebogen. Die Terminal-Abschnitte 632 und 642 sind externe Terminals der elektronischen Vorrichtung A1. Der Pad-Abschnitt 631 ist elektrisch mit der Vorderseitenelektrode 322 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 32 verbunden und dementsprechend fließt ein Source-Strom des Halbleiterelements 32 durch den Terminal-Abschnitt 632. Außerdem ist der Pad-Abschnitt 641 mit der Vorderseitenelektrode 312 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 31 elektrisch verbunden und dementsprechend fließt ein Source-Strom des Halbleiterelements 31 durch den Terminal-Abschnitt 642.
  • Jeder der Vielzahl von Anschlüssen 69 wird durch das Harzteil 8 und das isolierende Substrat 1 gestützt. Wie in 3 gezeigt, umfasst jeder Anschluss 69 einen Pad-Abschnitt 691 und einen Terminal-Abschnitt 692. In jedem Anschluss 69 sind der Pad-Abschnitt 691 und der Terminal-Abschnitt 692 miteinander verbunden.
  • Jeder Pad-Abschnitt 691 ist durch das Harzteil 8 bedeckt. Die Pad-Abschnitte 691 sind auf der Substratvorderseite 11 des isolierenden Substrats 1 angeordnet und überlappen mit dem isolierenden Substrat 1 in einer Draufsicht. Die Pad-Abschnitte 691 sind mit den Pad-Abschnitten 21 der Verdrahtungsabschnitte 2 durch Verwendung eines leitenden Verbindungsmaterials (nicht gezeigt) verbunden. Die Pad-Abschnitte 21, mit welchen die Pad-Abschnitte 691 verbunden sind, sind mit den Steuerelementen 4a und 4b (Steuereinheit 41) durch Verbindungsdrähte 22 elektrisch verbunden. Dementsprechend sind die Pad-Abschnitte 691 mit den Steuerelementen 4a und 4b (Steuereinheit 41) durch die Verdrahtungsabschnitte 2 elektrisch verbunden.
  • Jeder Terminal-Abschnitt 692 ist von dem Harzteil 8 freigelegt. Jeder Terminal-Abschnitt 692 ist in der z2-Richtung gebogen. Die Terminal-Abschnitte 692 sind externe Terminals der elektronischen Vorrichtung A1. Die Pad-Abschnitte 691 sind mit den Steuerelementen 4a und 4b (Steuereinheit 41) elektrisch verbunden und dementsprechend ist jeder der Terminal-Abschnitte 692 ein Eingangsterminal für verschiedene Steuersignale der Steuereinheit 41, oder ein Ausgangsterminal für verschiedene Steuersignale von der Steuereinheit 41, oder ein Eingangsterminal zum Betreiben bzw. zur Stromversorgung der Steuerelemente 4a und 4b.
  • Jeder der Vielzahl von Anschlüssen 60 wird durch das Harzteil 8 und das isolierende Substrat 1 gestützt. Die Anschlüsse 60 sind mit den Thermistoren 5a elektrisch verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform werden zwei Anschlüsse 60 für jeden der zwei Thermistoren 5a bereitgestellt. Das heißt, dass die elektronische Vorrichtung A1 vier Anschlüsse 60 aufweist. Wie in 3 gezeigt, weist jeder Anschluss 60 einen Pad-Abschnitt 601 und einen Terminal-Abschnitt 602 auf. In jedem Anschluss 60 sind die Pad-Abschnitte 601 und die Terminal-Abschnitte 602 elektrisch miteinander verbunden.
  • Jeder Pad-Abschnitt 601 wird durch das Harzteil 8 bedeckt. Jeder Pad-Abschnitt 601 ist auf der Substratvorderseite 11 des isolierenden Substrats 1 angeordnet und überlappt in einer Draufsicht mit dem isolierenden Substrat 1. Die Pad-Abschnitte 601 sind mit den Pad-Abschnitten 21 der Verdrahtungsabschnitte 2 durch Verwendung eines leitenden Verbindungsmaterials (nicht gezeigt) verbunden. Jeder der Pad-Abschnitte 21 mit welchem die Pad-Abschnitte 601 verbunden sind, ist mit jeweils einem der beiden Thermistoren 5a über einen Verbindungsdraht 22 elektrisch verbunden. Dementsprechend sind die Pad-Abschnitte 601 mit den Thermistoren 5a über Verdrahtungsabschnitte 2 elektrisch verbunden.
  • Jeder Terminal-Abschnitt 602 wird von dem Harzteil 8 freigelegt. Jeder Terminal-Abschnitt 602 ist in der z2-Richtung gebogen. Die Terminal-Abschnitte 602 überlappen mit den Terminal-Abschnitten 692 in einer Betrachtung in der x-Richtung. Die Terminal-Abschnitte 602 sind externe Terminals der elektronischen Vorrichtung A1. Die Pad-Abschnitte 601 sind mit den Thermistoren 5a elektrisch verbunden und deshalb sind die Terminal-Abschnitte 602 Temperaturerfassungsterminals.
  • Der Pad-Abschnitt 611 und der Pad-Abschnitt 621 des Anschlussrahmens 6 sind in der x-Richtung so angeordnet, dass ein erster Trennbereich S1 zwischen den Pad-Abschnitten 611 und 621 eingezwängt ist. In der vorliegenden Ausführungsform ist ein „Bereich“ ein Konzept, welches einen dreidimensionalen Raum umfasst, und es gibt keine Beschränkung, ob ein Objekt in dem Raum angeordnet ist oder nicht, ist nicht. Die Steuereinheit 41 ist in dem ersten Trennbereich S1 angeordnet. Dementsprechend überlappt, wie in 8 gezeigt, die Gesamtheit der Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der y-Richtung. Außerdem überlappt wie in 3 gezeigt, die Gesamtheit der Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der x-Richtung. In der vorliegenden Ausfü hrungsform sind die Anschlussrahmen 6 nicht in dem ersten Trennbereich S1 platziert. In der vorliegenden Ausführungsform sind einige der passiven Elemente 5 auch in dem ersten Trennbereich S1 angeordnet.
  • Jedes der Vielzahl von Verbindungsteilen 71 bis 74 verbindet zwei Teile, die voneinander beabstandet sind, elektrisch miteinander. Die Vielzahl von Verbindungsteilen 71 bis 74 sind Bondingdrähte. Anstatt von Bondingdrähten können, falls angemessen, plattenförmige Anschlussteile („lead members“) als die Vielzahl von Verbindungsteilen 71 bis 74 verwendet werden.
  • Wie in 3 gezeigt, ist jedes der Verbindungsteile 71 mit der Steuerelektrode 311 oder 321 (Gate-Elektrode) des Halbleiterelements 31 oder 32 und einem Pad-Abschnitt 21 verbunden und verbindet elektrisch die Steuerelektrode 311 oder 321 und den Pad-Abschnitt 21 miteinander. Jeder der Pad-Abschnitte 21, die mit den Verbindungsteilen 71 verbunden sind, ist elektrisch jeweils mit einem der beiden Steuerelemente 4a und 4b (Steuereinheit 41) über einen Verbindungsdraht 22 verbunden. Zum Beispiel wird Au als ein Materialbestandteil („constituent material“) der Verbindungsteile 71 verwendet, aber Cu oder Al können genauso verwendet werden. Der Drahtdurchmesser und die Anzahl von Verbindungsteilen 71 sind nicht auf die in 3 gezeigten beschränkt.
  • Wie in 3 gezeigt, ist jeder der Vielzahl von Verbindungsteilen 72 mit der Vorderseitenelektrode 312 oder 322 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 31 oder 32 und dem Pad-Abschnitt 641 oder 631 des Anschlusses 64 oder 63 verbunden, und verbindet die Vorderseitenelektrode 312 oder 322 und den Pad-Abschnitt 641 oder 631 elektrisch miteinander. Wie in den 3 und 6 gezeigt, sind von der Vielzahl von Verbindungsteilen 72, Zwischenabschnitte der Verbindungsteile 72, welche mit der Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 verbunden sind, und der Pad-Abschnitt 641 des Anschlusses 64 auch mit der Vorderseitenelektrode 391 des schützenden Elements 39A verbunden. Somit sind die Vorderseitenelektrode 312 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 31 und die Vorderseitenelektrode 391 (Anodenelektrode) des schützenden Elements 39A elektrisch miteinander verbunden. Außerdem sind, wie in 3 gezeigt, von der Vielzahl von Verbindungsteilen 72, Zwischenabschnitte der Verbindungsteile 72, die mit der Vorderseitenelektrode 322 des Halbleiterelements 32 und dem Pad-Abschnitt 631 des Anschlusses 63 verbunden sind, auch mit der Vorderseitenelektrode 391 des schützenden Elements 39B verbunden. Somit sind die Vorderseitenelektrode 322 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 32 und die Vorderseitenelektrode 391 (Anodenelektrode) des schützenden Elements 39B elektrisch miteinander verbunden. Zum Beispiel wird Al oder Cu als ein Materialbestandteil der Verbindungsteile 72 verwendet, aber Au kann auch verwendet werden. Der Drahtdurchmesser und die Anzahl von Verbindungsteilen 72 ist nicht auf die in 3 gezeigten beschränkt.
  • In dem Beispiel, das in den 3 und 6 gezeigt ist, sind die Vorderseitenelektrode 312 (Halbleiterelement 31), die Vorderseitenelektrode 391 (schützendes Element 39A) und der Pad-Abschnitt 641 (Anschluss 64) elektrisch miteinander verbunden duch die Verbindungsteile 72, aber es gibt keine Beschränkung auf diese Konfiguration. Zum Beispiel können ein Draht, der die Vorderseitenelektrode 312 und die Vorderseitenelektrode 391 des schützenden Elements 39A elektrisch miteinander verbindet, und ein Draht, der die Vorderseitenelektrode 391 des schützenden Elements 39A und den Pad-Abschnitt 641 elektrisch miteinander verbindet, separat voneinander bereitgestellt werden, anstatt der Verbindungsteile 72. Alternativ können ein Draht, der die Vorderseitenelektrode 312 und den Pad-Abschnitt 641 elektrisch miteinander verbindet, und ein Draht, der die Vorderseitenelektrode 312 und die Vorderseitenelektrode 391 des schützenden Elements 39A elektrisch miteinander verbindet, separat voneinander bereitgestellt werden, anstatt der Verbindungsteile 72. Ähnliches kann auch von den Verbindungsteilen 72 gesagt werden, die die Vorderseitenelektrode 322 (Halbleiterelement 32), die Vorderseitenelektrode 391 (schützendes Element 39B) und den Pad-Abschnitt 631 (Anschluss 63) miteinander verbindet.
  • Wie in 3 gezeigt, ist jede der Vielzahl von Verbindungsteilen 73 mit dem Steuerelement 4b und einem Pad-Abschnitt 21 des Verdrahtungsabschnittes 2 verbunden und verbindet das Steuerelement 4b und den Verdrahtungsabschnitt 2 elektrisch miteinander. Zum Beispiel wird Au als ein Materialbestandteil der Verbindungsteile 73 verwendet, aber Cu oder Al können auch verwendet werden. Der Drahtdurchmesser und die Anzahl von Verbindungsteilen 73 ist nicht auf die in 3 gezeigten beschränkt.
