DE112015004661B4 - Light emitting device and method of manufacturing a light emitting device - Google Patents

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Abstract

Lichtemittierende Vorrichtung (1), umfassend: eine Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination (107); und einen lichtemittierenden Abschnitt (108), der auf der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination (107) angeordnet ist und eine zweite Halbleiterschicht (105) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, eine aktive Schicht (104) und eine erste Halbleiterschicht (103) eines ersten Leitfähigkeitstyps in der erwähnten Reihenfolge umfasst,wobei die lichtemittierende Vorrichtung (1) umfasst: einen Entfernungsabschnitt (170), in dem der lichtemittierende Abschnitt (108) entfernt wird; einen vom Entfernungsabschnitt (170) verschiedenen Nichtentfernungsabschnitt (180); eine erste ohmsche Elektrode (121), die auf der ersten Halbleiterschicht (103) im Nichtentfernungsabschnitt (180) angeordnet ist; und eine zweite ohmsche Elektrode (122), die auf der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination (107) im Entfernungsabschnitt (170) angeordnet ist, undzumindest ein Teil einer Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (103) und ein Teil einer Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts (108) mit einer Isolatordeckbeschichtung (150) bedeckt sind, eine Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (103) mit Ausnahme eines äußeren peripheren Teils (131) und eine Oberfläche der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination (107) aufgeraut werden und Rzder Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts (108) kleiner als 2 µm ist.A light emitting device (1) comprising: a window layer support substrate combination (107); and a light-emitting portion (108) disposed on said window layer-supporting substrate combination (107) and having a second semiconductor layer (105) of a second conductivity type, an active layer (104) and a first semiconductor layer (103) of a first conductivity type in said mentioned order, wherein the light emitting device (1) comprises: a removing section (170) in which the light emitting section (108) is removed; a non-removal section (180) different from the removal section (170); a first ohmic electrode (121) disposed on the first semiconductor layer (103) in the non-removing portion (180); and a second ohmic electrode (122) disposed on the window layer-supporting substrate combination (107) in the removing section (170), andat least a part of a surface of the first semiconductor layer (103) and a part of a side surface of the light-emitting section (108) are covered with an insulator overcoat (150), a surface of the first semiconductor layer (103) except an outer peripheral part (131) and a surface of the window layer-support substrate combination (107) are roughened, and Rz of the side surface of the light-emitting portion (108) becomes smaller than 2 µm.

Description

TECHNISCHES GEBIETTECHNICAL AREA

Die vorliegende Erfindung betrifft eine lichtemittierende Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung und insbesondere eine Struktur und ein Herstellungsverfahren zum Zeitpunkt des Bildens einer ersten Halbleiterschicht, einer aktiven Schicht, einer zweiten Halbleiterschicht und einer Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination auf einem Substrat durch Epitaxialwachstum, Entfernen des Substrats und nachfolgendes Durchführen einer Oberflächenaufrauungsbehandlung an einem Substrat eines lichtemittierenden Vorrichtungssubstrats, das darauf gebildete Elektroden aufweist.The present invention relates to a light-emitting device and a method for manufacturing a light-emitting device, and more particularly to a structure and a manufacturing method at the time of forming a first semiconductor layer, an active layer, a second semiconductor layer and a window layer-base substrate combination on a substrate by epitaxial growth, removing the substrate and then performing a surface-roughening treatment on a substrate of a light-emitting device substrate having electrodes formed thereon.

STAND DER TECHNIKSTATE OF THE ART

In letzter Zeit hat eine Verbesserung eines Wirkungsgrads von lichtemittierenden Dioden (LED) Fortschritte gemacht und eine Anwendung auf Beleuchtungsgeräte ist vorangeschritten. Die meisten Beleuchtungsgeräte in herkömmlichen Beispielen sind Geräte, die eine Kombination aus einer InGaN-basierten blauen LED und einem Fluoreszenzstoff sind. Wenn ein Fluoreszenzstoff verwendet wird, kann jedoch ein Auftreten eines Stokes-Verlusts grundsätzlich nicht vermieden werden und es besteht das Problem, dass nicht das gesamte, vom Fluoreszenzstoff empfangene Licht in andere Wellenlängen umgewandelt werden kann. Insbesondere ist dieses Problem in Bereichen mit gelber Farbe und roter Farbe bedeutend, die relativ längere Wellenlängen als die mit blauer Farbe aufweisen.Recently, improvement of efficiency of light emitting diodes (LED) has progressed, and application to lighting devices has progressed. Most lighting devices in conventional examples are devices that are a combination of an InGaN-based blue LED and a fluorescent substance. However, when a fluorescent substance is used, occurrence of a Stokes loss cannot be avoided in principle, and there is a problem that all light received from the fluorescent substance cannot be converted into other wavelengths. In particular, this problem is significant in areas of yellow color and red color, which have relatively longer wavelengths than those of blue color.

Um diese Aufgabe zu lösen, wurde vor Kurzem eine Technologie zum Kombinieren einer gelben oder roten LED mit einer blauen LED eingeführt. Derzeit finden Beleuchtungsgeräte vom Glühbirnentyp, die jeweils LEDs aufweisen, die auf einer Platine ausgerichtet sind, um eine Lichtemission vom Filamenttyp durchzuführen, anstatt Licht zu einer Oberfläche wie COB-Typen (Chip-on-Board-Typen) zu extrahieren, weitverbreitete Verwendung. Da eine LED-Vorrichtung, die bei dieser Art von Gerät angewandt wird, Licht über eine gesamte Filamentoberfläche extrahieren muss, ist ein Typ, der Licht zu einer Seite der Vorrichtung extrahiert, nicht geeignet und eine Vorrichtung ist ideal, die eine Lichtverteilung aufweist, um Licht auf eine gesamte Chipkugel zu extrahieren.In order to solve this problem, a technology for combining a yellow or red LED with a blue LED has recently been introduced. Currently, bulb-type lighting devices each having LEDs aligned on a board to perform filament-type light emission instead of extracting light to a surface such as COB (chip-on-board) types are in widespread use. Since an LED device applied to this type of device needs to extract light over an entire filament surface, a type that extracts light to one side of the device is not suitable, and a device that has a light distribution around is ideal Extract light onto an entire chip sphere.

Allgemein wird ein Saphirsubstrat für eine InGaN-basierte LED, d. h., die blaue LED verwendet, und das Saphirsubstrat ist für eine Emissionswellenlänge transparent und daher ideal für die Beleuchtungsgeräte. In einer gelben oder roten LED wird jedoch als Ausgangssubstrat GaAs oder Ge verwendet, das als lichtabsorbierendes Substrat für die Emissionswellenlänge verwendet werden kann, und ein solches Material ist für den Verwendungszweck nicht geeignet.In general, a sapphire substrate for an InGaN-based LED, i. That is, using blue LED, and the sapphire substrate is transparent for an emission wavelength and therefore ideal for the lighting devices. However, in a yellow or red LED, GaAs or Ge, which can be used as a light-absorbing substrate for the emission wavelength, is used as a starting substrate, and such a material is not suitable for the purpose of use.

Um diese Aufgabe zu lösen, wurde ein Verfahren zum Verbinden eines transparenten Substrats mit einem lichtemittierenden Abschnitt wie in Patentdokument 1 offenbart oder eine Technologie zum Aufwachsen einer Fensterschicht, bis sie eine Dicke erreicht, die in einem Trägersubstrat verwendet werden kann, und zum Entfernen eines Ausgangssubstrats offenbart, das ein lichtabsorbierendes Substrat ist, um eine LED wie in Patentdokument 2 beschrieben bereitzustellen.To achieve this object, a method of bonding a transparent substrate to a light-emitting portion as disclosed in Patent Document 1, or a technology of growing a window layer until it reaches a thickness that can be used in a supporting substrate and removing a starting substrate has been disclosed is disclosed which is a light absorbing substrate to provide an LED as described in Patent Document 2.

Im in Patentdokument 1 offenbarten Verfahren muss das Substrat abgekratzt werden, bis es nach der Verbindung eine vorbestimmte Dicke erreicht, da das transparente Substrat mit einer notwendigen Dicke oder darüber verbunden werden muss, was zur Kostenerhöhung beitragen kann. Ferner weist das zum Verbinden verwendete Substrat üblicherweise eine Dicke von 200 µm oder darüber auf. Da in Anbetracht der Lichtverteilungsmerkmale und Montageeigenschaften auf andere Vorrichtungen eine für eine LED-Vorrichtung erforderliche Belagdicke maximal 100 µm beträgt, muss eine Ausdünnung bis zu diesem Dickeausmaß durchgeführt werden. Die Arbeitsstunden erhöhen sich aufgrund der Durchführung der Ausdünnung und die Gefahr steigt, dass ein Wafer zerbricht, was in einer Steigerung der Kosten und einer Reduktion des Ertrags resultiert.In the method disclosed in Patent Document 1, since the transparent substrate of a necessary thickness or more needs to be bonded, the substrate needs to be scraped off until it reaches a predetermined thickness after bonding, which may contribute to cost increase. Furthermore, the substrate used for bonding usually has a thickness of 200 μm or more. Since a plate thickness required for an LED device is 100 µm at maximum in consideration of light distribution characteristics and mounting properties on other devices, thinning must be performed to this thickness extent. Man-hours increase due to performing thinning and a risk of breaking a wafer increases, resulting in an increase in cost and a reduction in yield.

Andererseits ist beim Verfahren zur Verwendung der Fensterschicht, die durch Kristallwachstum aufgewachsen wurde, bis sie eine Dicke erreicht hat, die für das Trägersubstrat verwendet werden kann, als Trägersubstrat, das in Patentdokument 2 offenbart wird, das Aufwachsen der Fensterschicht ausreichend, bis sie die gewünschte Dicke erreicht, und der Ausdünnungsschritt oder ein Substratverbindungs-/Bondierschritt nicht erforderlich und daher ist eine Fertigung zu niedrigen Kosten möglich, was beweist, dass dies ein ausgezeichnetes Verfahren ist.On the other hand, in the method of using the window layer, which has been grown by crystal growth until it reaches a thickness that can be used for the supporting substrate, as the supporting substrate disclosed in Patent Document 2, the growth of the window layer is sufficient until it has the desired thickness is reached, and the thinning step or a substrate connecting/bonding step is not required and therefore low-cost manufacturing is possible, proving that this is an excellent method.

Darüber hinaus wird im Allgemeinen in einer lichtemittierenden Vorrichtung mit einem solchen transparenten Trägersubstrat wie oben beschrieben eine Technik angewandt, die eine mehrfache Reflexion in der lichtemittierenden Vorrichtung verhindert und eine Lichtabsorption unterdrückt, um eine Lichtausbeute zu verbessern. Patentdokument 3 schlägt ein Verfahren zum Durchführen einer Oberflächenaufrauung an einer Fensterschicht-Stromdiffusionsschicht-Kombination und einer Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination und ohne Durchführen einer Oberflächenaufrauung an einem lichtemittierenden Abschnitt in einer Struktur vor, in der die dicke Fensterschicht-Stromdiffusionsschicht-Kombination und die dicke Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination den lichtemittierenden Abschnitt sandwichartig zwischen ihnen umgeben. Nach diesem Verfahren muss jedoch eine tiefe Rinne gebildet werden, die die Fensterschicht-Stromdiffusionsschicht-Kombination durchdringt, die Kosten werden erhöht und ein Drahtbonden wird schwierig, da es einen großen vertikalen Abstand zwischen den oberen und unteren Elektroden gibt. Bei Anwendung auf einen Flip-Chip-Typ müssen ein dicker Isolatorbelag und eine sehr lange Metalldurchkontaktierung gebildet werden, was zu einer Erhöhung der Kosten führt. Deshalb ist es wünschenswert, dass die Fensterschicht-Stromdiffusionsschicht-Kombination, die den oberen Elektrodenabschnitt bildet, dünn ist.Moreover, in a light-emitting device having such a transparent support substrate as described above, a technique that prevents multiple reflection in the light-emitting device and suppresses light absorption to improve luminous efficiency is generally employed. Patent Document 3 proposes a method of performing surface roughening on a window layer-current diffusion layer combination and a window layer-base substrate combination and without performing surface roughening on a light emitter ends section in a structure in which the thick window layer-current diffusion layer combination and the thick window layer-support substrate combination sandwich the light-emitting portion between them. According to this method, however, a deep groove penetrating the window layer-current diffusion layer combination must be formed, costs are increased, and wire bonding becomes difficult because there is a large vertical distance between the top and bottom electrodes. When applied to a flip-chip type, a thick insulator film and a very long metal via must be formed, resulting in an increase in cost. Therefore, it is desirable that the window layer-current diffusion layer combination forming the upper electrode portion is thin.

Als offenbarte Technologien zum Reduzieren der Dicke der Fensterschicht-Stromdiffusionsschicht-Kombination, zum Verringern des vertikalen Abstands zwischen dem oberen Elektrodenabschnitt und dem unteren Elektrodenabschnitt und zum Bereitstellen einer aufgerauten Oberfläche eines Licht extrahierenden Abschnitts oder eines Licht reflektierenden Abschnitts gibt es Patentdokument 4 und Patentdokument 5. In Patentdokument 4 wird eine aufgeraute Oberfläche auf einer Oberfläche einer Halbleiterschicht vom n-Typ auf der einer Licht extrahierenden Oberflächenseite gegenüberliegenden Seite gebildet, aber dies ist eine Offenbarung einer Technologie in Bezug auf den Flip-Chip-Typ mit der Absicht, Licht von einer Elektrodenseite zu einer Fensterschichtseite effizient zu reflektieren. Darüber hinaus ist es schwierig, aufgeraute Oberflächen auf sowohl einer Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination als auch einem lichtemittierenden Abschnitt zu bilden.As disclosed technologies for reducing the thickness of the window layer-current diffusion layer combination, reducing the vertical distance between the upper electrode portion and the lower electrode portion, and providing a roughened surface of a light extracting portion or a light reflecting portion, there are Patent Document 4 and Patent Document 5. In Patent Document 4, a roughened surface is formed on a surface of an n-type semiconductor layer on the opposite side to a light-extracting surface side, but this is a disclosure of technology related to the flip-chip type with the intention of extracting light from an electrode side to reflect to a window layer side efficiently. In addition, it is difficult to form roughened surfaces on both a window sheet-mounting substrate combination and a light-emitting portion.

