DE112014005925B4

DE112014005925B4 - Halbleitervorrichtung

Info

Publication number: DE112014005925B4
Application number: DE112014005925.0T
Authority: DE
Inventors: Takeshi Fukami
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2013-12-20
Filing date: 2014-08-04
Publication date: 2020-08-13
Anticipated expiration: 2034-08-05
Also published as: CN105830203A; DE112014005925T5; JP2015122349A; US9553067B2; CN105830203B; US20160284660A1; WO2015093090A1; JP6070532B2

Abstract

Halbleitervorrichtung (1), aufweisend:eine Halbleiterschicht (2);eine Elektrodenschicht (3), die auf der Halbleiterschicht (2) angeordnet ist;eine Rissstartpunktschicht (10), die über der Halbleiterschicht (2) angeordnet ist; undeine Lotschicht (4), die mit der Elektrodenschicht (3) und der Rissstartpunktschicht (10) in Kontakt steht; wobeieine Verbindungskraft zwischen der Lotschicht (4) und der Rissstartpunktschicht (10) geringer ist als eine Verbindungskraft zwischen der Lotschicht (4) und der Elektrodenschicht (3),die Rissstartpunktschicht (10) an der Elektrodenschicht (3) angeordnet ist, undeine Dicke der Rissstartpunktschicht (10) geringer als eine Breite der Rissstartpunktschicht (10) ist.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung.
Stand der Technik
Bei einer herkömmlichen Halbleitervorrichtung kann ein Fall auftreten, bei welchem, aufgrund eines Temperaturzyklus, in dem die Temperatur der Halbleitervorrichtung wiederholt während deren Verwendung ansteigt und fällt, eine Belastung auf das Innere der Halbleitervorrichtung wirkt und ein Bruch bzw. Riss (eine Rissbildung) auftritt. Die JP 2011-023631 A offenbart eine Technologie zum Verbessern der Beständigkeit gegen Risse, die in einer Halbleitervorrichtung auftreten können. Eine in der JP 2011-023631 A offenbarte Konfiguration umfasst ein Halbleiterelement und eine Elektrodenschicht, die dem Halbleiterelement zugewandt angeordnet ist. Diese Konfiguration umfasst ferner eine Zwischenverbindungsschicht und eine Lotverbindungsschicht auf einer Fläche des Halbleiterelements, die der Elektrodenschicht zugewandt ist. Darüber hinaus ist ein Halbleiterelementschutzharz als Beschichtung des Halbleiterelements, und zumindest in einem Außenumfangsflächenbereich zwischen der Zwischenverbindungsschicht und der Lotverbindungsschicht ausgebildet.
Kurzfassung
Technisches Problem
Bei der aus der JP 2011-023631 A bekannten Technik wird durch das Vorsehen des Halbleiterelementschutzharzes der Bruchwiderstand des Halbleiterelements verbessert.
Selbst bei der in der JP 2011-023631 A offenbarten Technologie ist es jedoch möglich, dass ein Bruch bzw. Riss auftritt, wenn aufgrund des Temperaturzyklus eine Belastung auf das Innere der Halbleitervorrichtung wirkt. Wenn ein Riss auftritt, kann sich der Riss ferner in die Elektrodenschicht ausbreiten. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine Halbleitervorrichtung zu schaffen, bei welcher sich ein Riss weniger wahrscheinlich in die Elektrodenschicht ausbreiten kann. Lotlegierungen sind zudem aus der US 2011 / 0 198 755 A1 bekannt. Hierbei ist eine Grenze zwischen der Lotschicht und der Legierungsschicht vorgesehen, mit der verhindert werden soll, dass es zu einem Riss in einem Halbleiterelement kommt, wobei die Bruchfestigkeit der Lotstelle erhöht werden soll, indem die Härte des Lotmaterials entsprechend gesteuert werden. Weiterer Stand der Technik findet sich in der US 2007 / 0 246 833 A1 , der JP 2013 - 211 497 A .
Lösung des technischen Problems
Eine hier offenbarte Halbleitervorrichtung umfasst eine Halbleiterschicht, eine Elektrodenschicht, die auf der Halbleiterschicht angeordnet ist, eine Rissstartpunktschicht, die über der Halbleiterschicht angeordnet ist, und eine Lotschicht, die mit der Elektrodenschicht und der Rissstartpunktschicht in Kontakt steht. Eine Verbindungskraft zwischen der Lotschicht und der Rissstartpunktschicht ist geringer als eine Verbindungskraft zwischen der Lotschicht und der Elektrodenschicht.
Die Rissstartpunktschicht ist an der Elektrodenschicht angeordnet, und eine Dicke der Rissstartpunktschicht ist geringer als eine Breite der Rissstartpunktschicht.
Gemäß diesem Aufbau dient die Rissstartpunktschicht, wenn während des Temperaturzyklus eine Belastung auf das Innere der Halbleitervorrichtung wirkt, als Startpunkt eines Risses und der Riss breitet sich eher in die Lotschicht als in die Elektrodenschicht aus. Wenn die Rissstartpunktschicht nicht existiert, gibt es keinen Auslöser für die Erzeugung eines Risses, so dass sich der Riss nicht in die Lotschicht sondern in die Elektrodenschicht ausbreiten kann. Gemäß der vorstehend beschriebenen Konfiguration jedoch läuft der Riss in die Lotschicht, wodurch die Rissstartpunktschicht als Auslöser dient. Somit kann gewährleistet werden, dass sich ein Riss weniger wahrscheinlich in die Elektrodenschicht ausbreitet.
Ferner kann die Elektrodenschicht aus einem Material bestehen, dass leichter eine Legierung mit der Lotschicht bildet als die Rissstartpunktschicht.
Die Rissstartpunktschicht kann ferner aus Aluminium, Aluminium-Silizium, Kohlenstoff oder Polyimidharz bestehen.
Figurenliste

1 zeigt eine Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform;
2 zeigt eine Schnittansicht, die einen Hauptteil der Halbleitervorrichtung in vergrößerter Weise darstellt (eine Schnittansicht entlang der Linie II-II in 1);
3 zeigt eine Schnittansicht, welche einen Hauptteil einer Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform in vergrößerter Weise zeigt;
4 zeigt eine Schnittansicht, die einen Hauptteil einer Halbleitervorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform in vergrößerter Weise zeigt;
5 zeigt eine Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform;
6 zeigt eine Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform;
7 zeigt eine Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform;
8 zeigt eine Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform; und
9 zeigt eine Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform;

Beschreibung von Ausführungsformen
Nachfolgend werden Ausführungsformen Bezug nehmend auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Wie in den 1 und 2 gezeigt ist, hat eine Halbleitervorrichtung 1 gemäß einer Ausführungsform eine Halbleiterschicht 2, eine Elektrodenschicht 3, die auf der Halbleiterschicht 2 ausgebildet ist, Rissstartpunktschichten 10, die über der Halbleiterschicht 2 angeordnet sind, sowie eine Lotschicht 4, die mit der Elektrodenschicht 3 und den Rissstartpunktschichten 10 in Verbindung steht. Die jeweiligen Schichten sind entlang der vertikalen Richtung (z-Richtung) gestapelt. Es sei angemerkt, dass, obgleich die Rissstartpunktschichten 10 von den Lotschichten 4 bedeckt sind und somit in der Draufsicht von 1 nicht sichtbar sind, die Rissstartpunktschichten 10 zur Erläuterung anhand von gestrichelten Linien in 1 angedeutet sind.
Die Halbleiterschicht 2 ist derart ausgestaltet, dass n-dotierte oder p-dotierte Bereiche durch Einbringen von Störstellen in ein Halbleitersubstrat aus Silizium (Si), Siliziumcarbid (SiC) oder dergleichen ausgebildet werden. Als Halbleiterschicht 2 kann beispielsweise eine Diode, ein Transistor, ein Thyristor oder dergleichen verwendet werden. Genauer gesagt kann ein MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor), ein IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) oder dergleichen verwendet werden.
Die Elektrodenschicht 3 hat eine erste Schicht 31, die an einer vorderen Fläche der Halbleiterschicht 2 angeordnet ist, und eine zweite Schicht 32, die an einer vorderen Fläche der ersten Schicht 31 angeordnet ist. Die erste Schicht 31 steht mit der Halbleiterschicht 2 in Kontakt und die zweite Schicht 32 steht mit der Lotschicht 4 in Kontakt. Eine Verbindungskraft zwischen der Lotschicht 4 und der Elektrodenschicht 3 (der zweiten Schicht 32) ist größer als eine Verbindungskraft zwischen der Lotschicht 4 und den Rissstartpunktschichten 10. Damit die Elektrodenschicht 3 (die zweite Schicht 32) eine hohe Verbindungskraft mit der Lotschicht 4 hat, ist die Elektrodenschicht 3 derart ausgebildet, dass sie leichter eine Legierung mit der Lotschicht 4 bildet als die Rissstartpunktschichten 10. Insbesondere kann als Material der zweiten Schicht 32 auf der Seite der vorderen Fläche der Elektrodenschicht 3, die mit der Lotschicht 4 verbunden wird, ein Material verwendet werden, das leichter eine Legierung mit einem Material der Lotschicht 4 bildet, als ein Material der Rissstartpunktschichten 10. Genauer gesagt kann als Material für die zweite Schicht 32 beispielsweise Nickel (Ni) oder Kupfer (Cu) verwendet werden.
Eine Schutzschicht 6 ist zwischen einem Endabschnitt der ersten Schicht 31 und einem Endabschnitt der zweiten Schicht 32 in der Elektrodenschicht 3 angeordnet. Als Material für die Schutzschicht 6 kann beispielsweise Polyimidharz (PI) oder dergleichen verwendet werden.
Die Lotschicht 4 ist auf der vorderen Fläche der Elektrodenschicht 3 angeordnet. Die Lotschicht 4 verbindet ein angeschlossenes Element 5 mit der Elektrodenschicht 3. Die Lotschicht 4 füllt den Raum zwischen der Elektrodenschicht 3 und dem angeschlossenen Element 5. Das angeschlossene Element 5 ist nicht besonders beschränkt und ist eine Leiterplatine bzw. ein -rahmen aus einem Metall wie beispielsweise Kupfer (Cu). Das angeschlossene Element 5 leitet Elektrizität mit der Elektrodenschicht 3 über die Lotschicht 4. Als Material für die Lotschicht 4 kann ein Material, das herkömmlich zum Löten verwendet wird, genutzt werden, und beispielsweise kann eine Legierung, die Zinn (Sn), Silber (Ag) oder Kupfer (Cu) als Hauptbestandteil enthält, verwendet werden. Ein Wärmeausdehnungskoeffizient der Lotschicht 4 unterscheidet sich von einem Wärmeausdehnungskoeffizienten des angeschlossenen Elements 5. Ferner hat die Lotschicht 4 einen ersten Bereich 41, der zwischen der Halbleiterschicht 2 und dem angeschlossenen Element 5 angeordnet ist, und einen zweiten Bereich 42, der an einer äußeren Seite relativ zum ersten Bereich 41 angeordnet ist. Der erste Bereich 41 befindet sich unter dem angeschlossenen Element 5. Der zweite Bereich 42 ragt vom angeschlossenen Element 5 in laterale Richtung (x-Richtung) vor und ist über die Schutzschicht 6 angeordnet. Die Rissstartpunktschichten 10 sind in dem zweiten Bereich 42 angeordnet.
Die Rissstartpunktschichten 10 sind auf der Elektrodenschicht 3 angeordnet und an Grenzteilen zwischen der Elektrodenschicht 3 und der Lotschicht 4 angeordnet. Die Rissstartpunktschichten 10 sind an der zweiten Schicht 32 der Elektrodenschicht 3 angeordnet. Die Rissstartpunktschichten 10 sind an Stellen angeordnet, die mit einem Endabschnitt der Lotschicht 4 in Kontakt stehen. Die Rissstartpunktschichten 10 sind vollständig von der Lotschicht 4 bedeckt und in die Lotschicht 4 eingebettet. Wenn die Lotschicht 4 in Draufsicht betrachtet wird, umgibt die Lotschicht 4 eine jede Rissstartpunktschicht 10 und verbindet die Elektrodenschicht 3 an einem Umfang der Rissstartpunktschicht 10. Die Rissstartpunktschichten 10 verlaufen entlang der vorderen Fläche der Elektrodenschicht 3. Darüber hinaus hat jede Rissstartpunktschicht 10 einen ersten Teil 101, der in eine Richtung entlang der vorderen Fläche der Halbleiterschicht 2 verläuft (laterale Richtung: x-Richtung), und einen zweiten Teil 102, der relativ zum ersten Teil 101 geneigt ist und vom ersten Teil 101 in Richtung zur Seite der Halbleiterschicht 2 verläuft. Der erste Teil 101 befindet sich an einer äußeren Seite (einer Seite des Endabschnitts der Lotschicht 4) und der zweite Teil 102 befindet sich an einer inneren Seite relativ zum ersten Teil 101. Eine Kontaktfläche zwischen der Lotschicht 4 und jeder Rissstartpunktschicht 10 ist an einem Grenzteil zwischen dem ersten Teil 101 und dem zweiten Teil 102 gebogen. Darüber hinaus ist in Draufsicht eine Mehrzahl von Rissstartpunktschichten 10 entlang des Endabschnitts der Lotschicht 4 angeordnet. Die Lotschicht 4 füllt den Umfang einer jeden Rissstartpunktschicht 10 aus. Darüber hinaus sind die Rissstartpunktschichten 10 derart in einem Umfang des angeschlossenen Elements 5 angeordnet, dass sie das angeschlossene Element 5 in Draufsicht umgeben.
Die Verbindungskraft zwischen der Lotschicht 4 und den Rissstartpunktschichten 10 ist geringer als die Verbindungskraft zwischen der Lotschicht 4 und der Elektrodenschicht 3. Damit die Rissstartpunktschichten 10 eine geringere Verbindungskraft mit der Lotschicht 4 haben, sind die Rissstartpunktschichten 10 derart ausgestaltet, dass sie weniger leicht eine Legierung mit der Lotschicht 4 bilden. Insbesondere kann als Material für die Rissstartpunktschichten 10 ein Material verwendet werden, das weniger leicht eine Legierung mit dem Material der Lotschicht 4 bildet (d.h. als Material für die Rissstartpunktschichten 10 kann ein Material verwendet werden, das eine schlechtere Benetzung mit dem Material der Lotschicht 4 hat). Genauer gesagt kann als Material für die Rissstartpunktschichten 10 Aluminium (Al), Aluminium-Silizium (AlSi), Kohlenstoff (C), Polyimidharz (PI) oder dergleichen verwendet werden. Da die Verbindungskraft zwischen der Lotschicht 4 und den Rissstartpunktschichten 10 geringer ist als die Verbindungskraft zwischen der Lotschicht 4 und der Elektrodenschicht 3 verläuft ein Riss leicht in die Lotschicht 4, wodurch die Rissstartpunktschichten 10 als Startpunkt für den Riss dienen können. Mit der Vorgabe, dass sich ein Riss in die Lotschicht 4 in laterale Richtung (die x-Richtung) ausdehnen soll, wird die Dicke einer jeden Rissstartpunktschicht 10 vorzugsweise geringer gewählt als eine Breite w einer jeden Rissstartpunktschicht 10. Die Dicke t einer jeden Rissstartpunktschicht 10 ist ein Abstand zwischen den Rändern der Rissstartpunktschicht 10 in vertikale Richtung (z-Richtung) und die Breite w ist ein Abstand zwischen den Rändern der Rissstartpunktschicht 10 in laterale Richtung (x-Richtung).
Gemäß der Halbleitervorrichtung 1 mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau wird eine Spannung an die Halbleiterschicht 2 angelegt, um dadurch einen Stromfluss zu erzeugen. Wenn der Strom in der Halbleiterschicht 2 fließt, wird Wärme erzeugt, und eine Temperatur der Halbleitervorrichtung 1 steigt an. Wenn das Anlegen der Spannung beendet wird, fällt die Temperatur der Halbleitervorrichtung 1. Zu diesem Zeitpunkt wirkt, aufgrund des Zykluses des Anstiegs und Absinkens der Temperatur, eine Belastung auf das Innere der Halbleitervorrichtung 1. Gemäß der vorstehend beschriebenen Halbleitervorrichtung 1 dienen die Rissstartpunktschichten 10, wenn eine Belastung auf das Innere wirkt, als Startpunkt eines Risses und der Riss breitet sich in die Lotschicht 4 aus. In anderen Worten: wenn die Rissstartpunktschichten 10 nicht existieren, gibt es keinen Auslöser für einen Riss, so dass sich der Riss nicht in die Lotschicht 4 sondern in die Elektrodenschicht 3 ausbreiten kann. Wenn sich der Riss in die Elektrodenschicht 3 ausbreitet, kann die Halbleitervorrichtung nicht länger verwendet werden. Gemäß der vorstehend beschriebenen Halbleitervorrichtung 1 jedoch ist die Verbindungskraft zwischen der Lotschicht 4 und den Rissstartpunktschichten 10 geringer als die Verbindungskraft zwischen der Lotschicht 4 und der Elektrodenschicht 3, so dass sich der Riss in die Lotschicht 4 ausbreitet, bevor er sich in die Elektrodenschicht 3 ausbreitet, wodurch die Rissstartpunktschichten 10 als Auslöser dienen. Hierdurch kann sichergestellt werden, dass sich der Riss weniger wahrscheinlich in die Elektrodenschicht 3 ausbreitet. Wenn sich der Riss zudem in die Lotschicht 4 ausbreitet, wird ein elektrischer Widerstand in der Lotschicht 4 erhöht, und der Grad des Temperaturanstiegs wird größer als gewöhnlich. Durch die Erfassung des Temperaturanstiegs und dem Ausgeben eines Alarms kann somit eine Verschlechterung der Halbleitervorrichtung 1 vermieden werden.
Darüber hinaus ist die Dicke t einer jeden Rissstartpunktschicht 10 geringer als die Breite w einer jeden Rissstartpunktschicht 10, so dass der Riss, der auftritt, zulässt, dass die Rissstartpunktschichten 10 als Startpunkt dienen und in eine Richtung der Breite (x-Richtung) geführt werden kann. Es ist somit möglich, das Ausdehnen des Risses in vertikale Richtung (z-Richtung) zu vermeiden, und es kann gewährleistet werden, dass der Riss weniger wahrscheinlich von der Lotschicht 4 in die Elektrodenschicht 3 oder die Halbleiterschicht 2 verläuft. Da zudem die Rissstartpunktschichten 10 mit dem Endabschnitt der Lotschicht 4 in Kontakt stehen, und somit verursacht werden kann, dass ein Riss in den Endabschnitt der Lotschicht 4 verläuft, kann verhindert werden, dass ein Riss im Mittelabschnitt der Lotschicht 4 auftritt.
Obgleich vorstehend eine Ausführungsform beschrieben wurde, sind spezifische Aspekte nicht auf die vorstehend beschriebene Ausführungsform beschränkt. Beispielsweise sind bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform die Rissstartpunktschichten 10 an der zweiten Schicht 32 der Elektrodenschicht 3 angeordnet. Die Rissstartpunktschichten 10 sind jedoch nicht auf diesen Aufbau beschränkt und können unter der zweiten Schicht 32 angeordnet sein. Bei einer anderen Ausführungsform ist, wie in 3 gezeigt ist, eine Rissstartpunktschicht 10 auf der ersten Schicht 31 angeordnet, und die zweite Schicht 32 befindet sich auf der Rissstartpunktschicht 10. Die zweite Schicht 32 hat eine Öffnung 35, die an einer Stelle ausgebildet ist, an der die Rissstartpunktschicht 10 angeordnet ist, und die Rissstartpunktschicht 10 liegt an der Öffnung 35 frei. Die Lotschicht 4 deckt die Öffnung 35 ab und steht mit der freiliegenden Rissstartpunktschicht 10 in Kontakt. Die Rissstartpunktschicht 10 dieses Aufbaus dient auch als die Schutzschicht 6 in der Halbleitervorrichtung 1 aus 1. Es sei angemerkt, dass in 3 die gleichen Bestandteile wie in 2 mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind und auf eine wiederholte Beschreibung hiervon verzichtet wird.
Darüber hinaus ist bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform der Endabschnitt der zweiten Schicht 32 der Elektrodenschicht 3 an der Schutzschicht 6 angeordnet. Der Endabschnitt der zweiten Schicht 32 ist hierauf jedoch nicht beschränkt und kann, wie in 4 gezeigt ist, nicht an der Schutzschicht 6 angeordnet sein. Es sei angemerkt, dass in 4 die gleichen Bestandteile wie in 2 mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind und auf eine wiederholte Beschreibung hiervon verzichtet wird.
Darüber hinaus ist nicht besonders beschränkt, wie die Rissstartpunktschichten 10 in Draufsicht angeordnet sind. Wie beispielsweise in 5 gezeigt ist, kann jede Rissstartpunktschicht 10 derart entlang des Endabschnitts der Lotschicht 4 angeordnet sein, dass sie in einer geraden Linie verlaufen. Jede Rissstartpunktschicht 10 kann vollständig der entsprechenden Seite des angeschlossenen Elements 5 zugewandt sein. Darüber hinaus kann, wie in 6 gezeigt ist, eine Mehrzahl von Rissstartpunktschichten 10 einer entsprechenden Seite des angeschlossenes Elements 5 zugewandt angeordnet sein. Die Mehrzahl von Rissstartpunktschichten 10 verläuft in einer geraden Linie und diese Rissstartpunktschichten 10 sind voneinander beabstandet in Längsrichtung angeordnet. Wie zudem in 7 gezeigt ist, kann eine Mehrzahl von Rissstartpunktschichten 10 in zwei Reihen angeordnet sein. Eine Reihe der Rissstartpunktschichten 10 ist an einer Stelle angeordnet, welche das angeschlossene Element 5 in z-Richtung überlappt, und die andere Reihe der Rissstartpunktschichten 10 ist an einer Stelle angeordnet, welche das angeschlossene Element 5 in z-Richtung nicht überlappt. Wie ferner in 8 gezeigt ist, kann eine Mehrzahl von Rissstartpunktschichten 10 zwei Seiten (kurze Seiten) des angeschlossenen Elements 5 zugewandt angeordnet sein. An Stellen, welche den anderen beiden Seiten (lange Seiten) des angeschlossenen Elements 5 zugewandt sind, sind keine Rissstartpunktschichten 10 angeordnet. Wie zudem in 9 gezeigt ist, kann eine Mehrzahl von Rissstartpunktschichten 10, die in zwei Reihen entlang einer jeden Seite des angeschlossenen Elements 5 angeordnet sind, zueinander versetzt angeordnet sein. Beispielsweise können einige der Mehrzahl von Rissstartpunktschichten 10, die in zwei Reihen entlang einer Seite des angeschlossenen Elements 5 in y-Richtung angeordnet sind, zueinander in y-Richtung versetzt sein, so dass die Mehrzahl von Rissstartpunktschichten 10 nicht in x-Richtung überlappen. Bei jeder der in den 5 bis 9 gezeigten Konfigurationen verläuft der Riss ebenso in die Lotschicht 4, wodurch die Rissstartpunktschichten 10 als Auslöser für einen Riss dienen können. Es sei angemerkt, dass in den 5 bis 9 die gleichen Bestandteile wie in 1 mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind und auf eine wiederholte Beschreibung hiervon verzichtet wird.
Vorstehend wurden bestimmte Beispiele der vorliegenden Anmeldung im Detail beschrieben, wobei diese lediglich beispielhaft sind und nicht dazu gedacht sind, den Umfang der Ansprüche zu beschränken. Die in den Ansprüchen beschriebene Technologie umfasst Abwandlungen und Veränderungen der bestimmten Beispiele die vorstehend beschrieben wurden. Die in der Beschreibung und den Zeichnungen dargestellten technischen Merkmale können alleine oder in verschiedenen Kombinationen technisch genutzt werden und sind nicht auf die ursprünglich beanspruchten Kombinationen beschränkt. Darüber hinaus kann die in der Beschreibung und den Zeichnungen vorgestellte Technologie gleichzeitig eine Mehrzahl von Zielen erreichen, und der technische Nutzen derselben ist bereits erzielt, wenn eines dieser Ziele erreicht ist.
Bezugszeichenliste

1:: Halbleitervorrichtung
2:: Halbleiterschicht
3:: Elektrodenschicht
4:: Lotschicht
5:: angeschlossenes Element
6:: Schutzschicht
10:: Rissstartpunktschicht
31:: erste Schicht
32:: zweite Schicht
35:: Öffnung
41:: erster Bereich
42:: zweiter Bereich
101:: erster Teil
102:: zweiter Teil

Claims

Halbleitervorrichtung (1), aufweisend: eine Halbleiterschicht (2); eine Elektrodenschicht (3), die auf der Halbleiterschicht (2) angeordnet ist; eine Rissstartpunktschicht (10), die über der Halbleiterschicht (2) angeordnet ist; und eine Lotschicht (4), die mit der Elektrodenschicht (3) und der Rissstartpunktschicht (10) in Kontakt steht; wobei eine Verbindungskraft zwischen der Lotschicht (4) und der Rissstartpunktschicht (10) geringer ist als eine Verbindungskraft zwischen der Lotschicht (4) und der Elektrodenschicht (3), die Rissstartpunktschicht (10) an der Elektrodenschicht (3) angeordnet ist, und eine Dicke der Rissstartpunktschicht (10) geringer als eine Breite der Rissstartpunktschicht (10) ist.
Halbleitervorrichtung (1) nach Anspruch 1, wobei die Elektrodenschicht (3) aus einem Material besteht, dass leichter eine Legierung mit der Lotschicht (4) bildet als die Rissstartpunktschicht (10).
Halbleitervorrichtung (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Rissstartpunktschicht (10) aus Aluminium, Aluminium-Silizium, Kohlenstoff oder Polyimidharz besteht.