DE112014001901B4 - Schutzschaltung für eine Signalausgangs-Stufe - Google Patents
Schutzschaltung für eine Signalausgangs-Stufe Download PDFInfo
- Publication number
- DE112014001901B4 DE112014001901B4 DE112014001901.1T DE112014001901T DE112014001901B4 DE 112014001901 B4 DE112014001901 B4 DE 112014001901B4 DE 112014001901 T DE112014001901 T DE 112014001901T DE 112014001901 B4 DE112014001901 B4 DE 112014001901B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- output
- transistor
- signal output
- collector
- inverse operation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/02—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess current
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0259—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using bipolar transistors as protective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
Schutzschaltung für eine Ausgangsendstufe (5) bei fehlerhafter Kontaktierung der elektrischen Anschlüsse (2, 3, 4),wobei die Ausgangsendstufe (5) aus einer Treibereinheit besteht und einen Versorgungsplus-Anschluss (2), einen Versorgungsminus-Anschluss (3) sowie einen analogen oder digitalen Signalausgang (4) aufweist und die fehlerhafte Kontaktierung darin besteht, dass der Versorgungsminus-Anschluss (3) an die positive Versorgungsspannung und der Signalausgang (4) an die negative Versorgungsspannung angeschlossen ist,mit einem ersten Transistor (T1), dessen Kollektor mit der Ausgangsendstufe (5) und dessen Emitter mit dem Signalausgang (4) verbunden ist,wobei zwischen Kollektor und Basis ein erster Widerstand geschaltet ist, und einem zweiten Transistor (T2), dessen Basis über einen zweiten Widerstand mit dem Versorgungsminus-Anschluss (3) verbunden ist,wobei der zweite Transistor (T2) sowohl invers als auch nichtinvers betreibbar ist, so dass entweder dessen Kollektor im inversen Betrieb oder dessen Emitter im nichtinversen Betrieb mit dem Signalausgang (4) verbunden ist,wobei im inversen Betrieb des zweiten Transistors (T2) dessen Emitter und im nichtinversen Betrieb dessen Kollektor mit der Basis des ersten Transistors (T1) verbunden ist, um den ersten Transistor (T1) derart zu beeinflussen, dass dieser im genannten Fehlerfall hochohmig wird.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Schutzschaltung für eine Ausgangsendstufe bei fehlerhafter Kontaktierung der elektrischen Anschlüsse, wobei die Ausgangsendstufe aus einer Treiberschaltung besteht und einen analogen oder digitalen Signalausgang aufweist. Des Weiteren betrifft die Erfindung eine Sensorschaltung zur Bestimmung einer physikalischen Prozessgröße.
- In der Automatisierungs- und Prozesstechnik kommen häufig Sensoren bzw. Messgeräte zum Einsatz, die den erfassten Messwert - z.B. Druck, Temperatur, Durchfluss, aber auch Abstand oder Vibration - in ein diesen Messwert repräsentierendes Ausgangssignal in Form eines analogen Strom- oder Spannungssignals umwandeln und dieses Signal an ihrem Kabel- oder Steckeranschluss zur weiteren Verarbeitung anbieten, bspw. einer SPS. Damit diese Signale auswertbar sind, müssen sie zuvor verstärkt werden, was zumeist in einer Treiberstufe erfolgt, die als separater oder kombinierter Chip auf der Platine im Sensorgehäuse angeordnet ist. Ein solcher Chip ist bspw. der AD5410 von Analog Devices.
- Diese Ausgangsendstufen können jedoch bei fehlerhaftem Anschluss schnell zerstört werden. Die am Treiberausgang obligatorisch integrierten ESD-Schutzdioden wirken bestimmungsgemäß gegen Spannungstransienten, denen der Treiberausgang auch bei normaler Handhabung durch das Herausführen aus dem Sensor ausgesetzt sein kann. Wird aber bspw. der Versorgungsminus-Anschluss (= Masse) an die positive Versorgungsspannung (UB+) angeschlossen und der Ausgangsanschluss an die negative Versorgungsspannung (UB-), fließt ein Kurzschlussstrom durch jene ESD-Schutzdiode, welche zwischen Masse und Treiberausgang verbunden ist. Auch kommt es bei Messgeräten mit hoher Betriebsstromaufnahme beim Nichtanschließen des Versorgungsminus-Anschlusses zur Zerstörung, da der gesamte Betriebsstrom des Gerätes durch die ESD-Schutzdiode fließt und täuscht durch die dadurch scheinbar korrekte Funktion einen korrekten Anschluss vor, bis die ESD-Schutzdiode wegen Überlastung zerstört wird.