Patentdokument 5 offenbart eine Technologie, durch die eine Oberfläche eines lichtemittierenden Abschnitts aufgeraut wird und eine Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts eine Mesaform mit verschiedenen Winkeln oder eine einfache Mesaform aufweist. In diesem Fall wird eine Struktur vom Reflexionstyp, die keine Oberflächenaufrauung erfordert, für das Substrat angenommen. Zusätzlich wird eine Technologie zum Bilden einer Unebenheit in beispielsweise einem 2-µm-Intervall oder Ähnlichem auf der Oberfläche des lichtemittierenden Abschnitts durch Fotolithografie offenbart.Patent Document 5 discloses a technology by which a surface of a light-emitting portion is roughened and a side surface of the light-emitting portion has a mesa shape with various angles or a simple mesa shape. In this case, a reflection-type structure that does not require surface roughening is adopted for the substrate. In addition, a technology of forming an unevenness at, for example, a 2 µm interval or so on the surface of the light-emitting portion by photolithography is disclosed.

Wenn andererseits die Fensterschicht-Trägersubstratkombination durch Epitaxialwachstum gebildet wird, verzieht sich das Substrat aufgrund von Gitterfehlversetzungen erheblich und es ist sehr schwierig, durch das Fotolithografieverfahren eine einheitliche Struktur auf der Oberfläche des lichtemittierenden Abschnitts mit einem Rastermaß von 2 µm oder darunter zu bilden, auch wenn ein Kontaktbelichtungsverfahren angewandt wird. Wenn die Fensterschicht-Trägersubstratkombination durch das Epitaxialwachstum gebildet wird, wird deshalb die Oberfläche des lichtemittierenden Abschnitts durch Verwendung einer Flüssigkeit zur Oberflächenaufrauung aufgeraut. DE 10 2011 010 629 A1 offenbart eine optoelektronische Vorrichtung, mit einem Substrat, einer ersten Fensterschicht auf dem Substrat mit einem ersten Schichtwiderstand, einer ersten Dicke und einer ersten Störstellenkonzentration, mit einer zweiten Fensterschicht mit einem zweiten Schichtwiderstand, einer zweiten Dicke und einer zweiten Störstellenkonzentration, und einem Halbleitersystem zwischen der ersten Fensterschicht und der zweiten Fensterschicht, wobei die zweite Fensterschicht ein Halbleitermaterial umfasst, das sich von dem Halbleitersystem unterscheidet, und der zweite Schichtwiderstand ist größer als der erste Schichtwiderstand. US 2011 / 0 024 781 A1 offenbart eine lichtemittierende Vorrichtung mit einer lichtemittierenden Schicht mit einer ersten Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer zweiten Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der sich von dem ersten Leitfähigkeitstyp unterscheidet, und einer aktiven Schicht, die zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist, einer reflektierenden Schicht, die auf einer Seite der einer Oberfläche der lichtemittierenden Schicht, die ein von der aktiven Schicht emittiertes Licht reflektiert Licht reflektiert, das von der aktiven Schicht emittiert wird, ein Trägersubstrat, das auf einer gegenüberliegenden Seite der reflektierenden Schicht in Bezug auf die lichtemittierenden Schicht vorgesehen ist, das die lichtemittierende Schicht über eine Adhäsionsschicht, einen ohmschen Kontaktabschnitt, der auf einem Teil der reflektierenden Schicht vorgesehen ist, der eine elektrische Verbindung zwischen der reflektierenden Schicht und der lichtemittierenden Schicht verbindet, und konvex-konkave Abschnitte, die auf einer anderen Oberfläche der der lichtemittierenden Schicht und Seitenflächen der lichtemittierenden Schicht der lichtemittierenden Schicht bzw. Seitenflächen der lichtemittierenden Schicht ausgebildet sind, und eine die konvex-konkaven Abschnitte zu bedecken.On the other hand, when the window layer-carrier-substrate combination is formed by epitaxial growth, the substrate warps significantly due to lattice dislocations, and it is very difficult to form a uniform structure on the surface of the light-emitting portion with a pitch of 2 µm or below by the photolithography process, even if a contact exposure method is used. Therefore, when the window layer-supporting substrate combination is formed by the epitaxial growth, the surface of the light-emitting portion is roughened by using a surface-roughening liquid. DE 10 2011 010 629 A1 discloses an optoelectronic device comprising a substrate, a first window layer on the substrate having a first sheet resistance, a first thickness and a first impurity concentration, a second window layer having a second sheet resistance, a second thickness and a second impurity concentration, and a semiconductor system between the first window layer and the second window layer, wherein the second window layer comprises a semiconductor material different from the semiconductor system and the second sheet resistance is greater than the first sheet resistance. U.S. 2011/0 024 781 A1 discloses a light-emitting device having a light-emitting layer with a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type that differs from the first conductivity type, and an active layer, which is arranged between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, a reflective layer formed on one side of a surface of the light-emitting layer that reflects a light emitted from the active layer and reflects light emitted from the active layer, a support substrate formed on an opposite side of the reflective layer with respect to the light-emitting layer is provided that the light-emitting layer is bonded via an adhesion layer, an ohmic contact portion provided on a part of the reflective layer, providing electrical connection between the reflective layer and d connecting the light-emitting layer, and convexo-concave portions formed on another surface of the light-emitting layer and side surfaces of the light-emitting layer of the light-emitting layer and side surfaces of the light-emitting layer, respectively, and one to cover the convexo-concave portions.

ENTGEGENHALTUNGSLISTELIST OF REFERENCES

PATENTLITERATURPATENT LITERATURE

  • Patentdokument 1: JP 5 427 585 B2 Patent Document 1: JP 5 427 585 B2
  • Patentdokument 2: JP 4 569 858 B2 Patent Document 2: JP 4 569 858 B2
  • Patentdokument 3: JP 4 715 370 B2 Patent Document 3: JP 4 715 370 B2
  • Patentdokument 4: JP 2007 - 059 518 A Patent Document 4: JP 2007 - 059 518 A
  • Patentdokument 5: JP 2011 - 198 992 A Patent Document 5: JP 2011 - 198 992 A

DARSTELLUNG DER ERFINDUNGPRESENTATION OF THE INVENTION

TECHNISCHE AUFGABETECHNICAL TASK

Wenn die Oberfläche des lichtemittierenden Abschnitts jedoch durch Verwendung der Oberflächenaufrauungsflüssigkeit aufgeraut wird und danach eine Vorrichtungsisolation durchgeführt wird, weist eine Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts, der der Vorrichtungsisolation unterzogen wurde, eine Form auf, bei der die Unebenheit der aufgerauten Oberfläche des lichtemittierenden Abschnitts wiedergegeben wird. Während der Vorrichtungsisolation wird das Ätzen des lichtemittierenden Abschnitts schnell abgeschlossen und erreicht den Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombinationsabschnitt in konkaven Teilen, da diese Teile dünn sind, wohingegen ein langsames Ätzen den Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombinationsabschnitt in konvexen Teilen erreicht, da diese Teile dick sind. Deshalb wird der lichtemittierende Abschnitt in den konkaven Teilen übermäßig geätzt, wohingegen die konvexen Teile geätzt werden, um die Unebenheit auf der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts in einer Ätzrichtung in einer Projektionsansicht zu bilden. Im Fall, dass die Vorrichtungsisolation nach der Aufrauung der Oberfläche des lichtemittierenden Abschnitts auf diese Weise unter Verwendung einer Oberflächenaufrauungsflüssigkeit durchgeführt wird, neigen elektrische Felder dazu, sich an den konvexen Teilen in Form der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts zu konzentrieren, der der Vorrichtungsisolation unterzogen wurde, und das Problem eines Ausfalls aufgrund von Kriechverlusten oder eines Ausfalls aufgrund einer ESD (elektrostatischen Entladung) entsteht.However, when the surface of the light-emitting portion is roughened by using the surface-roughening liquid and then device isolation is performed, a side surface of the light-emitting portion that has been subjected to device isolation has a shape in which the unevenness of the roughened surface of the light-emitting portion is reproduced. During device isolation, the etching of the light-emitting portion is quickly completed and reaches the window layer-base substrate combined portion in concave parts because these parts are thin, whereas slow etching reaches the window layer-base substrate combined portion in convex parts because these parts are thick. Therefore, the light-emitting portion is excessively etched in the concave parts, whereas the convex parts are etched to form the unevenness on the side surface of the light-emitting portion in an etching direction in a projection view. In the case that device isolation is performed after roughening the surface of the light-emitting portion in this way using a surface-roughening liquid, electric fields tend to concentrate on the convex parts in the form of the side surface of the light-emitting portion that has been subjected to device isolation. and the problem of failure due to leakage or failure due to ESD (electrostatic discharge) arises.

Angesichts dieses Problems ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine lichtemittierende Vorrichtung bereitzustellen, die eine Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination und einen lichtemittierenden Abschnitt aufweist und nach Aufrauen einer Oberfläche der lichtemittierenden Vorrichtung mithilfe einer Oberflächenaufrauungsflüssigkeit einer Vorrichtungsisolation unterzogen wird und bei der das Auftreten eines Kriechverlust-Ausfalls oder eines ESD-Ausfalls unterbunden wird, und auch, ein Verfahren zum Herstellen einer solchen lichtemittierenden Vorrichtung bereitzustellen.In view of this problem, it is an object of the present invention to provide a light-emitting device which has a window sheet-mounting substrate combination and a light-emitting portion and is subjected to device isolation after roughening a surface of the light-emitting device using a surface-roughening liquid and in which leakage- failure or an ESD failure is suppressed, and also to provide a method of manufacturing such a light emitting device.

LÖSUNG DER AUFGABESOLUTION OF THE TASK

Um die Aufgabe zu lösen, stellt die vorliegende Erfindung eine lichtemittierende Vorrichtung bereit, die Folgendes enthält: eine Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination; und einen lichtemittierenden Abschnitt, der auf der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination vorgesehen ist und eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, eine aktive Schicht und eine erste Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps in der erwähnten Reihenfolge enthält,
wobei die lichtemittierende Vorrichtung Folgendes enthält: einen Entfernungsabschnitt, in dem der lichtemittierende Abschnitt entfernt wird; einen vom Entfernungsabschnitt verschiedenen Nichtentfernungsabschnitt; eine erste ohmsche Elektrode, die auf der ersten Halbleiterschicht im Nichtentfernungsabschnitt vorgesehen ist; und eine zweite ohmsche Elektrode, die auf der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination im Entfernungsabschnitt vorgesehen ist, und
zumindest ein Teil einer Oberfläche der ersten Halbleiterschicht und ein Teil einer Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts mit einer Isolatorbeschichtung bedeckt sind, eine Oberfläche der ersten Halbleiterschicht mit Ausnahme eines äußeren peripheren Teils und eine Oberfläche der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination aufgeraut werden und Rz der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts kleiner als 2 µm ist.In order to achieve the object, the present invention provides a light-emitting device including: a window layer-mounting substrate combination; and a light-emitting portion which is provided on the window layer-supporting substrate combination and includes a second semiconductor layer of a second conductivity type, an active layer and a first semiconductor layer of a first conductivity type in the order mentioned,
wherein the light-emitting device includes: a removing portion in which the light-emitting portion is removed; a non-removal section different from the removal section; a first ohmic electrode provided on the first semiconductor layer in the non-removing portion; and a second ohmic electrode provided on the window layer-supporting substrate combination in the removal section, and
at least a part of a surface of the first semiconductor layer and a part of a side surface of the light-emitting portion are covered with an insulator coating, a surface of the first semiconductor layer except an outer peripheral part and a surface of the window layer-support substrate combination are roughened, and R z of the side surface of the light-emitting portion is less than 2 microns.

In Übereinstimmung mit einer solchen lichtemittierenden Vorrichtung wird eine lichtemittierende Vorrichtung bereitgestellt, die die Lichtausbeute durch die Oberflächenaufrauung verbessern kann und das Auftreten von Kriechverlust-Ausfällen und ESD-Ausfällen unterbindet, die von einer unebenen Form der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts abhängen.According to such a light emitting device, there is provided a light emitting device that can improve the luminous efficiency by the surface roughening and suppress the occurrence of leakage failure and ESD failure depending on an uneven shape of the side surface of the light emitting portion.

Es wird bevorzugt, dass die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination aus einem von Folgendem besteht: GaP, GaAsP, AlGaAs, Saphir (Al2O3), Quarz (SiO2) und SiC; und es wird bevorzugt, dass die erste Halbleiterschicht, die aktive Schicht und die zweite Halbleiterschicht aus AlGaInP oder AlGaAs bestehen.It is preferred that the window layer-supporting substrate combination consists of one of the following: GaP, GaAsP, AlGaAs, sapphire (Al 2 O 3 ), quartz (SiO 2 ), and SiC; and it is preferable that the first semiconductor layer, the active layer and the second semiconductor layer are made of AlGaInP or AlGaAs.

Wie oben beschrieben können die oben erwähnten Materialien vorzugsweise für die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination, die erste Halbleiterschicht, die aktive Schicht und die zweite Halbleiterschicht verwendet werden.As described above, the above-mentioned materials can be preferably used for the window layer-supporting substrate combination, the first semiconductor layer, the active layer and the second semiconductor layer.

Ferner stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung bereit, das aus Folgendem besteht: einem Schritt zum sequenziellen Aufwachsen einer ersten Halbleiterschicht, einer aktiven Schicht und einer zweiten Halbleiterschicht auf einem Substrat durch Epitaxialwachstum unter Verwendung eines Materials, das im Gitter mit dem Substrat übereinstimmt, um einen lichtemittierenden Abschnitt zu bilden; einen Schritt zum Bilden einer Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination auf dem lichtemittierenden Abschnitt durch das Epitaxialwachstum unter Verwendung eines Materials, das im Gitter mit dem Substrat nicht übereinstimmt; einen Schritt zum Entfernen des Substrats; einen Schritt zum Bilden einer ersten ohmschen Elektrode auf einer Oberfläche der ersten Halbleiterschicht; einen ersten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt zum Durchführen einer Oberflächenaufrauungsbehandlung an der Oberfläche der ersten Halbleiterschicht; ein Vorrichtungsisolationsschritt zum Bilden eines Entfernungsabschnitts, in dem ein Teil des lichtemittierenden Abschnitts entfernt wird, und eines vom Entfernungsabschnitt verschiedenen Nichtentfernungsabschnitts; einen Schritt zum Bilden einer zweiten ohmschen Elektrode auf der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination, wobei der lichtemittierende Abschnitt von dieser entfernt wird; einen Schritt zum Bedecken zumindest eines Teils der Oberfläche der ersten Halbleiteroberfläche und eines Teils einer Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts mit einer Isolatorbeschichtung; und einem zweiten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt zum Aufrauen einer Oberfläche und einer Seitenfläche der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination,
wobei im ersten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt keine Oberflächenaufrauung an einer Peripherie der ersten ohmschen Elektrode und an einem Bereich durchgeführt wird, der im nachfolgenden Vorrichtungsisolationsschritt zu einem äußeren peripheren Teil der Oberfläche der ersten Halbleiterschicht im Nichtentfernungsabschnitt wird.Further, the present invention provides a method of manufacturing a light-emitting device, which consists of: a step of sequentially growing a first semiconductor layer, an active layer and a second semiconductor layer on a substrate by epitaxial growth using a material lattice-matched with the substrate conforms to form a light emitting portion; a step of forming a window layer-supporting substrate combination on the light-emitting portion by the epitaxial growth using a material lattice-mismatched with the substrate; a step of removing the substrate; a step to forming one first ohmic electrode on a surface of the first semiconductor layer; a first surface-roughening treatment step of performing a surface-roughening treatment on the surface of the first semiconductor layer; a device isolation step of forming a removing portion in which a part of the light emitting portion is removed and a non-removing portion different from the removing portion; a step of forming a second ohmic electrode on the window layer-supporting substrate combination with the light-emitting portion removed therefrom; a step of covering at least a part of the surface of the first semiconductor surface and a part of a side face of the light emitting portion with an insulator coating; and a second surface-roughening treatment step of roughening a surface and a side surface of the window layer-supporting substrate combination,
wherein in the first surface-roughening treatment step, surface-roughening is not performed on a periphery of the first ohmic electrode and on a region that becomes an outer peripheral part of the surface of the first semiconductor layer in the non-removing portion in the subsequent device isolation step.