  • Das Verbindungsteil 74 ist mit der Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 und einem Pad-Abschnitt 21 verbunden und verbindet die Vorderseitenelektrode 312 und den Pad-Abschnitt 21 miteinander. Dementsprechend wird ein Erfassungssignal zur Erfassung eines Stromes (z.B. eines Source-Stromes), der durch die Vorderseitenelektrode 322 des Halbleiterelements 32 fließt, an den Verdrahtungsabschnitt 2 übermittelt. Zum Beispiel wird Au als ein Materialbestandteil des Verbindungsteils 74 verwendet, aber Cu oder Al können auch verwendet werden. Der Drahtdurchmesser und die Anzahl von Verbindungsteilen 74 ist nicht auf die in 3 gezeigten beschränkt. Im Gegensatz zu dem gezeigten Beispiel, ist auch eine Konfiguration möglich, die ferner ein Verbindungsteil 74 umfasst, das mit der Vorderseitenelektrode 322 des Halbleiterelements 32 und einem Pad-Abschnitt 21 verbunden ist.
  • Das Harzteil 8 bedeckt das isolierende Substrat 1 (außer die Substratrückseite 12), die Verdrahtungsabschnitte 2, die zwei Halbleiterelemente 31 und 32, die Steuereinheit 41, die Vielzahl von passiven Elementen 5, Abschnitte der Anschlussrahmen 6 und die Vielzahl von Verbindungsteilen 71 bis 74. Zum Beispiel kann ein Material, das eine isolierende Eigenschaft hat, wie ein an Epoxidharz oder Silicongel verwendet werden, als ein Materialbestandteil des Harzteils 8. Das Harzteil 8 ist bzw. wird bspw. durch Gießen ausgebildet.
  • Das Harzteil 8 umfasst eine Harzvorderseite 81, eine Harzrückseite 82 und eine Vielzahl von Harzseitenflächen 831 to 834 wie in den 1 bis 8 gezeigt. Die Harzvorderseite 81 und die Harzrückseite 82 sind voneinander in der z-Richtung beabstandet gezeigt wie in den 6 bis 8. Die Harzvorderseite 81 zeigt in die z2-Richtung und die Harzrückseite 82 zeigt in die z1-Richtung. Jede der Harzvorderseite 81 und der Harzrückseite 82 ist eine flache Oberfläche, die senkrecht zu der z-Richtung steht. Die Substratrückseite 12 wird von der Harzrückseite 82 freigelegt. In der vorliegenden Ausführungsform sind die Substratrückseite 12 und die Harzrückseite 82 bündig miteinander wie in den 6 bis 8 gezeigt, aber es ist auch eine Konfiguration möglich, in welcher die Substratrückseite 12 und die Harzrückseite 82 nicht bündig miteinander sind. Jede der Vielzahl von Harzseitenflächen 831 bis 834 ist mit der Harzvorderseite 81 und der Harzrückseite 82 verbunden. Wie in den 2 und 3 gezeigt, sind die zwei Harzseitenflächen 831 und 832 in der x-Richtung voneinander beabstandet. Die Harzseitenfläche 831 zeigt in die x1-Richtung, und die Harzseitenfläche 832 zeigt in die x2-Richtung. Wie in den 2 und 3 gezeigt, sin die zwei Harzseitenflächen 833 und 834 in der y-Richtung voneinander beabstandet. Die Harzseitenfläche 833 zeigt in die y1-Richtung, und die Harzseitenfläche 834 zeigt in die y2-Richtung. In dem gezeigten Beispiel besteht jede der Harzseitenflächen 831 bis 834 aus einer Oberfläche bei der ein Zentrumsabschnitt in der z-Richtung gebogen ist, aber die Harzseitenflächen 831 bis 834 können auch flache Oberflächen sein, die nicht gebogen sind.
  • In der elektronischen Vorrichtung A1, steht jeder der Vielzahl von Anschlüssen 61 bis 64 von der Harzseitenfläche 833 ab, und jeder der Vielzahl von Anschlüssen 69 steht von der Harzseitenfläche 834 ab. Dementsprechend stehen Terminals für Leistung, welche mit den Halbleiterelementen 31 und 32 elektrisch verbunden sind, und Terminals für Steuersignale, welche mit der Steuereinheit 41 (den Steuerelementen 4a und 4b) elektrisch verbunden sind, von gegenüberliegenden Seitenflächen ab.
  • Funktionen und vorteilhafte Effekte der elektronischen Vorrichtung A1 sind die folgenden.
  • Die elektronische Vorrichtung A1 umfasst das isolierende Substrat 1 und die Verdrahtungsabschnitte 2, die auf der Substratvorderseite 11 ausgebildet sind. Die Verdrahtungsabschnitte 2 übermitteln Steuersignale (z.B. das erste Treibersignal und das zweite Treibersignal) zur Steuerung der Halbleiterelemente 31 und 32 und stellen Übermittlungspfade der Steuersignale dar. Zum Beispiel werden Treibersignale zur Steuerung des Betriebs der Halbleiterelemente 31 und 32 von der Steuereinheit 41 (Steuerelemente 4a und 4b) ausgegeben und in die Steuerelektroden 311 und 321 über die Verdrahtungsabschnitte 2 und die Verbindungsteile 71 eingespeist. Die Verdrahtungsabschnitte 2 werden zum Beispiel dadurch gebildet, dass eine Silberpaste gedruckt wird und dann gebrannt wird. Mit dieser Konfiguration ist es möglich, einen Übermittlungspfad der Steuersignale dünn zu machen und die Dichte der Übermittlungspfade, im Vergleich zu einem Fall, in dem die Übermittlungspfade der Steuersignale bspw. aus Metallrahmen bestehen, zu steigern. Deswegen kann die Integrationsdichte der elektronischen Vorrichtung A1 gesteigert werden.
  • In der elektronischen Vorrichtung A1, sind der Pad-Abschnitt 611, der mit dem Halbleiterelement 31 verbunden ist und der Pad-Abschnitt 621, der mit dem Halbleiterelement 32 verbunden ist, in der x-Richtung angeordnet, wobei der erste Trennbereich S1 zwischen den Pad-Abschnitten 611 und 621 eingezwängt ist. Die Steuereinheit 41, die die Halbleiterelemente 31 und 32 steuert, überlappt mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der y-Richtung. Mit dieser Konfiguration ist es möglich, eine Differenz zwischen der Distanz von der Steuereinheit 41 zu dem Halbleiterelement 31 und die Distanz zwischen der Steuereinheit 41 und dem Halbleiterelement 32 zu reduzieren. Dementsprechend ist es möglich, eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des ersten Treibersignals, das von der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4a) in das Halbleiterelement 31 (Steuerelektrode 311) eingespeist wird, und der Übermittlungszeit des zweiten Treibersignals, das von der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4b) in das Halbleiterelement 32 (Steuerelektrode 321) eingespeist wird, zu reduzieren.
  • In der elektronischen Vorrichtung A1, ist das Halbleiterelement 31 mit dem Pad-Abschnitt 611 verbunden und die Rückseitenelektrode 313 des Halbleiterelements 31 und der Anschluss 61 sind elektrisch miteinander verbunden. Außerdem ist die Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 mit dem Anschluss 64 über die Vielzahl von Verbindungsteilen 72 elektrisch verbunden. In ähnlicher Weise ist das Halbleiterelement 32 mit dem Pad-Abschnitt 621 verbunden, und die Rückseitenelektrode 323 des Halbleiterelements 32 und der Anschluss 62 sind elektrisch miteinander verbunden. Außerdem ist die Vorderseitenelektrode 322 des Halbleiterelements 32 mit dem Anschluss 63 durch die Vielzahl von Verbindungsteilen 72 elektrisch verbunden. Mit dieser Konfiguration bestehen die Pfade, durch welche ein relativ großer Strom zu den Halbleiterelementen 31 und 32 fließt, aus der Vielzahl von Anschlüssen 61 und 64 (Anschlussrahmen 6). Deswegen kann der erlaubte Strom in Strompfaden vergrößert werden, im Vergleich zu einem Fall, in dem die Strompfade der Halbleiterelemente 31 und 32 aus Verdrahtungsabschnitten 2 bestehen. Das heißt, dass es möglich ist, die Integrationsdichte der elektronischen Vorrichtung A1 zu steigern, während ein zulässiger Strom zu den Halbleiterelementen 31 und 32 sichergestellt wird.
  • In der elektronischen Vorrichtung A1 haben die Anschlussrahmen 6 (Anschlüsse 61 und 62) eine höhere Wärmeleitfähigkeit als das isolierende Substrat 1. Deshalb ist es möglich, eine Reduktion in der Wärmeabfuhr von den Halbleiterelementen 31 und 32 zu unterdrücken, welche auftreten kann, wenn das isolierende Substrat 1 verwendet wird. Insbesondere sind die Halbleiterelemente 31 und 32 auf den Pad-Abschnitten 611 und 621 der Anschlüsse 61 und 62 montiert und deswegen kann Wärme in effizienter Weise von den Halbleiterelementen 31 und 32 an die Anschlüsse 61 und 62 abgegeben werden. Außerdem sind die Anschlüsse 61 und 62 von dem Harzteil 8 freigelegt und dementsprechend stellen die Anschlüsse 61 und 62 Leitungspfade vom Äußeren der Halbleiterelemente 31 und 32 dar, und Wärmeabfuhreigenschaften der Halbleiterelemente 31 und 32 können weiter gewährleistet sein. Ferner ist die Substratrückseite 12 des isolierenden Substrats 1 von dem Harzteil 8 (Harzrückseite 82) freigelegt und deswegen kann Wärme, die von den Halbleiterelementen 31 und 32 zu dem isolierenden Substrat 1 geleitet wird, in effizienterer Weise nach außen abgegeben werden.
  • In der elektronischen Vorrichtung A1 ist das Steuerelement 4a durch das Harzgehäuse 401 bedeckt und stellt die Steuervorrichtung 40 dar. Wenn das Steuerelement 4a anstatt der Steuervorrichtung 40 verwendet wird, kann ein Hochspannungsstarkstrom („high voltage large current“), der für die Warenkontrolle („shipment inspection“) gebraucht wird, nicht durch das Steuerelement 4a wie es ist hindurchgehen, und deswegen kann die Warenkontrolle nicht durchgeführt werden, bis ein vollständiges Produkt, bedeckt durch das Harzteil 8, erreicht ist. In diesem Fall, wenn das Steuerelement 4a in der Warenkontrolle als defekt beurteilt wird, wird das vollständige Produkt ausrangiert, selbst wenn andere Bestandteile als das Steuerelement 4a funktionsfähig sind. Andererseits ist in der Steuervorrichtung 40 das Steuerelement 4a durch das Harzgehäuse 401 bedeckt, und deswegen kann ein Hochspannungsstarkstrom, der in der Warenkontrolle gebraucht wird, durch das Steuerelement 4a hindurchgehen. Dementsprechend ist es möglich, die Steuervorrichtung 40 zu kontrollieren, bevor die Steuervorrichtung 40 montiert wird, und deswegen ist es möglich nur eine defekte Vorrichtung auszurangieren. Das heißt, dass die elektronische Vorrichtung A1 hergestellt werden kann durch Benutzung von nur nicht defekten Steuervorrichtungen 40, und deswegen ist es möglich zu verhindern, dass funktionsfähige Bestandteile verschwendet werden. Außerdem können, wenn das Steuerelement 4a als die Steuervorrichtung 40 ausgebildet ist, die Verdrahtungsabschnitte 2 auch in einem Bereich der Substratvorderseite 11 ausgebildet sein, welcher mit der Steuervorrichtung 40 in einer Draufsicht überlappt (siehe 3) .