- Eine denkbare Lösung sieht vor, eine ausreichend leistungsfähige Schutzdiode dem Analogausgang gegen Masse parallel zu schalten und zwischen der Ausgangsendstufe und dem eigentlichen Signalausgang einen Widerstand vorzusehen, der im Falle eines Kurzschlusses den Strom begrenzt. Dazu darf der Widerstand jedoch nicht besonders hochohmig sein, um den entstehenden Spannungsabfall im Normalbetrieb nicht allzu sehr zu erhöhen, er muss deshalb aber eine gewisse Leistungsklasse aufweisen, um die durch den Kurzschlussstrom erzeugte Wärmeentwicklung auszuhalten. Derartige Bauteile sind jedoch groß und teuer, so dass deren Einbau schwierig und unwirtschaftlich ist.
- Aus der
US 2007/0145484 A1 - Die
US 2009/0141412 A1 - Die aufgezeigte Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Sensorschaltung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie des Anspruchs 2 und des Weiteren durch eine Sensorschaltung mit den Merkmalen des Anspruchs 6. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den rückbezogenen Ansprüchen angegeben.
- Wie bereits einleitend dargelegt, sind die auf dem Chip integrierten ESD-SchutzDioden nicht ausreichend robust, um die genannten Fehlerfälle ohne Beschädigung bzw. Zerstörung zu überstehen. Kern der Erfindung ist es demnach, die Treiberstufe so zu ergänzen, dass im Falle einer fehlerhaften Kontaktierung der elektrischen Anschlüsse die Ausgangsendstufe geschützt ist.
- Dafür weist die Schaltung, die eine Ausgangsendstufe, bestehend aus einer Treibereinheit und einem analogen oder digitalen Signalausgang, im Falle einer fehlerhaften Kontaktierung der elektrischen Anschlüsse schützen soll, erfindungsgemäß einen ersten Transistor, dessen Kollektor mit der Ausgangsendstufe und dessen Emitter mit dem Signalausgang verbunden ist, wobei zwischen Kollektor und Basis ein erster Widerstand geschaltet ist, und einen zweiten Transistor, dessen Basis über einen zweiten Widerstand mit dem Versorgungsminus-Anschluss verbunden ist, wobei der zweite Transistor sowohl invers als auch nichtinvers betreibbar ist, so dass entweder dessen Kollektor im inversen Betrieb oder dessen Emitter im nichtinversen Betrieb mit dem Signalausgang verbunden ist, auf. Dabei ist im inversen Betrieb des zweiten Transistors dessen Kollektor und im nichtinversen Betrieb dessen Emitter mit der Basis des ersten Transistors verbunden ist, um den ersten Transistor derart zu beeinflussen, dass dieser im genannten Fehlerfall hochohmig wird.
- Die hinzugefügten Transistorschaltungen stellen somit eine Erweiterung dar, die sowohl auf dem Chip integriert, als auch außerhalb des Chips angeordnet sein kann.
- Im Normalfall ist die erste Transistorschaltung niederohmig, so dass über ihr kaum Spannung abfällt. Kommt es jedoch zu einer falschen Kontaktierung der elektrischen Anschlüsse, beeinflusst die zweite Transistorschaltung die erste derart, dass diese hochohmig wird und damit für einen Widerstand sorgt, der den Stromfluss unterbricht und damit die Treiberstufe vor der Zerstörung durch einen Kurzschlussstrom schützt.
- In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die zweite Transistorschaltung invers betrieben wird, so dass der Emitter der zweiten Transistorschaltung mit der Basis der ersten Transistorschaltung verbunden ist. Das hat den Vorteil, dass ein versehentlich von außen angelegter Spannungspegel am Signalausgang nicht zum Durchbrechen der Basis-Emitter-Strecke des Transistors der zweiten Transistorschaltung führt.