Nach einem solchen Herstellungsverfahren ist es möglich, eine lichtemittierende Vorrichtung herzustellen, die die Lichtausbeute durch die Oberflächenaufrauung verbessern kann und das Auftreten von Kriechverlust-Ausfällen und ESD-Ausfällen unterbindet, die von einer unebenen Form der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts abhängen.According to such a manufacturing method, it is possible to manufacture a light-emitting device that can improve the luminous efficiency by the surface roughening and suppress the occurrence of leakage failure and ESD failure depending on an uneven shape of the side surface of the light-emitting portion.

Es wird bevorzugt, dass das Substrat aus einem von Folgendem besteht: GaP, GaAsP, AlGaAs, Saphir (Al2O3), Quarz (SiO2) und SiC; die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination aus GaP oder GaAsP besteht; und die erste Halbleiterschicht, die aktive Schicht und die zweite Halbleiterschicht aus AlGaInP oder AlGaAs bestehen.It is preferred that the substrate consists of one of: GaP, GaAsP, AlGaAs, sapphire (Al 2 O 3 ), quartz (SiO 2 ), and SiC; the window layer-carrier substrate combination consists of GaP or GaAsP; and the first semiconductor layer, the active layer and the second semiconductor layer are made of AlGaInP or AlGaAs.

Wie oben beschrieben können die oben erwähnten Materialien vorzugsweise für das Substrat, die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination, die erste Halbleiterschicht, die aktive Schicht und die zweite Halbleiterschicht verwendet werden.As described above, the above-mentioned materials can be preferably used for the substrate, the window layer-supporting substrate combination, the first semiconductor layer, the active layer and the second semiconductor layer.

Es wird bevorzugt, dass der erste Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt unter Verwendung einer Flüssigkeitsmischung aus einer organischen Säure und einer anorganischen Säure durchgeführt wird und dass die Flüssigkeitsmischung eine Lösung ist, die eine oder mehrere der folgenden Säuren als organische Säure beinhaltet: Zitronensäure, Malonsäure, Ameisensäure, Ethansäure und Weinsäure, und eine oder mehrere der folgenden Säuren als anorganische Säure beinhaltet: Chlorwasserstoffsäure, Schwefelsäure, Salpetersäure und Fluorwasserstoffsäure; und dass
der zweite Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt unter Verwendung einer Lösung durchgeführt wird, die eine oder mehrere organische Säuren beinhaltet, einschließlich einer Zitronensäure, Malonsäure, Ameisensäure, Ethansäure und Weinsäure, und eine oder mehrere anorganische Säuren beinhaltet, einschließlich einer Chlorwasserstoffsäure, Schwefelsäure, Salpetersäure und Fluorwasserstoffsäure, und die Jod beinhaltet.It is preferable that the first surface-roughening treatment step is carried out using a liquid mixture of an organic acid and an inorganic acid, and that the liquid mixture is a solution containing one or more of the following acids as the organic acid: citric acid, malonic acid, formic acid, acetic acid and tartaric acid, and one or more of the following acids as the inorganic acid: hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid and hydrofluoric acid; and that
the second surface-roughening treatment step is carried out using a solution containing one or more organic acids including a citric acid, malonic acid, formic acid, acetic acid and tartaric acid and containing one or more inorganic acids including a hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid and hydrofluoric acid, and which contains iodine.

Mit dieser Konfiguration kann die Oberfläche sicher aufgeraut werden.With this configuration, the surface can be surely roughened.

Der Vorrichtungsisolationsschritt kann durch ein Nassätzverfahren unter Verwendung eines Nassätzmittels, das Chlorwasserstoffsäure beinhaltet, und unter Verwendung einer Schicht, die kein Al beinhaltet, die im Bereich verbleibt, in dem im ersten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt keine Oberflächenaufrauung durchgeführt wurde, als Ätzmaske durchgeführt werden.The device isolation step can be performed by a wet etching method using a wet etchant including hydrochloric acid and using a layer not including Al remaining in the region where surface roughening was not performed in the first surface-roughening treatment step as an etching mask.

Mit der Konfiguration ist es möglich, eine klare Mesaform an einer Seitenoberfläche des lichtemittierenden Abschnitts zu erhalten, der der Vorrichtungsisolation unterzogen wurde.With the configuration, it is possible to obtain a clear mesa shape on a side surface of the light-emitting portion that has been subjected to device isolation.

Es wird bevorzugt, dass die Al-freie Schicht eine oder mehrere Schichten aus GaAs, InGaP, InGaAs und Ge enthält; und dass der Schritt des Entfernens der Al-freien Schicht nach dem Nassätzen durchgeführt wird.It is preferable that the Al-free layer contains one or more layers of GaAs, InGaP, InGaAs and Ge; and that the step of removing the Al-free layer is performed after the wet etching.

Mit der Konfiguration ist es ferner möglich, die klare Mesaform an der Seitenoberfläche des lichtemittierenden Abschnitts, der der Vorrichtungsisolation unterzogen wurde, sicher zu erhalten.Further, with the configuration, it is possible to surely obtain the clear mesa shape on the side surface of the light-emitting portion that has been subjected to device isolation.

Darüber hinaus kann der Vorrichtungsisolationsschritt durch ein Trockenätzverfahren unter Verwendung eines Gases durchgeführt werden, das Chlorwasserstoff beinhaltet.In addition, the device isolation step can be performed by a dry etching method using a gas including hydrogen chloride.

Mit der Konfiguration ist es möglich, eine Form zu erhalten, die keine Verengung an der Seitenoberfläche des lichtemittierenden Abschnitts aufweist, der der Vorrichtungsisolation unterzogen wurde.With the configuration, it is possible to obtain a shape that has no constriction on the side surface of the light-emitting portion that has been subjected to device isolation.

VORTEILHAFTE WIRKUNGEN DER ERFINDUNGADVANTAGEOUS EFFECTS OF THE INVENTION

In Übereinstimmung mit der lichtemittierenden Vorrichtung und dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung der vorliegenden Erfindung ist es möglich, eine lichtemittierende Vorrichtung bereitzustellen, die die Lichtausbeute durch die Oberflächenaufrauung verbessern kann und das Auftreten von Kriechverlust-Ausfällen und von ESD-Ausfällen unterbinden kann, die von der unebenen Form der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts abhängen.According to the light emitting device and the method for manufacturing the light emitting device of the present invention, it is possible to provide a light emitting device which can improve the luminous efficiency by the surface roughening and that Occurrence of leakage failure and ESD failure depending on the uneven shape of the side surface of the light emitting portion.

Figurenlistecharacter list

  • 1 ist eine schematische Ansicht, die ein Beispiel einer lichtemittierenden Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung zeigt; 1 Fig. 12 is a schematic view showing an example of a light emitting device according to the present invention;
  • 2 ist ein Ablaufdiagramm, das ein Beispiel eines Verfahrens zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung zeigt; 2 Fig. 12 is a flow chart showing an example of a method of manufacturing a light emitting device according to the present invention;
  • 3 ist eine schematische Ansicht, die ein Epitaxialsubstrat mit einem lichtemittierenden Abschnitt und einer Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination zeigt, die in einem Herstellungsprozess des Verfahrens zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung auf einem Substrat aufgewachsen wurde; 3 Fig. 12 is a schematic view showing an epitaxial substrate having a light-emitting portion and a window layer-base substrate combination grown on a substrate in a manufacturing process of the method for manufacturing a light-emitting device according to the present invention;
  • 4 ist eine schematische Ansicht, die ein lichtemittierendes Vorrichtungssubstrat zeigt, das durch Entfernen des Substrats vom Epitaxialsubstrat im Herstellungsprozess des Verfahrens zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung bereitgestellt wurde; 4 Fig. 12 is a schematic view showing a light emitting device substrate prepared by removing the substrate from the epitaxial substrate in the manufacturing process of the method for manufacturing a light emitting device according to the present invention;
  • 5 ist eine schematische Ansicht des lichtemittierenden Vorrichtungssubstrats, das eine erste ohmsche Elektrode aufweist, die im Herstellungsprozess des Verfahrens zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung gebildet wurde; 5 12 is a schematic view of the light-emitting device substrate having a first ohmic electrode formed in the manufacturing process of the method for manufacturing a light-emitting device according to the present invention;
  • 6 ist eine schematische Ansicht des lichtemittierenden Vorrichtungssubstrats, das im Herstellungsprozess des Verfahrens zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung einer ersten Oberflächenaufrauungsbehandlung unterzogen wurde; 6 12 is a schematic view of the light-emitting device substrate subjected to a first surface-roughening treatment in the manufacturing process of the method for manufacturing a light-emitting device according to the present invention;
  • 7 ist eine schematische Ansicht des lichtemittierenden Vorrichtungssubstrats, das im Herstellungsprozess des Verfahrens zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung einem Vorrichtungsisolationsschritt unterzogen wurde; 7 12 is a schematic view of the light-emitting device substrate subjected to a device isolation step in the manufacturing process of the method for manufacturing a light-emitting device according to the present invention;
  • 8 ist eine schematische Ansicht des lichtemittierenden Vorrichtungssubstrats, das eine zweite, darauf gebildete ohmsche Elektrode und auch eine Isolatorbeschichtung aufweist, die darauf im Herstellungsprozess des Verfahrens zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung gebildet wurde; 8th Fig. 12 is a schematic view of the light emitting device substrate having a second ohmic electrode formed thereon and also an insulator coating formed thereon in the manufacturing process of the method of manufacturing a light emitting device according to the present invention;
  • 9 ist eine schematische Ansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung nach Beispiel 1; 9 Fig. 12 is a schematic view of a light-emitting device according to Example 1;
  • 10 ist eine schematische Ansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung nach Beispiel 2; 10 Fig. 12 is a schematic view of a light-emitting device according to Example 2;
  • 11 ist eine Fotografie eines Vorrichtungsisolations-Endteils in Beispiel 1; 11 Fig. 12 is a photograph of a device isolation end portion in Example 1;
  • 12 ist eine Fotografie eines Vorrichtungsisolations-Endteils in einem Vergleichsbeispiel; 12 Fig. 12 is a photograph of a device isolation end part in a comparative example;
  • 13 ist eine Ansicht, die eine Frequenz einer Sperrspannung (VR) der lichtemittierenden Vorrichtung in jeweils den Beispielen und dem Vergleichsbeispiel zeigt; 13 Fig. 14 is a view showing a frequency of a reverse voltage (VR) of the light-emitting device in each of Examples and Comparative Example;
  • 14 ist eine Ansicht, die eine Beziehung zwischen einer ESD-Spannung und einer ESD-Ausfallrate der lichtemittierenden Vorrichtung in jeweils den Beispielen und dem Vergleichsbeispiel zeigt; und 14 12 is a view showing a relationship between an ESD voltage and an ESD failure rate of the light-emitting device in each of Examples and Comparative Example; and
  • 15 ist eine Ansicht, die eine Beziehung zwischen Rz einer Seitenfläche eines lichtemittierenden Abschnitts und einer VR-Ausfallrate in Versuchen zeigt. 15 14 is a view showing a relationship between Rz of a side surface of a light-emitting portion and a VR failure rate in experiments.

BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMENDESCRIPTION OF THE EMBODIMENTS

Wie oben beschrieben, wenn eine Oberfläche eines lichtemittierenden Abschnitts gleichmäßig unter Verwendung einer Oberflächenaufrauungsflüssigkeit aufgeraut wird und danach eine Vorrichtungsisolation durchgeführt wird, entsteht das Problem eines Auftretens von Kriechverlust-Ausfällen oder ESD-Ausfällen.As described above, when a surface of a light-emitting portion is uniformly roughened using a surface-roughening liquid and thereafter device isolation is performed, there arises a problem of occurrence of leakage failure or ESD failure.

Deshalb haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung sorgfältig geforscht, um ein solches Problem zu lösen. Als Folge davon haben sie erkannt, dass zum Zeitpunkt der Aufrauung der Oberfläche des lichtemittierenden Abschnitts Rz einer Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts kleiner als 2 µm festgelegt werden kann, indem eine Oberflächenaufrauung eines Bereichs vermieden wird, der in einer nachfolgenden Vorrichtungsisolation als ein äußerer peripherer Teil einer ersten Halbleiterschichtoberfläche dient, und die Kriechverlust-Ausfälle und die ESD-Ausfälle können dadurch unterbunden werden. Ferner haben sie den besten Modus vollständig untersucht, um diese Konfigurationen auszuführen, und die vorliegende Erfindung vervollständigt.Therefore, the inventors of the present invention diligently researched to solve such a problem. As a result, they have recognized that at the time of roughening the surface of the light-emitting portion, R z of a side surface of the light-emitting portion can be set smaller than 2 µm by avoiding surface roughening of a portion used as an outer peripheral part in subsequent device isolation serves as a first semiconductor layer surface, and the leakage failures and the ESD failures can thereby be suppressed. Further, they have fully studied the best mode to carry out these configurations and completed the present invention.

Zuerst wird eine lichtemittierende Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung in Bezug auf 1 beschrieben.First, a light emitting device according to the present invention will be described with reference to FIG 1 described.

Wie in 1 gezeigt, weist eine lichtemittierende Vorrichtung 1 nach der vorliegenden Erfindung eine Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 und einen lichtemittierenden Abschnitt 108 auf, der auf der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 vorgesehen ist und eine zweite Halbleiterschicht 105 eines zweiten Leitfähigkeitstyps, eine aktive Schicht 104 und eine erste Halbleiterschicht 103 eines ersten Leitfähigkeitstyps in der erwähnten Reihenfolge enthält.As in 1 shown, a light-emitting device 1 according to the present invention has a window layer-carrier substrate combination 107 and a light-emitting section 108, which is provided on the window layer-carrier substrate combination 107 and includes a second semiconductor layer 105 of a second conductivity type, an active layer 104 and a first semiconductor layer 103 of a first conductivity type in the order mentioned.

Die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 kann aus GaP, GaAsP, AlGaAs, Saphir (Al2O3), Quarz (SiO2), SiC oder Ähnlichem bestehen und die erste Halbleiterschicht 103, die aktive Schicht 104 und die zweite Halbleiterschicht 105 können aus AlGaInP oder AlGaAs bestehen.The window layer-carrier substrate combination 107 can be made of GaP, GaAsP, AlGaAs, sapphire (Al 2 O 3 ), quartz (SiO 2 ), SiC or the like, and the first semiconductor layer 103, the active layer 104 and the second semiconductor layer 105 can be made of AlGaInP or AlGaAs.

Die lichtemittierende Vorrichtung 1 weist einen Entfernungsteil 170, in dem zumindest die erste Halbleiterschicht 103 und die aktive Schicht 104 im lichtemittierenden Abschnitt 108 entfernt werden, einen vom Entfernungsteil 170 verschiedenen, nicht zu entfernenden Teil 180, eine erste ohmsche Elektrode 121, die auf der ersten Halbleiterschicht 103 im nicht zu entfernenden Teil 180 vorgesehen ist, und eine zweite ohmsche Elektrode 122 auf, die auf der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 im Entfernungsteil 170 vorgesehen ist.The light-emitting device 1 has a removing part 170 in which at least the first semiconductor layer 103 and the active layer 104 in the light-emitting section 108 are removed, a non-removing part 180 different from the removing part 170, a first ohmic electrode 121 formed on the first Semiconductor layer 103 is provided in the part 180 not to be removed, and a second ohmic electrode 122 provided on the window layer-supporting substrate combination 107 in the removal part 170 .

Zumindest ein Teil einer Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 103 und ein Teil einer Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts 108 sind mit einer Isolatorbeschichtung 150 bedeckt, eine Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 103 mit Ausnahme eines äußeren peripheren Teils (eines zweiten Bereichs 131) davon und eine Oberfläche der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 werden aufgeraut und Rz der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts 108 ist kleiner als 2 µm.At least a part of a surface of the first semiconductor layer 103 and a part of a side face of the light-emitting portion 108 are covered with an insulator coating 150, a surface of the first semiconductor layer 103 except an outer peripheral part (a second region 131) thereof, and a surface of the window layer- Carrier substrate combination 107 are roughened and R z of the side surface of the light-emitting section 108 is less than 2 μm.

Es ist anzumerken, dass Rz in dieser Anmeldung eine durchschnittliche Rauheit von 10 Punkten auf der Oberfläche anzeigt (JIS B0601-1994).Note that Rz in this application indicates an average roughness of 10 points on the surface (JIS B0601-1994 ).

In Übereinstimmung mit einer solchen lichtemittierenden Vorrichtung 1 der vorliegenden Erfindung ist es möglich, eine lichtemittierende Vorrichtung bereitzustellen, in der die Lichtausbeute durch die Oberflächenaufrauung verbessert wird, und da Rz der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts 108 kleiner als 2 µm ist, ist das Auftreten von von einer ungleichmäßigen Form abhängigen Ausfällen aufgrund von Kriechverlusten und ESD unterbunden.In accordance with such a light-emitting device 1 of the present invention, it is possible to provide a light-emitting device in which the luminous efficiency is improved by the surface roughening, and since R z of the side surface of the light-emitting portion 108 is less than 2 µm, the occurrence of Eliminated non-uniform shape dependent failures due to leakage and ESD.

Nun wird in Bezug auf 2 bis 8 ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung beschrieben.Now will regarding 2 until 8th describes a method of manufacturing a light emitting device according to the present invention.

Zuerst wird, wie in 3 gezeigt, ein Substrat 101 als Ausgangssubstrat vorbereitet (SP1 in 2).First, as in 3 shown, a substrate 101 is prepared as the starting substrate (SP1 in 2 ).

Als Substrat 101 kann vorzugsweise GaAs oder Ge verwendet werden.As the substrate 101, GaAs or Ge can be preferably used.

Wenn ein solches Substrat verwendet wird, kann, da ein Material der später beschriebenen aktiven Schicht 104 epitaktisch durch ein Gitterabstimmungssystem aufgewachsen werden kann, die Qualität der aktiven Schicht 104 einfach verbessert werden und eine Erhöhung der Leuchtdichte oder eine Verbesserung der Lebensdauermerkmale kann leicht bereitgestellt werden.When such a substrate is used, since a material of the active layer 104 described later can be epitaxially grown by a lattice matching system, the quality of the active layer 104 can be easily improved and an increase in luminance or an improvement in lifetime characteristics can be easily provided.

Danach werden die erste Halbleiterschicht 103 des ersten Leitfähigkeitstyps, die aktive Schicht 104 und die zweite Halbleiterschicht 105 des zweiten Leitfähigkeitstyps, die eine von dem des Substrats 101 verschiedene Gitterkonstante aufweisen, sequenziell auf dem Substrat 101 durch Epitaxialwachstum aufgewachsen, um den lichtemittierenden Abschnitt 108 zu bilden (SP2 in 2).Thereafter, the first conductivity type first semiconductor layer 103, the active layer 104, and the second conductivity type second semiconductor layer 105, which have a different lattice constant from that of the substrate 101, are sequentially grown on the substrate 101 by epitaxial growth to form the light-emitting portion 108 (SP2 in 2 ).

Es muss angemerkt werden, dass, obwohl nicht gezeigt, eine selektive Ätzschicht zur Substratentfernung zwischen dem Substrat 101 und der ersten Halbleiterschicht 103 für einen Schritt zum Entfernen des Substrats 101 eingefügt wird, der später beschrieben wird.It is to be noted that, although not shown, a selective etching layer for substrate removal is interposed between the substrate 101 and the first semiconductor layer 103 for a step of removing the substrate 101, which will be described later.

Danach wird die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 durch Epitaxialwachstum auf dem Substrat 101 auf dem lichtemittierenden Abschnitt 108 unter Verwendung eines Materialtyps mit nicht übereinstimmendem Gitter gebildet, wodurch ein Epitaxialsubstrat 109 gefertigt wird (SP3 in 2).Thereafter, the window layer-carrier substrate combination 107 is formed by epitaxial growth on the substrate 101 on the light-emitting portion 108 using a lattice-mismatched type of material, thereby fabricating an epitaxial substrate 109 (SP3 in 2 ).

Bei SP2 und 3 ist es insbesondere möglich, wie in 3 gezeigt, ein Epitaxialsubstrat 109 herzustellen, das durch epitaktisches Aufwachsen einer Pufferschicht 106 und der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 in der erwähnten Reihenfolge auf dem lichtemittierenden Abschnitt 108 bereitgestellt wird, der aus der ersten Halbleiterschicht 103 des ersten Leitfähigkeitstyps, der aktiven Schicht 104 und der zweiten Halbleiterschicht 105 des zweiten Leitfähigkeitstyps auf dem Substrat 101 beispielsweise durch ein MOVPE-Verfahren (metallorganisches Gasphasenepitaxieverfahren), ein MBE-Verfahren (Molekularstrahlepitaxieverfahren) oder ein CBE-Verfahren (chemisches Strahlepitaxieverfahren) gebildet wird.With SP2 and 3 it is possible, in particular, as in 3 shown to fabricate an epitaxial substrate 109 which is provided by epitaxially growing a buffer layer 106 and the window layer-supporting substrate combination 107 in the order mentioned on the light-emitting portion 108 consisting of the first semiconductor layer 103 of the first conductivity type, the active layer 104 and the second semiconductor layer 105 of the second conductivity type is formed on the substrate 101 by, for example, a MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) method, an MBE (Molecular Beam Epitaxy) method, or a CBE (Chemical Beam Epitaxy) method.

Es muss angemerkt werden, dass die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 durch ein HVPE-Verfahren (ein Hydridgasphasenepitaxie-Verfahren) gebildet werden kann.It must be noted that the window layer-carrier substrate combination 107 can be formed by an HVPE method (a hydride vapor phase epitaxy method).

Die aktive Schicht 104 besteht aus (AlxGa1-x)yIn1-yP(0≤x≤1, 0,4≤y≤0,6) oder AlzGa1-zAs(0≤z≤0,45) in Entsprechung zu einer Emissionswellenlänge. Die Auswahl von AlGaInP wird im Fall des Anwendens einer Beleuchtung mit sichtbarem Licht bevorzugt, und die Auswahl von AlGaAs wird im Fall des Anwendens einer Infrarotbeleuchtung bevorzugt. In Bezug auf ein Design der aktiven Schicht 104 kann jedoch eine Wellenlänge aufgrund einer Materialzusammensetzung durch Verwendung eines Übergitters oder Ähnlichem auf eine von der erzeugten Wellenlänge verschiedene Wellenlänge angepasst werden und daher ist diese Schicht nicht auf die oben erwähnten Materialien beschränkt.The active layer 104 consists of (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P(0≦x≦1, 0.4≦y≦0.6) or Al z Ga 1-z As(0≦z≦ 0.45) corresponding to an emission world length. The selection of AlGaInP is preferred in the case of applying visible light illumination, and the selection of AlGaAs is preferred in the case of applying infrared illumination. However, regarding a design of the active layer 104, a wavelength can be adjusted to a wavelength different from the generated wavelength due to a material composition by using a superlattice or the like, and therefore this layer is not limited to the above-mentioned materials.

AlGaInP oder AlGaAs wird für die erste Halbleiterschicht 103 und die zweite Halbleiterschicht 105 ausgewählt, und diese Auswahl muss nicht notwendigerweise die gleiche wie das Material der aktiven Schicht 104 sein.AlGaInP or AlGaAs is selected for the first semiconductor layer 103 and the second semiconductor layer 105, and this selection does not necessarily have to be the same as the active layer 104 material.

In dieser Ausführungsform, obwohl der Fall, in dem die erste Halbleiterschicht 103, die aktive Schicht 104 und die zweite Halbleiterschicht 105 aus dem gleichen Material aus AlGaInP bestehen, was die einfachste Struktur ist, als Beispiel genommen wird, enthalten die erste Halbleiterschicht 103 und die zweite Halbleiterschicht 105 im Allgemeinen jeweils eine Vielzahl von Schichten zur Verbesserung der Merkmale und die erste Halbleiterschicht 103 und die zweite Halbleiterschicht 105 sind jeweils nicht auf eine einzige Schicht beschränkt.In this embodiment, although the case where the first semiconductor layer 103, the active layer 104, and the second semiconductor layer 105 are made of the same material of AlGaInP, which is the simplest structure, is taken as an example, the first semiconductor layer 103 and the second semiconductor layer 105 generally each has a plurality of layers to improve characteristics, and each of first semiconductor layer 103 and second semiconductor layer 105 is not limited to a single layer.

Als die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 kann vorzugsweise GaP, GaAsP, AlGaAs, Saphir (Al2O3), Quarz (SiO2), SiC oder Ähnliches verwendet werden. Wenn die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 aus GaAsP oder GaP besteht, wird am stärksten bevorzugt, die Pufferschicht 106 unter Verwendung von InGaP herzustellen.As the window layer-carrier substrate combination 107, GaP, GaAsP, AlGaAs, sapphire (Al 2 O 3 ), quartz (SiO 2 ), SiC or the like can be preferably used. If the window layer-supporting substrate combination 107 consists of GaAsP or GaP, it is most preferred to fabricate the buffer layer 106 using InGaP.

Darüber hinaus kann die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 auch aus AlGaAs bestehen, das ein Material mit übereinstimmendem Gittertyp ist. Außerdem kann die Wetterbeständigkeit ausgezeichnet sein, wenn GaAsP für die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 ausgewählt wird.In addition, the window layer-carrier substrate combination 107 can also be made of AlGaAs, which is a lattice-matched material. In addition, when GaAsP is selected for the combination window layer and support substrate 107, the weather resistance can be excellent.

Da jedoch GaAsP und das AlGaInP-basierte Material oder das AIGaAs-basierte Material eine beträchtliche Gitterfehlanpassung aufweisen, wird im GaAsP eine hochdichte Verzerrung oder eine Versetzungslinie gebildet. Infolgedessen weist das Epitaxialsubstrat 109 eine starke Verziehung auf.However, since GaAsP and the AlGaInP-based material or the AlGaAs-based material have a considerable lattice mismatch, a high-density distortion or a dislocation line is formed in the GaAsP. As a result, the epitaxial substrate 109 has a large warp.

Hier wird bevorzugt, um eine Wellenlängenverschiebung aufgrund der Bildung eines natürlichen Übergitters zu vermeiden, den lichtemittierenden Abschnitt 108 mit einer kristallografischen Neigung in einem Winkel von 12 Grad oder darüber auf eine Wachstumsfläche aufzuwachsen. Obwohl eine beliebige Richtung für diese Neigungsrichtung ausgewählt werden kann, ermöglicht in dem Fall, in dem ein Schritt der Isolation einer Vorrichtung in einem Anrissbruchschritt angewandt wird, die Wahl einer Richtung, auf die eine Kristallachse ohne Neigung orthogonal ist, als eine Anrisslinie und die Wahl einer Richtung, in die sich die Kristallachse neigt, als die andere Anrisslinie ein Reduzieren der Seitenflächen der Vorrichtung, die sich zu einer Vorderseite und einer Rückseite der Vorrichtung neigen. Deshalb wird üblicherweise eine sich nicht neigende Richtung für die eine Anrisslinie ausgewählt. Eine Neigung der Seitenfläche der Vorrichtung um ungefähr 20 Grad ist jedoch in einer Baugruppe kein ernsthaftes Problem. Deshalb muss die orthogonale Richtung nicht auf rigorose Weise übereinstimmen, ein Winkelbereich von ungefähr ±20 Grad von der orthogonalen Richtung ist konzeptionell in der orthogonalen Richtung enthalten.Here, in order to avoid a wavelength shift due to the formation of a natural superlattice, it is preferable to grow the light-emitting portion 108 having a crystallographic tilt at an angle of 12 degrees or more on a growth surface. Although any direction can be selected for this tilt direction, in the case where a step of isolating a device is applied in a scribe fracture step, selecting a direction to which a crystal axis without tilt is orthogonal as a scribe line and the choice a direction in which the crystal axis inclines, than the other scribe line, reducing side surfaces of the device inclined toward a front side and a rear side of the device. Therefore, a non-sloping direction is usually chosen for the one scribe line. However, tilting the side surface of the device by about 20 degrees is not a serious problem in an assembly. Therefore, the orthogonal direction need not rigorously match, an angular range of about ±20 degrees from the orthogonal direction is conceptually included in the orthogonal direction.

Danach wird das Substrat 101 vom Epitaxialsubstrat 109 entfernt, um ein lichtemittierendes Vorrichtungssubstrat 110 zu fertigen, wie in 4 gezeigt (SP4 in 2).Thereafter, the substrate 101 is removed from the epitaxial substrate 109 to prepare a light emitting device substrate 110 as shown in FIG 4 shown (SP4 in 2 ).

Genauer wird das Substrat 101 durch ein Nassätzverfahren vom Epitaxialsubstrat 109 entfernt, um das lichtemittierende Vorrichtungssubstrat 110 bereitzustellen.More specifically, the substrate 101 is removed from the epitaxial substrate 109 by a wet etching process to provide the light-emitting device substrate 110 .

Danach wird, wie in 5 gezeigt, die erste ohmsche Elektrode 121, die konfiguriert ist, um der lichtemittierenden Vorrichtung ein Potenzial zu liefern, auf einer Substratentfernungsoberfläche 120 der ersten Halbleiterschicht 103 im lichtemittierenden Vorrichtungssubstrat 110 gebildet (SP5 in 2).After that, as in 5 shown, the first ohmic electrode 121 configured to supply a potential to the light-emitting device is formed on a substrate removing surface 120 of the first semiconductor layer 103 in the light-emitting device substrate 110 (SP5 in 2 ).

Nachfolgend wird, wie in 6 gezeigt, ein erster Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt durchgeführt, um eine Oberflächenaufrauungsbehandlung an einer Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 103 durchzuführen (SP6 in 2). Im ersten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt wird keine Oberflächenaufrauung an einem dritten Bereich 130 um die erste ohmsche Elektrode 121 und an einem zweiten Bereich 131 als Teil der Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 103 durchgeführt.In the following, as in 6 shown, a first surface-roughening treatment step is performed to perform a surface-roughening treatment on a surface of the first semiconductor layer 103 (SP6 in 2 ). In the first surface-roughening treatment step, surface roughening is not performed on a third area 130 around the first ohmic electrode 121 and on a second area 131 as part of the surface of the first semiconductor layer 103 .

Im ersten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt wird eine Flüssigkeitsmischung aus einer organischen Säure und einer anorganischen Säure verwendet und es ist möglich, diesen Schritt mithilfe einer Lösung durchzuführen, die eine Karboxylsäure beinhaltet, insbesondere eine oder mehrere der folgenden Säuren als die organische Säure: Zitronensäure, Malonsäure, Ameisensäure, Ethansäure und Weinsäure, und eine oder mehrere der folgenden Säuren als die anorganische Säure beinhaltet: Chlorwasserstoffsäure, Schwefelsäure, Salpetersäure und Fluorwasserstoffsäure.In the first surface-roughening treatment step, a liquid mixture of an organic acid and an inorganic acid is used, and it is possible to carry out this step using a solution containing a carboxylic acid, particularly one or more of the following acids as the organic acid: citric acid, malonic acid, formic acid, acetic acid and tartaric acid, and one or more of the following acids as the inorganic acid includes: hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid and hydrofluoric acid.

Wenn eine solche Lösung verwendet wird, kann die Oberfläche sicher aufgeraut werden.If such a solution is used, the surface can be roughened safely.

Der dritte Bereich 130 bewirkt, eine Überätzung im ersten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt zu verhindern und eine Elektrodenabtrennung der ersten ohmschen Elektrode 121 zu unterdrücken. Andererseits muss eine Breite des dritten Bereichs 130 auf eine angemessene Breite festgelegt werden, die nicht zu breit ist, sodass ein vom Oberflächenaufrauungseffekt bereitgestellter Antireflexionseffekt nicht reduziert wird. Als eine Breite, die den Antireflexionseffekt weniger reduziert und die Auswirkung bereitstellen kann, die Elektrodenabtrennung zu unterdrücken, wird bevorzugt, eine Breite vorzusehen, die ungefähr das 0,5- bis 15-Fache einer Tiefe der durch den ersten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt aufgerauten Oberfläche beträgt. Es wird bevorzugt, dass eine Höhe einer Unebenheit der aufgerauten Oberfläche ein ganzzahliges Vielfaches der Hälfte der Emissionswellenlänge ist.The third region 130 acts to prevent overetching in the first surface-roughening treatment step and to suppress electrode separation of the first ohmic electrode 121 . On the other hand, a width of the third region 130 needs to be set to an appropriate width that is not too wide so that an anti-reflection effect provided by the surface roughening effect is not reduced. As a width that reduces the antireflection effect less and can provide the effect of suppressing electrode separation, it is preferable to provide a width that is about 0.5 to 15 times a depth of the surface roughened by the first surface-roughening treatment step . It is preferable that a height of an unevenness of the roughened surface is an integral multiple of half the emission wavelength.

Als eine Breite des zweiten Bereichs 131 wird bevorzugt, eine Breite vorzusehen, die ungefähr das 0,5- bis 15-Fache einer Tiefe der durch die erste Oberflächenaufrauungsbehandlung aufgerauten Oberfläche beträgt.As a width of the second region 131, it is preferable to provide a width about 0.5 to 15 times a depth of the surface roughened by the first surface-roughening treatment.

Wenn hier die selektive Substratentfernungs-Ätzschicht auf der ersten Halbleiterschicht 103 vorgesehen ist, wird bevorzugt, dass eine selektive Ätzschicht für die erste Oberflächenaufrauungsbehandlung (nicht gezeigt) zwischen der selektiven Substratentfernungs-Ätzschicht und der ersten Halbleiterschicht 103 vorgesehen wird, wobei die selektive Ätzschicht für die erste Oberflächenaufrauungsbehandlung dadurch im zweiten Bereich 131 nach Entfernung des Substrats verbleibt und danach die erste Oberflächenaufrauungsbehandlung durchgeführt wird. Wenn ein solches Verfahren angewandt wird, kann die Überätzung an einer unteren Seite einer Fotoresiststruktur im ersten Aufrauungsbehandlungsschritt reduziert werden.Here, when the substrate selective removal etching layer is provided on the first semiconductor layer 103, it is preferable that a selective etching layer for the first surface-roughening treatment (not shown) is provided between the substrate selective removal etching layer and the first semiconductor layer 103, the selective etching layer for the first surface-roughening treatment thereby remaining in the second region 131 after removal of the substrate, and thereafter the first surface-roughening treatment is performed. When such a method is used, overetching on a lower side of a photoresist pattern in the first roughening treatment step can be reduced.

Da die erste Oberflächenaufrauungsflüssigkeit selektive Ätzeigenschaften für eine Schicht aus einem Al-freien Material aufweist, wird bevorzugt, dass die selektive Ätzschicht für die erste Oberflächenaufrauungsbehandlung aus GaAs, InGaP, InGaAs oder Ge besteht. Wenn ein solches Material verwendet wird, wird ein Aspekt gebildet, wobei ein Endteil der selektiven Ätzschicht für die erste Oberflächenaufrauungsbehandlung als ein Ausgangspunkt verwendet wird, und es kann verhindert werden, dass die Überätzung die untere Seite der Struktur erreicht. Wenn jedoch die selektive Ätzschicht für die erste Oberflächenaufrauungsbehandlung verwendet wird, da das AI-freie Material Licht mit der Emissionswellenlänge absorbiert, wird bevorzugt, mithilfe einer Flüssigkeit, die Wasserstoffperoxidwasser wie SMP beinhaltet, einen Schritt zum selektiven Entfernen der selektiven Ätzschicht für die erste Oberflächenaufrauungsbehandlung nach der ersten Oberflächenaufrauungsbehandlung hinzuzufügen.Since the first surface-roughening liquid has selective etching properties for an Al-free material layer, it is preferable that the selective etching layer for the first surface-roughening treatment is made of GaAs, InGaP, InGaAs or Ge. When such a material is used, an aspect is formed in which an end part of the selective etching layer for the first surface-roughening treatment is used as a starting point, and the overetching can be prevented from reaching the lower side of the structure. However, when the selective etching layer is used for the first surface-roughening treatment, since the Al-free material absorbs light of the emission wavelength, it is preferable to use a liquid containing hydrogen peroxide water such as SMP after a step of selectively removing the selective etching layer for the first surface-roughening treatment to add to the first surface roughening treatment.

Die Breite des zweiten Bereichs 131 wird nicht nur durch eine Tiefe der Oberfläche, die durch die erste Oberflächenaufrauungsbehandlung aufgeraut wurde, sondern auch durch eine Ausrichtungsgenauigkeit der Fotolithografie eingeschränkt. Eine zusätzliche Breite zur Berücksichtigung der Ausrichtungsgenauigkeit kann reduziert werden, wenn eine Ausrichtungseinheit oder ein Schrittantrieb mit hoher Ausrichtungsgenauigkeit verwendet wird. Andererseits wird bevorzugt, die zusätzliche Breite zur Berücksichtigung der Genauigkeit zu erhöhen, wenn eine Ausrichtungseinheit mit geringer Ausrichtungsgenauigkeit verwendet wird.The width of the second region 131 is limited not only by a depth of the surface roughened by the first surface-roughening treatment but also by an alignment accuracy of the photolithography. An additional width for considering alignment accuracy can be reduced when an alignment unit or a stepper drive with high alignment accuracy is used. On the other hand, it is preferable to increase the extra width for taking accuracy into account when using an alignment unit with low alignment accuracy.

Der flache zweite Bereich 131, der nicht aufgeraut wird, kann auf der Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 103 durch die oben erwähnten Schritte bereitgestellt werden. Folglich ist es möglich, die Erzeugung von Unebenheiten auf der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts 108, der der Vorrichtungsisolation in einem später beschriebenen Vorrichtungsisolationsschritt unterzogen wird, zu unterdrücken.The flat second region 131 which is not roughened can be provided on the surface of the first semiconductor layer 103 through the steps mentioned above. Consequently, it is possible to suppress generation of unevenness on the side surface of the light-emitting portion 108 subjected to device isolation in a device isolation step described later.

Danach wird, wie in 7 gezeigt, der Vorrichtungsisolationsschritt zum Bilden eines Entfernungsbereichs 170, in dem ein Teil des lichtemittierenden Abschnitts 108 entfernt wird, und eines vom Entfernungsabschnitt 170 verschiedenen Nichtentfernungsabschnitts 180 durchgeführt (SP7 in 2).After that, as in 7 shown, the device isolation step of forming a removal region 170 in which a part of the light emitting portion 108 is removed and a non-removal portion 180 different from the removal portion 170 is performed (SP7 in 2 ).

Dieser Vorrichtungsisolationsschritt kann beispielsweise durch Bilden einer Struktur, auf der vorbestimmte Bereiche (ein zweiter, eine ohmsche Elektrode bildender Bereich 140 und ein Anrissbereich 141 in 6) auf der ersten Halbleiterschicht 103 mithilfe eines Fotolacks auf Basis eines Fotolithografieverfahrens geöffnet werden, und durch Durchführung von Ätzen unter Verwendung dieses Fotolacks als Ätzmaske durchgeführt werden. This device isolation step can be performed, for example, by forming a structure on which predetermined regions (a second ohmic electrode forming region 140 and a crack region 141 in 6 ) on the first semiconductor layer 103 are opened using a resist based on a photolithography method, and performed by performing etching using this resist as an etching mask.

Das Ätzen ermöglicht die Bildung des Entfernungsabschnitts 170, in dem die zweite Halbleiterschicht 105 und die Pufferschicht 106 oder die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 und der vom Entfernungsabschnitt 170 verschiedene, nicht zu entfernende Abschnitt 180 auf Basis eines Nassätzverfahrens unter Verwendung eines Nassätzmittels freigesetzt werden, das eine Chlorwasserstoffsäure beinhaltet.The etching enables the formation of the removal section 170, in which the second semiconductor layer 105 and the buffer layer 106 or the window layer-carrier substrate combination 107 and the non-removable section 180, which is different from the removal section 170, are exposed on the basis of a wet etching process using a wet etchant. containing a hydrochloric acid.

Zu diesem Zeitpunkt kann eine Al-freie Schicht (nicht gezeigt) im zweiten Bereich 131 verbleiben, der nicht im ersten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt aufgeraut wird und als Ätzmaske verwendet wird.At this time, an Al-free layer (not shown) may remain in the second region 131 which is not roughened in the first surface-roughening treatment step and is used as an etching mask.

Die Al-freie Schicht kann eine oder mehrere Schichten aus GaAs, InGaP, InGaAs und Ge beinhalten. Da die Al-freie Schicht nicht mit dem Ätzmittel, das die Chlorwasserstoffsäure beinhaltet, geätzt wird, wird ein Aspekt gebildet, wobei ein Endteil der Al-freie Schicht als Ausgangspunkt verwendet wird, und eine klare Mesaform kann auf der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts 108 bereitgestellt werden, der der Vorrichtungsisolation unterzogen wird. Wenn jedoch die Al-freie Schicht verwendet wird, wird bevorzugt, nach dem Vorrichtungsisolationsschritt einen Schritt zum selektiven Entfernen der Al-freien Schicht unter Verwendung einer Flüssigkeit durchzuführen, die Wasserstoffperoxidwasser wie eine Schwefelsäure-Peroxid-Mischung beinhaltet.The Al-free layer may include one or more layers of GaAs, InGaP, InGaAs, and Ge. Since the Al free layer is not etched with the etchant including the hydrochloric acid, an aspect is formed using an end part of the Al free layer as a starting point, and a clear mesa shape can be provided on the side surface of the light emitting portion 108 subjected to device isolation. However, when the Al-free layer is used, it is preferable to perform a step of selectively removing the Al-free layer using a liquid containing hydrogen peroxide water such as a sulfuric acid-peroxide mixture after the device isolation step.

Ferner kann der Vorrichtungsisolationsschritt abgesehen vom Nassätzverfahren auch durch ein Trockenätzverfahren auf Basis eines Verfahrens unter Verwendung eines Halogengases oder vorzugsweise eines Gases, das Chlorwasserstoff beinhaltet, durchgeführt werden.Further, the device isolation step can also be performed by a dry etching method based on a method using a halogen gas or, preferably, a gas including hydrogen chloride, apart from the wet etching method.

Wenn ein solches Verfahren angewandt wird, kann eine Form ohne Verengungen (Überätzen) auf der Seitenfläche des der Vorrichtungsisolation unterzogenen lichtemittierenden Abschnitts bereitgestellt werden.When such a method is adopted, a shape without necking (over-etching) can be provided on the side surface of the light-emitting portion subjected to device isolation.