  • In der ersten Ausführungsform wird ein Fall beschrieben, bei dem die Gesamtheit der Steuereinheit 41 (zwei Steuerelemente 4a und 4b) mit den ersten Trennbereichen S1 in einer Betrachtung in der x-Richtung überlappen, aber es gibt keine Beschränkung auf diesen Fall. Beispielsweise kann, wie in 10 gezeigt, ein Abschnitt der Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in Betrachtung in der x-Richtung überlappen. Es ist auch eine Konfiguration möglich, in welcher die Steuereinheit 41 nicht mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der x-Richtung überlappt. In diesen Variationen ist die Steuereinheit 41 vorzugsweise wie folgt angeordnet. Das heißt, dass die Steuereinheit 41, wie in 10 gezeigt, vorzugsweise auf den Seiten der Anschlüsse 69 in der y-Richtung mit Bezug zu dem ersten Trennbereich S1 angeordnet ist.
  • In der ersten Ausführungsform wird ein Beispiel beschrieben, in welchem die Steuereinheit 41 zwei Steuerelemente 4a und 4b umfasst und in denen der Betrieb der Halbleiterelemente 31 und 32 durch die Steuerelemente 4a und 4b gesteuert wird, aber es gibt keine Beschränkung auf dieses Beispiel. Beispielsweise kann der Betrieb der zwei Halbleiterelemente 31 und 32 durch ein einziges Steuerelement 4c, wie in 11 geeigt, gesteuert werden. 11 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß dieser Variation zeigt, in welcher das Harzteil 8 durch eine eine imaginäre Linie gezeigt ist. Das Steuerelement 4c speist das erste Treibersignal in das Halbleiterelement 31 (Steuerelektrode 311) ein und speist das zweite Treibersignal in das Halbleiterelement 32 (Steuerelektrode 321) ein. In 11 ist das Steuerelement 4c durch das Harzgehäuse 401 bedeckt und ist als die Steuervorrichtung 40 ausgestaltet, aber es ist auch eine Konfiguration möglich, in der das Steuerelement 4c nicht durch das Harzgehäuse 401 bedeckt ist.
  • Die 12 und 13 zeigen eine elektronische Vorrichtung A2 gemäß einer zweiten Ausführungsform. 12 ist eine Draufsicht auf die elektronischenVorrichtung A2, in welcher das Harzteil 8 durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 13 ist ein Schaltdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration der elektronischen Vorrichtung A2 zeigt.
  • Wie in den 12 und 13 gezeigt, sind im Gegensatz zu der elektronischen Vorrichtung A1, in der elektronischen Vorrichtung A2, die zwei Halbleiterelemente 31 und 32 elektrisch miteinander innerhalb des Harzteils 8 verbunden. In der elektronischen Vorrichtung A2 sind die zwei Halbleiterelemente 31 und 32 in Reihe geschaltet und stellen ein Bein („leg“) mit einer Konfiguration dar, wie sie bspw. unten beschrieben werden soll, wie gezeigt in 13. Das Halbleiterelement 31 stellt eine obere Armschaltung („upper arm circuit“) des Beins dar, und das Halbleiterelement 32 stellt eine untere Armschaltung („upper arm circuit“) des Beins dar. In dem in 12 und 13 gezeigten Beispiel umfasst die elektronische Vorrichtung A2 nicht die zwei schützenden Elemente 39A und 39B, aber die elektronische Vorrichtung A2 kann die schützenden Elemente 39A und 39B ähnlich zu der elektronischen Vorrichtung A1 umfassen.
  • Wie in 12 gezeigt, ist in der elektronischen Vorrichtung A2 die Vielzahl von Verbindungsteilen 72, die mit der Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 verbunden ist, mit dem Anschluss 62 (ein Pad-Abschnitt 623, welcher später beschrieben werden soll), verbunden anstatt mit dem Anschluss 64. Als Ergebnis sind die Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 und die Rückseitenelektrode 323 des Halbleiterelements 32 elektrisch über die Vielzahl von Verbindungsteilen 72 und den Anschluss 62 miteinander verbunden.
  • In der elektronischen Vorrichtung A2 umfasst der Anschluss 62 des Anschlussrahmens 6 den Pad-Abschnitt 621, den Terminal-Abschnitt 622 und den Pad-Abschnitt 623. Das heißt, dass im Vergleich zu dem Anschluss 62 der elektronischen Vorrichtung A1, der Anschluss 62 der elektronischen Vorrichtung A2 ferner den Pad-Abschnitt 623 umfasst. Der Pad-Abschnitt 623 ist mit dem Pad-Abschnitt 621 und dem Terminal-Abschnitt 622 verbunden und ist zwischen dem Pad-Abschnitt 621 und dem Terminal-Abschnitt 622 platziert. Die Vielzahl von Verbindungsteilen 72, die mit der Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 verbunden ist, ist mit dem Pad-Abschnitt 623 verbunden. Außerdem ist eines der Vielzahl von passiven Elementen 5 mit dem Pad-Abschnitt 623 verbunden. Dieses passive Element 5 ist bspw. ein Shunt-Widerstand („shunt resistor“) 5c. Der Shunt-Widerstand 5c ist so angeordnet, dass er den Pad-Abschnitt 623 (Anschluss 62) und den Pad-Abschnitt 641 (Anschluss 64) überspannt und ist verbunden und elektrisch verbunden mit dem Pad-Abschnitt 623 und dem Pad-Abschnitt 641. Ein Strom, der zu dem Anschluss 62 fließt, wird durch den Shunt-Widerstand 5c umgelenkt und an den Anschluss 64 übertragen. Dementsprechend fließt ein Strom, der von dem Strom der zu dem Anschluss 62 fließt, umgeleitet wurde, zu dem Terminal-Abschnitt 642.
  • In der elektronischen Vorrichtung A2 ist bspw. eine Stromversorgungsspannung zwischen den Anschlüssen 61 und 63 angelegt. Der Anschluss 61 ist eine positive Elektrode (P-Terminal) und der Anschluss 63 ist eine negative Elektrode (N-Terminal). Die Stromversorgungsspannung, die zwischen den Anschlüssen 61 und 63 eingespeist wird, wird in einen Wechselstrom (Spannung) durch Schaltungsoperationen der zwei Halbleiterelemente 31 und 32 umgewandelt. Dann wird der Wechselstrom von dem Anschluss 62 ausgegeben. Dementsprechend sind die beiden Anschlüsse 61 und 63 Eingangsterminals für die Stromversorgungsspannung, und der Anschluss 62 ist ein Ausgangsterminal für Wechselstrom, von welchem die Spannung durch die beiden Halbleiterelemente 31 und 32 umgewandelt wurde.
  • Die elektronische Vorrichtung A2 umfasst ferner eine Vielzahl von Verbindungsteilen 75. Die Verbindungsteile 75 sind bspw. Bondingdrähte, ähnlich wie die anderen Verbindungsteile 71 bis 74. Zum Beispiel wird Au als Materialbestandteil der Verbindungsteile 75 benutzt, aber Cu oder Al kann auch verwendet werden. Jedes der Verbindungsteile 75 verbindet einen Verdrahtungsabschnitt 2 elektrisch, der mit einem Anschluss 60 elektrisch verbunden ist und einen Verdrahtungsabschnitt 2, der elektrisch mit einem Thermistor 5a verbunden ist.
  • Ähnlich zu der elektronischen Vorrichtung A1, umfasst die elektronische Vorrichtung A2 auch Verdrahtungsabschnitte 2, die auf der Substratvorderseite 11 ausgebildeet sind. In ähnlicher Weise zu der elektronischen Vorrichtung A1, übermitteln die Verdrahtungsabschnitte 2 Steuersignale (z.B. Treibersignale) zur Steuerung der Halbleiterelemente 31 und 32 und stellen Übermittlungspfade der Steuersignale dar. Deswegen ist es mit der elektronischen Vorrichtung A2 möglich, die Übermittlungspfade dünn zu machen und die Dichte der Übermittlungspfade zu steigern, und die Integrationsdichte zu steigern.
  • Ähnlich zu der elektronischen Vorrichtung A1 sind in der elektronischen Vorrichtung A2 der Pad-Abschnitt 611, dder mit dem Halbleiterelement 31 verbunden ist, und der Pad-Abschnitt 621, der mit dem Halbleiterelement 32 verbunden ist, in der x-Richtung angeordnet, wobei der erste Trennbereich S1 zwischen den Pad-Abschnitten 611 und 621 eingezwängt ist. Die Steuereinheit 41, welche die Halbleiterelemente 31 und 32 steuert, überlappt mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der y-Richtung. Deswegen macht es die elektronische Vorrichtung A2, ähnlich der elektronischen Vorrichtung A1 möglich, dass eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des ersten Treibersignals, dasvon der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4a) in das Halbleiterelement 31 (Steuerelektrode 311) eingespeist wird, und einer Übermittlungszeit des zweiten Treibersignals, das von der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4b) in das Halbleiterelement 32 (Steuerelektrode 321) eingespeist wird, reduziert wird.
  • Die 14 bis 16 zeigen eine elektronische Vorrichtung A3 gemäß einer dritten Ausführungsform. 14 ist eine Draufsicht auf die elektronische Vorrichtung A3, in welcher das Harzteil 8 durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 15 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XV-XV in 14. In 15 sind die Verbindungsteile 71 und 74 weggelassen. 16 ist ein Schaltdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration der elektronischen Vorrichtung A3 zeigt.
  • Wie in den 14 bis 16 gezeigt, unterscheidet sich die elektronische Vorrichtung A3 von der elektronischen Vorrichtung A1 im Wesentlichen im folgenden Punkt. Das heißt, dass die elektronische Vorrichtung A3 vier Halbleiterelemente 31 bis 34 und zwei Steuereinheiten 41 und 42 umfasst. Außerdem umfassen die Anschlussrahmen 6 der elektronischen Vorrichtung A3 ferner eine Vielzahl von Anschlüssen 65 bis 68.
  • Ähnlich den Halbleiterelementen 31 und 32 ist jeder der beiden Halbleiterelemente 33 und 34 bspw. ein Leitungstransistor, der Leistung steuert. Jedes der Halbleiterelemente 33 und 34 ist bspw. ein MOSFET bestehend aus einem SiC-Substrat. Das Halbleiterelement 33 ist auf dem Anschluss 65 (Pad-Abschnitt 651, welcher später beschrieben werden soll) angeordnet, und das Halbleiterelement 34 ist auf dem Anschluss 66 angeordnet (Pad-Abschnitt 661, welcher später beschrieben werden soll). Das Halbleiterelement 33 ist ein Beispiel eines „dritten Halbleiterelements“ und das Halbleiterelement 34 ist ein Beispiel eines „vierten Halbleiterelements“.