- Eine weitere bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass der Signalausgang entweder als Spannungsausgang mit 0 bis 10 V oder als Stromausgang mit 4 bis 20 mA ausgeführt ist. Im Falle eines Spannungsausgangs ist jedoch eine hochohmige Feedback-Leitung zur Treibereinheit nötig.
- Nachfolgend wird die Erfindung im Zusammenhang mit Figuren anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert.
- Es zeigen:
-
1 eine Sensorschaltung mit einer erfindungsgemäßen Schutzschaltung nach einer ersten Ausführungsform und -
2 eine Sensorschaltung mit einer erfindungsgemäßen Schutzschaltung nach einer zweiten Ausführungsform. - Die
1 zeigt eine Sensorschaltung, bestehend aus einem Sensorelement11 mit einer integrierten Verstärkereinheit, einem A/D-Wandler12 , einem digitalen Signalprozessor13 zur Signalkonditionierung und einer Treibereinheit5 , die vom Signalprozessor13 über ein digitales Protokoll angesprochen wird und über einen integrierten D/A-Wandler verfügt. Am Versorgungsplus-Anschluss2 ist neben den beiden Schutzdiode, die für den Fall einer Verpolung vorgesehen sind, ein Spannungs- bzw. Längsregler10 angeordnet. Das Sensorelement11 ist bevorzugt als Vibrationssensor ausgeführt, kann allerdings auch zur Erfassung anderer denkbarer Messwerte als Druck-, Temperatur-, Durchfluss- bzw. Strömungs- oder als Abstandssensor auf induktiver, kapazitiver oder optischer Basis ausgeführt sein. - Die Sensorschaltung ist am Ausgang der Treiberstufe
5 erweitert um die erfindungsgemäße Schutzschaltung1 , die zwischen der Treiberstufe5 und dem analogen Signalausgang4 angeordnet ist. Die Treiberstufe ist bevorzugt als AD5410-Chip von Analog Devices ausgeführt. Durch den inversen Betrieb der zweiten TransistorschaltungT2 ergibt sich der Vorteil, dass ein versehentlich von außen angelegter Spannungspegel am Signalausgang4 nicht zum Durchbrechen der Basis-Emitter-Strecke des Transistors der zweiten TransistorschaltungT2 führt. - Die in dem Chip der Treiberstufe
5 integrierte Schutzdiode5a wirkt lediglich gegen Spannungstransienten, denen der Analogausgang4 auch bei normaler Handhabung durch das Herausführen aus dem Sensor aufgrund elektrostatischer Entladung ausgesetzt sein kann. Wird aber der Versorgungsminus-Anschluss3 an die positive Versorgungsspannung (UB+) angeschlossen und der Ausgangsanschluss4 an die negative Versorgungsspannung (UB-), fließt ein Kurzschlussstrom durch jene ESD-Schutzdiode5a , welche in Durchlassrichtung zwischen Masse und Analogausgang4 verbunden ist. Auch kommt es bei Messgeräten mit hoher Betriebsstromaufnahme beim Nichtanschließen des Versorgungsminus-Anschlusses3 zur Zerstörung, da der gesamte Betriebsstrom des Gerätes durch die ESD-Schutzdiode5a fließt und täuscht durch die dadurch scheinbar korrekte Funktion einen korrekten Anschluss vor, bis die ESD-Schutzdiode5a wegen Überlastung zerstört wird. - In diesen Fällen beeinflusst die zweite Transistorschaltung
T2 die erste TransistorschaltungT1 derart, dass diese hochohmig wird, während sie im Normalfall niederohmig ist. Damit wird der Kurzschlussstrom unterbrochen und die Treiberstufe5 geschützt. - Eine zweite Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schutzschaltung
1 ist in2 dargestellt. Der Unterschied zur Ausführung nach2 ist, dass die zweite TransistorschaltungT2 im Normalbetrieb, d.h. nicht invers, geschaltet ist. Die Ausführungsform mit inversem TransistorT2 kann nur bis etwa 7 V betrieben werden, was bei einem Stromausgang von 20 mA einer Bürde von 350 Ohm entspricht. Wenn dem TransistorT2 in Reihe zur Basis eine Diode geschaltet ist, kann er normal betrieben werden und es sind Spannungen größer 7 V und damit auch einer größeren Bürde möglich. Der Vorteil der Ausführung mit inversem TransistorT2 liegt jedoch darin, dass die Schaltung im Verpolfall sensibler reagiert als mit einem TransistorT2 im Normalbetrieb.