Danach wird, wie in 8 gezeigt, die zweite ohmsche Elektrode 122 auf dem Entfernungsabschnitt 170 auf der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 gebildet, wobei der lichtemittierende Abschnitt 108 entfernt wird (SP8 in 2).After that, as in 8th shown, the second ohmic electrode 122 is formed on the removing portion 170 on the window layer-supporting substrate combination 107, wherein the light emitting portion 108 is removed (SP8 in 2 ).

Nachfolgend werden, wie in 8 gezeigt, zumindest ein Teil einer Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 103 und ein Teil der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts 108 mit einer Isolatorbeschichtung 150 bedeckt (SP9 in 2).In the following, as in 8th shown, at least a part of a surface of the first semiconductor layer 103 and a part of the side surface of the light-emitting portion 108 are covered with an insulator coating 150 (SP9 in 2 ).

Als Isolatorbeschichtung 150 kann ein beliebiges Material verwendet werden, solange es ein Material ist, das transparent ist und Isolationseigenschaften aufweist. Als Isolatorbeschichtung 150 wird z. B. die Verwendung von SiO2 oder SiNx bevorzugt. Mit einem solchen Material ist es möglich, leicht eine Verarbeitung an offenen oberen Teilen der ersten ohmschen Elektrode 121 und der zweiten ohmschen Elektrode 122 durch das Fotolithografieverfahren und das eine Fluorwasserstoffsäure enthaltende Ätzmittel durchzuführen.Any material can be used as the insulator coating 150 as long as it is a material that is transparent and has insulating properties. As an insulator coating 150 z. B. the use of SiO 2 or SiN x preferred. With such a material, it is possible to easily perform processing at open upper parts of the first ohmic electrode 121 and the second ohmic electrode 122 by the photolithography method and the etchant containing a hydrofluoric acid.

Danach wird, wie in 1 gezeigt, ein zweiter Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt durchgeführt, um eine Oberfläche und eine Seitenfläche der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 aufzurauen (SP10 in 2).After that, as in 1 shown, a second surface-roughening treatment step is performed to roughen a surface and a side surface of the window layer-supporting substrate combination 107 (SP10 in 2 ).

Vor Durchführen der zweiten Oberflächenaufrauungsbehandlung wird bevorzugt, zuerst einen lichtemittierenden Vorrichtungschip durch Markieren mit einer Anrisslinie entlang des Entfernungsabschnitts 170 und Bewirken eines Bruchs zu bilden, um die lichtemittierende Vorrichtung zu isolieren. Nach Bilden des lichtemittierenden Vorrichtungschips wird bevorzugt, den lichtemittierenden Vorrichtungschip auf ein Halteband zu transferieren, sodass die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 auf der Oberseite vorgesehen ist und danach die zweite Oberflächenaufrauungsbehandlung durchzuführen.Before performing the second surface-roughening treatment, it is preferable to first form a light-emitting device chip by marking with a scribe line along the removing portion 170 and causing a crack to isolate the light-emitting device. After forming the light-emitting device chip, it is preferable to transfer the light-emitting device chip onto a holding tape so that the window layer-supporting substrate combination 107 is provided on the upper side, and thereafter to perform the second surface-roughening treatment.

Der zweite Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt kann unter Verwendung einer Lösung durchgeführt werden, die eine oder mehrere organische Säuren beinhaltet, einschließlich einer Zitronensäure, Malonsäure, Ameisensäure, Ethansäure und Weinsäure, und auch eine oder mehrere anorganische Säuren beinhaltet, einschließlich einer Chlorwasserstoffsäure, Schwefelsäure, Salpetersäure und Fluorwasserstoffsäure, und die Jod beinhaltet.The second surface-roughening treatment step can be carried out using a solution containing one or more organic acids, including citric acid, malonic acid, formic acid, acetic acid and tartaric acid, and also one or more inorganic acids, including hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid and hydrofluoric acid, and which includes iodine.

Die erste Oberflächenaufrauungsflüssigkeit, die im ersten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt auf die erste Halbleiterschicht 103 angewandt wird, weist eine Flüssigkeitszusammensetzung auf, die von der einer zweiten Oberflächenaufrauungsflüssigkeit verschieden ist, die im zweiten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt auf die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 angewandt wird. Daher unterscheiden sich die Ätzmerkmale und deshalb sind die Form und Ra (Rauheit im arithmetischen Mittel) der aufgerauten Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 103 notwendigerweise von denen der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 verschieden.The first surface-roughening liquid applied to the first semiconductor layer 103 in the first surface-roughening treatment step has a liquid composition different from that of a second surface-roughening liquid applied to the window layer-supporting substrate combination 107 in the second surface-roughening treatment step. Therefore, the etching characteristics differ and therefore the shape and R a (arithmetic mean roughness) of the roughened surface of the first semiconductor layer 103 are necessarily different from those of the window layer-supporting substrate combination 107 .

Nach dem oben beschriebenen Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung der vorliegenden Erfindung, da die Bereitstellung des zweiten Bereichs 131, der keiner Oberflächenaufrauung auf der Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 103 unterzogen wird, eine Unterdrückung des Auftretens von Überätzen im lichtemittierenden Abschnitt 108 im Vorrichtungsisolationsschritt ermöglicht wird, stimmt die Form der Seitenfläche der der Vorrichtungsisolation unterzogenen lichtemittierenden Vorrichtung 108 wesentlich mit der Form des zweiten Bereichs 131 überein. Da Rz der Seitenfläche des der Vorrichtungsisolation unterzogenen lichtemittierenden Abschnitts 108 auf weniger als 2 µm festgelegt werden kann, ist es deshalb möglich, das Auftreten einer Konzentration elektrischer Felder auf konvexen Teilen in der Form der Seitenfläche des der Vorrichtungsisolation unterzogenen lichtemittieren Abschnitts 108 zu unterbinden. Folglich ist es möglich, eine lichtemittierende Vorrichtung herzustellen, bei der der Emissionswirkungsgrad durch die Oberflächenaufrauung verbessert wird und die Erzeugung von Kriechverlust-Ausfällen und von ESD-Ausfällen, die von der unebenen Form der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts abhängen, ist unterbunden.According to the above-described method of manufacturing a light-emitting device of the present invention, since the provision of the second region 131 which is not subjected to surface roughening on the surface of the first semiconductor layer 103 enables suppression of the occurrence of overetching in the light-emitting portion 108 in the device isolation step, For example, the shape of the side surface of the light-emitting device 108 subjected to device isolation substantially matches the shape of the second region 131 . Therefore, since Rz of the side surface of the light-emitting portion 108 subjected to device isolation can be set to less than 2 µm, it is possible suppress electric field concentration from occurring on convex parts in the shape of the side surface of the light-emitting portion 108 subjected to device isolation. Consequently, it is possible to manufacture a light-emitting device in which the emission efficiency is improved by the surface roughening, and generation of leakage failure and ESD failure depending on the uneven shape of the side surface of the light-emitting portion is suppressed.

BEISPIELEXAMPLE

(Beispiel 1)(Example 1)

0,5 µm einer GaAs-Pufferschicht vom n-Typ (nicht gezeigt) und 1 µm einer selektiven AlInP-Substratentfernungs-Ätzschicht vom n-Typ (nicht gezeigt) wurden auf einem GaAs-Substrat vom n-Typ 101 mit einer Dicke von 280 µm mit einer Kristallachse, die um 15° von einer [001]-Richtung zu einer [110]-Richtung geneigt ist, aufgewachsen, danach wurden 6,5 µm eines lichtemittierenden Abschnitts 108, der aus einer n-Typ-plattierten Schicht (einer ersten Halbleiterschicht 103), einer aktiven Schicht 104 und einer p-Typ-plattierten Schicht (einer zweiten Halbleiterschicht 105) besteht, die aus AlGaInP bestehen, durch das MOVPE-Verfahren gebildet, ferner wurden 0,3 µm einer Pufferschicht 106 aus InGaP vom p-Typ gebildet und 1 µm einer Schicht aus GaP vom p-Typ wurde als Teil einer GaP-Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 gebildet. Danach wurde das Produkt in einen HVPE-Ofen gegeben und 120 µm der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 aus GaP vom p-Typ wurde aufgewachsen, wodurch ein Epitaxialsubstrat 109 bereitgestellt wurde (siehe 3).0.5 µm of an n-type GaAs buffer layer (not shown) and 1 µm of an n-type AlInP selective substrate removal etch layer (not shown) were formed on an n-type GaAs substrate 101 with a thickness of 280 µm having a crystal axis inclined by 15° from a [001] direction to a [110] direction was grown, after which 6.5 µm of a light-emitting portion 108 composed of an n-type plated layer (a first semiconductor layer 103), an active layer 104 and a p-type cladding layer (a second semiconductor layer 105) made of AlGaInP were formed by the MOVPE method, further 0.3 µm of a buffer layer 106 made of p -type and 1 µm of a p-type GaP layer was formed as part of a GaP window layer-supporting substrate combination 107 . Thereafter, the product was placed in a HVPE furnace, and 120 µm of the p-type GaP window layer-supporting substrate combination 107 was grown, thereby providing an epitaxial substrate 109 (see FIG 3 ).

Nachfolgend wurden das GaAs-Substrat 101, die GaAs-Pufferschicht und die selektive Ätzschicht zur n-Typ-AIInP-Substratentfernung entfernt, um ein lichtemittierendes Vorrichtungssubstrat 110 zu fertigen (siehe 4).Subsequently, the GaAs substrate 101, the GaAs buffer layer, and the selective etching layer for n-type AlInP substrate removal were removed to prepare a light-emitting device substrate 110 (see FIG 4 ).

Danach wurde eine erste ohmsche Elektrode 121 auf einer Oberfläche mit entferntem Substrat 120 der ersten Halbleiterschicht 103 im lichtemittierenden Vorrichtungssubstrat 110 gebildet (siehe 5) und eine Struktur, in der ein dritter Bereich 130 und ein zweiter Bereich 131 mit einem Fotolack bedeckt sind, wurde durch das Fotolithografieverfahren gebildet. Wie in 9 gezeigt, wurde der dritte Bereich 130 entlang einer ersten ohmschen Elektrode vorgesehen und der zweite Bereich 131 wurde entlang einer vorbestimmten Vorrichtungsisolationslinie 160 vorgesehen. Die Breite des dritten Bereichs 130 wurde auf 2 µm festgelegt, was das Vierfache der Ätztiefe ist. Ferner wurde die Breite des zweiten Bereichs 131 auf 6 µm festgelegt.Thereafter, a first ohmic electrode 121 was formed on a substrate 120-removed surface of the first semiconductor layer 103 in the light-emitting device substrate 110 (see FIG 5 ) and a structure in which a third region 130 and a second region 131 are covered with a resist was formed by the photolithography method. As in 9 1, the third region 130 was provided along a first ohmic electrode and the second region 131 was provided along a predetermined device isolation line 160. FIG. The width of the third region 130 was set at 2 µm, which is four times the etch depth. Furthermore, the width of the second region 131 was set to 6 µm.

Danach wurde der erste Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt an einer Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 103 durchgeführt (siehe 6). Als erste Oberflächenaufrauungsflüssigkeit wurde eine Flüssigkeitsmischung aus Ethansäure und Chlorwasserstoffsäure hergestellt und die Ätzung wurde bei normaler Temperatur eine Minute lang durchgeführt, wodurch die Oberflächenaufrauungsbehandlung realisiert wurde.Thereafter, the first surface-roughening treatment step was performed on a surface of the first semiconductor layer 103 (see FIG 6 ). A mixed liquid of acetic acid and hydrochloric acid was prepared as the first surface-roughening liquid, and etching was performed at normal temperature for one minute, thereby realizing the surface-roughening treatment.

Danach wurden die Bereiche mit Ausnahme des die zweite ohmsche Elektrode bildenden Bereichs 140 und eines Anrissbereichs 141 (siehe 6) durch das Fotolithografieverfahren mit einem Fotolack bedeckt, der Vorrichtungsisolationsschritt wurde durch das Nassätzverfahren mithilfe eines Nassätzmittels ausgeführt, das Chlorwasserstoffsäure beinhaltet, und der lichtemittierende Abschnitt 108 wurde entfernt, um einen Entfernungsabschnitt 170 zu bilden, wo die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination 107 und ein vom Entfernungsabschnitt 170 verschiedener, nicht zu entfernender Abschnitt 180 freigesetzt wurden (siehe 7).Thereafter, the portions except for the second ohmic electrode forming portion 140 and a crack portion 141 (see FIG 6 ) covered with a photoresist by the photolithography method, the device isolation step was performed by the wet etching method using a wet etchant containing hydrochloric acid, and the light emitting portion 108 was removed to form a removal portion 170 where the window layer-mounting substrate combination 107 and a front Removal section 170 of different sections 180 that are not to be removed have been released (see 7 ).

Als Ergebnis der Durchführung der oben erwähnten Schritte betrug Rz einer Seitenfläche des der Vorrichtungsisolation unterzogenen lichtemittierenden Abschnitts ungefähr 0,5 µm, entsprechend der Fotoresist-Strukturgenauigkeit.As a result of performing the above-mentioned steps, R z of a side surface of the light-emitting portion subjected to device isolation was about 0.5 µm, corresponding to the photoresist pattern accuracy.

Danach wurde eine zweite ohmsche Elektrode 122 im Entfernungsabschnitt 170 gebildet (siehe 8). Nachfolgend wurde eine Isolatorbeschichtung 150 aus SiO2 aufgetragen und die Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 103 und die Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts 108 wurden mit der Isolatorbeschichtung 150 bedeckt. Ferner wurden durch das Fotolithografieverfahren und Ätzen mit Fluorwasserstoffsäure an Teilen der ersten ohmschen Elektrode 121 und der zweiten ohmschen Elektrode 122 öffnende Teile in der Isolatorbeschichtung 150 gebildet.Thereafter, a second ohmic electrode 122 was formed in the removing section 170 (see FIG 8th ). Subsequently, an insulator coating 150 made of SiO 2 was applied, and the surface of the first semiconductor layer 103 and the side surface of the light-emitting portion 108 were covered with the insulator coating 150 . Further, opening parts were formed in the insulator coating 150 at parts of the first ohmic electrode 121 and the second ohmic electrode 122 by the photolithography method and etching with hydrofluoric acid.

Danach wurde eine Markierung mit einer Anrisslinie entlang des freigesetzten Entfernungsabschnitts 170 durchgeführt, eine Risslinie wurde entlang der Anrisslinie erweitert und danach ein Brechvorgang zur Vorrichtungsisolation durchgeführt, wodurch ein lichtemittierender Vorrichtungschip gebildet wurde.Thereafter, marking with a scribe line was performed along the exposed removal portion 170, a scribe line was expanded along the scribe line, and thereafter a breaking process for device isolation was performed, thereby forming a light-emitting device chip.

Nach Bilden des lichtemittierenden Vorrichtungschips wurde der lichtemittierende Vorrichtungschip so auf ein Halteband transferiert, dass die Oberfläche, auf der die erste ohmsche Elektrode bereitgestellt wird, auf die Oberflächenseite des Bands platziert wurde, und danach wurde ein zweiter Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt durchgeführt. Als Oberflächenaufrauungsflüssigkeit, die im zweiten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt zum Aufrauen der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination verwendet wurde, wurde eine Flüssigkeitsmischung aus Ethansäure, Fluorwasserstoffsäure und Jod hergestellt. Darüber hinaus wurde das Ätzen bei Normaltemperatur eine Minute lang durchgeführt, um die zweite Oberflächenaufrauungsbehandlung durchzuführen.After forming the light-emitting device chip, the light-emitting device chip was transferred onto a holding tape such that the surface on which the first ohmic electrode is provided was placed on the surface side of the tape, and then a second surface-roughening treatment step was performed. As the surface-roughening liquid used in the second surface-roughening treatment step was used to roughen the window layer-supporting substrate combination, a liquid mixture of acetic acid, hydrofluoric acid and iodine was prepared. Furthermore, etching was performed at normal temperature for one minute to perform the second surface-roughening treatment.

Wie oben beschrieben wurde eine lichtemittierende Vorrichtung wie in 9 gezeigt hergestellt.As described above, a light-emitting device as in 9 shown made.

11 zeigt eine Fotografie eines Endteils eines Vorrichtungsisolationsabschnitts in Beispiel 1. In 11 wird klar, dass der Endteil des zweiten Bereichs 131 mit geraden Linien gebildet wurde. 11 shows a photograph of an end part of a device isolation portion in Example 1. In 11 it is clear that the end part of the second region 131 was formed with straight lines.

Lampen wurden unter Verwendung der lichtemittierenden Vorrichtung gefertigt, die wie oben beschrieben hergestellt wurde, und eine Messung und eine Auswertung wurden durchgeführt.Lamps were manufactured using the light-emitting device manufactured as described above, and measurement and evaluation were performed.

13 zeigt die Ergebnisse einer Sperrspannung (VR), wenn ein Wert des in Sperrrichtung angewandten Stroms der Lampen, die unter Verwendung der in Beispiel 1 hergestellten lichtemittierenden Vorrichtung gefertigt wurden, 10 µA betrug. 13 Fig. 12 shows the results of a reverse voltage (VR) when a value of the reverse applied current of the lamps fabricated using the light-emitting device fabricated in Example 1 was 10 µA.

Es muss angemerkt werden, dass 13 auch die Ergebnisse von Beispiel 2 und eines Vergleichsbeispiels zeigt, die später beschrieben werden.It must be noted that 13 also shows the results of Example 2 and a Comparative Example, which will be described later.

Infolgedessen erforderten die Lampen, die in Beispiel 1 und im später beschriebenen Beispiel 2 gefertigten Lampen, wie in 13 gezeigt, eine VR von 30 V oder darüber, wenn der in Sperrrichtung angewandte Stromwert 10 µA betrug und es wurde keine Lampe bereitgestellt, die einen VR-Wert unter 30 V zeigte. Andererseits waren die VR-Werte von ungefähr der Hälfte der im unten beschriebenen Vergleichsbeispiel gefertigten Lampen kleiner als 30 V. Aus Obigem ergibt sich, dass die lichtemittierende Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung aufgrund des Vorhandenseins des zweiten Bereichs ausgezeichnete Sperrspannungseigenschaften aufweist.As a result, the lamps manufactured in Example 1 and Example 2 described later required lamps as shown in FIG 13 showed a VR of 30 V or more when the reverse current applied value was 10 µA, and no lamp showing a VR value below 30 V was provided. On the other hand, the VR values of about half of the lamps fabricated in the comparative example described below were less than 30 V. From the above, the light-emitting device of the present invention exhibits excellent blocking voltage characteristics due to the presence of the second region.

Als Nächstes zeigt 14 Ergebnisse der Durchführung eines ESD-Tests unter Verwendung der Lampen, die unter Verwendung der in Beispiel 1 hergestellten lichtemittierenden Vorrichtung gefertigt wurden. Der Test wurde in einem HBM (Human Body Model) als ESD-Prüfbedingungen durchgeführt. Es muss angemerkt werden, dass 14 auch die Ergebnisse des später beschriebenen Beispiels 2 und des Vergleichsbeispiels zeigt.Next shows 14 Results of conducting an ESD test using the lamps manufactured using the light-emitting device manufactured in Example 1. The test was carried out in a HBM (Human Body Model) as ESD test conditions. It must be noted that 14 also shows the results of Example 2 and Comparative Example described later.

Infolgedessen, wie in 14 gezeigt, trat in den im Beispiel 1 und im später beschriebenen Beispiel 2 gefertigten Lampen kein ESD-Durchbruch im ESD-Test auf, der bis zu 2000 V durchgeführt wurde. Andererseits trat im Vergleichsbeispiel, das später beschrieben wird, ein ESD-Durchbruch mit einer ESD-Spannung von ungefähr 100 V auf und der ESD-Durchbruch trat in allen Vorrichtungen auf, die im Test bis zu 600 V verwendet wurden.As a result, as in 14 As shown, in the lamps fabricated in Example 1 and Example 2 described later, no ESD breakdown occurred in the ESD test conducted up to 2000V. On the other hand, in the comparative example which will be described later, ESD breakdown occurred with an ESD voltage of about 100V, and the ESD breakdown occurred in all devices used in the test up to 600V.

(Beispiel 2)(Example 2)

Zuerst wurden die Schritte bis zum ersten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt auf die gleiche Weise wie im Beispiel 1 durchgeführt.First, in the same manner as in Example 1, the steps up to the first surface-roughening treatment step were carried out.

Danach wurde eine Beschichtung mit einem SiO2-Belag von 300 nm durchgeführt, um das Trockenätzverfahren durchzuführen, um eine erste Halbleiterschicht und eine erste ohmsche Elektrode abzudecken und eine Fotolackstruktur mit einer vorbestimmten Vorrichtungsisolationsform wurde durch das Fotolithografieverfahren gebildet. Danach wurden unter Verwendung der Fluorwasserstoffsäure strukturöffnende Teile geätzt.Thereafter, 300 nm SiO 2 film coating was performed to perform the dry etching process to cover a first semiconductor layer and a first ohmic electrode, and a resist pattern having a predetermined device isolation shape was formed by the photolithography process. Thereafter, pattern opening parts were etched using the hydrofluoric acid.

Darüber hinaus wurde das Trockenätzverfahren unter Verwendung des SiO2-Belags mit der Öffnungsstruktur als Ätzmaske durchgeführt. Beim Trockenätzen wurde die Vorrichtungsisolation durch ein RIE-Verfahren oder ein ICP-Verfahren durchgeführt, wobei ein chlorhaltiges Gas eingeführt wurde, ein lichtemittierender Abschnitt entfernt wurde und ein Entfernungsabschnitt mit einer freigesetzten Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination gebildet wurde.In addition, the dry etching process was performed using the SiO 2 film having the opening pattern as an etching mask. In dry etching, device isolation was performed by an RIE method or an ICP method in which a chlorine-containing gas was introduced, a light-emitting portion was removed, and a removal portion was formed with a window layer-supporting substrate combination exposed.

Als Ergebnis der Durchführung der oben erwähnten Schritte betrug Rz einer Seitenfläche des der Vorrichtungsisolation unterzogenen lichtemittierenden Abschnitts ungefähr 0,5 µm, entsprechend der Strukturgenauigkeit der SiO2-Maske.As a result of performing the above-mentioned steps, Rz of a side surface of the light-emitting portion subjected to device isolation was about 0.5 µm, corresponding to the pattern accuracy of the SiO 2 mask.

Danach wurden wie in Beispiel 1 die Schritte zur Bildung einer zweiten ohmschen Elektrode bis zum zweiten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt ausgeführt, um eine lichtemittierende Vorrichtung wie in 10 herzustellen.Thereafter, as in Example 1, the steps of forming a second ohmic electrode through the second surface-roughening treatment step were carried out to obtain a light-emitting device as in FIG 10 to manufacture.

Lampen wurden unter Verwendung der lichtemittierenden Vorrichtung gefertigt, die wie oben beschrieben hergestellt wurde, und eine Messung und eine Auswertung wurden durchgeführt.Lamps were manufactured using the light-emitting device manufactured as described above, and measurement and evaluation were performed.

13 zeigt die Ergebnisse einer Sperrspannung (VR), wenn ein Wert des in Sperrrichtung angelegten Stroms der Lampen, die unter Verwendung der in Beispiel 2 hergestellten lichtemittierenden Vorrichtung gefertigt wurden, 10 µA betrug. 13 Fig. 12 shows the results of a reverse voltage (VR) when a value of reverse applied current of the lamps fabricated using the light-emitting device fabricated in Example 2 was 10 µA.

Infolgedessen war in den in Beispiel 2 gefertigten Lampen, wie in 13 gezeigt, wenn der Wert des in Sperrrichtung angelegten Stroms 10 µA betrug, eine VR von 30 V oder mehr erforderlich und es wurde keine Lampe mit einem VR-Wert unter 30 V bereitgestellt. Es ergibt sich, dass die lichtemittierende Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung aufgrund des Vorhandenseins des zweiten Bereichs ausgezeichnete Sperrspannungseigenschaften aufweist.As a result, in the lamps manufactured in Example 2, as in 13 shown when the value of the reverse applied current is 10 µA was required to have a VR of 30 V or more, and no lamp having a VR value below 30 V was provided. It is found that the light-emitting device according to the present invention is excellent in reverse voltage characteristics due to the presence of the second region.

Dann zeigt 14 Ergebnisse der Durchführung des ESD-Tests unter Verwendung der Lampen, die unter Verwendung der in Beispiel 2 hergestellten lichtemittierenden Vorrichtung gefertigt wurden. Der Test wurde in einem HBM (Human Body Model) als ESD-Prüfbedingungen durchgeführt.Then shows 14 Results of conducting the ESD test using the lamps manufactured using the light-emitting device manufactured in Example 2. The test was carried out in a HBM (Human Body Model) as ESD test conditions.

Infolgedessen, wie in 14 gezeigt, trat in den im Beispiel 2 gefertigten Lampen kein ESD-Durchbruch im ESD-Test auf, der bis zu 2000 V durchgeführt wurde.As a result, as in 14 shown, no ESD breakdown occurred in the lamps fabricated in Example 2 in the ESD test conducted up to 2000V.

(Vergleichsbeispiel)(comparative example)

Eine lichtemittierende Vorrichtung wurde wie in Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass im ersten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt kein zweiter Bereich vorgesehen war.A light-emitting device was manufactured as in Example 1, except that the second region was not provided in the first surface-roughening treatment step.

Infolgedessen werden Unebenheiten (Rz einer Oberfläche der ersten Halbleiterschicht = ungefähr 0,6 µm), die durch die erste Oberflächenaufrauungsbehandlung erzeugt werden, in einem Vorrichtungsisolationsschritt erhöht und Rz einer Seitenfläche eines der Vorrichtungsisolation unterzogenen lichtemittierenden Abschnitts erreichte 3 bis 4 µm.As a result, unevenness (R z of a surface of the first semiconductor layer = about 0.6 µm) generated by the first surface-roughening treatment is increased in a device isolation step, and R z of a side surface of a light-emitting portion subjected to device isolation reached 3 to 4 µm.

12 zeigt eine Fotografie eines Endteils eines Vorrichtungsisolationsabschnitts im Vergleichsbeispiel. 12 Fig. 12 shows a photograph of an end part of a device isolation portion in the comparative example.

Lampen wurden unter Verwendung der lichtemittierenden Vorrichtungen gefertigt, die wie oben beschrieben hergestellt wurden, und eine Messung und Auswertung wurden durchgeführt.Lamps were manufactured using the light-emitting devices manufactured as described above, and measurement and evaluation were performed.

13 zeigt die Ergebnisse einer Sperrspannung (VR), wenn ein Wert des in Sperrrichtung angelegten Stroms der Lampen, die unter Verwendung der im Vergleichsbeispiel hergestellten lichtemittierenden Vorrichtung gefertigt wurden, 10 µA betrug. 13 Fig. 12 shows the results of a reverse voltage (VR) when a value of reverse applied current of the lamps manufactured using the light-emitting device manufactured in Comparative Example was 10 µA.

Infolgedessen waren, wie in 13 gezeigt, die VR-Werte von ca. der Hälfte der in den Vergleichsbeispielen gefertigten Lampen kleiner als 30 V.As a result, as in 13 shown, the VR values of about half of the lamps manufactured in the comparative examples are less than 30 V.

Als Nächstes zeigt 14 Ergebnisse der Durchführung eines ESD-Tests unter Verwendung der Lampen, die unter Verwendung der im Vergleichsbeispiel hergestellten lichtemittierenden Vorrichtung gefertigt wurden. Der Test wurde in einem HBM (Human Body Model) als ESD-Prüfbedingungen durchgeführt.Next shows 14 Results of conducting an ESD test using the lamps manufactured using the light-emitting device manufactured in Comparative Example. The test was carried out in a HBM (Human Body Model) as ESD test conditions.

Folglich, wie in 14 gezeigt, trat in den im Vergleichsbeispiel gefertigten Lampen ein ESD-Durchbruch mit einer ESD-Spannung von ungefähr 100 V auf und der ESD-Durchbruch trat in allen Vorrichtungen auf, die im Test bis zu 600 V verwendet wurden.Consequently, as in 14 As shown, ESD breakdown occurred in the lamps manufactured in Comparative Example with an ESD voltage of about 100V, and ESD breakdown occurred in all devices used in the test up to 600V.

(Versuche)(Try)

Eine Vielzahl von Lampen wurden mit den durch das Verfahren von Beispiel 1 hergestellten lichtemittierenden Vorrichtungen gefertigt, mit der Ausnahme, dass die im Vorrichtungsisolationsschritt gebildete Maskenstruktur geändert wurde und Rz der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts geändert wurde (Versuch 1).A variety of lamps were fabricated with the light-emitting devices manufactured by the method of Example 1 except that the mask pattern formed in the device isolation step was changed and Rz of the side surface of the light-emitting portion was changed (Experiment 1).

Eine Vielzahl von Lampen wurden mit den durch das Verfahren von Beispiel 2 hergestellten lichtemittierenden Vorrichtungen gefertigt, mit der Ausnahme, dass die im Vorrichtungsisolationsschritt gebildete Maskenstruktur geändert wurde und Rz der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts geändert wurde (Versuch 2).A variety of lamps were fabricated with the light-emitting devices manufactured by the method of Example 2 except that the mask pattern formed in the device isolation step was changed and Rz of the side surface of the light-emitting portion was changed (Experiment 2).

15 zeigt die Ergebnisse einer Messung der VR-Ausfallraten, wenn die Werte des in Sperrrichtung angelegten Stroms der Lampen in den Versuchen 1 und 2 10 µA betrugen. Es ist anzumerken, dass VR-Werte unter 30 V, die erhalten wurden, wenn der Wert des in Sperrrichtung angelegten Stroms 10 µA betrug, als VR-Ausfälle ermittelt wurden und die Messung durchgeführt wurde. 15 12 shows the results of measuring the VR failure rates when the reverse current values of the lamps in Experiments 1 and 2 were 10 µA. It should be noted that VR values below 30 V obtained when the reverse current applied value was 10 µA were detected as VR failures and the measurement was performed.

Infolgedessen, wie in 15 gezeigt, wird klar, dass kaum VR-Ausfälle auftreten, wenn sowohl im Versuch 1 als auch im Versuch 2 Rz kleiner als 2 µm ist, aber dass sich VR-Ausfälle sowohl im Versuch 1 als auch im Versuch 2 zu häufen beginnen, wenn Rz 2 µm oder größer ist.As a result, as in 15 shown, it becomes clear that VR dropouts hardly occur when Rz is less than 2 µm in both Trial 1 and Trial 2, but that VR dropouts start to accumulate in both Trial 1 and Trial 2 when R z is 2 µm or larger.

15 zeigt, da die Form der Seitenfläche des der Vorrichtungsisolation unterzogenen lichtemittierenden Abschnitts der Form des äußeren peripheren Teils der ersten Halbleiterschicht im Vorrichtungsisolationsschritt folgt, VR-Ausfälle dazu neigen, aufzutreten, da die Unebenheit des äußeren peripheren Teils der ersten Halbleiterschicht im Vorrichtungsisolationsschritt groß ist. 15 shows that since the shape of the side surface of the light-emitting portion subjected to device isolation follows the shape of the outer peripheral part of the first semiconductor layer in the device isolation step, VR failures tend to occur since the unevenness of the outer peripheral part of the first semiconductor layer is large in the device isolation step.

Deshalb muss Rz der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts kleiner als 2 µm sein. Obwohl 15 nur die VR-Ausfälle zeigt, weisen die IR-Merkmale, die auf Kriechstromwerte hinweisen, wenn eine Sperrvorspannung angelegt wird, eine ähnliche Tendenz auf.Therefore, R z of the side surface of the light emitting portion needs to be less than 2 µm. Even though 15 shows only the VR failures, the IR features indicative of leakage current levels when reverse bias is applied show a similar trend.

Obwohl eine Struktur, bei der die Unebenheit auf der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts nicht einheitlich auf der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts ist und das Ausmaß der Unebenheit in einem Teil der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts um die Hälfte reduziert ist, vorbereitet wurde und eine Messung durchgeführt wurde, war die Tendenz des Auftretens der VR-Ausfälle die gleiche wie die einer Struktur mit einem unveränderten Ausmaß an Unebenheit. Deshalb wird klar, dass eine Beziehung zwischen der Unebenheit der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts und des Auftretens der VR-Ausfallraten darauf hinweist, dass sich die VR-Ausfallrate erhöht, wenn Rz der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts 2 µm oder größer ist. Um deshalb Kriechverlustausfälle oder ESD-Ausfälle zu verhindern, muss Rz der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts kleiner als 2 µm sein.Although a structure in which the unevenness on the side surface of the light emitting portion is not uniform on the side surface of the light emitting portion and the amount of unevenness in a part of the side surface of the light emitting portion is reduced by half was prepared and measurement was performed, the tendency of occurrence of the VR failures was the same as that of a structure with an unchanged degree of unevenness. Therefore, it is clear that a relationship between the unevenness of the side surface of the light-emitting portion and the occurrence of the VR dropout rates indicates that the VR dropout rate increases when Rz of the side surface of the light-emitting portion is 2 μm or larger. Therefore, in order to prevent leakage failure or ESD failure, R z of the side surface of the light emitting portion needs to be less than 2 µm.

Claims (8)

Lichtemittierende Vorrichtung (1), umfassend: eine Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination (107); und einen lichtemittierenden Abschnitt (108), der auf der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination (107) angeordnet ist und eine zweite Halbleiterschicht (105) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, eine aktive Schicht (104) und eine erste Halbleiterschicht (103) eines ersten Leitfähigkeitstyps in der erwähnten Reihenfolge umfasst, wobei die lichtemittierende Vorrichtung (1) umfasst: einen Entfernungsabschnitt (170), in dem der lichtemittierende Abschnitt (108) entfernt wird; einen vom Entfernungsabschnitt (170) verschiedenen Nichtentfernungsabschnitt (180); eine erste ohmsche Elektrode (121), die auf der ersten Halbleiterschicht (103) im Nichtentfernungsabschnitt (180) angeordnet ist; und eine zweite ohmsche Elektrode (122), die auf der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination (107) im Entfernungsabschnitt (170) angeordnet ist, und zumindest ein Teil einer Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (103) und ein Teil einer Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts (108) mit einer Isolatordeckbeschichtung (150) bedeckt sind, eine Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (103) mit Ausnahme eines äußeren peripheren Teils (131) und eine Oberfläche der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination (107) aufgeraut werden und Rz der Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts (108) kleiner als 2 µm ist.A light emitting device (1) comprising: a window layer support substrate combination (107); and a light-emitting portion (108) disposed on said window layer-supporting substrate combination (107) and having a second semiconductor layer (105) of a second conductivity type, an active layer (104) and a first semiconductor layer (103) of a first conductivity type in said mentioned order, wherein the light emitting device (1) comprises: a removing section (170) in which the light emitting section (108) is removed; a non-removal section (180) different from the removal section (170); a first ohmic electrode (121) disposed on the first semiconductor layer (103) in the non-removing portion (180); and a second ohmic electrode (122) which is arranged on the window layer-supporting substrate combination (107) in the removing section (170), and at least a part of a surface of the first semiconductor layer (103) and a part of a side surface of the light-emitting section (108 ) are covered with an insulator overcoat (150), a surface of the first semiconductor layer (103) except an outer peripheral part (131) and a surface of the window layer-support substrate combination (107) are roughened, and R z of the side surface of the light-emitting portion ( 108) is less than 2 µm. Lichtemittierende Vorrichtung (1) nach Anspruch 1, wobei die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination (107) aus einem von GaP, GaAsP, AlGaAs, Saphir, Quarz und SiC besteht; und die erste Halbleiterschicht (103), die aktive Schicht (104) und die zweite Halbleiterschicht (105) aus AlGaInP oder AlGaAs bestehen.Light-emitting device (1) after claim 1 wherein the window layer-carrier substrate combination (107) consists of one of GaP, GaAsP, AlGaAs, sapphire, quartz and SiC; and the first semiconductor layer (103), the active layer (104) and the second semiconductor layer (105) are made of AlGaInP or AlGaAs. Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung (1), bestehend aus: einem Schritt zum sequenziellen Aufwachsen einer ersten Halbleiterschicht (103), einer aktiven Schicht (104) und einer zweiten Halbleiterschicht (105) auf einem Substrat (101) durch Epitaxialwachstum unter Verwendung eines Materials, das im Gitter mit dem Substrat (101) übereinstimmt, um einen lichtemittierenden Abschnitt (108) zu bilden; einen Schritt zum Bilden einer Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination (107) auf dem lichtemittierenden Abschnitt (108) durch das Epitaxialwachstum unter Verwendung eines Materials, das im Gitter mit dem Substrat (101) nicht übereinstimmt; einen Schritt zum Entfernen des Substrats (101); einen Schritt zum Bilden einer ersten ohmschen Elektrode (121) auf einer Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (103); einen ersten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt zum Durchführen einer Oberflächenaufrauungsbehandlung an der Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (103); ein Vorrichtungsisolationsschritt zum Bilden eines Entfernungsabschnitts (170), in dem ein Teil des lichtemittierenden Abschnitts (108) entfernt wird, und eines vom Entfernungsabschnitt (170) verschiedenen Nichtentfernungsabschnitt (180); einen Schritt zum Bilden einer zweiten ohmschen Elektrode (122) auf der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination (107), wobei der lichtemittierende Abschnitt (108) von dieser entfernt wird; einen Schritt zum Bedecken zumindest eines Teils der Oberfläche der ersten Halbleiteroberfläche und eines Teils einer Seitenfläche des lichtemittierenden Abschnitts (108) mit einer Isolatordeckbeschichtung (150); und einem zweiten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt zum Aufrauen einer Oberfläche und einer Seitenfläche der Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination (107), wobei im ersten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt keine Oberflächenaufrauung an einer Peripherie der ersten ohmschen Elektrode (121) und an einem Bereich (131) durchgeführt wird, der im nachfolgenden Vorrichtungsisolationsschritt zu einem äußeren peripheren Teil (131) der Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (103) im Nichtentfernungsabschnitt (180) wird.A method of manufacturing a light-emitting device (1), comprising: a step of sequentially growing a first semiconductor layer (103), an active layer (104) and a second semiconductor layer (105) on a substrate (101) by epitaxial growth using a material lattice-matched to the substrate (101) to forming a light emitting portion (108); a step of forming a window layer-supporting substrate combination (107) on said light-emitting portion (108) by said epitaxial growth using a material lattice-mismatched with said substrate (101); a step of removing the substrate (101); a step of forming a first ohmic electrode (121) on a surface of the first semiconductor layer (103); a first surface-roughening treatment step of performing a surface-roughening treatment on the surface of the first semiconductor layer (103); a device isolation step of forming a removing portion (170) in which a part of the light emitting portion (108) is removed and a non-removing portion (180) different from the removing portion (170); a step of forming a second ohmic electrode (122) on the window layer-supporting substrate combination (107) with the light-emitting portion (108) removed therefrom; a step of covering at least a part of the surface of the first semiconductor surface and a part of a side surface of the light emitting portion (108) with an insulator coating (150); and a second surface-roughening treatment step of roughening a surface and a side surface of said window sheet-supporting substrate combination (107), wherein in the first surface-roughening treatment step, surface-roughening is not performed on a periphery of the first ohmic electrode (121) and on a region (131) which becomes an outer peripheral part (131) of the surface of the first semiconductor layer (103) in the non-removing portion in the subsequent device isolation step (180) will. Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung (1) nach Anspruch 3, wobei das Substrat (101) aus GaAs oder Ge besteht; die Fensterschicht-Trägersubstrat-Kombination (107) aus einem von GaP, GaAsP, AlGaAs, Saphir, Quarz und SiC besteht; und die erste Halbleiterschicht (103), die aktive Schicht (104) und die zweite Halbleiterschicht (105) aus AlGaInP oder AlGaAs bestehen.A method of manufacturing a light-emitting device (1). claim 3 wherein the substrate (101) consists of GaAs or Ge; the combination window layer-carrier substrate (107) consists of one of GaP, GaAsP, AlGaAs, sapphire, quartz and SiC; and the first semiconductor layer (103), the active layer (104) and the second semiconductor layer (105) are made of AlGaInP or AlGaAs. Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung (1) nach Anspruch 4, wobei der erste Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt unter Verwendung einer Flüssigkeitsmischung aus einer organischen Säure und einer anorganischen Säure durchgeführt wird und die Flüssigkeitsmischung eine Lösung ist, die eine oder mehrere der folgenden Säuren als organische Säure beinhaltet: Zitronensäure, Malonsäure, Ameisensäure, Ethansäure und Weinsäure, und eine oder mehrere der folgenden Säuren als anorganische Säure beinhaltet: Chlorwasserstoffsäure, Schwefelsäure, Salpetersäure und Fluorwasserstoffsäure; und der zweite Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt unter Verwendung einer Lösung durchgeführt wird, die eine oder mehrere organische Säuren beinhaltet, einschließlich einer Zitronensäure, einer Malonsäure, einer Ameisensäure, einer Ethansäure und einer Weinsäure, und eine oder mehrere anorganische Säuren beinhaltet, einschließlich einer Chlorwasserstoffsäure, einer Schwefelsäure, einer Salpetersäure und einer Fluorwasserstoffsäure, und die Jod beinhaltet.A method of manufacturing a light-emitting device (1). claim 4 , wherein the first surface-roughening treatment treatment step is carried out using a liquid mixture of an organic acid and an inorganic acid and the liquid mixture is a solution containing one or more of the following acids as the organic acid: citric acid, malonic acid, formic acid, acetic acid and tartaric acid, and one or more of the following Acids as the inorganic acid include: hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid and hydrofluoric acid; and the second surface-roughening treatment step is performed using a solution containing one or more organic acids including a citric acid, a malonic acid, a formic acid, an acetic acid and a tartaric acid, and one or more inorganic acids including a hydrochloric acid, a sulfuric acid, a nitric acid and a hydrofluoric acid, and which includes iodine. Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei der Vorrichtungsisolationsschritt durch ein Nassätzverfahren unter Verwendung eines Nassätzmittels, das Chlorwasserstoffsäure beinhaltet, durchgeführt wird, und indem eine Schicht, die kein Al beinhaltet, die in dem Bereich verbleibt, in dem im ersten Oberflächenaufrauungs-Behandlungsschritt keine Oberflächenaufrauung durchgeführt wurde, als Ätzmaske verwendet wird.Method for producing a light-emitting device (1) according to one of claims 3 until 5 wherein the device isolation step is performed by a wet etching method using a wet etchant containing hydrochloric acid, and using a layer not including Al remaining in the region where no surface roughening was performed in the first surface-roughening treatment step as an etching mask becomes. Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung (1) nach Anspruch 6, wobei die Schicht, die kein Al beinhaltet, eine oder mehrere Schichten aus GaAs, InGaP, InGaAs und Ge umfasst; und der Schritt des Entfernens der Schicht, die kein Al beinhaltet, nach dem Nassätzen durchgeführt wird.A method of manufacturing a light-emitting device (1). claim 6 wherein the layer not including Al comprises one or more layers of GaAs, InGaP, InGaAs and Ge; and the step of removing the layer not including Al is performed after the wet etching. Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei der Vorrichtungsisolationsschritt durch ein Trockenätzverfahren unter Verwendung eines Gases durchgeführt wird, das Chlorwasserstoff beinhaltet.Method for producing a light-emitting device (1) according to one of claims 3 until 5 wherein the device isolation step is performed by a dry etching method using a gas including hydrogen chloride.
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