  • Das Halbleiterelement 33 ist in ähnlicher Weise wie das Halbleiterelement 31 ausgestaltet. Das Halbleiterelement 33 umfasst eine Elementvorderseite 33a (dritte Elementvorderseite), eine Elementrückseite 33b (dritte Elementrückseite), eine Steuerelektrode 331 (dritte Steuerelektrode), eine Vorderseitenelektrode 332 (dritte Vorderseitenelektrode) und eine Rückseitenelektrode 333 (dritte Rückseitenelektrode). Die Elementvorderseite 33a ist in ähnlicher Weise ausgestaltet wie die Elementvorderseite 31a des Halbleiterelements 31 und die Elementrückseite 33b ist in ähnlicher Weise ausgestaltet wie die Elementrückseite 31b des Halbleiterelements 31. Außerdem sind die Steuerelektrode 331, die Vorderseitenelektrode 332 und die Rückseitenelektrode 333 in ähnlicher Weise ausgestaltet wie die Steuerelektrode 311, die Vorderseitenelektrode 312 und die Rückseitenelektrode 313 des Halbleiterelements 31. In einem Beispiel, in dem das Halbleiterelement 33 aus einem MOSFET besteht, ist die Steuerelektrode 331 bspw. eine Gate-Elektrode, die Vorderseitenelektrode 332 bspw. eine Source-Elektrode und die Rückseitenelektrode 333 bspw. eine Drain-Elektrode.
  • Das Halbleiterelement 34 ist ähnlich wie das Halbleiterelement 32 ausgestaltet. Das Halbleiterelement 34 umfasst eine Elementvorderseite 34a (vierte Elementvorderseite), eine Elementrückseite 34b (vierte Elementrückseite), eine Steuerelektrode 341 (vierte Steuerelektrode), eine Vorderseitenelektrode 342 (vierte Vorderseitenelektrode) und eine Rückseitenelektrode 343 (vierte Rückseitenelektrode). Die Elementvorderseite 34a ist ähnlich wie die Elementvorderseite 32a des Halbleiterelements 32 ausgestaltet und die Elementrückseite 34b ist ähnlich wie die Elementrückseite 32b des Halbleiterelements 32 ausgestaltet. Außerdem sind die Steuerelektrode 341, die Vorderseitenelektrode 342 und die Rückseitenelektrode 343 ähnlich wie die Steuerelektrode 321, die Vorderseitenelektrode 322 und die Rückseitenelektrode 323 des Halbleiterelements 32 ausgestaltet. In einem Beispiel, in welchem das Halbleiterelement 34 aus einem MOSFET besteht, ist die Steuerelektrode 341 bspw. eine Gate-Elektrode, die Vorderseitenelektrode 342 ist bspw. eine Source-Elektrode und die Rückseitenelektrode 343 ist bspw. eine Drain-Elektrode.
  • Ein Treibersignal wird von der Steuereinheit 42 (Steuerelement 4c, welches später beschrieben werden soll) in die Steuerelektrode 331 des Halbleiterelements 33 eingespeist und ein Leitungszustand und ein Unterbrechungszustand werden entsprechend dem eingespeisten Treibersignal geschaltet. Wenn das Halbleiterelement 33 im Leitungszustand ist, fließt ein Strom von der Rückseitenelektrode 333 (Drain-Elektrode) zu der Vorderseitenelektrode 332 (Source-Elektrode) und wenn das Halbleiterelement 33 in dem Unterbrechungszustand ist, fließt der Strom nicht. In ähnlicher Weise wird ein Treibersignal von der Steuereinheit 42 (Steuerelement 4c, welches später beschrieben werden soll) in die Steuerelektrode 341 des Halbleiterelements 34 eingespeist und ein Leitungszustand und ein Unterbrechungszustand werden entsprechend dem eingespeisten Treibersignal geschaltet. Wenn das Halbleiterelement 34 in dem Leitungszustand ist, fließt ein Strom von der Rückseitenelektrode 343 (Drain-Elektrode) zu der Vorderseitenelektrode 342 (Source-Elektrode), und wenn das Halbleiterelement 34 in dem Unterbrechungszustand ist, fließt der Strom nicht.
  • Wie in den 14 und 15 gezeigt, ist die Vielzahl von Halbleiterelementen 31 bis 34 in der folgenden Reihenfolge in der x-Richtung angeordnet. Das heißt, die Halbleiterelemente sind in der Reihenfolge angeordnet, in der das Halbleiterelement 31, das Halbleiterelement 32, das Halbleiterelement 33 und das Halbleiterelement 34 nacheinander von der x2-Seite zu der x1-Seite hin angeordnet sind. Die Vielzahl von Halbleiterelementen 31 bis 34 überlappt in einer Betrachtung in der x-Richtung untereinander.
  • Die Steuereinheit 42 steuert den Betrieb der Halbleiterelemente 33 und 34. Die Steuereinheit 42 bewirkt, dass das Halbleiterelement 33 wie ein oberer Arm (zweiter oberer Arm) opertiert und bewirkt, dass das Halbleiterelement 34 wie ein unterer Arm (zweiter unterer Arm) operiert. Die Steuereinheit 42 ist auf der Substratvorderseite 11 angeordnet. Die Steuereinheit 42 und die Steuereinheit 41 sind in der x-Richtung angeordnet und die Steuereinheit 42 überlappt mit der Steuereinheit 41 in einer Betrachtung in der x-Richtung. In einer Draufsicht überlappt die Steuereinheit 42 nicht mit den Anschlussrahmen 6 und ist von den Anschlussrahmen 8 beabstandet. Die Steuereinheit 42 ist ein Beispiel einer „zweiten Steuereinheit“.
  • Die Steuereinheit 42 umfasst das Steuerelement 4c. Das Steuerelement 4c der Steuereinheit 42 steuert den Betrieb der zwei Halbleiterelemente 33 und 34. Insbesondere steuert das Steuerelement 4c eine Schaltoperation des Halbleiterelements 33 durch Einspeisung eines drittnr Treibersignals (z.B. Gate-Spannung) in die Steuerelektrode 331 (Gate-Elektrode) des Halbleiterelements 33. Das Steuerelement 4c der Steuereinheit 42 erzeugt das dritte Treibersignal um zu bewirken, dass das Halbleiterelement 33 wie ein oberer Arm operiert. Außerdem steuert das Steuerelement 4c eine Schaltoperation des Halbleiterelements 34 durch Einspeisung eines vierten Treibersignals (z.B. Gate-Spannung) in die Steuerelektrode 341 (Gate-Elektrode) des Halbleiterelements 34. Das Steuerelement 4c der Steuereinheit 42 erzeugt das vierte Treibersignal um zu bewirken, dass das Halbleiterelement 34 wie ein unterer Arm operiert.
  • Wie oben beschrieben, umfassen die Anschlussrahmen 6 der elektronischen Vorrichtung A3 die Vielzahl von Anschlüssen 65 bis 68 zusätzlich zu der Vielzahl von Anschlüssen 61 bis 64 und 69 wie in 14 gezeigt.
  • Jeder der zwei Anschlüsse 65 und 66 wird durch das Harzteil 8 und das isolierende Substrat 1 gestützt. Wie in 14 gezeigt, umfasst der Anschluss 65 einen Pad-Abschnitt 651 und einen Terminal-Abschnitt 652. Der Pad-Abschnitt 651 und der Terminal-Abschnitt 652 sind miteinander verbunden. Wie in 14 gezeigt, umfasst der Anschluss 66 einen Pad-Abschnitt 661 und einen Terminal-Abschnitt 662. Der Pad-Abschnitt 661 und der Terminal-Abschnitt 662 sind miteinander verbunden.
  • Jeder der Pad-Abschnitte 651 und 661 wird durch das Harzteil 8 bedeckt. Jeder der Pad-Abschnitte 651 und 661 ist auf der Substratvorderseite 11 des isolierenden Substrats 1 angeordnet und überlappt mit dem isolierenden Substrat 1 in einer Draufsicht. Jeder der Pad-Abschnitte 651 und 661 hat in einer Draufsicht bspw. eine rechteckige Form. Jeder der Pad-Abschnitte 651 und 661 ist mit der Substratvorderseite 11 durch Verwendung eines Verbindungsmaterials (nicht gezeigt) verbunden. Eine Metallschicht kann auf der Substratvorderseite 11 bereitgestellt sein, mit welcher die Pad-Abschnitte 651 und 661 verbunden sind, um die Stärke der der Verbindung zwischen den Pad-Abschnitten 651 und 661 und dem isolierenden Substrat 1 zu vergrößern. Wenn die Metallschicht aus dem gleichen Material wie die Verdrahtungsabschnitte 2 hergestellt ist, kann die Metallschicht zusammen mit den Verdrahtungsabschnitten 2 gebildet werden.
  • Das Halbleiterelement 33 ist auf dem Pad-Abschnitt 651 montiert. Die Rückseitenelektrode 333 (Drain-Elektrode) des Halbleiterelements 33 ist verbunden und elektrisch verbunden mit dem Pad-Abschnitt 651 durch Verwendung eines leitenden Verbindungsmaterials (nicht gezeigt). Beispielsweise wird Lot, eine Metallpaste, ein gesintertes Metall oder dergleichen als leitendes Verbindungsmaterial benutzt. Die Elementrückseite 33b des Halbleiterelements 33 ist dem Pad-Abschnitt 651 zugewandt. Der Pad-Abschnitt 651 ist ein Beispiel eines „dritten Pad-Abschnitts“.
  • Das Halbleiterelement 34 ist auf dem Pad-Abschnitt 661 montiert. Die Rückseitenelektrode 343 (Drain-Elektrode) des Halbleiterelements 34 ist verbunden und elektrisch verbunden mit dem Pad-Abschnitt 661 durch Verwendung eines leitenden Verbindungsmaterials (nicht gezeigt). Zum Beispiel wird Lot, eine Metallpaste, ein gesintertes Metall oder dergleichen als leitendes Verbindungsmaterial benutzt. Die Elementrückseite 34b des Halbleiterelements 34 ist dem Pad-Abschnitt 661 zugewandt. Der Pad-Abschnitt 661 ist ein Beispiel eines „vierten Pad-Abschnitts“.
  • Jeder der Terminal-Abschnitte 652 und 662 ist von dem Harzteil 8 freigelegt. Jeder der Terminal-Abschnitte 652 und 662 ist in der z2-Richtung gebogen. Die Terminal-Abschnitte 652 und 662 sind externe Terminals der elektronischen Vorrichtung A3. Der Pad-Abschnitt 651 ist mit der Rückseitenelektrode 333 des Halbleiterelements 33 elektrisch verbunden und dementsprechend fließt ein Drain-Strom des Halbleiterelements 33 durch den Terminal-Abschnitt 652. Außerdem ist der Pad-Abschnitt 661 mit der Rückseitenelektrode 343 des Halbleiterelements 34 elektrisch verbunden und dementsprechend fließt ein Drain-Strom des Halbleiterelements 34 durch den Terminal-Abschnitt 662.
  • Jeder der zwei Anschlüsse 67 und 68 wird durch das Harzteil 8 gestützt. Wie in 14 gezeigt, umfasst der Anschluss 67 einen Pad-Abschnitt 671 und einen Terminal-Abschnitt 672. Der Pad-Abschnitt 671 und der Terminal-Abschnitt 672 sind miteinander verbunden. Wie in 14 gezeigt, umfasst der Anschluss 68 einen Pad-Abschnitt 681 und einen Terminal-Abschnitt 682. Der Pad-Abschnitt 681 und der Terminal-Abschnitt 682 sind miteinander verbunden.
  • Jeder der Pad-Abschnitte 671 und 681 ist durch das Harzteil 8 bedeckt. Jeder der Pad-Abschnitte 671 und 681 überlappt in einer Draufsicht nicht mit dem isolierenden Substrat 1. Eine Vielzahl von Verbindungsteilen 72 sind mit den Pad-Abschnitten 671 und 681 verbunden. Das Verbindungsteil 72, das mit dem Pad-Abschnitt 671 verbunden ist, ist auch mit der Vorderseitenelektrode 342 des Halbleiterelements 34 verbunden. Folglich ist der Pad-Abschnitt 671 mit der Vorderseitenelektrode 342 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 34 durch das Verbindungsteil 72 elektrisch verbunden. Das Verbindungsteil 72, welches mit dem Pad-Abschnitt 681 verbunden ist, ist auch mit der Vorderseitenelektrode 332 des Halbleiterelements 33 verbunden. Folglich ist der Pad-Abschnitt 681 mit der Vorderseitenelektrode 332 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 33 durch das Verbindungsteil 72 elektrisch verbunden.
  • Jeder der Terminal-Abschnitte 672 und 682 wird von dem Harzteil 8 freigelegt. Jeder der Terminal-Abschnitte 672 und 682 ist in der z2-Richtung gebogen. Die Terminal-Abschnitte 672 und 682 sind externe Terminals der elektronischen Vorrichtung A3. Der Pad-Abschnitt 671 ist mit der Vorderseitenelektrode 342 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 34 elektrisch verbunden und dementsprechend fließt ein Source-Strom des Halbleiterelements 34 durch den Terminal-Abschnitt 672. Außerdem ist der Pad-Abschnitt 681 mit der Vorderseitenelektrode 332 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 33 elektrisch verbunden und dementsprechend fließt ein Source-Strom des Halbleiterelements 33 durch den Terminal-Abschnitt 682.
  • Wie in den 14 und 15 gezeigt, ist unter den Anschlussrahmen 6 der elektronischen Vorrichtung A3, die Vielzahl von Pad-Abschnitten 611, 621, 651 und 661 in der folgenden Reihenfolge in der x-Richtung angeordnet. Das heißt, die Pad-Abschnitte sind angeordnet in der Reihenfolge des Pad-Abschnitts 611, des Pad-Abschnitts 621, des Pad-Abschnitts 651 und des Pad-Abschnitts 661 von der x2-Seite zu der xl-Seite hin. Die Vielzahl von Pad-Abschnitten 611, 621, 651 und 661 überlappt in einer Betrachtung in der x-Richtung untereinander.
  • Ähnlich der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform, sind unter den Anschlussrahmen 6 der elektronischen Vorrichtung A3, der Pad-Abschnitt 611 und der Pad-Abschnitt 621 in der x-Richtung so angeordnet, dass der erste Trennbereich S1 zwischen den Pad-Abschnitten 611 und 621 eingezwängt ist. Die Steuereinheit 41 überlappt mit dem ersten Trennbereich S1 in Betrachtung in der y-Richtung. In der vorliegenden Ausführungsform überlappt die Steuereinheit 41 nicht mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der x-Richtung und ist auf der Seite (y2-Seite) platziert, wo die Anschlüsse 69 in der y-Richtung in Bezug auf die Pad-Abschnitte 611 und 621 sind. In der vorliegenden Ausführungsform sind die Anschlussrahmen 6 nicht in dem ersten Trennbereich S1 platziert.
  • Unter den Anschlussrahmen 6 der elektronischen Vorrichtung A3 sind der Pad-Abschnitt 651 und der Pad-Abschnitt 661 in der x-Richtung so angeordnet, dass zwischen den Pad-Abschnitten 651 und 661 ein zweiter Trennbereich S2 eingezwängt ist. Der zweite Trennbereich S2 und der erste Trennbereich S1 sind in der x-Richtung angeordnet. Die Steuereinheit 42 überlappt mit dem zweiten Trennbereich S2 in einer Betrachtung in der y-Richtung. In der vorliegenden Ausführungsform überlappt die Steuereinheit 42 nicht mit dem zweiten Trennbereich S2 in Betrachtung in der x-Richtung und ist platziert auf der Seite (y2-Seite), wo die Anschlüsse 69 in der y-Richtung sind mit Bezug auf die Pad-Abschnitte 651 und 661. In der vorliegenden Ausführungsform sind die Anschlussrahmen 6 nicht in dem zweiten Trennbereich S2 platziert.
  • Ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A1 und A2, umfasst die elektronische Vorrichtung A3 die Verdrahtungsabschnitte 2, die auf der Substratvorderseite 11 ausgebildet sind. Die Verdrahtungsabschnitte 2 übermitteln Steuersignale (z.B. Treibersignale) zur Steuerung der Halbleiterelemente 31 und 34 und stellen Übermittlungspfade der Steuersignale dar. Deswegen ist es mit der elektronischen Vorrichtung A3 möglich, die Übermittlungspfade dünn zu machen, die Dichte der Übermittlungspfade zu erhöhen, und die Integrationsdichte zu steigern.
  • Ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A1 und A2, sind in der elektronischen Vorrichtung A3 der Pad-Abschnitt 611, der mit dem Halbleiterelement 31 verbunden ist und der Pad-Abschnitt 621, der mit dem Halbleiterelement 32 verbunden ist, in der x-Richtung so angeordnet, dass der erste Trennbereich S1 zwischen den Pad-Abschnitten 611 und 621 eingezwängt ist. Die Steuereinheit 41, die die Halbleiterelemente 31 und 32 und increase the Integrationsdichte, überlappt mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der y-Richtung. Deswegen kann ähnlich der elektronischen Vorrichtung A1, die elektronische Vorrichtung A3 eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des ersten Treibersignals, das von der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4c) in das Halbleiterelement 31 (Steuerelektrode 311) eingespeist wird, und einer Übermittlungszeit des zweiten Treibersignals, das von der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4c) in das Halbleiterelement 32 (Steuerelektrode 321) eingespeist wird, reduziert werden.
  • In der elektronischen Vorrichtung A3 sind der Pad-Abschnitt 651, welcher mit dem Halbleiterelement 33 verbunden ist, und der Pad-Abschnitt 661, mit welchem das Halbleiterelement 34 verbunden ist, in der x-Richtung so angeordnet, dass der zweite Trennbereich S2 zwischen den Pad-Abschnitten 651 und 661 eingezwängt ist. Die Steuereinheit 42, welche die Halbleiterelemente 33 und 34 steuert, überlappt mit dem zweiten Trennbereich S2 in einer Betrachtung in der y-Richtung. Deswegen kann die elektronische Vorrichtung A3 eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des dritten Treibersignals, das von der Steuereinheit 42 (Steuerelement 4c) in das Halbleiterelement 33 (Steuerelektrode 331) eingespeist wird, und einer Übermittlungszeit des vierten Treibersignals, das von der Steuereinheit 42 (Steuerelement 4c) in das Halbleiterelement 34 (Steuerelektrode 341) eingespeist wird, reduziert werden.
  • Die 17 und 18 zeigen eine elektronische Vorrichtung A4 gemäß einer vierten Ausführungsform. 17 ist eine Draufsicht auf die elektronische Vorrichtung A4, in welcher das Harzteil 8 durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 18 ist ein Schaltdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration der elektronischen Vorrichtung A4 zeigt.
  • Im Gegensatz zu der elektronischen Vorrichtung A3 sind in der elektronischen Vorrichtung A4 die zwei Halbleiterelemente 31 und 32 elektrisch miteinander verbunden und die zwei Halbleiterelemente 33 und 34 sind elektrisch miteinander verbunden innerhalb des Harzteils 8, wie in den 17 und 18 gezeigt. In der elektronischen Vorrichtung A4 sind die zwei Halbleiterelemente 31 und 32 in Reihe geschaltet und stellen ein Bein dar mit einer Konfiguration, die unten beschrieben werden soll, wie in 18 gezeigt. In dem Bein stellt das Halbleiterelement 31 eine obere Armschaltung dar, und das Halbleiterelement 32 stellt eine untere Armschaltung dar. Außerdem sind die zwei Halbleiterelemente 33 und 34 in Reihe geschaltet und stellen ein Bein dar wie in 18 gezeigt. In dem Bein stellt das Halbleiterelement 33 eine obere Armschaltung dar und das Halbleiterelement 34 stellt eine untere Armschaltung dar.
  • Wie in 17 gezeigt, ist eine in der elektronischen Vorrichtung A4 ein Verbindungsteil 72, welches mit der Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 verbunden ist mit dem Anschluss 62 (Pad-Abschnitt 623) verbunden, anstatt mit dem Anschluss 64. Dementsprechend sind die Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 und die Rückseitenelektrode 323 des Halbleiterelements 32 elektrisch miteinander über das Verbindungsteil 72 und den Anschluss 62 verbunden. Außerdem ist, wie in 17 gezeigt, in der elektronischen Vorrichtung A4, ein Verbindungsteil 72, welches mit der Vorderseitenelektrode 332 des Halbleiterelements 33 verbunden ist, mit dem Anschluss 66 verbunden (Pad-Abschnitt 663, welcher später beschrieben werden soll). Dementsprechend sind die Vorderseitenelektrode 332 des Halbleiterelements 33 und die Rückseitenelektrode 343 des Halbleiterelements 34 elektrisch miteinander über das Verbindungsteil 72 und den Anschluss 66 verbunden.
  • Verglichen mit dem Anschluss 66 der elektronischen Vorrichtung A3 umfasst der Anschluss 66 des Anschlussrahmens 6 ferner den Pad-Abschnitt 663. Der Pad-Abschnitt 663 ist mit dem Pad-Abschnitt 661 und dem Terminal-Abschnitt 662 verbunden. Das Verbindungsteil 72, welches mit der Vorderseitenelektrode 332 des Halbleiterelements 33 verbunden ist, ist mit dem Pad-Abschnitt 663 verbunden.
  • Ähnlich der elektronischen Vorrichtung A2 sind in der elektronischen Vorrichtung A4 die zwei Anschlüsse 61 und 63 Eingangsterminals für eine Stromversorgungsspannung, und der Anschluss 62 ist ein Ausgangsterminal für Wechselstrom, bei welchem die Spannung durch die zwei Halbleiterelemente 31 und 32 gewandelt worden ist. Außerdem ist in der elektronischen Vorrichtung A4 bspw. die Stromversorgungsspannung zwischen den zwei Anschlüssen 65 und 67 angelegt. Der Anschluss 65 ist eine positive Elektrode (P-Terminal) und der Anschluss 67 ist eine negative Elektrode (N-Terminal). Die Stromversorgungsspannung, die zwischen den zwei Anschlüssen 65 und 67 eingespeist wird, wird in Wechselstrom (Spannung) gewandelt durch Schaltungoperationen bzw. -vorgänge der zwei Halbleiterelemente 33 und 34. Dann wird der Wechselstrom von dem Anschluss 66 ausgegeben. Dementsprechend sind die zwei Anschlüsse 65 und 67 Eingangsterminals für die Stromversorgungsspannung, und der Anschluss 66 ist ein Ausgangsterminal für Wechselstrom, von dem die Spannung durch die zwei Halbleiterelemente 33 und 34 gewandelt wurde.
  • Ähnlich der elektronischen Vorrichtung A3, umfasst auch die elektronische Vorrichtung A4 die Verdrahtungsabschnitte 2, die auf der Substratvorderseite 11 ausgebildet sind. Die Verdrahtungsabschnitte 2 übermitteln Steuersignale (z.B. Treibersignale) zur Steuerung der Halbleiterelemente 31 und 34 und stellen Übermittlungspfade für die Steuersignale dar. Deswegen ist es mit der elektronischen Vorrichtung A4 möglich, die Übermittlungspfade dünn zu machen, die Dichte der Übermittlungspfade zu erhöhen, und die Integrationsdichte zu steigern.
  • Ähnlich der elektronischen Vorrichtung A3 überlappt in der elektronischen Vorrichtung A4 die Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der y-Richtung und die Steuereinheit 42 überlappt mit dem zweiten Trennbereich S2 in einer Betrachtung in der y-Richtung. Deswegen kann, ähnlich der elektronischen Vorrichtung A3, die elektronische Vorrichtung A4 eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des ersten Treibersignals und einer Übermittlungszeit des zweiten Treibersignals reduziert werden, und eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des dritten Treibersignals und einer Übermittlungszeit des vierten Treibersignals kann reduziert werden.
  • Die 19 und 20 zeigen eine elektronische Vorrichtung A5 gemäß einer fünften Ausführungsform. 19 ist eine Draufsicht auf die elektronische Vorrichtung A5, in welcher das Harzteil 8 durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 20 ist ein Schaltdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration der elektronischen Vorrichtung A5 zeigt.
  • Wie in 19 gezeigt, unterscheidet sich die elektronische Vorrichtung A5 von der elektronischen Vorrichtung A4 in der Anordnung der vier Halbleiterelemente 31 bis 34. Dementsprechend wird die Konfiguration der Anschlussrahmen 6 in angemessener Weise geändert.
  • In der elektronischen Vorrichtung A5 sind die vier Halbleiterelemente 31 bis 34 in der Reihenfolge des Halbleiterelements 31, des Halbleiterelements 32, des Halbleiterelements 34 und des Halbleiterelements 33 von der x2-Seite zu der xl-Seite hin angeordnet. Dementsprechend sind die vier Pad-Abschnitte 611, 621, 651 und 661 in der Reihenfolge des Pad-Abschnitts 611, des Pad-Abschnitts 621, des Pad-Abschnitts 661 und des Pad-Abschnitts 651 von der x2-Seite zu der xl-Seite hin, angeordnet. Somit sind der Pad-Abschnitt 621 und der Pad-Abschnitt 661 in der x-Richtung zueinander benachbart.
  • Die Anschlussrahmen 6 der elektronischen Vorrichtung A5 weisen den Anschluss 67 nicht auf. Deswegen ist das Verbindungsteil 72, das mit der Vorderseitenelektrode 342 des Halbleiterelements 34 verbunden ist, mit dem Pad-Abschnitt 631 (Anschluss 63) verbunden. Dementsprechend sind die Vorderseitenelektrode 342 (Halbleiterelement 34) und die Vorderseitenelektrode 322 (Halbleiterelement 32) elektrisch miteinander über zwei Verbindungsteile 72 und den Anschluss 63 verbunden. Das heißt, dass, wie in 20 gezeigt, in der elektronischen Vorrichtung A5, das Bein, das aus den zwei Halbleiterelementen 31 und 32 besteht und das Bein, das aus den zwei Halbleiterelementen 33 und 34 besteht, ein gemeinsames negatives Terminal (N-Terminal) teilen.
  • Ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A3 und A4 umfasst die elektronische Vorrichtung A5 auch die Verdrahtungsabschnitte 2, die auf der Substratvorderseite 11 angeordnet sind. Die Verdrahtungsabschnitte 2 übermitteln Steuersignale (z.B. Treibersignale) zur Steuerung der Halbleiterelemente 31 und 34 und stellen Übermittlungspfade der Steuersignale dar. Deswegen ist es mit der elektronischen Vorrichtung A5 möglich, die Übermittlungspfade dünn zu machen, die Dichte der Übermittlungspfade zu erhöhen und die Integrationsdichte zu steigern.
  • Ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A3 und A4 überlappt in der elektronischen Vorrichtung A5 die Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der y-Richtung und die Steuereinheit 42 überlappt mit dem zweiten Trennbereich S2 in einer Betrachtung in der y-Richtung. Daher kann ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A3 und A4 die elektronische Vorrichtung A5 eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des ersten Treibersignals und einer Übermittlungszeit des zweiten Treibersignals reduzieren und kann eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des dritten Treibersignals und einer Übermittlungszeit des vierten Treibersignals reduzieren.
  • In der elektronischen Vorrichtung A5 sind das Verbindungsteil 72, das mit der Vorderseitenelektrode 322 des Halbleiterelements 32 verbunden ist, und das Verbindungsteil 72, das mit der Vorderseitenelektrode 342 des Halbleiterelements 34 verbunden ist, mit dem Pad-Abschnitt 631 (Anschluss 63) verbunden. In dieser Konfiguration ist der Anschluss 67 in den Anschluss 63 integriert und deswegen ist der Anschluss 67 unnötig. Das heißt, ein gemeinsamer Anschluss kann als der Anschluss 63 und der Anschluss 67 dienen und die Anzahl von externen Terminals der elektronischen Vorrichtung A5 kann reduziert werden.
  • Die 21 und 22 zeigen eine elektronische Vorrichtung A6 gemäß der sechsten Ausführungsform. 21 ist eine Draufsicht auf die elektronische Vorrichtung A6, in welcher das Harzteil 8 durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 22 ist ein Schaltdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration der elektronischen Vorrichtung A6 zeigt.
  • Wie in 21 gezeigt, unterscheidet sich die elektronische Vorrichtung A6 von den elektronischen Vorrichtungen A4 und A5 in der Anordnung der vier Halbleiterelemente 31 bis 34. Dementsprechend wird die Konfiguration der Anschlussrahmen 6 in angemessener Weise geändert.
  • In der elektronischen Vorrichtung A6 sind die vier Halbleiterelemente 31 bis 34 in der Reihenfolge des Halbleiterelements 32, des Halbleiterelements 31, des Halbleiterelements 33 und des Halbleiterelements 34 von der x2-Seite zu der xl-Seite hin angeordnet.
  • In der elektronischen Vorrichtung A6, weisen die Anschlussrahmen 6 den Anschluss 65 nicht auf und das Halbleiterelement 33 ist auf dem Pad-Abschnitt 611 (Anschluss 61) montiert. Die Rückseitenelektrode 333 des Halbleiterelements 33 ist verbunden und elektrisch verbunden mit dem Pad-Abschnitt 611. Dementsprechend sind die Rückseitenelektrode 333 (Halbleiterelement 33) und die Rückseitenelektrode 313 (Halbleiterelement 31) elektrisch miteinander über den Anschluss 61 verbunden. Das heißt, dass wie in 22 gezeigt, in der elektronischen Vorrichtung A6, das Bein, bestehend aus den zwei Halbleiterelementen 31 und 32, und das Bein, bestehend aus den zwei Halbleiterelementen 33 und 34, eine gemeinsame positive Elektrode (P-Terminal) teilen.
  • Wie in 21 gezeigt, ist der Pad-Abschnitt 611 zwischen dem Pad-Abschnitt 621 und dem Pad-Abschnitt 661 in der x-Richtung eingezwängt. Der Pad-Abschnitt 611 und der Pad-Abschnitt 621 sind so angeordnet, dass der erste Trennbereich S1 zwischen den Pad-Abschnitten 611 und 621 eingezwängt ist. Der Pad-Abschnitt 611 und der Pad-Abschnitt 661 sind so angeordnet, dass der zweite Trennbereich S2 zwischen den Pad-Abschnitten 611 und 661 eingezwängt ist. Der erste Trennbereich S1 und der zweite Trennbereich S2 sind in der x-Richtung angeordnet.
  • Ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A3 bis A5 umfasst die elektronische Vorrichtung A6 auch die Verdrahtungsabschnitte 2, die auf der Substratvorderseite 11 ausgebildet sind. Die Verdrahtungsabschnitte 2 übermitteln Steuersignale (z.B. Treibersignale) zur Steuerung der Halbleiterelemente 31 bis 34 und stellen Übermittlungspfade der Steuersignale dar. Deswegen ist es mit der elektronischen Vorrichtung A6 möglich, die Übermittlungspfade dünn zu machen, die Dichte der Übermittlungspfade zu erhöhen und die Integrationsdichte zu steigern.
  • Ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A3 und A5 überlappt in der elektronischen Vorrichtung A6, die Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in Betrachtung in der y-Richtung, und die Steuereinheit 42 überlappt mit dem zweiten Trennbereich S2 in Betrachtung in der y-Richtung. Deswegen kann, ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A3 bis A5, die elektronische Vorrichtung A6 eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des ersten Treibersignals und einer Übermittlungszeit des zweiten Treibersignals reduzieren und kann eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des dritten Treibersignals und einer Übermittlungszeit des vierten Treibersignals reduzieren.
  • In der elektronischen Vorrichtung A6 sind die Rückseitenelektrode 313 des Halbleiterelements 31 und die Rückseitenelektrode 333 des Halbleiterelements 33 mit dem Pad-Abschnitt 611 (Anschluss 61) verbunden. In dieser Konfiguration ist der Anschluss 65 in den Anschluss 61 integriert und deshalb ist der Anschluss 65 nicht notwendig. Das heißt, dass ein gemeinsamer Anschluss als der Anschluss 61 und der Anschluss 65 dienen kann und die Anzahl von externen Terminals der elektronischen Vorrichtung A6 reduziert werden kann.
  • In der dritten bis sechsten Ausführungsform werden Beispiele beschrieben, in denen die elektronischen Vorrichtungen A3 bis A6 keine passiven Elemente 5 umfassen, aber die passiven Elemente 5 (ein Thermistor 5a, ein Widerstand 5b, ein Shunt-Widerstand 5c, usw.) können, falls angemessen, gemäß den Spezifikationen, die bspw. für die elektronischen Vorrichtungen A3 bis A6 benötigt werden, bereitgestellt werden.
  • In der dritten bis sechsten Ausführungsform werden Beispiele beschrieben, in welchen die Steuereinheit 41 das Steuerelement 4c umfasst und in welchen das Steuerelement 4c Operationen der zwei Halbleiterelemente 31 und 32 steuert, aber es gibt keine Beschränkung auf diese Beispiele. Zum Beispiel können ein Steuerelement, das Operationen des Halbleiterelements 31 steuert und ein Steuerelement, das Operationen des Halbleiterelements 32 steuert, separat voneinander als die Steuereinheit 41 bereitgestellt werden (siehe erste Ausführungsform). Außerdem werden Beispiele beschrieben, in welchen die Steuereinheit 42 das Steuerelement 4c umfasst und in welchen das Steuerelement 4c Operationen der zwei Halbleiterelemente 33 und 34 steuert, aber es gibt keine Beschränkung auf diese Beispiele. Zum Beispiel können ein Steuerelement, das Operationen des Halbleiterelements 33 steuert und ein Steuerelement, das Operationen des Halbleiterelements 34 steuert, separat voneinander als Steuereinheit 42 bereitgestellt werden.
  • In der zweiten bis sechsten Ausführungsform, werden Beispiele beschrieben, in denen die Steuereinheit 41 nicht mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der x-Richtung überlappt, aber es gibt keine Beschränkung auf diese Beispiele. Zum Beispiel können Konfigurationen (Formen, Anordnung, usw.) der Verdrahtungsabschnitte 2 und der Anschlussrahmen 6 so geändert werden, dass die Gesamtheit der Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der x-Richtung überlappt, ähnlich der ersten Ausführungsform, oder ein Bereich der Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in Betrachtung in der x-Richtung überlappt, ähnlich der in 10 gezeigten Variation. In ähnlicher Weise werden in der dritten bis sechsten Ausführungsform Beispiele beschrieben, in welchen die Steuereinheit 42 nicht mit dem zweiten Trennbereich S2 in einer Betrachtung in der x-Richtung überlappt, aber es gibt keine Beschränkung auf diese Beispiele. Zum Beispiel können Konfigurationen der Verdrahtungsabschnitte 2 und der Anschlussrahmen 6 so geändert werden, dass die Gesamtheit der Steuereinheit 42 mit dem zweiten Trennbereich S2 in einer Betrachtung in der x-Richtung überlappt, oder so, dass ein Abschnitt der Steuereinheit 42 mit dem zweiten Trennbereich S2 in einer Betrachtung in der x-Richtung überlappt.
  • In der zweiten bis sechsten Ausführungsform werden Beispiele gezeigt, in welchen die elektronischen Vorrichtungen A2 bis A6 nicht die schützenden Elemente 39A und 39B umfassen, aber es gibt keine Beschränkung auf diese Beispiele, und die schützenden Elemente 39A und 39B können nach Bedarf bereitgestellt werden.
  • In der ersten bis sechsten Ausführungsform sind Formen und Anordnung der Verdrahtungsabschnitte 2 und Formen und Anordnung der Anschlussrahmen 6 (Anschlüsse 60 bis 69) nicht beschränkt auf die gezeigten Beispiele und können in angemessener Weise gemäß den benötigten Spezifikationen, Schaltungskonfiguration oder dergleichen geändert werden.
  • Eine elektronische Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Verschiedene Designänderungen können in spezifischen Konfigurationen von Bereichen der elektronischen Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung durchgeführt werden. Zum Beispiel umfasst eine elektronische Vorrichtung, gemäß der vorliegenden Offenbarung Ausführungsformen, die sich auf die folgenden Klauseln beziehen.
  • Klausel 1
  • Elektronische Vorrichtung mit:
    • einem isolierenden Substrat, das eine Substratvorderseite uaufweist, welche einer Seite in einer Dickenrichtung zugewandt ist;
    • einem Verdrahtungsabschnitt, der auf der Substratvorderseite ausgebildet ist und aus einem leitenden Material besteht;
    • einem Anschlussrahmen, der auf der Substratvorderseite angeordnet ist;
    • einem ersten Halbleiterelement und einem zweiten Halbleiterelement, die mit dem Anschlussrahmen elektrisch verbunden sind; und
    • einer ersten Steuereinheit, die mit dem Verdrahtungsabschnitt elektrisch verbunden ist und bewirkt, dass das erste Halbleiterelement als ein erster oberer Arm operiert und dass das zweite Halbleiterelement als ein erster unterer Arm operiert,
    • wobei der Anschlussrahmen einen ersten Pad-Abschnitt aufweist, mit welchem das erste Halbleiterelement verbunden ist, und einen zweiten Pad-Abschnitt aufweist, mit welchem das zweite Halbleiterelement verbunden ist,
    • wobei der erste Pad-Abschnitt und der zweite Pad-Abschnitt von dem Verdrahtungsabschnitt beabstandet sind und in einer ersten Richtung so angeordnet sind, dass ein erster Trennbereich zwischen dem ersten Pad-Abschnitt und dem zweiten Pad-Abschnitt eingezwängt ist, wobei die erste Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung steht, und
    • wobei die erste Steuereinheit von dem Anschlussrahmen in einer Betrachtung in der Dickenrichtung beabstandet ist und mit dem ersten Trennbereich in einer Betrachtung in einer zweiten Richtung überlappt, wobei die zweite Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung und der ersten Richtung steht.
  • Klausel 2
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 1, wobei zumindest ein Abschnitt der ersten Steuereinheit mit dem ersten Trennbereich in einer Betrachtung in der ersten Richtung überlappt.
  • Klausel 3
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 1 oder 2, wobei das erste Halbleiterelement eine erste Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite, und eine erste Steuerelektrode aufweist, die auf der ersten Elementvorderseite ausgebildet ist,
    wobei das zweite Halbleiterelement eine zweite Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite, und eine zweite Steuerelektrode aufweist, die auf der zweiten Elementvorderseite ausgebildet ist, und
    wobei die erste Steuereinheit ein erstes Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des ersten Halbleiterelements in die erste Steuerelektrode einspeist und wobei die erste Steuereinheit ein zweites Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des zweiten Halbleiterelements in die zweite Steuerelektrode einspeist.
  • Klausel 4
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 3, wobei die erste Steuereinheit ein erstes Steuerelement aufweist, das das erste Treibersignal ausgibt, und ein zweites Steuerelement aufweist, das das zweite Treibersignal ausgibt.
  • Klausel 5
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 3 oder 4, wobei das erste Halbleiterelement eine erste Elementrückseite aufweist, die dem ersten Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine erste Rückseitenelektrode aufweist, die auf der ersten Elementrückseite ausgebildet ist,
    wobei die erste Rückseitenelektrode mit dem ersten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist,
    wobei das zweite Halbleiterelement eine zweite Elementrückseite aufweist, die dem zweiten Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine zweite Rückseitenelektrode aufweist, die auf der zweiten Elementrückseite ausgebildet ist, und
    wobei die zweite Rückseitenelektrode mit dem zweiten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist.
  • Klausel 6
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 5, wobei das erste Halbleiterelement ferner eine erste Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der ersten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das erste Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist, zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der ersten Rückseitenelektrode und der ersten Vorderseitenelektrode entsprechend dem ersten Treibersignal fließt, und wobei
    das zweite Halbleiterelement ferner eine zweite Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der zweiten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das zweite Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist, zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der zweiten Rückseitenelektrode und der zweiten Vorderseitenelektrode entsprechend dem zweiten Treibersignal fließt.
  • Klausel 7
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 6, wobei der Anschlussrahmen einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss, die voneinander beabstandet sind, aufweist,
    wobei der erste Anschluss den ersten Pad-Abschnitt und einen ersten Terminal-Abschnitt, der mit dem ersten Pad-Abschnitt verbunden ist, aufweist, und wobei
    der zweite Anschluss den zweiten Pad-Abschnitt und einen zweiten Terminal-Abschnitt, der mit dem zweiten Pad-Abschnitt verbunden ist, aufweist.
  • Klausel 8
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 7, wobei der Anschlussrahmen ferner einen dritten Anschluss aufweist, der von dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss beabstandet ist, und
    wobei die zweite Vorderseitenelektrode mit dem dritten Anschluss elektrisch verbunden ist.
  • Klausel 9
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 8, wobei die erste Vorderseitenelektrode mit dem zweiten Anschluss elektrisch verbunden ist.
  • Klausel 10
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 8, wobei der Anschlussrahmen ferner einen vierten Anschluss aufweist, der von dem ersten Anschluss, dem zweiten Anschluss und dem dritten Anschluss beabstandet ist, und
    wobei die erste Vorderseitenelektrode mit dem vierten Anschluss elektrisch verbunden ist.
  • Klausel 11
  • Elektronische Vorrichtung gemäß einer der Klauseln 8 bis 10, ferner mit einem dritten Halbleiterelement und einem vierten Halbleiterelement, die mit dem Anschlussrahmen elektrisch verbunden sind, wobei die Anschlussrahmen einen dritten Pad-Abschnitt aufweisen, mit welchem das dritte Halbleiterelement verbunden ist, und einen vierten Pad-Abschnitt aufweisen, mit welchem das vierte Halbleiterelement verbunden ist, und
    wobei der dritte Pad-Abschnitt und der vierte Pad-Abschnitt von den Verdrahtungsabschnitten beabstandet sind und in der ersten Richtung so angeordnet sind, dass ein zweiter Trennbereich zwischen dem dritten Pad-Abschnitt und dem vierten Pad-Abschnitt eingezwängt ist.
  • Klausel 12
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 11, ferner mit einer zweiten Steuereinheit, die mit dem Verdrahtungsabschnitt elektrisch verbunden ist und die bewirkt, dass das dritte Halbleiterelement als ein zweiter oberer Arm operiert und das vierte Halbleiterelement als ein zweiter unterer Arm operiert,
    wobei die zweite Steuereinheit von den Anschlussrahmen in einer Betrachtung in der Dickenrichtung beabstandet ist und mit dem zweiten Trennbereich in einer Betrachtung in der zweiten Richtung überlappt.
  • Klausel 13
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 12, wobei die erste Steuereinheit und die zweite Steuereinheit in der ersten Richtung angeordnet sind.
  • Klausel 14
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 12 oder 13, wobei zumindest ein Abschnitt der zweiten Steuereinheit mit dem zweiten Trennbereich in einer Betrachtung in der ersten Richtung überlappt.
  • Klausel 15
  • Elektronische Vorrichtung nach einer der Klauseln 12 bis 14, wobei das dritte Halbleiterelement eine dritte Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite, und eine dritte Steuerelektrode aufweist, die auf der dritten Elementvorderseite angeordnet ist,
    wobei das vierte Halbleiterelement eine vierte Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite und eine vierte Steuerelektrode aufweist, die auf der vierten Elementvorderseite angeordnet ist, und
    wobei die zweite Steuereinheit ein drittes Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des dritten Halbleiterelements in die dritte Steuerelektrode einspeist und ein viertes Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des vierten Halbleiterelements in die vierte Steuerelektrode einspeist.
  • Klausel 16
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 15, wobei das dritte Halbleiterelement eine dritte Elementrückseite aufweist, die dem dritten Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine dritte Rückseitenelektrode aufweist, die auf der dritten Elementrückseite ausgebildet ist,
    wobei die dritte Rückseitenelektrode mit dem dritten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist,
    wobei das vierte Halbleiterelement eine vierte Elementrückseite aufweist, die dem vierteb Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine vierte Rückseitenelektrode aufweist, die auf der vierten Elementrückseite ausgebildet ist, und
    wobei die vierte Rückseitenelektrode mit dem vierten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist.
  • Klausel 17
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 16, wobei das dritte Halbleiterelement ferner eine dritte Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der dritten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das dritte Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der dritten Rückseitenelektrode und der dritten Vorderseitenelektrode entsprechend dem dritten Treibersignal fließt, und
    wobei das vierte Halbleiterelement ferner eine vierte Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der vierten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das vierte Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der vierten Rückseitenelektrode und der vierten Vorderseitenelektrode entsprechend dem vierten Treibersignal fließt.
  • Klausel 18
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 17, wobei der erste Pad-Abschnitt, der zweite Pad-Abschnitt, der dritte Pad-Abschnitt und der vierte Pad-Abschnitt in the ersten Richtung angeordnet sind.
  • Klausel 19
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 18, wobei der zweite Pad-Abschnitt und der vierte Pad-Abschnitt des Anschlussrahmens in der ersten Richtung zueinander benachbart sind.
  • Klausel 20
  • Elektronische Vorrichtung nach Klausel 19, wobei die vierte Vorderseitenelektrode elektrisch mit dem dritten Anschluss verbunden ist.
  • Klausel 21
  • Elektronische Vorrichtung nach einer der Klauseln 1 bis 20, ferner mit einem Harzteil, von welchem ein Abschnitt des Anschlussrahmens freigelegt ist und der zumindest einen Abschnitt des isolierenden Substrats, des ersten Halbleiterelements, des zweites Halbleiterelements, der ersten Steuereinheit und des Verdrahtungsabschnittes bedeckt.
  • Klausel 22
  • Elektronische Vorrichtung nach einer der Klauseln 1 bis 21, wobei das isolierende Substrat aus einer Keramik hergestellt ist.
  • Bezugszeichenliste
    • A1 bis A6
    Elektronische Vorrichtung
    1
    Isolierendes Substrat
    11
    Substratvorderseite
    12
    Substratrückseite
    2
    Verdrahtungsabschnitt
    21
    Pad-Abschnitt
    22
    Verbindungsdraht
    31 ,32, 33, 34
    Halbleiterelement
    31a, 32a, 33a, 34a
    Elementvorderseite
    31b, 32b, 33b, 34b
    Elementrückseite
    311, 321, 331, 341
    Steuerelektrode
    312, 322, 332, 342
    Vorderseitenelektrode
    313, 323, 333, 343
    Rückseitenelektrode
    39A, 39B
    Schützendes Element
    391
    Vorderseitenelektrode
    392
    Rückseitenelektrode
    41, 42
    Steuereinheit
    4a, 4b, 4c
    Steuerelement
    40
    Steuervorrichtung
    401
    Harzgehäuse
    402
    Verbindungsterminal
    5
    Passives Element
    5a
    Thermistor
    5b
    Widerstand
    5c
    Shunt-Widerstand
    6
    Anschlussrahmen
    60 bis 69
    Anschluss
    601, 611, 621, 631, 641, 651, 661, 671, 681, 691
    Pad-Abschnitt
    602, 612, 622, 632, 642, 652, 662, 672, 682, 692
    Terminal-Abschnitt
    623 ,663
    Pad-Abschnitt
    71 bis 75
    Verbindungsteil
    8
    Harzteil
    81
    Harzvorderseite
    82
    Harzrückseite
    831 to 834
    Harzseitenfläche
    S1
    Erster Trennbereich
    S2
    Zweiter Trennbereich

Claims (22)

  1. Elektronische Vorrichtung mit: einem isolierenden Substrat, das eine Substratvorderseite aufweist, welche einer Seite in einer Dickenrichtung zugewandt ist; einem Verdrahtungsabschnitt, der auf der Substratvorderseite ausgebildet ist und aus einem leitenden Material besteht; einem Anschlussrahmen, der auf der Substratvorderseite angeordnet ist; einem ersten Halbleiterelement und einem zweiten Halbleiterelement, die mit dem Anschlussrahmen elektrisch verbunden sind; und einer ersten Steuereinheit, die mit dem Verdrahtungsabschnitt elektrisch verbunden ist und bewirkt, dass das erste Halbleiterelement als ein erster oberer Arm operiert und dass das zweite Halbleiterelement als ein erster unterer Arm operiert, wobei der Anschlussrahmen einen ersten Pad-Abschnitt aufweist, mit welchem das erste Halbleiterelement verbunden ist, und einen zweiten Pad-Abschnitt aufweist, mit welchem das zweite Halbleiterelement verbunden ist, wobei der erste Pad-Abschnitt und der zweite Pad-Abschnitt von dem Verdrahtungsabschnitt beabstandet sind und in einer ersten Richtung so angeordnet sind, dass ein erster Trennbereich zwischen dem ersten Pad-Abschnitt und dem zweiten Pad-Abschnitt eingezwängt ist, wobei die erste Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung steht, und wobei die erste Steuereinheit von dem Anschlussrahmen in einer Betrachtung in der Dickenrichtung beabstandet ist und mit dem ersten Trennbereich in einer Betrachtung in einer zweiten Richtung überlappt, wobei die zweite Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung und der ersten Richtung steht.
  2. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei zumindest ein Abschnitt der ersten Steuereinheit mit dem ersten Trennbereich in einer Betrachtung in der ersten Richtung überlappt.
  3. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das erste Halbleiterelement eine erste Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite, und eine erste Steuerelektrode aufweist, die auf der ersten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das zweite Halbleiterelement eine zweite Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite, und eine zweite Steuerelektrode aufweist, die auf der zweiten Elementvorderseite ausgebildet ist, und wobei die erste Steuereinheit ein erstes Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des ersten Halbleiterelements in die erste Steuerelektrode einspeist und wobei die erste Steuereinheit ein zweites Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des zweiten Halbleiterelements in die zweite Steuerelektrode einspeist.
  4. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die erste Steuereinheit ein erstes Steuerelement aufweist, das das erste Treibersignal ausgibt, und ein zweites Steuerelement aufweist, das das zweite Treibersignal ausgibt.
  5. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, wobei das erste Halbleiterelement eine erste Elementrückseite aufweist, die dem ersten Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine erste Rückseitenelektrode aufweist, die auf der ersten Elementrückseite ausgebildet ist, wobei die erste Rückseitenelektrode mit dem ersten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist, wobei das zweite Halbleiterelement eine zweite Elementrückseite aufweist, die dem zweiten Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine zweite Rückseitenelektrode aufweist, die auf der zweiten Elementrückseite ausgebildet ist, und wobei die zweite Rückseitenelektrode mit dem zweiten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist.
  6. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei das erste Halbleiterelement ferner eine erste Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der ersten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das erste Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der ersten Rückseitenelektrode und der ersten Vorderseitenelektrode entsprechend dem ersten Treibersignal fließt, und wobei das zweite Halbleiterelement ferner eine zweite Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der zweiten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das zweite Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist, zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der zweiten Rückseitenelektrode und der zweiten Vorderseitenelektrode entsprechend dem zweiten Treibersignal fließt.
  7. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei der Anschlussrahmen einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss, die voneinander beabstandet sind, aufweist, wobei der erste Anschluss den ersten Pad-Abschnitt und einen ersten Terminal-Abschnitt, der mit dem ersten Pad-Abschnitt verbunden ist, aufweist, und wobei der zweite Anschluss den zweiten Pad-Abschnitt und einen zweiten Terminal-Abschnitt, der mit dem zweiten Pad-Abschnitt verbunden ist, aufweist.
  8. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei der Anschlussrahmen ferner einen dritten Anschluss aufweist, der von dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss beabstandet ist, und wobei die zweite Vorderseitenelektrode mit dem dritten Anschluss elektrisch verbunden ist.
  9. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die erste Vorderseitenelektrode mit dem zweiten Anschluss elektrisch verbunden ist.
  10. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei der Anschlussrahmen ferner einen vierten Anschluss aufweist, der von dem ersten Anschluss, dem zweiten Anschluss und dem dritten Anschluss beabstandet ist, und wobei die erste Vorderseitenelektrode mit dem vierten Anschluss elektrisch verbunden ist.
  11. Elektronische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 8 bis 10, ferner mit einem dritten Halbleiterelement und einem vierten Halbleiterelement, die mit dem Anschlussrahmen elektrisch verbunden sind, wobei die Anschlussrahmen einen dritten Pad-Abschnitt aufweisen, mit welchem das dritte Halbleiterelement verbunden ist, und einen vierten Pad-Abschnitt aufweisen, mit welchem das vierte Halbleiterelement verbunden ist, und wobei der dritte Pad-Abschnitt und der vierte Pad-Abschnitt von den Verdrahtungsabschnitten beabstandet sind und in der ersten Richtung so angeordnet sind, dass ein zweiter Trennbereich zwischen dem dritten Pad-Abschnitt und dem vierten Pad-Abschnitt eingezwängt ist.
  12. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 11, ferner mit einer zweiten Steuereinheit, die mit dem Verdrahtungsabschnitt elektrisch verbunden ist und die bewirkt, dass das dritte Halbleiterelement als ein zweiter oberer Arm operiert und das vierte Halbleiterelement als ein zweiter unterer Arm operiert, wobei die zweite Steuereinheit von den Anschlussrahmen in einer Betrachtung in der Dickenrichtung beabstandet ist und mit dem zweiten Trennbereich in einer Betrachtung in der zweiten Richtung überlappt.
  13. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 12, wobei die erste Steuereinheit und die zweite Steuereinheit in der ersten Richtung angeordnet sind.
  14. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, wobei zumindest ein Abschnitt der zweiten Steuereinheit mit dem zweiten Trennbereich in einer Betrachtung in der ersten Richtung überlappt.
  15. Elektronische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei das dritte Halbleiterelement eine dritte Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite, und eine dritte Steuerelektrode aufweist, die auf der dritten Elementvorderseite angeordnet ist, wobei das vierte Halbleiterelement eine vierte Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite und eine vierte Steuerelektrode aufweist, die auf der vierten Elementvorderseite angeordnet ist, und wobei die zweite Steuereinheit ein drittes Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des dritten Halbleiterelements in die dritte Steuerelektrode einspeist und ein viertes Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des vierten Halbleiterelements in die vierte Steuerelektrode einspeist.
  16. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei das dritte Halbleiterelement eine dritte Elementrückseite aufweist, die dem dritten Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine dritte Rückseitenelektrode aufweist, die auf der dritten Elementrückseite ausgebildet ist, wobei die dritte Rückseitenelektrode mit dem dritten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist, wobei das vierte Halbleiterelement eine vierte Elementrückseite aufweist, die dem vierteb Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine vierte Rückseitenelektrode aufweist, die auf der vierten Elementrückseite ausgebildet ist, und wobei die vierte Rückseitenelektrode mit dem vierten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist.
  17. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 16, wobei das dritte Halbleiterelement ferner eine dritte Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der dritten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das dritte Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der dritten Rückseitenelektrode und der dritten Vorderseitenelektrode entsprechend dem dritten Treibersignal fließt, und wobei das vierte Halbleiterelement ferner eine vierte Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der vierten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das vierte Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der vierten Rückseitenelektrode und der vierten Vorderseitenelektrode entsprechend dem vierten Treibersignal fließt.
  18. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 17, wobei der erste Pad-Abschnitt, der zweite Pad-Abschnitt, der dritte Pad-Abschnitt und der vierte Pad-Abschnitt in the ersten Richtung angeordnet sind.
  19. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei der zweite Pad-Abschnitt und der vierte Pad-Abschnitt des Anschlussrahmens in der ersten Richtung zueinander benachbart sind.
  20. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei die vierte Vorderseitenelektrode elektrisch mit dem dritten Anschluss verbunden ist.
  21. Elektronische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 20, ferner mit einem Harzteil, von welchem ein Abschnitt des Anschlussrahmens freigelegt ist und der zumindest einen Abschnitt des isolierenden Substrats, des ersten Halbleiterelements, des zweites Halbleiterelements, der ersten Steuereinheit und des Verdrahtungsabschnittes bedeckt.
  22. Elektronische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 21, wobei das isolierende Substrat aus einer Keramik hergestellt ist.
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