Claims (6)
- Schutzschaltung für eine Ausgangsendstufe (5) bei fehlerhafter Kontaktierung der elektrischen Anschlüsse (2, 3, 4), wobei die Ausgangsendstufe (5) aus einer Treibereinheit besteht und einen Versorgungsplus-Anschluss (2), einen Versorgungsminus-Anschluss (3) sowie einen analogen oder digitalen Signalausgang (4) aufweist und die fehlerhafte Kontaktierung darin besteht, dass der Versorgungsminus-Anschluss (3) an die positive Versorgungsspannung und der Signalausgang (4) an die negative Versorgungsspannung angeschlossen ist, mit einem ersten Transistor (T1), dessen Kollektor mit der Ausgangsendstufe (5) und dessen Emitter mit dem Signalausgang (4) verbunden ist, wobei zwischen Kollektor und Basis ein erster Widerstand geschaltet ist, und einem zweiten Transistor (T2), dessen Basis über einen zweiten Widerstand mit dem Versorgungsminus-Anschluss (3) verbunden ist, wobei der zweite Transistor (T2) sowohl invers als auch nichtinvers betreibbar ist, so dass entweder dessen Kollektor im inversen Betrieb oder dessen Emitter im nichtinversen Betrieb mit dem Signalausgang (4) verbunden ist, wobei im inversen Betrieb des zweiten Transistors (T2) dessen Emitter und im nichtinversen Betrieb dessen Kollektor mit der Basis des ersten Transistors (T1) verbunden ist, um den ersten Transistor (T1) derart zu beeinflussen, dass dieser im genannten Fehlerfall hochohmig wird.
- Schutzschaltung für eine Ausgangsendstufe (5) bei fehlerhafter Kontaktierung der elektrischen Anschlüsse (2, 3, 4), wobei die Ausgangsendstufe (5) aus einer Treibereinheit besteht und einen Versorgungsplus-Anschluss (2), einen Versorgungsminus-Anschluss (3) sowie einen analogen oder digitalen Signalausgang (4) aufweist und die fehlerhafte Kontaktierung im Nichtanschließen des Versorgungsminus-Anschlusses (3) besteht, mit einem ersten Transistor (T1), dessen Kollektor mit der Ausgangsendstufe (5) und dessen Emitter mit dem Signalausgang (4) verbunden ist, wobei zwischen Kollektor und Basis ein erster Widerstand geschaltet ist, und einem zweiten Transistor (T2), dessen Basis über einen zweiten Widerstand mit dem Versorgungsminus-Anschluss (3) verbunden ist, wobei der zweite Transistor (T2) sowohl invers als auch nichtinvers betreibbar ist, so dass entweder dessen Kollektor im inversen Betrieb oder dessen Emitter im nichtinversen Betrieb mit dem Signalausgang (4) verbunden ist, wobei im inversen Betrieb des zweiten Transistors (T2) dessen Emitter und im nichtinversen Betrieb dessen Kollektor mit der Basis des ersten Transistors (T1) verbunden ist, um den ersten Transistor (T1) derart zu beeinflussen, dass dieser im genannten Fehlerfall hochohmig wird.
- Schutzschaltung nach einem der
Ansprüche 1 oder2 , dadurch gekennzeichnet, dass der Signalausgang (4) als Spannungsausgang mit 0 bis 10 V ausgeführt ist. - Schutzschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Signalausgang (4) als Stromausgang mit 4 bis 20 mA ausgeführt ist.
- Schutzschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Signalausgang (4) als binäre, insbesondere als RS232- oder RS485-Schnittstelle ausgeführt ist.
- Sensorschaltung zur Bestimmung einer physikalischen Prozessgröße, bestehend aus einem Sensorelement (11), einer Verstärkereinheit, einem A/D-Wandler (12), einem digitalen Signalprozessor (13), einer Ausgangsendstufe (5) und einem analogen Signalausgang (4), wobei die Ausgangsendstufe (5) eine Treibereinheit umfasst, die vom Signalprozessor (13) über ein digitales Protokoll angesprochen wird und über einen integrierten D/A-Wandler verfügt, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Ausgangsendstufe (5) und dem Signalausgang (4) eine Schutzschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche angeordnet ist.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013206412.8A DE102013206412A1 (de) | 2013-04-11 | 2013-04-11 | Schutzschaltung für eine Signalausgangs-Stufe |
DE102013206412.8 | 2013-04-11 | ||
PCT/EP2014/057293 WO2014167064A1 (de) | 2013-04-11 | 2014-04-10 | Schutzschaltung für eine signalausgangs-stufe |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112014001901A5 DE112014001901A5 (de) | 2015-12-31 |
DE112014001901B4 true DE112014001901B4 (de) | 2020-01-23 |
Family
ID=50630763
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102013206412.8A Withdrawn DE102013206412A1 (de) | 2013-04-11 | 2013-04-11 | Schutzschaltung für eine Signalausgangs-Stufe |
DE112014001901.1T Active DE112014001901B4 (de) | 2013-04-11 | 2014-04-10 | Schutzschaltung für eine Signalausgangs-Stufe |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102013206412.8A Withdrawn DE102013206412A1 (de) | 2013-04-11 | 2013-04-11 | Schutzschaltung für eine Signalausgangs-Stufe |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10211628B2 (de) |
CN (1) | CN105264662B (de) |
DE (2) | DE102013206412A1 (de) |
WO (1) | WO2014167064A1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017214205A1 (de) * | 2017-08-15 | 2019-02-21 | Robert Bosch Gmbh | Steuergerät mit Schaltung und Verfahren zum Kurzschlussschutz von Masseleitungen und Sensoren |
TWI653732B (zh) | 2017-09-19 | 2019-03-11 | 世界先進積體電路股份有限公司 | 控制電路及操作電路 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070145484A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Regulator circuit and semiconductor device therewith |
US20090141412A1 (en) * | 2006-12-18 | 2009-06-04 | Caterpillar Inc. | Electrical interface system |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3557383A (en) * | 1967-10-02 | 1971-01-19 | Westinghouse Electric Corp | Control logic circuit |
US3609479A (en) * | 1968-02-29 | 1971-09-28 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor integrated circuit having mis and bipolar transistor elements |
US3896317A (en) * | 1973-12-28 | 1975-07-22 | Ibm | Integrated monolithic switch for high voltage applications |
US4161760A (en) * | 1978-05-22 | 1979-07-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Short circuit protection of regulated power supplies |
US4586000A (en) * | 1982-02-10 | 1986-04-29 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Transformerless current balanced amplifier |
DE3687494T3 (de) * | 1985-08-28 | 1998-06-10 | Toshiba Kawasaki Kk | Signalverarbeitungsanordnung mit einem Feldeffekttransistor und bipolaren Transistoren. |
US5448441A (en) * | 1994-04-05 | 1995-09-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Fault protection circuit for power switching device |
US5581433A (en) * | 1994-04-22 | 1996-12-03 | Unitrode Corporation | Electronic circuit breaker |
US20020036326A1 (en) * | 1994-08-11 | 2002-03-28 | Harris Corporation | Analog-to-digital converter and method of fabrication |
US6876529B2 (en) * | 2000-12-15 | 2005-04-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Electrostatic discharge protection circuit |
US6492859B2 (en) * | 2001-01-24 | 2002-12-10 | National Semiconductor Corporation | Adjustable electrostatic discharge protection clamp |
TW563010B (en) * | 2001-06-25 | 2003-11-21 | Em Microelectronic Marin Sa | High-voltage regulator including an external regulating device |
US6597553B2 (en) * | 2001-12-18 | 2003-07-22 | Honeywell International Inc. | Short circuit protection for a high or low side driver with low impact to driver performance |
US6882513B2 (en) * | 2002-09-13 | 2005-04-19 | Ami Semiconductor, Inc. | Integrated overvoltage and reverse voltage protection circuit |
TW575989B (en) * | 2002-09-25 | 2004-02-11 | Mediatek Inc | NPN Darlington ESD protection circuit |
JP5136834B2 (ja) * | 2007-10-16 | 2013-02-06 | 株式会社村田製作所 | Rf電力増幅装置およびrf電力増幅器の電源電圧を制御する電源供給回路 |
JP5716346B2 (ja) * | 2010-10-13 | 2015-05-13 | 株式会社リコー | 信号バッファ回路とセンサ制御基板と画像読取装置および画像形成装置 |
US9088256B2 (en) * | 2012-08-08 | 2015-07-21 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and methods for amplifier fault protection |
CN103066817A (zh) * | 2012-12-24 | 2013-04-24 | 成都芯源系统有限公司 | 一种纹波抑制电路及其供电系统和纹波抑制方法 |
-
2013
- 2013-04-11 DE DE102013206412.8A patent/DE102013206412A1/de not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-04-10 US US14/783,090 patent/US10211628B2/en active Active
- 2014-04-10 WO PCT/EP2014/057293 patent/WO2014167064A1/de active Application Filing
- 2014-04-10 DE DE112014001901.1T patent/DE112014001901B4/de active Active
- 2014-04-10 CN CN201480031878.XA patent/CN105264662B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070145484A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Regulator circuit and semiconductor device therewith |
US20090141412A1 (en) * | 2006-12-18 | 2009-06-04 | Caterpillar Inc. | Electrical interface system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105264662B (zh) | 2018-08-14 |
CN105264662A (zh) | 2016-01-20 |
DE112014001901A5 (de) | 2015-12-31 |
DE102013206412A1 (de) | 2014-10-16 |
WO2014167064A1 (de) | 2014-10-16 |
US20160049785A1 (en) | 2016-02-18 |
US10211628B2 (en) | 2019-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2675031B1 (de) | Überspannungsschutzelement | |
DE102015121568A1 (de) | System und verfahren für eine kontaktmessschaltung | |
EP1296433A2 (de) | Schaltungsanordnung zur Spannungsversorgung eines Zweidrahtsensors | |
EP1652281B1 (de) | Vorrichtung zum schutz von elektronik-baugruppen in einem mehrspannungs-bordnetz gegen kurzschl sse | |
EP2678912B1 (de) | Überspannungsschutzschaltung und verfahren zur überprüfung einer überspannungsschutzschaltung | |
EP2980660A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Überwachen und Schalten eines Lastkreises | |
DE112014001901B4 (de) | Schutzschaltung für eine Signalausgangs-Stufe | |
DE102010038208A1 (de) | Überspannungsschutzvorrichtung | |
DE102016007900A1 (de) | Mehrspannungs-Steuervorrichtung für ein Kraftfahrzeug, Kraftfahrzeug und Betriebsverfahren für die Steuervorrichtung | |
US8934207B2 (en) | Protective circuit and automation component | |
DE102017126754B4 (de) | Eingangsschaltung zum fehlersicheren Einlesen eines analogen Eingangssignals | |
DE102012019186B4 (de) | Fahrzeug und Verfahren mit erhöhter Verlässlichkeit einer Masseanbindung | |
DE102017109530B4 (de) | Steuergerät, insbesondere für ein Fahrzeug | |
DE102013020583A1 (de) | Sensorelement mit einem Überspannungsschutz | |
WO2014060513A1 (de) | Schutzschaltungsanordnung und verfahren zum schutz einer elektrischen schaltungseinrichtung sowie vorrichtung mit der zu schützenden schaltung und der schutzschaltungsanordnung | |
DE102020207637B4 (de) | Schaltungsanordnung zum Erkennen eines Kurzschlusses | |
DE102021118817B3 (de) | Verfahren zum überwachen eines schaltbaren halbleiterbauelements und überwachungsvorrichtung für ein halbleiterbauelement | |
DE102021203567A1 (de) | Schaltungsanordnung zur Auswertung eines Sensorwiderstands | |
EP2200141B1 (de) | Schaltungsanordnung zum Schutz eines elektrischen Verbrauchers | |
DE102018204781A1 (de) | Spannungsschutz für einen Anschluss eines Steuergeräts | |
DE4120478C2 (de) | Steuerschaltung für einen Feldeffekttransistor | |
DE102020127777A1 (de) | Vorrichtung zur Kommunikation zwischen einer Steuerung und einem Feldgerät | |
DE102020108166A1 (de) | Verpolschutzschaltung mit Überstromschutz | |
CN203504168U (zh) | 可变输入保护电路 | |
WO2020094459A1 (de) | Schaltungsanordnung zur begrenzung eines einschaltstroms |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0027020000 Ipc: H03F0001520000 |
|
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |