DE112012006049T5 - Flow sensor with manufacturing process - Google Patents

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c/o Hitachi Automotive Systems Tashiro Shinobu
c/o Hitachi Ltd. Kono Tsutomu
c/o Hitachi Automotive Systems L Hanzawa Keiji
c/o Hitachi Automotive Systems Tokuyasu Noboru
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Hitachi Automotive Systems Ltd
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Abstract

Es wird eine Technik zum Verbessern der Leistung des Strömungssensors durch Unterdrücken der Variation der Leistung zwischen den Strömungssensoren (einschließlich der Verbesserung der Leistung, die durch das Verbessern der Zuverlässigkeit erhalten wird) geschaffen. Wenn ein Leitungsrahmen LF, der einen angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, z. B. zwischen einer oberen Form UM und einer unteren Form BM gehalten wird, werden ein Rahmenkörper FB und ein Film LAF eines elastischen Körpers zwischen der oberen Form UM und dem Leitungsrahmen LF, der den angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, angeordnet. Bei dieser Gelegenheit ist die Höhe des Rahmenkörpers FB größer als die der Strömungsdetektionseinheit FDU und ist der Elastizitätsmodul des Rahmenkörpers FB kleiner als der des Halbleiterchips CHP1.A technique for improving the performance of the flow sensor by suppressing the variation of the power between the flow sensors (including improving the performance obtained by improving the reliability) is provided. When a lead frame LF having a mounted semiconductor chip CHP1, e.g. Is held between an upper mold UM and a lower mold BM, a frame body FB and a film LAF of an elastic body are interposed between the upper mold UM and the lead frame LF having the attached semiconductor chip CHP1. On this occasion, the height of the frame body FB is larger than that of the flow detection unit FDU, and the elastic modulus of the frame body FB is smaller than that of the semiconductor chip CHP1.

Figure DE112012006049T5_0001
Figure DE112012006049T5_0001

Description

Technisches GebietTechnical area

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Strömungssensor und eine Herstellungstechnik für denselben und insbesondere auf eine Technik, die effektiv ist, wenn sie auf die Struktur des Strömungssensors angewendet wird.The present invention relates to a flow sensor and a manufacturing technique for the same, and more particularly to a technique that is effective when applied to the structure of the flow sensor.

Technischer HintergrundTechnical background

JP 2004-74713 A (PTL 1) hat ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterbaugruppe offenbart, wobei eine Komponente durch eine Form, die mit einer Formfreigabe-Filmschicht versehen ist, eingespannt wird und ein Harz in die Form gegossen wird. JP 2004-74713 A (PTL 1) has disclosed a manufacturing method of a semiconductor device in which a component is clamped by a mold provided with a mold release film layer and a resin is poured into the mold.

Außerdem hat JP 2011-122984 A (PTL 2) ein Herstellungsverfahren für einen Strömungssensor offenbart, bei dem eine Strömungsdetektionseinheit für ein Gas (Luft) teilweise freigelegt wird, wobei ein Film eines elastischen Körpers oder ein Einsetzstück, das mit einer Feder in einer Form gestützt ist, verwendet wird.Besides, has JP 2011-122984 A (PTL 2) discloses a manufacturing method of a flow sensor in which a flow detection unit for a gas (air) is partially exposed, using a film of an elastic body or an insertion piece supported by a spring in a mold.

EntgegenhaltungslisteCitation List

Patentliteraturpatent literature

  • PTL 1: JP 2004-74713 A PTL 1: JP 2004-74713 A
  • PTL 2: JP 2011-122984 A PTL 2: JP 2011-122984 A

Zusammenfassung der ErfindungSummary of the invention

Technisches ProblemTechnical problem

Gegenwärtig ist eine Brennkraftmaschine für ein Kraftfahrzeug oder dergleichen mit einer Kraftstoffeinspritzvorrichtung mit elektronischer Steuerung versehen. Diese Kraftstoffeinspritzvorrichtung mit elektronischer Steuerung besitzt eine Rolle des effizienten Betreibens der Brennkraftmaschine durch das Einstellen der Menge des Kraftstoffs und des Gases (der Luft), die gegebenenfalls in die Brennkraftmaschine eingeleitet wird. Deshalb ist es bei der Kraftstoffeinspritzvorrichtung mit elektronischer Steuerung notwendig, das (die) in die Brennkraftmaschine eingeleitete Gas (Luft) fehlerfrei zu kennen. Für diesen Zweck ist die Kraftstoffeinspritzvorrichtung mit elektronischer Steuerung mit einem Strömungssensor (einem Luftströmungssensor) versehen, der die Strömung des Gases (der Luft) misst.At present, an internal combustion engine for a motor vehicle or the like is provided with a fuel injection device with electronic control. This electronic control fuel injection device has a role of efficiently operating the internal combustion engine by adjusting the amount of the fuel and the gas (air), which is optionally introduced into the internal combustion engine. Therefore, in the electronic control type fuel injection apparatus, it is necessary to know the gas (air) introduced into the internal combustion engine without fail. For this purpose, the electronic control fuel injection device is provided with a flow sensor (an airflow sensor) that measures the flow of the gas (the air).

Unter den Strömungssensoren hat ein Strömungssensor, der durch eine Halbleiter-Mikrobearbeitungstechnik hergestellt wird, besondere Aufmerksamkeit auf sich gezogen, weil die Kosten verringert werden können und das Ansteuern mit geringerer Leistung möglich ist. Dieser Strömungssensor weist eine Struktur auf, bei der z. B. eine Membran (ein Abschnitt aus einer dünnen Platte) durch das anisotropen Ätzen auf einer Rückseite eines aus Silicium hergestellten Halbleitersubstrats gebildet wird und eine Strömungsdetektionseinheit, die einen Heizwiderstand und einen Temperaturdetektionswiderstand enthält, auf einer Vorderseite des Halbleitersubstrats auf der gegenüberliegenden Seite dieser Membran gebildet wird.Among the flow sensors, a flow sensor manufactured by a semiconductor micromachining technique has attracted special attention because the cost can be reduced and the driving with lower power is possible. This flow sensor has a structure in which z. For example, a diaphragm (a thin-plate portion) is formed by the anisotropic etching on a back side of a silicon-made semiconductor substrate, and a flow-detecting unit including a heating resistor and a temperature-detecting resistor is formed on a front side of the semiconductor substrate on the opposite side of this diaphragm becomes.

Ein aktueller Strömungssensor enthält z. B. einen ersten Halbleiterchip, der mit einer Membran und der Strömungsdetektionseinheit versehen ist, und außerdem einen zweiten Halbleiterchip, der mit einem Steuerschaltungsabschnitt versehen ist, der die Strömungsdetektionseinheit steuert. Der oben erwähnte erste Halbleiterchip und der oben erwähnte zweite Halbleiterchip sind an dem Substrat angebracht und sind mit Verdrahtungen (Anschlüssen), die an dem Substrat ausgebildet sind, elektrisch verbunden. Spezifisch ist der erste Halbleiterchip mit den an dem Substrat ausgebildeten Verdrahtungen durch Drähte, die aus einem Golddraht ausgebildet sind, verbunden, während der zweite Halbleiterchip mit den an dem Substrat ausgebildeten Verdrahtungen durch Löthöckerelektroden verbunden ist, die in dem zweiten Halbleiterchip ausgebildet sind. Auf diese Weise sind der erste Halbleiterchip und der zweite Halbleiterchip, die an dem Substrat angebracht sind, durch die Verdrahtungen, die an dem Substrat ausgebildet sind, elektrisch miteinander verbunden. Im Ergebnis kann die in dem ersten Halbleiterchip ausgebildete Strömungsdetektionseinheit durch den Steuerschaltungsabschnitt gesteuert werden, der in dem zweiten Halbleiterchip ausgebildet ist, wobei dadurch der Strömungssensor konfiguriert wird.A current flow sensor contains z. A first semiconductor chip provided with a diaphragm and the flow detection unit, and also a second semiconductor chip provided with a control circuit section which controls the flow detection unit. The above-mentioned first semiconductor chip and the above-mentioned second semiconductor chip are mounted on the substrate and are electrically connected to wirings (terminals) formed on the substrate. Specifically, the first semiconductor chip is connected to the wirings formed on the substrate by wires formed of a gold wire, while the second semiconductor chip is connected to the wirings formed on the substrate by solder bump electrodes formed in the second semiconductor chip. In this way, the first semiconductor chip and the second semiconductor chip mounted on the substrate are electrically connected to each other by the wirings formed on the substrate. As a result, the flow detection unit formed in the first semiconductor chip can be controlled by the control circuit section formed in the second semiconductor chip, thereby configuring the flow sensor.

In diesem Fall ist der Golddraht (der Draht) zum Verbinden des ersten Halbleiterchips und des Substrats im Allgemeinen mit einem Vergießharz befestigt, um den Kontakt aufgrund einer Deformation zu verhindern. Mit anderen Worten, der Golddraht (der Draht) wird befestigt, indem er mit dem Vergießharz abgedeckt wird, wobei dieses Vergießharz den Golddraht (den Draht) schützt. Andererseits sind im Allgemeinen der erste Halbleiterchip und der zweite Halbleiterchip, die den Strömungssensor bilden, nicht mit dem Vergießharz versiegelt. Mit anderen Worten, in dem allgemeinen Strömungssensor ist nur der Golddraht (der Draht) mit dem Vergießharz abgedeckt.In this case, the gold wire (the wire) for connecting the first semiconductor chip and the substrate is generally fixed with a potting resin to prevent the contact due to deformation. In other words, the gold wire (the wire) is fixed by covering it with the potting resin, and this potting resin protects the gold wire (the wire). On the other hand, in general, the first semiconductor chip and the second semiconductor chip constituting the flow sensor are not sealed with the potting resin. In other words, in the general flow sensor, only the gold wire (the wire) is covered with the potting resin.

Hier wird das Befestigen des Golddrahtes (des Drahtes) mit dem Vergießharz nicht in dem Zustand ausgeführt, in dem der erste Halbleiterchip durch die Form oder dergleichen befestigt ist; deshalb tritt ein Problem auf, dass der erste Halbleiterchip aufgrund der Kontraktion des Vergießharzes aus der Befestigungsposition verschoben wird. Weil außerdem das Vergießharz gebildet wird, indem es tropfen gelassen wird, ist die Maßgenauigkeit des Vergießharzes gering. Im Ergebnis wird die Befestigungsposition des ersten Halbleiterchips, wo die Strömungsdetektionseinheit gebildet wird, verschoben, wobei außerdem die Bildungsposition des Vergießharzes etwas verschieden ist, wobei in diesem Fall die Detektionsleistung jedes Strömungssensors variiert. Deshalb ist es notwendig, die Detektionsleistung für jeden Strömungssensor zu korrigieren, um die Variation der Leistung in jedem Strömungssensor zu unterdrücken, und den Schritt des Korrigierens der Leistung zu dem Herstellungsprozess für den Strömungssensor hinzuzufügen. Wenn insbesondere der Schritt des Korrigierens der Leistung einen langen Zeitraum erfordert, ist der Durchsatz in dem Herstellungsprozess für den Strömungssensor gering, wobei dadurch die Kosten für den Strömungssensor erhöht werden. Außerdem wird die Förderung des Aushärtens des Vergießharzes durch Erwärmen nicht ausgeführt; deshalb erfordert es einen langen Zeitraum, bis das Vergießharz ausgehärtet ist. Dementsprechend ist der Durchsatz in dem Herstellungsprozess für den Strömungssensor gering.Here, the fixing of the gold wire (wire) with the potting resin is not performed in the state where the first semiconductor chip is fixed by the mold or the like; Therefore, a problem arises that the first semiconductor chip due to the contraction of Vergießharzes from the Fixing position is moved. In addition, because the potting resin is formed by allowing it to drop, the dimensional accuracy of the potting resin is low. As a result, the attachment position of the first semiconductor chip where the flow detection unit is formed is shifted, and besides, the formation position of the potting resin is slightly different, in which case the detection performance of each flow sensor varies. Therefore, it is necessary to correct the detection performance for each flow sensor in order to suppress the variation of the power in each flow sensor and add the step of correcting the power to the manufacturing process for the flow sensor. In particular, when the step of correcting the power requires a long period of time, the throughput in the manufacturing process for the flow sensor is small, thereby increasing the cost of the flow sensor. In addition, the promotion of curing of Vergießharzes is not carried out by heating; therefore, it takes a long time for the potting resin to set. Accordingly, the throughput in the manufacturing process for the flow sensor is small.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Technik zu schaffen, die die Leistungsvariation zwischen den Strömungssensoren unterdrücken kann und die Leistung des Strömungssensors verbessern kann (einschließlich des Falls des Erreichens der höheren Leistung durch das Verbessern der Zuverlässigkeit).It is an object of the present invention to provide a technique that can suppress the power variation between the flow sensors and improve the performance of the flow sensor (including the case of achieving the higher performance by improving the reliability).

Die oben erwähnte Aufgabe, eine weitere Aufgabe und die neuartigen Eigenschaften der vorliegenden Erfindung werden in der Beschreibung weiter unten in dieser Beschreibung und in den beigefügten Zeichnungen offensichtlich gemacht.The above-mentioned object, another object and the novel characteristics of the present invention will be made apparent in the description below in this specification and in the accompanying drawings.

Die Lösung für das ProblemThe solution to the problem

Ein repräsentativer Aspekt der vorliegenden Erfindung unter den Aspekten der vorliegenden Erfindung, die in der vorliegenden Anmeldung offenbart ist, wird im Folgenden kurz beschrieben.A representative aspect of the present invention in the aspects of the present invention disclosed in the present application will be briefly described below.

Ein Strömungssensor gemäß einer repräsentativen Ausführungsform enthält: (a) einen ersten Chiphalterungsabschnitt; und (b) einen ersten Halbleiterchip, der an dem ersten Chiphalterungsabschnitt angeordnet ist, wobei der erste Halbleiterchip enthält: (b1) eine Strömungsdetektionseinheit, die auf einer Hauptfläche eines ersten Halbleitersubstrats ausgebildet ist; und (b2) eine Membran, die in einem Bereich einer Rückseite des ersten Halbleitersubstrats ausgebildet ist, die der Hauptfläche gegenüberliegt, wobei sich der Bereich auf der gegenüberliegenden Seite der Strömungsdetektionseinheit befindet. Hier enthält der Strömungssensor einen Rahmenkörper, der an dem ersten Halbleiterchip angebracht ist und der einen Öffnungsabschnitt aufweist, der wenigstens die Strömungsdetektionseinheit freilegt, wobei der Rahmenkörper aus einem Material mit einem kleineren Elastizitätsmodul als der des ersten Halbleiterchips hergestellt ist. Ein Abschnitt des ersten Halbleiterchips ist mit einem Versiegelungskörper, der ein Harz enthält, in einem Zustand versiegelt, dass die für den ersten Halbleiterchip vorgesehene Strömungsdetektionseinheit aus dem Öffnungsabschnitt des Rahmenkörpers freigelegt ist.A flow sensor according to a representative embodiment includes: (a) a first chip holder portion; and (b) a first semiconductor chip disposed on the first chip mounting portion, the first semiconductor chip including: (b1) a flow detection unit formed on a main surface of a first semiconductor substrate; and (b2) a diaphragm formed in a region of a back surface of the first semiconductor substrate opposite to the main surface, the region being on the opposite side of the flow detection unit. Here, the flow sensor includes a frame body attached to the first semiconductor chip and having an opening portion exposing at least the flow detection unit, wherein the frame body is made of a material having a smaller elastic modulus than that of the first semiconductor chip. A portion of the first semiconductor chip is sealed with a sealing body containing a resin in a state that the flow detection unit provided for the first semiconductor chip is exposed from the opening portion of the frame body.

Ein Herstellungsverfahren für einen Strömungssensor gemäß einer repräsentativen Ausführungsform ist ein Herstellungsverfahren für den Strömungssensor mit der oben erwähnten Struktur. Das Verfahren enthält: (a) einen Schritt des Vorbereitens eines Basismaterials, das den ersten Chiphalterungsabschnitt aufweist; (b) einen Schritt des Vorbereitens des ersten Halbleiterchips; und (c) einen Schritt des Anbringens des ersten Halbleiterchips an dem ersten Chiphalterungsabschnitt. Das Verfahren enthält ferner: (d) einen Schritt des Anordnens des Rahmenkörpers an dem ersten Halbleiterchip, so dass die Strömungsdetektionseinheit in dem Öffnungsabschnitt des Rahmenkörpers enthalten ist, nach dem Schritt (c); und (e) einen Schritt des Versiegelns eines Abschnitts des ersten Halbleiterchips mit dem Versiegelungskörper, während die für den ersten Halbleiterchip vorgesehene Strömungsdetektionseinheit freigelegt wird, nach dem Schritt (d). Hier enthält der Schritt (e): (e1) einen Schritt des Vorbereitens einer oberen Form und einer unteren Form; (e2) einen Schritt des Anordnens des Basismaterials mit dem daran angebrachten ersten Halbleiterchip durch einen zweiten Raum zwischen der oberen Form und der unteren Form, während ein erster Raum, der die Strömungsdetektionseinheit umgibt, gebildet wird, indem eine Unterseite der oberen Form in engen Kontakt mit dem Rahmenkörper gebracht wird, nach dem Schritt (e1); und (e3) einen Schritt des Gießens des Harzes in den zweiten Raum nach dem Schritt (e2).A manufacturing method of a flow sensor according to a representative embodiment is a manufacturing method of the flow sensor having the above-mentioned structure. The method includes: (a) a step of preparing a base material having the first chip holding portion; (b) a step of preparing the first semiconductor chip; and (c) a step of attaching the first semiconductor chip to the first chip mounting portion. The method further includes: (d) a step of disposing the frame body on the first semiconductor chip so that the flow detection unit is contained in the opening portion of the frame body after the step (c); and (e) a step of sealing a portion of the first semiconductor chip with the sealing body while exposing the flow detection unit provided for the first semiconductor chip after the step (d). Here, the step (e) includes: (e1) a step of preparing an upper mold and a lower mold; (e2) a step of arranging the base material having the first semiconductor chip attached thereto through a second space between the upper mold and the lower mold while forming a first space surrounding the flow detecting unit by closely contacting a lower surface of the upper mold is brought to the frame body, after the step (e1); and (e3) a step of pouring the resin into the second space after the step (e2).

Die vorteilhaften Wirkungen der ErfindungThe beneficial effects of the invention

Im Folgenden wird die vorteilhafte Wirkung, die durch den repräsentativen Aspekt der Erfindung erhalten wird, der in der vorliegenden Anmeldung offenbart wird, kurz beschrieben.In the following, the advantageous effect obtained by the representative aspect of the invention disclosed in the present application will be briefly described.

Die Leistung des Strömungssensors kann verbessert werden, indem die Variation der Leistung zwischen den Strömungssensoren unterdrückt wird.The performance of the flow sensor can be improved by suppressing the variation in power between the flow sensors.

Kurzbeschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

1 ist ein Schaltungsblockschaltplan, der eine Schaltungsstruktur eines Strömungssensors in einer ersten Ausführungsform veranschaulicht. 1 FIG. 12 is a circuit block diagram illustrating a circuit structure of a flow sensor in a first embodiment. FIG.

2 ist ein Grundriss, der die Anordnungsstruktur eines Halbleiterchips veranschaulicht, der einen Teil des Strömungssensors in der ersten Ausführungsform bildet. 2 FIG. 12 is a plan view illustrating the arrangement structure of a semiconductor chip forming part of the flow sensor in the first embodiment. FIG.

3(a) bis 3(c) sind graphische Darstellungen, von denen jede eine Halterungsstruktur des Strömungssensors gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht, wobei diese Struktur vor dem Versiegeln mit dem Harz vorliegt; insbesondere ist 3(a) ein Grundriss, der die Halterungsstruktur des Strömungssensors der ersten Ausführungsform veranschaulicht, ist 3(b) eine entlang einer Linie A-A nach 3(a) genommene Schnittansicht und ist 3(c) ein Grundriss, der die Rückseite des Halbleiterchips veranschaulicht. 3 (a) to 3 (c) Fig. 10 is a graphic illustration each illustrating a support structure of the flow sensor according to the first embodiment, which structure is before sealing with the resin; in particular 3 (a) a plan view illustrating the support structure of the flow sensor of the first embodiment is 3 (b) one along a line AA 3 (a) taken sectional view and is 3 (c) a plan view illustrating the back of the semiconductor chip.

4(a) ist ein Grundriss, der eine Struktur eines Rahmenkörpers veranschaulicht, 4(b) ist eine entlang einer Linie A-A nach 4(a) genommene Schnittansicht und 4(c) ist eine entlang einer Linie B-B nach 4(a) genommene Schnittansicht. 4 (a) FIG. 12 is a plan view illustrating a structure of a frame body; FIG. 4 (b) is one along a line AA after 4 (a) taken sectional view and 4 (c) is one along a line BB after 4 (a) taken sectional view.

5(a) bis 5(c) sind graphische Darstellungen, von denen jede die Halterungsstruktur des Strömungssensors der ersten Ausführungsform veranschaulicht, wobei diese Struktur nach dem Versiegeln mit dem Harz vorliegt; insbesondere ist 5(a) ein Grundriss, der die Halterungsstruktur des Strömungssensors der ersten Ausführungsform veranschaulicht, ist 5(b) eine entlang einer Linie A-A nach 5(a) genommene Schnittansicht und ist 5(c) eine entlang einer Linie B-B nach 5(a) genommene Schnittansicht. 5 (a) to 5 (c) Fig. 11 are graphs each illustrating the support structure of the flow sensor of the first embodiment, which structure is after sealing with the resin; in particular 5 (a) a plan view illustrating the support structure of the flow sensor of the first embodiment is 5 (b) one along a line AA 5 (a) taken sectional view and is 5 (c) one along a line BB to 5 (a) taken sectional view.

6 ist ein Grundriss, der die Halterungsstruktur des Strömungssensors nach der Entfernung eines Dämmstabs veranschaulicht. 6 is a plan view illustrating the support structure of the flow sensor after the removal of a Dämmstabs.

7 ist eine Schnittansicht, die einen Herstellungsprozess für den Strömungssensor gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht. 7 FIG. 10 is a sectional view illustrating a manufacturing process for the flow sensor according to the first embodiment. FIG.

8 ist eine Schnittansicht, die den Herstellungsprozess für den Strömungssensor veranschaulicht, der im Anschluss an 7 erfolgt. 8th is a sectional view illustrating the manufacturing process for the flow sensor following 7 he follows.

9 ist eine Schnittansicht, die den Herstellungsprozess für den Strömungssensor veranschaulicht, der im Anschluss an 8 erfolgt. 9 is a sectional view illustrating the manufacturing process for the flow sensor following 8th he follows.

10 ist eine Schnittansicht, die den Herstellungsprozess für den Strömungssensor veranschaulicht, der im Anschluss an 9 erfolgt. 10 is a sectional view illustrating the manufacturing process for the flow sensor following 9 he follows.

11 ist eine Schnittansicht, die den Herstellungsprozess für den Strömungssensor veranschaulicht, der im Anschluss an 10 erfolgt. 11 is a sectional view illustrating the manufacturing process for the flow sensor following 10 he follows.

12 ist eine Schnittansicht, die den Herstellungsprozess für den Strömungssensor veranschaulicht, der im Anschluss an 11 erfolgt. 12 is a sectional view illustrating the manufacturing process for the flow sensor following 11 he follows.

13 ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel veranschaulicht, bei dem eine obere Form gegen einen Leitungsrahmen gepresst wird, der einen angebrachten Halbleiterchip aufweist, wobei nur ein Rahmenkörper ohne die Verwendung eines Films eines elastischen Körpers dazwischen angeordnet ist. 13 Fig. 10 is a sectional view illustrating an example in which an upper mold is pressed against a lead frame having a mounted semiconductor chip with only a frame body interposed therebetween without the use of a film of an elastic body.

14 veranschaulicht ein Beispiel einer in Beziehung stehenden Technik zum Versiegeln des Harzes ohne die Verwendung des Rahmenkörpers. 14 Figure 11 illustrates an example of a related technique for sealing the resin without the use of the frame body.

15(a) ist ein Grundriss, der einen Strömungssensor gemäß einem ersten modifizierten Beispiel veranschaulicht, 15(b) ist eine entlang einer Linie A-A nach 15(a) genommene Schnittansicht und 15(c) ist eine entlang einer Linie B-B nach 15(a) genommene Schnittansicht. 15 (a) FIG. 12 is a plan view illustrating a flow sensor according to a first modified example; FIG. 15 (b) is one along a line AA after 15 (a) taken sectional view and 15 (c) is one along a line BB after 15 (a) taken sectional view.

16 ist eine graphische Darstellung, die einen Querschnitt des Strömungssensors gemäß dem ersten modifizierten Beispiel veranschaulicht. 16 FIG. 10 is a diagram illustrating a cross section of the flow sensor according to the first modified example. FIG.

17 ist ein Grundriss, der eine Struktur eines Strömungssensors vor dem Versiegeln mit dem Harz in einem zweiten modifizierten Beispiel veranschaulicht. 17 FIG. 10 is a plan view illustrating a structure of a flow sensor before sealing with the resin in a second modified example. FIG.

18 ist eine entlang einer Linie A-A nach 17 genommene Schnittansicht. 18 is one along a line AA after 17 taken sectional view.

19 ist eine entlang einer Linie B-B nach 17 genommene Schnittansicht. 19 is one along a line BB after 17 taken sectional view.

20(a) bis 20(d) sind graphische Darstellungen, von denen jede eine Halterungsstruktur eines Strömungssensors gemäß einer zweiten Ausführungsform veranschaulicht, wobei diese Struktur vor dem Versiegeln mit dem Harz vorliegt; insbesondere ist 20(a) ein Grundriss, der die Halterungsstruktur des Strömungssensors gemäß der zweiten Ausführungsform veranschaulicht, ist 20(b) eine entlang einer Linie A-A nach 20(a) genommene Schnittansicht, ist 20(c) eine entlang einer Linie B-B nach 20(a) genommene Schnittansicht und ist 20(d) ein Grundriss, der eine Rückseite des Halbleiterchips veranschaulicht. 20 (a) to 20 (d) Fig. 15 are graphs each illustrating a support structure of a flow sensor according to a second embodiment, which structure is present before sealing with the resin; in particular 20 (a) a plan view illustrating the support structure of the flow sensor according to the second embodiment is 20 (b) one along a line AA 20 (a) taken sectional view is 20 (c) one along a line BB to 20 (a) taken sectional view and is 20 (d) a plan view illustrating a back side of the semiconductor chip.

21(a) bis 21(c) sind graphische Darstellungen, von denen jede die Halterungsstruktur des Strömungssensors gemäß der zweiten Ausführungsform veranschaulicht, wobei diese Struktur nach dem Versiegeln mit dem Harz vorliegt; insbesondere ist 21(a) ein Grundriss, der die Halterungsstruktur des Strömungssensors gemäß der zweiten Ausführungsform veranschaulicht, ist 21(b) eine entlang einer Linie A-A nach 21(a) genommene Schnittansicht und ist 21(c) eine entlang einer Linie B-B nach 21(a) genommene Schnittansicht. 21 (a) to 21 (c) Fig. 12 is a graphic illustration each illustrating the support structure of the flow sensor according to the second embodiment, which structure is present after sealing with the resin; in particular 21 (a) a plan view illustrating the support structure of the flow sensor according to the second embodiment is 21 (b) one along a line AA to 21 (a) taken sectional view and is 21 (c) one along a line BB to 21 (a) taken sectional view.

22 ist ein Grundriss, der eine Struktur veranschaulicht, in der der Strömungssensor nach der Entfernung eines Dämmstabs angebracht wird. 22 Figure 11 is a plan view illustrating a structure in which the flow sensor is mounted after the removal of an insulating rod.

23 ist eine Schnittansicht, die einen Herstellungsprozess für den Strömungssensor gemäß der zweiten Ausführungsform veranschaulicht. 23 FIG. 10 is a sectional view illustrating a manufacturing process for the flow sensor according to the second embodiment. FIG.

24 ist eine Schnittansicht, die den Herstellungsprozess für den Strömungssensor veranschaulicht, der im Anschluss an 23 erfolgt. 24 is a sectional view illustrating the manufacturing process for the flow sensor following 23 he follows.

25 ist eine Schnittansicht, die den Herstellungsprozess für den Strömungssensor veranschaulicht, der im Anschluss an 24 erfolgt. 25 is a sectional view illustrating the manufacturing process for the flow sensor following 24 he follows.

26 ist eine Schnittansicht, die den Herstellungsprozess für den Strömungssensor veranschaulicht, der im Anschluss an 25 erfolgt. 26 is a sectional view illustrating the manufacturing process for the flow sensor following 25 he follows.

Beschreibung der AusführungsformenDescription of the embodiments

In den Ausführungsformen im Folgenden wird eine Beschreibung basierend auf mehreren Abschnitten oder Ausführungsformen abschnittsweise gegeben, die nicht füreinander irrelevant sind, wenn es nicht anders angegeben ist, wobei eine von diesen ein modifiziertes Beispiel, die Einzelheiten oder eine ergänzende Erklärung für einen Teil oder die Gesamtheit der anderen bildet.In the embodiments below, a description is given in sections based on a plurality of sections or embodiments that are not irrelevant to each other unless otherwise specified, one of these being a modified example, the details, or a supplemental explanation for a part or the entirety the other forms.

Wenn in den Ausführungsformen im Folgenden auf die Anzahl der Elemente (einschließlich der Anzahl der Teile, der Anzahlen, der Menge, des Bereichs usw.) Bezug genommen wird, ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese spezielle Anzahl eingeschränkt, wenn es nicht anders dargelegt ist oder wenn sie nicht explizit auf diese spezielle Anzahl im Prinzip eingeschränkt ist, wobei sie größer oder kleiner als die spezielle Anzahl kann.In the embodiments below, when reference is made to the number of elements (including the number of parts, the numbers, the amount, the area, etc.), the present invention is not limited to this specific number unless otherwise stated or if it is not explicitly restricted to that particular number, in principle, being greater or less than the specific number.

In den Ausführungsformen im Folgenden ist es überflüssig zu sagen, dass das Strukturelement (einschließlich des Elementschritts usw.) nicht notwendigerweise wesentlich ist, wenn es nicht anders angegeben ist oder wenn es nicht im Prinzip explizit als wesentlich betrachtet wird.In the embodiments below, it is needless to say that the structural element (including the elemental step, etc.) is not necessarily material unless stated otherwise or unless it is explicitly considered essential in principle.

Ähnlich enthält in den Ausführungsformen im Folgenden, wenn auf die Form des Strukturelements, die Positionsbeziehung und dergleichen Bezug genommen wird, die vorliegende Erfindung die Form und dergleichen, die im Wesentlichen nah bei dieser Form und dergleichen liegen oder zu dieser Form und dergleichen ähnlich sind, wenn es nicht anders angegeben ist oder wenn nicht explizit in Betracht gezogen wird, dass es nicht so ist. Dies gilt ähnlich für die Anzahl und den Bereich.Similarly, in the embodiments below, referring to the shape of the structural member, the positional relationship and the like, the present invention includes the mold and the like that are substantially close to this shape and the like, or similar to this shape and the like, unless otherwise stated or if it is not explicitly considered that it is not so. This applies similarly to the number and the range.

In den gesamten Zeichnungen zum Beschreiben der Ausführungsformen wird dasselbe Element mit demselben Bezugszeichen bezeichnet und wird dessen Beschreibung nicht wiederholt. Um das Verständnis unterstützen, können einige Teile in dem Grundriss schraffiert sein.Throughout the drawings for describing the embodiments, the same element will be denoted by the same reference numerals and the description thereof will not be repeated. To aid understanding, some parts may be hatched in the floor plan.

(Die erste Ausführungsform)(The first embodiment)

<Die Schaltungsstruktur des Strömungssensors><The circuit structure of the flow sensor>

Zuerst wird eine Schaltungsstruktur eines Strömungssensors beschrieben. 1 ist ein Schaltungsblockschaltplan, der eine Schaltungsstruktur eines Strömungssensors gemäß einer ersten Ausführungsform veranschaulicht. In 1 enthält der Strömungssensor der ersten Ausführungsform eine CPU (eine Zentraleinheit) 1 zum Steuern des Strömungssensors, wobei er außerdem eine Eingangsschaltung 2 zum Eingeben eines Eingangssignals in diese CPU 1 und eine Ausgangsschaltung 3 zum Ausgeben eines Ausgangssignals aus der CPU 1 enthält. Der Strömungssensor ist mit einem Speicher 4 zum Speichern von Daten versehen, wobei die CPU 1 auf den Speicher 4 zugreift, um auf die in dem Speicher 4 gespeicherten Daten Bezug zu nehmen.First, a circuit structure of a flow sensor will be described. 1 FIG. 12 is a circuit block diagram illustrating a circuit structure of a flow sensor according to a first embodiment. FIG. In 1 the flow sensor of the first embodiment includes a CPU (a central processing unit) 1 for controlling the flow sensor, and also an input circuit 2 for inputting an input signal to this CPU 1 and an output circuit 3 for outputting an output signal from the CPU 1 contains. The flow sensor is equipped with a memory 4 for storing data, the CPU 1 on the memory 4 accesses to those in the store 4 stored data.

Als Nächstes ist die CPU 1 durch die Ausgangsschaltung 3 mit einer Basiselektrode eines Transistors Tr verbunden. Eine Kollektorelektrode dieses Transistors Tr ist mit einer Leistungsversorgung PS verbunden, während eine Emitterelektrode des Transistors Tr durch einen Heizwiderstand HR mit der Masse (GND) verbunden ist. Deshalb ist der Transistor Tr durch die CPU 1 gesteuert. Mit anderen Worten, die Basiselektrode des Transistors Tr ist durch die Ausgangsschaltung 3 mit der CPU 1 verbunden; deshalb wird das Ausgangssignal von der CPU 1 in die Basiselektrode des Transistors Tr eingegeben.Next is the CPU 1 through the output circuit 3 connected to a base electrode of a transistor Tr. A collector electrode of this transistor Tr is connected to a power supply PS, while an emitter electrode of the transistor Tr is connected to the ground (GND) through a heating resistor HR. Therefore, the transistor Tr is through the CPU 1 controlled. In other words, the base electrode of the transistor Tr is through the output circuit 3 with the CPU 1 connected; therefore, the output signal from the CPU 1 entered into the base electrode of the transistor Tr.

Im Ergebnis ist der durch den Transistor Tr fließende Strom durch das Ausgangssignal (das Steuersignal) von der CPU 1 gesteuert. Wenn die durch den Transistor Tr fließende Strommenge durch das Ausgangssignal von der CPU 1 vergrößert wird, wird die dem Heizwiderstand HR von der Leistungsversorgung PS zugeführte Strommenge vergrößert, um die Wärmezufuhrmenge des Heizwiderstands HR zu vergrößern.As a result, the current flowing through the transistor Tr is the output (the control signal) from the CPU 1 controlled. When the amount of current flowing through the transistor Tr is due to the output signal from the CPU 1 is increased, the amount of current supplied to the heating resistor HR from the power supply PS is increased to increase the heat supply amount of the heating resistor HR.

Wenn andererseits die durch den Transistor Tr fließende Strommenge durch das Ausgangssignal von der CPU 1 verringert wird, wird die dem Heizwiderstand HR geführte Strommenge verringert, um die Wärmezufuhrmenge des Heizwiderstands HR zu verringern.On the other hand, if the amount of current flowing through the transistor Tr by the output signal from the CPU 1 is decreased, the amount of current supplied to the heating resistor HR is reduced to reduce the heat supply amount of the heating resistor HR.

In dem Strömungssensor gemäß der ersten Ausführungsform wird deshalb erkannt, dass die CPU 1 die durch den Heizwiderstand HR fließende Strommenge steuert, wobei die CPU 1 darauf basierend die Menge der Wärmeerzeugung des Heizwiderstands HR steuert. Therefore, in the flow sensor according to the first embodiment, it is recognized that the CPU 1 controls the amount of current flowing through the heating resistor HR, wherein the CPU 1 based on this, the amount of heat generation of the heating resistor HR controls.

Außerdem enthält der Strömungssensor der ersten Ausführungsform eine Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB, um es der CPU 1 zu ermöglichen, die durch den Heizwiderstand HR fließende Strommenge zu steuern. Diese Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB detektiert die von dem Heizwiderstand HR freigegebene Menge der Wärmeerzeugung und gibt das Detektionsergebnis an die Eingangsschaltung 2 aus. Im Ergebnis kann in die CPU 1 das Detektionsergebnis von der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB eingegeben werden, wobei die CPU 1 basierend darauf den durch den Transistor Tr fließenden Strom steuert.In addition, the flow sensor of the first embodiment includes a heater control bridge HCB to the CPU 1 to allow controlling the amount of current flowing through the heating resistor HR. This heater control bridge HCB detects the amount of heat generation released from the heating resistor HR and outputs the detection result to the input circuit 2 out. As a result, in the CPU 1 the detection result can be input from the heater control bridge HCB, the CPU 1 based on the current flowing through the transistor Tr current controls.

Spezifisch enthält die Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB die Widerstände R1 bis R4, die die Brücke zwischen der Bezugsspannung Vref1 und Masse (GND) bilden, wie in 1 veranschaulicht ist. In der so strukturierten Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB sind die Widerstandswerte der Widerstände R1 bis R4 so festgelegt, dass der Potentialunterschied zwischen dem Knoten A und dem Knoten B 0 V beträgt, wenn die Temperatur des durch den Heizwiderstand HR erwärmten Gases um eine bestimmte Temperatur (ΔT, z. B. 100°C) höher als die Temperatur der Einlassluft ist. Mit anderen Worten, die Brücke ist so strukturiert, dass zwischen den Widerständen R1 bis R4, die die Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB bilden, das Strukturelement, das die in Reihe geschalteten Widerstände R1 und R3 aufweist, und das Strukturelement, das die in Reihe geschalteten Widerstände R2 und R4 aufweist, zwischen der Bezugsspannung Vref1 und der Masse (GND) zueinander parallelgeschaltet sind. Der Verbindungspunkt zwischen den Widerstanden R1 und R3 entspricht dem Knoten A, während der Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R2 und R4 dem Knoten B entspricht.Specifically, the heater control bridge HCB includes the resistors R1 to R4, which form the bridge between the reference voltage Vref1 and ground (GND), as in FIG 1 is illustrated. In the heater heater control bridge HCB thus structured, the resistance values of the resistors R1 to R4 are set so that the potential difference between the node A and the node B is 0 V when the temperature of the gas heated by the heating resistor HR is set by a predetermined temperature (ΔT , eg 100 ° C) is higher than the temperature of the intake air. In other words, the bridge is structured such that between the resistors R1 to R4 forming the heater control bridge HCB, the structural element comprising the series-connected resistors R1 and R3 and the structural element comprising the series-connected resistors R2 and R4, between the reference voltage Vref1 and the ground (GND) are connected in parallel to each other. The connection point between the resistors R1 and R3 corresponds to the node A, while the connection point between the resistors R2 and R4 corresponds to the node B.

Bei dieser Gelegenheit befindet sich das durch den Heizwiderstand HR erwärmte Gas mit dem Widerstand R1 in Kontakt, der in der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB enthalten ist. Deshalb ändert sich der Widerstandswert des Widerstands R1, der in der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB enthalten ist, hauptsächlich in Abhängigkeit von der Menge der Wärmeerzeugung von dem Heizwiderstand HR. Wenn sich der Widerstandswert des Widerstands R1 auf diese Weise ändert, ändert sich der Potentialunterschied zwischen dem Knoten A und dem Knoten B. Der Potentialunterschied zwischen dem Knoten A und dem Knoten B wird durch die Eingangsschaltung 2 in die CPU 1 eingegeben, wobei die CPU 1 basierend auf dem Potentialunterschied zwischen dem Knoten A und dem Knoten B den durch den Widerstand Tr fließenden Strom steuert.On this occasion, the gas heated by the heating resistor HR is in contact with the resistor R1 contained in the heater control bridge HCB. Therefore, the resistance value of the resistor R1 included in the heater control bridge HCB mainly changes depending on the amount of heat generation from the heating resistor HR. When the resistance of the resistor R1 changes in this way, the potential difference between the node A and the node B changes. The potential difference between the node A and the node B is changed by the input circuit 2 into the CPU 1 entered, with the CPU 1 based on the potential difference between the node A and the node B controls the current flowing through the resistor Tr.

Spezifisch steuert die CPU 1 die durch den Transistor Tr fließende Strommenge, so dass der Potentialunterschied zwischen dem Knoten A und dem Knoten B 0 V wird, wobei dadurch die Menge der Wärmeerzeugung von dem Heizwiderstand HR gesteuert wird. Mit anderen Worten, es wird erkannt, dass der Strömungssensor der ersten Ausführungsform konfiguriert ist, um eine Regelung auszuführen, so dass die CPU 1 die Temperatur des durch den Heizwiderstand HR erwärmten Gases basierend auf der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB aufrechterhält, damit sie um eine bestimmte Temperatur (ΔT, z. B. 100°C) höher als die Temperatur der Einlassluft ist.Specifically, the CPU controls 1 the amount of current flowing through the transistor Tr, so that the potential difference between the node A and the node B becomes 0 V, thereby controlling the amount of heat generation from the heating resistor HR. In other words, it is recognized that the flow sensor of the first embodiment is configured to perform a control such that the CPU 1 maintains the temperature of the gas heated by the heating resistor HR based on the heater control bridge HCB to be higher than the temperature of the intake air by a certain temperature (ΔT, eg, 100 ° C).

Außerdem enthält der Strömungssensor der ersten Ausführungsform eine Temperatursensorbrücke TSB zum Detektieren der Gasströmung. Diese Temperatursensorbrücke TSB enthält vier Temperaturdetektionswiderstände, die die Brücke zwischen der Bezugsspannung Vref2 und der Masse (GND) bilden. Die vier Temperaturdetektionswiderstände enthalten zwei stromaufwärts gelegene Temperaturdetektionswiderstände UR1 und UR2 und zwei stromabwärts gelegene Temperaturdetektionswiderstände BR1 und BR2.In addition, the flow sensor of the first embodiment includes a temperature sensor bridge TSB for detecting the gas flow. This temperature sensor bridge TSB contains four temperature detection resistors, which form the bridge between the reference voltage Vref2 and the ground (GND). The four temperature detection resistors include two upstream temperature detection resistors UR1 and UR2 and two downstream temperature detection resistors BR1 and BR2.

Mit anderen Worten, eine Richtung eines Pfeils in 1 gibt die Gasströmungsrichtung an, wobei die stromaufwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände UR1 und UR2 auf der stromaufwärts gelegenen Seite der Gasströmungsrichtung vorgesehen sind, während die stromabwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände BR1 und BR2 auf der stromabwärts gelegenen Seite der Gasströmungsrichtung vorgesehen sind. Diese stromaufwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände UR1 und UR2 und diese stromabwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände BR1 und BR2 sind so angeordnet, dass sie den gleichen Abstand zu dem Heizwiderstand HR aufweisen.In other words, a direction of an arrow in 1 indicates the gas flow direction with the upstream temperature detection resistors UR1 and UR2 provided on the upstream side of the gas flow direction, while the downstream temperature detection resistors BR1 and BR2 are provided on the downstream side of the gas flow direction. These upstream temperature detection resistors UR1 and UR2 and these downstream temperature detection resistors BR1 and BR2 are arranged to be equidistant from the heating resistor HR.

In der Temperatursensorbrücke TSB sind der stromaufwärts gelegene Temperaturdetektionswiderstand UR1 und der stromabwärts gelegene Temperaturdetektionswiderstand BR1 zwischen der Bezugsspannung Vref2 und der Masse (GND) miteinander in Reihe geschaltet, wobei der Verbindungspunkt zwischen dem stromaufwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstand UR1 und dem stromabwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstand BR1 dem Knoten C entspricht.In the temperature sensor bridge TSB, the upstream temperature detection resistor UR1 and the downstream temperature detection resistor BR1 are in series with each other between the reference voltage Vref2 and the ground (GND) switched, wherein the connection point between the upstream temperature detection resistor UR1 and the downstream temperature detection resistor BR1 corresponds to the node C.

Andererseits sind der stromaufwärts gelegene Temperaturdetektionswiderstand UR2 und der stromabwärts gelegene Temperaturdetektionswiderstand BR2 zwischen der Masse (GND) und der Bezugsspannung Vref2 miteinander in Reihe geschaltet, wobei der Verbindungspunkt zwischen dem stromaufwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstand UR2 und dem stromabwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstand BR2 dem Knoten D entspricht. Das Potential des Knotens C und das Potential des Knotens D werden durch die Eingangsschaltung 2 in die CPU 1 eingegeben. Dann wird der Widerstandswert jedes der stromaufwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände UR1 und UR2 und der stromabwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände BR1 und BR2 so festgelegt, dass der Potentialunterschied zwischen dem Potential des Knotens C und dem Potential des Knotens D im Zustand ohne Strömung 0 V beträgt, in dem die Durchflussmenge des in der Pfeilrichtung strömenden Gases null ist.On the other hand, the upstream temperature detection resistor UR2 and the downstream temperature detection resistor BR2 are connected in series with each other between the ground (GND) and the reference voltage Vref2, and the connection point between the upstream temperature detection resistor UR2 and the downstream temperature detection resistor BR2 corresponds to the node D. The potential of node C and the potential of node D are passed through the input circuit 2 into the CPU 1 entered. Then, the resistance value of each of the upstream temperature detection resistors UR1 and UR2 and the downstream temperature detection resistors BR1 and BR2 is set so that the potential difference between the potential of the node C and the potential of the node D in the no flow state is 0V, in which the flow rate of the gas flowing in the arrow direction is zero.

Spezifisch sind die stromaufwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände UR1 und UR2 und die stromabwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände BR1 und BR2 so strukturiert, dass sie den gleichen Abstand von dem Heizwiderstand HR aufweisen und den gleichen Widerstandswert aufweisen. Deshalb ist die Temperatursensorbrücke TSB so konfiguriert, dass der Potentialunterschied zwischen dem Knoten C und dem Knoten D in dem Zustand ohne Strömung ungeachtet der Menge der Wärmeerzeugung des Heizwiderstands HR 0 V beträgt.Specifically, the upstream temperature detection resistors UR1 and UR2 and the downstream temperature detection resistors BR1 and BR2 are structured to have the same distance from the heating resistor HR and have the same resistance value. Therefore, the temperature sensor bridge TSB is configured such that the potential difference between the node C and the node D in the no-flow state regardless of the amount of heat generation of the heating resistor HR is 0V.

<Der Betrieb des Strömungssensors><Operation of the flow sensor>

Der Strömungssensor gemäß der ersten Ausführungsform ist wie oben strukturiert, wobei dessen Betrieb im Folgenden unter Bezugnahme auf 1 beschrieben wird. Zuerst führt die CPU 1 durch das Ausgeben des Ausgangssignals (des Steuersignals) durch die Ausgangschaltung 3 an die Basiselektrode des Transistors Tr dem Transistor Tr Strom zu. Dann fließt der Strom von der Leistungsversorgung PS, die mit der Kollektorelektrode des Transistors Tr verbunden ist, zum Heizwiderstand HR, der mit der Emitterelektrode des Transistors Tr verbunden ist, wobei dadurch der Heizwiderstand HR Wärme erzeugt. Anschließend erwärmt das durch die von dem Heizwiderstand HR erzeugte Wärme erwärmte Gas den Widerstand R1, der in der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB enthalten ist.The flow sensor according to the first embodiment is structured as above, the operation of which will be described below with reference to FIG 1 is described. First, the CPU performs 1 by outputting the output signal (the control signal) through the output circuit 3 to the base electrode of the transistor Tr the transistor Tr to power. Then, the current flows from the power supply PS, which is connected to the collector electrode of the transistor Tr, to the heating resistor HR, which is connected to the emitter electrode of the transistor Tr, thereby generating the heating resistor HR heat. Subsequently, the gas heated by the heat generated by the heating resistor HR heats the resistor R1 contained in the heater control bridge HCB.

Wenn bei dieser Gelegenheit die Temperatur des durch den Heizwiderstand HR erwärmten Gases um eine bestimmte Temperatur (z. B. 100°C) höher ist, ist jeder Widerstandswert der Widerstände R1 bis R4 so festgelegt, dass der Potentialunterschied zwischen dem Knoten A und dem Knoten B in der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB 0 V wird. Wenn die Temperatur des durch den Heizwiderstand HR erwärmten Gases um eine bestimmte Temperatur (z. B. 100°C) höher ist, wird deshalb der Potentialunterschied zwischen dem Knoten A und dem Knoten B in der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB 0 V, wobei dieser Potentialunterschied (0 V) durch die Eingangsschaltung 2 in die CPU 1 eingegeben wird. Die CPU 1, die erkannt hat, dass der Potentialunterschied von der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB 0 V beträgt, gibt das Ausgangssignal (das Steuersignal) zum Aufrechterhalten der Strommenge im Status quo durch die Ausgangsschaltung 3 zu der Basiselektrode des Transistors Tr aus.On this occasion, when the temperature of the gas heated by the heating resistor HR is higher by a certain temperature (eg, 100 ° C.), each resistance of the resistors R1 to R4 is set so that the potential difference between the node A and the node B in the heater control bridge HCB 0V. Therefore, when the temperature of the gas heated by the heating resistor HR is higher by a certain temperature (eg, 100 ° C), the potential difference between the node A and the node B in the heater control bridge HCB becomes 0 V, which potential difference (0 V) through the input circuit 2 into the CPU 1 is entered. The CPU 1 , which has detected that the potential difference from the heater control bridge HCB is 0V, outputs the output signal (the control signal) for maintaining the amount of current in the status quo through the output circuit 3 to the base electrode of the transistor Tr.

Wenn andererseits die Temperatur des durch den Heizwiderstand HR erwärmten Gases von einer bestimmten Temperatur (z. B. 100°C) abweicht, wird ein von 0 V verschiedener Potentialunterschied zwischen dem Knoten A und dem Knoten B in der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB erzeugt, wobei dieser Potentialunterschied durch die Eingangsschaltung 2 in die CPU 1 eingegeben wird. Die CPU 1, die erkannt hat, dass von der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB der Potentialunterschied erzeugt wird, gibt das Ausgangssignal (das Steuersignal), um den Potentialunterschied 0 V zu bewirken, durch die Ausgangsschaltung 3 an die Basiselektrode des Transistors Tr aus.On the other hand, when the temperature of the gas heated by the heating resistor HR deviates from a certain temperature (eg, 100 ° C), a potential difference different from 0V between the node A and the node B is generated in the heater control bridge HCB this potential difference through the input circuit 2 into the CPU 1 is entered. The CPU 1 , which has detected that the potential difference is generated by the heater control bridge HCB, outputs the output signal (the control signal) to cause the potential difference 0V through the output circuit 3 to the base electrode of the transistor Tr.

Bei der Erzeugung des Potentialunterschieds z. B. in der Richtung, in der die Temperatur des durch den Heizwiderstand HR erwärmten Gases erhöht wird, damit sie höher als eine bestimmte Temperatur (z. B. 100°C) ist, gibt die CPU 1 das Steuersignal (das Ausgangssignal), das die durch den Transistor Tr fließende Strommenge verringert, an die Basiselektrode des Transistors Tr aus. Im Gegensatz dazu gibt bei der Erzeugung des Potentialunterschieds in der Richtung, in der die Temperatur des durch den Heizwiderstand HR erwärmten Gases abnimmt, damit sie geringer als eine bestimmte Temperatur (z. B. 100°C) ist, die CPU 1 das Steuersignal (das Ausgangssignal), das die durch den Transistor Tr fließende Strommenge vergrößert, an die Basiselektrode des Transistors Tr aus.When generating the potential difference z. For example, in the direction in which the temperature of the gas heated by the heating resistor HR is increased to be higher than a certain temperature (eg, 100 ° C), the CPU outputs 1 the control signal (the output signal), which reduces the amount of current flowing through the transistor Tr, to the base electrode of the transistor Tr. In contrast, in the generation of the potential difference in the direction in which the temperature of the gas heated by the heating resistor HR decreases to be lower than a certain temperature (for example, 100 ° C), the CPU 1 the control signal (the output signal), which increases the amount of current flowing through the transistor Tr, to the base electrode of the transistor Tr.

Wie folglich beschrieben worden ist, führt die CPU 1 die Regelung basierend auf dem Ausgangssignal aus der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB aus, so dass der Potentialunterschied zwischen dem Knoten A und dem Knoten B der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB 0 V wird (der Gleichgewichtszustand). Dies gibt an, dass der Strömungssensor gemäß der ersten Ausführungsform so gesteuert ist, dass das durch den Heizwiderstand HR erwärmte Gas die konstante Temperatur aufweist.As thus described, the CPU performs 1 the control based on the output signal from the heater control bridge HCB, so that the potential difference between the node A and the node B of the heater control bridge HCB becomes 0 V (the equilibrium state). This indicates that the flow sensor according to the first embodiment is controlled so that the gas heated by the heating resistor HR has the constant temperature.

Als Nächstes wird eine Beschreibung des Betriebs zum Messen der Strömung des Gases mit dem Strömungssensor in der ersten Ausführungsform gegeben. Zuerst wird der Fall im Zustand ohne Strömung beschrieben. Jeder Widerstandswert der stromaufwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände UR1 und UR2 und der stromabwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände BR1 und BR2 ist so festgelegt, dass der Potentialunterschied zwischen dem Potential des Knotens C und dem Potential des Knotens D in der Temperatursensorbrücke TSB im Zustand ohne Strömung, bei dem die Strömung des Gases, das in der Pfeilrichtung strömt, null ist, 0 V wird.Next, a description will be given of the operation for measuring the flow of the gas with the flow sensor in the first embodiment. First, the case in the no flow state will be described. Each resistance value of the upstream temperature detection resistors UR1 and UR2 and the downstream temperature detection resistors BR1 and BR2 is set so that the potential difference between the potential of the node C and the potential of the node D in the temperature sensor bridge TSB in the non-flow state where the flow of the gas flowing in the arrow direction becomes zero becomes 0V.

Spezifisch sind die stromaufwärts angeordneten Temperaturdetektionswiderstände UR1 und UR2 und die stromabwärts angeordneten Temperaturdetektionswiderstände BR1 und BR2 so strukturiert, dass sie den gleichen Abstand von dem Heizwiderstand HR und den gleichen Widerstandswert aufweisen. Deshalb ist die Temperatursensorbrücke TSB so konfiguriert, dass der Potentialunterschied zwischen dem Knoten C und dem Knoten D ungeachtet der Menge der Wärmeerzeugung des Heizwiderstands HR im Zustand ohne Strömung 0 V beträgt, wobei dieser Potentialunterschied (0 V) durch die Eingangsschaltung 2 in die CPU 1 eingegeben wird. Die CPU 1, die erkannt hat, dass der Potentialunterschied von der Temperatursensorbrücke TSB 0 V beträgt, erkennt dann, dass die Strömung des Gases, das in der Pfeilrichtung strömt, null ist, wobei sie das Ausgangssignal, das repräsentiert, dass die Gasströmung Q null ist, von dem Strömungssensor gemäß der ersten Ausführungsform durch die Ausgangsschaltung 3 ausgibt.Specifically, the upstream temperature detection resistors UR1 and UR2 and the downstream temperature detection resistors BR1 and BR2 are structured to have the same distance from the heating resistor HR and the same resistance value. Therefore, the temperature sensor bridge TSB is configured so that the potential difference between the node C and the node D is 0 V regardless of the amount of heat generation of the heating resistor HR in the no flow state, with this potential difference (0 V) through the input circuit 2 into the CPU 1 is entered. The CPU 1 , which has detected that the potential difference from the temperature sensor bridge TSB is 0V, then recognizes that the flow of the gas flowing in the arrow direction is zero, and the output representing that the gas flow Q is zero is from the flow sensor according to the first embodiment by the output circuit 3 outputs.

Anschließend wird der Fall, in dem das Gas in der Pfeilrichtung in 1 strömt, betrachtet. In diesem Fall werden, wie in 1 veranschaulicht ist, die stromaufwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände UR1 und UR2, die auf der stromaufwärts gelegenen Seite der Gasströmungsrichtung angeordnet sind, durch das in der Pfeilrichtung strömende Gas gekühlt. Deshalb wird die Temperatur der stromaufwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände UR1 und UR2 verringert. Im Gegensatz werden die stromabwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände BR1 und BR2, die auf der stromabwärts gelegenen Seite der Gasströmungsrichtung angeordnet sind, erwärmt, damit sie eine höhere Temperatur aufweisen, weil das durch den Heizwiderstand HR erwärmte Gas zu den stromabwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderständen BR1 und BR2 strömt. Im Ergebnis verliert die Temperatursensorbrücke TSB ihren Abgleich, um dadurch den von null verschiedenen Potentialunterschied zwischen dem Knoten C und dem Knoten D der Temperatursensorbrücke TSB zu erzeugen.Subsequently, the case in which the gas in the arrow direction in 1 flows, looks. In this case, as in 1 1, the upstream temperature detection resistors UR1 and UR2 arranged on the upstream side of the gas flow direction are cooled by the gas flowing in the arrow direction. Therefore, the temperature of the upstream temperature detection resistors UR1 and UR2 is lowered. In contrast, the downstream temperature detection resistors BR1 and BR2 disposed on the downstream side of the gas flow direction are heated to have a higher temperature because the gas heated by the heating resistor HR flows to the downstream temperature detection resistors BR1 and BR2. As a result, the temperature sensor bridge TSB loses its balance to thereby generate the non-zero potential difference between the node C and the node D of the temperature sensor bridge TSB.

Dieser Potentialunterschied wird durch die Eingangsschaltung 2 in die CPU 1 eingegeben. Die CPU 1, die erkannt hat, dass der Potentialunterschied von der Temperatursensorbrücke TSB nicht null ist, erkennt dann, dass die Strömung des Gases, das in der Pfeilrichtung strömt, nicht null ist. Danach greift die CPU 1 auf den Speicher 4 zu. Weil der Speicher 4 die Korrelationstabelle (die Tabelle) speichert, in der der Potentialunterschied und die Gasströmung miteinander korreliert sind, berechnet der CPU 1, die auf den Speicher 4 zugegriffen hat, die Gasströmung Q basierend auf der in dem Speicher 4 gespeicherten Korrelationstabelle. Folglich wird die durch die CPU 1 berechnete Gasströmung Q durch die Ausgangschaltung 3 von dem Strömungssensor in der ersten Ausführungsform ausgegeben. Es wird erkannt, dass die Gasströmung mit dem Strömungssensor gemäß der ersten Ausführungsform auf diese Weise berechnet werden kann.This potential difference is through the input circuit 2 into the CPU 1 entered. The CPU 1 , which has recognized that the potential difference from the temperature sensor bridge TSB is not zero, then detects that the flow of the gas flowing in the arrow direction is not zero. After that, the CPU attacks 1 on the memory 4 to. Because of the memory 4 The correlation table (the table) in which the potential difference and the gas flow are correlated with each other is calculated by the CPU 1 on the memory 4 has accessed the gas flow Q based on that in the memory 4 stored correlation table. Consequently, that is through the CPU 1 calculated gas flow Q through the output circuit 3 output from the flow sensor in the first embodiment. It will be appreciated that the gas flow with the flow sensor according to the first embodiment can be calculated in this way.

<Die Anordnungsstruktur des Strömungssensors><The Arrangement Structure of the Flow Sensor>

Als Nächstes wird die Anordnungsstruktur des Strömungssensors gemäß der ersten Ausführungsform beschrieben. Der in 1 veranschaulichte Strömungssensor gemäß der ersten Ausführungsform ist in zwei Halbleiterchips ausgebildet. Spezifisch sind der Heizwiderstand HR, die Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB und die Temperatursensorbrücke TSB in einem Halbleiterchip ausgebildet; während die CPU 1, die Eingangsschaltung 2, die Ausgangsschaltung 3 und der Speicher 4 und dergleichen in einem weiteren Halbleiterchip ausgebildet sind. Im Folgenden wird eine Beschreibung der Anordnungsstruktur des Halbleiterchips gegeben, der den Heizwiderstand HR, die Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB und die Temperatursensorbrücke TSB enthält.Next, the arrangement structure of the flow sensor according to the first embodiment will be described. The in 1 illustrated flow sensor according to the first embodiment is formed in two semiconductor chips. Specifically, the heating resistor HR, the heater control bridge HCB and the temperature sensor bridge TSB are formed in a semiconductor chip; while the CPU 1 , the input circuit 2 , the output circuit 3 and the memory 4 and the like are formed in another semiconductor chip. The following is a description of the arrangement structure of the semiconductor chip including the heating resistor HR, the heater control bridge HCB, and the temperature sensor bridge TSB.

2 ist ein Grundriss, der die Anordnungsstruktur eines Halbleiterchips CHP1 veranschaulicht, der einen Teil des Strömungssensors gemäß der ersten Ausführungsform bildet. Zuerst weist der Halbleiterchip CHP1, wie in 2 veranschaulicht ist, eine rechteckige Form auf, wobei das Gas von der linken Seite zur rechten Seite dieses Halbleiterchips CHP1 (in der Pfeilrichtung) strömt. Außerdem ist auf der Rückseite des rechteckigen Halbleiterchips CHP1 eine rechteckige Membran DF ausgebildet, wie in 2 veranschaulicht ist. Die Membran DF bezieht sich auf einen Bereich aus einer dünnen Platte, wo der Halbleiterchip CHP1 dünn ist. Mit anderen Worten, die Dicke des Bereichs, in dem die Membran DF ausgebildet ist, ist kleiner als die des anderen Bereichs des Halbleiterchips CHP1. 2 FIG. 12 is a plan view illustrating the arrangement structure of a semiconductor chip CHP1 forming part of the flow sensor according to the first embodiment. FIG. First, the semiconductor chip CHP1, as in 2 is illustrated, a rectangular shape, wherein the gas flows from the left side to the right side of this semiconductor chip CHP1 (in the arrow direction). In addition, a rectangular diaphragm DF is formed on the back side of the rectangular semiconductor chip CHP1 as shown in FIG 2 is illustrated. The diaphragm DF refers to an area of a thin plate where the semiconductor chip CHP1 is thin. In other words, the thickness of the region in which the diaphragm DF is formed is smaller than that of the other region of the semiconductor chip CHP1.

Im Bereich der Vorderseite des Halbleiterchips CHP1, der dem Bereich der Rückseite gegenüberliegt, der mit der Membran DF versehen ist, ist eine Strömungsdetektionseinheit FDU ausgebildet, wie in 2 veranschaulicht ist. Spezifisch ist der Heizwiderstand HR in der Mitte dieser Strömungsdetektionseinheit FDU ausgebildet. In der Nähe dieses Heizwiderstands HR ist der Widerstand R1 vorgesehen, der in der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke enthalten ist; während außerhalb der Strömungsdetektionseinheit FDU die Widerstände R2 bis R4 vorgesehen sind, die in der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke enthalten sind. Die auf diese Weise ausgebildeten Widerstände R1 bis R4 bilden die Heizvorrichtungs-Steuerbrücke.In the area of the front side of the semiconductor chip CHP1, which is opposite to the area of the back side provided with the diaphragm DF, a flow detection unit FDU is formed, as in FIG 2 is illustrated. Specifically, the heating resistor HR is formed at the center of this flow detection unit FDU. In the vicinity of this heating resistor HR, there is provided the resistor R1 included in the heater control bridge; while outside the flow detection unit FDU, the resistors R2 to R4 provided in the heater control bridge are provided are included. The resistors R1 to R4 formed in this way form the heater control bridge.

Insbesondere ist der in der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke enthaltene Widerstand R1 in der Nähe des Heizwiderstands HR ausgebildet; deshalb kann die Temperatur des Gases, das durch die von dem Heizwiderstand HR erzeugte Wärme erwärmt wird, an dem Widerstand R1 genau widergespiegelt werden.Specifically, the resistor R1 included in the heater control bridge is formed in the vicinity of the heating resistor HR; therefore, the temperature of the gas, which is heated by the heat generated by the heating resistor HR, can be accurately reflected on the resistor R1.

Weil andererseits die Widerstände R2 bis R4, die in der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke enthalten sind, entfernt von dem Heizwiderstand HR angeordnet sind, werden die Widerstände R2 bis R4 weniger leicht durch die von dem Heizwiderstand HR erzeugte Wärme beeinflusst.On the other hand, since the resistors R2 to R4 included in the heater control bridge are located away from the heating resistor HR, the resistors R2 to R4 are less likely to be affected by the heat generated by the heating resistor HR.

Deshalb kann eine derartige Struktur erhalten werden, dass der Widerstand R1 vorgesehen ist, um empfindlich auf die Temperatur des durch den Heizwiderstand HR erwärmten Gases zu reagieren, während die Widerstände R2 bis R4 vorgesehen sind, um weniger leicht durch den Heizwiderstand HR beeinflusst zu werden, damit deren Widerstandswerte konstant aufrechterhalten werden. Im Ergebnis kann die Detektionsgenauigkeit der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke erhöht werden.Therefore, such a structure can be obtained that the resistor R1 is provided to be sensitive to the temperature of the gas heated by the heating resistor HR, while the resistors R2 to R4 are provided so as to be less likely to be affected by the heating resistor HR. so that their resistance values are constantly maintained. As a result, the detection accuracy of the heater control bridge can be increased.

Außerdem sind die stromaufwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände UR1 und UR2 und die stromabwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände BR1 und BR2 so angeordnet, dass der in der Strömungsdetektionseinheit FDU ausgebildete Heizwiderstand HR dazwischen angeordnet ist. Spezifisch sind die stromaufwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände UR1 und UR2 auf der stromaufwärts gelegenen Seite der Pfeilrichtung, in der das Gas strömt, vorgesehen, während die stromabwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände BR1 und BR2 auf der stromabwärts gelegenen Seite der Pfeilrichtung, in der das Gas strömt, vorgesehen sind.In addition, the upstream temperature detection resistors UR1 and UR2 and the downstream temperature detection resistors BR1 and BR2 are arranged so that the heating resistor HR formed in the flow detection unit FDU is interposed therebetween. Specifically, the upstream temperature detection resistors UR1 and UR2 are provided on the upstream side of the arrow direction in which the gas flows, while the downstream temperature detection resistors BR1 and BR2 are provided on the downstream side of the arrow direction in which the gas flows.

Bei dieser Struktur kann in dem Fall, in dem das Gas in der Pfeilrichtung strömt, die Temperatur der stromaufwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände UR1 und UR2 verringert werden, während die Temperatur der stromabwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände BR1 und BR2 erhöht werden kann. Folglich ist die Temperatursensorbrücke durch die stromaufwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände UR1 und UR2 und die stromabwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände BR1 und BR2 ausgebildet, die in der Strömungsdetektionseinheit FDU angeordnet sind.With this structure, in the case where the gas flows in the arrow direction, the temperature of the upstream temperature detection resistors UR1 and UR2 can be reduced, while the temperature of the downstream temperature detection resistors BR1 and BR2 can be increased. Consequently, the temperature sensor bridge is formed by the upstream temperature detection resistors UR1 and UR2 and the downstream temperature detection resistors BR1 and BR2 disposed in the flow detection unit FDU.

Der Heizwiderstand HR, die stromaufwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände UR1 und UR2 und die stromabwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderstände BR1 und BR2, die oben erwähnt worden sind, können z. B. durch das Bilden eines Metallfilms aus Platin (PT) oder eines dünnen Halbleiterfilms aus Polysilicium (polykristallinem Silicium) oder dergleichen durch ein Sputter-Verfahren, ein CVD-Verfahren (Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung) oder dergleichen und dann durch das Versehen des Films mit einem Muster durch ein Ionenätzverfahren oder dergleichen gebildet werden.The heating resistor HR, the upstream temperature detection resistors UR1 and UR2 and the downstream temperature detection resistors BR1 and BR2 mentioned above may be e.g. By forming a metal film of platinum (PT) or a thin semiconductor film of polysilicon (polycrystalline silicon) or the like by a sputtering method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like, and then by providing the film a pattern can be formed by an ion etching method or the like.

Jeder von dem Heizwiderstand HR, den Widerstanden R1 bis R4, die in der Heizvorrichtungs-Steuerbrücke enthalten sind, und den stromaufwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderständen UR1 und UR2 und den stromabwärts gelegenen Temperaturdetektionswiderständen BR1 und BR2, die in der Temperatursensorbrücke enthalten sind, ist mit einer Verdrahtung WL1 verbunden und zu einer entsprechenden der Anschlussflächen PD1 geführt, die entlang der Unterseite des Halbleiterchips CP1 angeordnet sind.Each of the heating resistor HR, the resistors R1 to R4 included in the heater control bridge, and the upstream temperature detecting resistors UR1 and UR2 and the downstream temperature detecting resistors BR1 and BR2 included in the temperature sensor bridge are connected to a wiring WL1 connected and led to a corresponding one of the pads PD1, which are arranged along the underside of the semiconductor chip CP1.

Auf diese Weise ist der Halbleiterchip CHP1, der einen Teil des Strömungssensors in der ersten Ausführungsform bildet, strukturiert. Der aktuelle Strömungssensor enthält einen Halbleiterchip, der den Heizwiderstand HR, die Heizvorrichtungs-Steuerbrücke HCB und die Temperatursensorbrücke TSB enthält, und einen weiteren Halbleiterchip, der die CPU 1, die Eingangsschaltung 2, die Ausgangsschaltung 3, den Speicher 4 und dergleichen enthält, wobei diese Halbleiterchips an einem Substrat angebracht sind.In this way, the semiconductor chip CHP1 forming part of the flow sensor in the first embodiment is structured. The current flow sensor includes a semiconductor chip including the heating resistor HR, the heater control bridge HCB and the temperature sensor bridge TSB, and another semiconductor chip including the CPU 1 , the input circuit 2 , the output circuit 3 , the memory 4 and the like, these semiconductor chips being mounted on a substrate.

Im Folgenden wird eine Beschreibung des Strömungssensors gemäß der ersten Ausführungsform mit der Halterungsstruktur wie oben gegeben.Hereinafter, a description will be given of the flow sensor according to the first embodiment with the support structure as above.

<Die Halterungsstruktur des Strömungssensors in der ersten Ausführungsform><The Support Structure of the Flow Sensor in the First Embodiment>

Die 3(a) bis 3(c) sind graphische Darstellungen, von denen jede eine Halterungsstruktur des Strömungssensors FS1 in der ersten Ausführungsform veranschaulicht, wobei diese Struktur vor dem Versiegeln mit dem Harz vorliegt. Insbesondere ist 3(a) ein Grundriss, der die Halterungsstruktur des Strömungssensors FS1 in der ersten Ausführungsform veranschaulicht, ist 3(b) eine entlang einer Linie A-A nach 3(a) genommene Schnittansicht und ist 3(c) ein Grundriss, der die Rückseite des Halbleiterchips CHP1 veranschaulicht.The 3 (a) to 3 (c) FIG. 15 are graphs each illustrating a support structure of the flow sensor FS1 in the first embodiment, which structure is before sealing with the resin. In particular 3 (a) a plan view illustrating the support structure of the flow sensor FS1 in the first embodiment is 3 (b) one along a line AA 3 (a) taken sectional view and is 3 (c) a plan view illustrating the back of the semiconductor chip CHP1.

Zuerst enthält, wie in 3(a) veranschaulicht ist, der Strömungssensor FS1 in der ersten Ausführungsform einen Leitungsrahmen LF, der z. B. aus einem Kupfermaterial hergestellt ist. Dieser Leitungsrahmen LF enthält einen Chiphalterungsabschnitt TAB1 und einen Chiphalterungsabschnitt TAB2 im Inneren, das durch einen Dämmstab DM umgeben ist, der einen äußeren Rahmenkörper bildet. Der Halbleiterchip CHP1 ist an dem Chiphalterungsabschnitt TAB1 angebracht, während ein Halbleiterchip CHP2 an dem Chiphalterungsabschnitt TAB2 angebracht ist.First contains, as in 3 (a) is illustrated, the flow sensor FS1 in the first embodiment, a lead frame LF, the z. B. is made of a copper material. This lead frame LF includes a chip holding portion TAB1 and a chip holder portion TAB2 inside, which is surrounded by a Dämmstab DM, which forms an outer frame body. The semiconductor chip CHP1 is attached to the chip holder portion TAB1, while a semiconductor chip CHP2 is attached to the chip holder portion TAB2.

Der Halbleiterchip CHP1 weist eine rechteckige Form auf, wobei die Strömungsdetektionseinheit FDU im Wesentlichen in dessen Mitte ausgebildet ist. Die Verdrahtungen WL1, die mit der Strömungsdetektionseinheit FDU verbunden sind, sind auf dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildet, wobei die Verdrahtungen WL1 mit den mehreren Anschlussflächen PD1 verbunden sind, die entlang einer Seite des Halbleiterchips CHP1 ausgebildet sind. Mit anderen Worten, die Strömungsdetektionseinheit FDU und die Anschlussflächen PD1 sind durch die Verdrahtungen WL1 miteinander verbunden. Diese Anschlussflächen PD1 sind z. B. durch die Drähte W1, die aus einem Golddraht hergestellt sind, mit den Leitungen LD1 verbunden, die für den Leitungsrahmen LF vorgesehen sind. Die für den Leitungsrahmen LF vorgesehenen Leitungen LD1 sind z. B. durch die Drähte W2, die aus einem Golddraht hergestellt sind, mit den Anschlussflächen PD2 verbunden, die in dem Halbleiterchip CHP2 ausgebildet sind.The semiconductor chip CHP1 has a rectangular shape, wherein the flow detection unit FDU is formed substantially at the center thereof. The wirings WL1 connected to the flow detection unit FDU are formed on the semiconductor chip CHP1, and the wirings WL1 are connected to the plural pads PD1 formed along one side of the semiconductor chip CHP1. In other words, the flow detection unit FDU and the pads PD1 are interconnected by the wirings WL1. These pads PD1 are z. B. by the wires W1, which are made of a gold wire, connected to the lines LD1, which are provided for the lead frame LF. The measures provided for the lead frame LF lines LD1 are z. B. by the wires W2, which are made of a gold wire, connected to the pads PD2, which are formed in the semiconductor chip CHP2.

Der Halbleiterchip CHP2 enthält integrierte Schaltungen, die Verdrahtungen und Halbleiterelemente, wie z. B. einen MISFET (Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor), enthalten. Spezifisch sind die integrierten Schaltungen, die die CPU 1, die Eingangsschaltung 2, die Ausgangschaltung 3, den Speicher 4 und dergleichen bilden, ausgebildet. Diese integrierten Schaltungen sind mit den Anschlussflächen PD2 oder den Anschlussflächen PD3 verbunden, die als äußere Verbindungsanschlüsse dienen. Die Anschlussflächen PD3, die für den Halbleiterchip CHP2 vorgesehen sind, sind durch die Drähte W3, die z. B. aus einem Golddraht hergestellt sind, mit den Leitungen LD2, die für den Leitungsrahmen LF vorgesehen sind, verbunden. Es wird erkannt, dass der Halbleiterchip CHP1, der die Strömungsdetektionseinheit FDU enthält, und der Halbleiterchip CHP2, der die Steuerschaltung enthält, durch die Leitungen LD1, die für den Leitungsrahmen LF vorgesehen sind, miteinander verbunden sind. Die äußerste Fläche des Halbleiterchips CHP1 kann für den Zweck, die Beanspruchung zu verringern, die Oberfläche zu schützen und die Oberfläche von dem Harz, das an ihr angebracht wird, zu isolieren, mit einem Polyimidfilm versehen sein, obwohl dies in den 3 nicht veranschaulicht ist.The semiconductor chip CHP2 includes integrated circuits including wirings and semiconductor elements such as semiconductor devices. Example, a MISFET (metal-insulator-semiconductor field effect transistor) included. Specifically, the integrated circuits are the CPU 1 , the input circuit 2 , the output circuit 3 , the memory 4 and the like. These integrated circuits are connected to the pads PD2 or pads PD3 serving as external connection terminals. The pads PD3, which are provided for the semiconductor chip CHP2, by the wires W3, the z. B. made of a gold wire, with the lines LD2, which are provided for the lead frame LF, connected. It is recognized that the semiconductor chip CHP1 including the flow detection unit FDU and the semiconductor chip CHP2 including the control circuit are connected to each other through the lines LD1 provided for the lead frame LF. The outermost surface of the semiconductor chip CHP1 may be provided with a polyimide film for the purpose of reducing the stress, protecting the surface, and insulating the surface of the resin attached thereto, although this is disclosed in US Pat 3 not illustrated.

Anschließend enthält der Leitungsrahmen LF den Chiphalterungsabschnitt TAB1, wie in 3(b) veranschaulicht ist, wobei der Chiphalterungsabschnitt TAB1 den an ihm angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist. Dieser Halbleiterchip CHP1 ist durch ein Klebstoffmaterial ADH1 an dem Chiphalterungsabschnitt TAB1 befestigt. Die Rückseite des Halbleiterchips CHP1 ist mit der Membran DF (dem Abschnitt aus einer dünnen Platte) versehen, während die Vorderseite des Halbleiterchips CHP1 auf der gegenüberliegenden Seite der Membran DF mit der Strömungsdetektionseinheit FDU versehen ist. Andererseits ist ein Öffnungsabschnitt OP1 an der Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 ausgebildet, der unter der Membran DF vorhanden ist. Hier wird ein Beispiel beschrieben, in dem der Öffnungsabschnitt OP1 an der Unterseite der Chiphalterungsabschnitts TAB1, der unter der Membran DF vorhanden ist, ausgebildet ist. Die technische Idee in der ersten Ausführungsform ist jedoch nicht darauf eingeschränkt, wobei der Leitungsrahmen LF, der nicht mit dem Öffnungsabschnitt OP1 versehen ist, verwendet werden kann.Subsequently, the lead frame LF includes the chip holding portion TAB1 as shown in FIG 3 (b) 1, wherein the chip holder portion TAB1 has the semiconductor chip CHP1 attached thereto. This semiconductor chip CHP1 is attached to the chip holder portion TAB1 by an adhesive material ADH1. The back side of the semiconductor chip CHP1 is provided with the diaphragm DF (the thin plate portion), while the front side of the semiconductor chip CHP1 on the opposite side of the diaphragm DF is provided with the flow detection unit FDU. On the other hand, an opening portion OP1 is formed on the underside of the chip holder portion TAB1 provided under the diaphragm DF. Here, an example will be described in which the opening portion OP1 is formed on the underside of the chip holder portion TAB1 provided under the diaphragm DF. However, the technical idea in the first embodiment is not limited thereto, and the lead frame LF which is not provided with the opening portion OP1 can be used.

Außerdem ist die Vorderseite (die Oberseite) des Halbleiterchips CHP1 zusätzlich zu der Strömungsdetektionseinheit FDU mit den Anschlussflächen PD1, die mit der Strömungsdetektionseinheit FDU verbunden sind, versehen, wie in 3(b) veranschaulicht ist, wobei die Anschlussflächen PD1 durch die Drähte W1 mit den Leitungen LD1, die für den Leitungsrahmen LF vorgesehen sind, verbunden sind. Der Leitungsrahmen LF weist außerdem zusätzlich zu dem Halbleiterchip CHP1 den Halbleiterchip CHP2 auf, der an ihm angebracht ist. Der Halbleiterchip CHP2 ist mit einem Klebstoffmaterial ADH2 an dem Chiphalterungsabschnitt TAB2 befestigt. Außerdem sind die Anschlussflächen PD2, die für den Halbleiterchip CHP2 vorgesehen sind, und die Leitungen LD1, die für den Leitungsrahmen LF vorgesehen sind, durch die Drähte W2 miteinander verbunden. Die Anschlussflächen PD3, die für den Halbleiterchip CHP2 vorgesehen sind, und die Leitungen LD2, die für den Leitungsrahmen LF vorgesehen sind, sind durch die Drähte W3 elektrisch miteinander verbunden.In addition, in addition to the flow detection unit FDU, the front side (top side) of the semiconductor chip CHP1 is provided with the pads PD1 connected to the flow detection unit FDU, as shown in FIG 3 (b) is illustrated, wherein the pads PD1 are connected by the wires W1 with the lines LD1, which are provided for the lead frame LF. The lead frame LF further has, in addition to the semiconductor chip CHP1, the semiconductor chip CHP2 attached thereto. The semiconductor chip CHP2 is fixed to the chip holder portion TAB2 with an adhesive material ADH2. In addition, the pads PD2 provided for the semiconductor chip CHP2 and the wires LD1 provided for the lead frame LF are connected to each other by the wires W2. The pads PD3 provided for the semiconductor chip CHP2 and the wires LD2 provided for the lead frame LF are electrically connected to each other by the wires W3.

Das Klebstoffmaterial ADH1, das den Halbleiterchip CHP1 und den Chiphalterungsabschnitt TAB1 befestigt, und das Klebstoffmaterial ADH2, das den Halbleiterchip CHP2 und den Chiphalterungsabschnitt TAB2 befestigt, können z. B. ein Klebstoffmaterial sein, das ein wärmeaushärtendes Harz, wie z. B. ein Epoxidharz oder ein Polyurethanharz, oder ein thermoplastisches Harz, wie z. B. ein Polyimidharz, ein Acrylharz oder ein Fluorharz, enthält.The adhesive material ADH1 that fixes the semiconductor chip CHP1 and the chip holder portion TAB1, and the adhesive material ADH2 that fixes the semiconductor chip CHP2 and the chip holder portion TAB2 may be bonded, for example, to the semiconductor chip CHP1. B. be an adhesive material containing a thermosetting resin such. As an epoxy resin or a polyurethane resin, or a thermoplastic resin such. A polyimide resin, an acrylic resin or a fluororesin.

Das Anhaften zischen dem Halbleiterchip CHP1 und dem Chiphalterungsabschnitt TAB1 kann z. B. durch die Anwendung einer Silberpaste oder des Klebstoffmaterials ADH1, wie in 3(c) veranschaulicht ist, oder unter Verwendung eines plattenähnlichen Klebstoffmaterials erreicht werden. 3(c) ist ein Grundriss, der die Rückseite des Halbleiterchips CHP1 veranschaulicht. Wie in 3(c) veranschaulicht ist, ist die Rückseite des Halbleiterchips CHP1 mit der Membran DF versehen, wobei das Klebstoffmaterial ADH1 die Membran DF umgebend aufgetragen ist. Es wird angegeben, dass, obwohl 3(c) das Beispiel des Aufbringens des Klebstoffmaterials ADH1 veranschaulicht, damit es die Membran DF in einer quadratischen Form umgibt, die vorliegende Erfindung nicht darauf eingeschränkt ist, und dass das Klebstoffmaterial ADH1 so aufgetragen werden kann, dass es die Membran DF in irgendeiner Form, wie z. B. einer elliptischen Form, umgibt.The adhesion between the semiconductor chip CHP1 and the chip holder portion TAB1 can be made e.g. By the application of a silver paste or the adhesive material ADH1, as in 3 (c) illustrated or achieved using a plate-like adhesive material. 3 (c) is a floor plan that covers the back of the semiconductor chip CHP1 illustrated. As in 3 (c) is illustrated, the back of the semiconductor chip CHP1 is provided with the membrane DF, wherein the adhesive material ADH1 is applied surrounding the membrane DF. It is stated that, though 3 (c) the example of applying the adhesive material ADH1 illustrates that it surrounds the membrane DF in a square shape, the present invention is not limited thereto, and that the adhesive material ADH1 can be applied to the membrane DF in any form, such as. B. an elliptical shape surrounds.

Außerdem ist in der ersten Ausführungsform, wie in 3(a) und 3(b) veranschaulicht ist, ein Rahmenkörper FB an einem Abschnitt des Halbleiterchips CHP1 ausgebildet. Dieser Rahmenkörper FB weist z. B. eine rechteckige Form auf, wobei in dessen Inneren der Öffnungsabschnitt OP (FB) ausgebildet ist. Dieser Rahmenkörper FB ist so angeordnet, dass die auf der Hauptfläche des Halbleiterchips CHP1 ausgebildete Strömungsdetektionseinheit FDU aus dem Öffnungsabschnitt OP (FB) freigelegt ist und dass die mehreren Anschlussflächen PD1, die für den Halbleiterchip CHP1 vorgesehen sind, außerhalb des Rahmenkörpers FB freigelegt sind.Moreover, in the first embodiment, as in FIG 3 (a) and 3 (b) 1, a frame body FB is formed at a portion of the semiconductor chip CHP1. This frame body FB has z. B. a rectangular shape, wherein in the interior of the opening portion OP (FB) is formed. This frame body FB is arranged such that the flow detection unit FDU formed on the main surface of the semiconductor chip CHP1 is exposed from the opening portion OP (FB), and the plurality of pads PD1 provided for the semiconductor chip CHP1 are exposed outside the frame body FB.

Im Folgenden wird eine Beschreibung der Struktur des Rahmenkörpers FB gegeben. Die 4(a) bis 4(c) sind graphische Darstellungen, die die Struktur des Rahmenkörpers FB veranschaulichen. 4(a) ist ein Grundriss, der die Struktur des Rahmenkörpers FB veranschaulicht, 4(b) ist eine entlang einer Linie A-A nach 4(a) genommene Schnittansicht und 4(c) ist eine entlang einer Linie B-B nach 4(a) genommene Schnittansicht.The following is a description of the structure of the frame body FB. The 4 (a) to 4 (c) are graphical representations illustrating the structure of the frame body FB. 4 (a) is a plan view illustrating the structure of the frame body FB, 4 (b) is one along a line AA after 4 (a) taken sectional view and 4 (c) is one along a line BB after 4 (a) taken sectional view.

Wie in 4(a) veranschaulicht ist, wird erkannt, dass der Rahmenkörper FB eine rechteckige Form aufweist und dass der Öffnungsabschnitt OP (FB) innerhalb eines Rahmenabschnitts FP ausgebildet ist. Dann ist, wie in 4(b) oder 4(c) veranschaulicht ist, der Rahmenkörper FB mit einem Wandabschnitt WP parallel zu der Seitenfläche des Halbleiterchips CHP1 versehen. Wie in 3(b) veranschaulicht ist, kann der Rahmenkörper FB in dem Zustand, dass die Position des Rahmenkörpers FB auf den Halbleiterchip CHP1 ausgerichtet ist, an dem Halbleiterchip CHP1 angeordnet sein, indem sich dieser Wandabschnitt WP in engen Kontakt mit dem Halbleiterchip CHP1 befindet. Bei dieser Gelegenheit kann der Rahmenkörper FB an dem Halbleiterchip CHP1 befestigt sein oder nicht. Insbesondere kann, wenn der Rahmenkörper FB an dem Halbleiterchip CHP1 befestigt ist, die Wirkung des Verhinderns der Verschiebung des Rahmenkörpers FB erhalten werden. Es wird angegeben, dass der für den Rahmenkörper FB ausgebildete Wandabschnitt WP wenigstens einer Seitenfläche des Halbleiterchips CHP1 entsprechend vorgesehen sein kann.As in 4 (a) 1, it is recognized that the frame body FB has a rectangular shape and that the opening portion OP (FB) is formed inside a frame portion FP. Then, as in 4 (b) or 4 (c) is illustrated, the frame body FB provided with a wall portion WP parallel to the side surface of the semiconductor chip CHP1. As in 3 (b) 1, the frame body FB in the state that the position of the frame body FB is aligned with the semiconductor chip CHP1 may be disposed on the semiconductor chip CHP1 by having this wall portion WP in close contact with the semiconductor chip CHP1. On this occasion, the frame body FB may or may not be attached to the semiconductor chip CHP1. In particular, when the frame body FB is attached to the semiconductor chip CHP1, the effect of preventing the displacement of the frame body FB can be obtained. It is stated that the wall section WP formed for the frame body FB may be provided correspondingly to at least one side surface of the semiconductor chip CHP1.

Hier weist der Rahmenkörper FB in der ersten Ausführungsform das Merkmal auf, dass der Elastizitätsmodul des Materials des Rahmenkörpers FB kleiner als der des Materials des Halbleiterchips CHP1 ist. Hier bezieht sich der Elastizitätsmodul auf den Elastizitätsmodul des Rahmenkörpers FB und des Halbleiterchips CHP1. Der Elastizitätsmodul bezieht sich auf den Proportionalitätsfaktor, der erhalten wird, indem das Hookesche Gesetz, bei dem die Beanspruchung des elastischen Körpers und die Verzerrung proportional zueinander sind, in der Form ”die Beanspruchung ist zur Verzerrung proportional” dargestellt wird.Here, the frame body FB in the first embodiment has the feature that the elastic modulus of the material of the frame body FB is smaller than that of the material of the semiconductor chip CHP1. Here, the elastic modulus refers to the elastic modulus of the frame body FB and the semiconductor chip CHP1. The modulus of elasticity refers to the proportionality factor obtained by representing Hooke's law, in which the stress of the elastic body and the distortion are proportional to each other, in the form of "the stress is proportional to the distortion".

Der Elastizitätsmodul des Rahmenkörpers FB und der Elastizitätsmodul des Halbleiterchips CHP1 werden wünschenswerterweise bei einer Temperatur von 25°C (Zimmertemperatur) verglichen. Was den Vergleich der Elastizitätsmoduln betrifft, werden der Elastizitätsmodul des Rahmenkörpers FB und der Elastizitätsmodul des Basismaterials des Halbleiterchips CHP1 verglichen. Wenn das Basismaterial des Halbleiterchips CHP1 z. B. aus einem Siliciumeinkristall ausgebildet ist, kann der Rahmenkörper FB aus einem Material mit einem kleineren Elastizitätsmodul als der des Siliciumeinkristalls bei Zimmertemperatur ausgebildet sein.The elastic modulus of the frame body FB and the elastic modulus of the semiconductor chip CHP1 are desirably compared at a temperature of 25 ° C (room temperature). As for the comparison of the elastic moduli, the elastic modulus of the frame body FB and the elastic modulus of the base material of the semiconductor chip CHP1 are compared. When the base material of the semiconductor chip CHP1 z. B. is formed of a silicon single crystal, the frame body FB may be formed of a material having a smaller modulus of elasticity than that of the silicon single crystal at room temperature.

Folglich ist die Beschreibung des Vergleichs der Elastizitätsmoduln zwischen dem Rahmenkörper FB und dem Halbleiterchip CHP1 gegeben worden; das Grundprinzip dessen liegt jedoch darin, dass der Rahmenkörper FB, dessen Härte kleiner als die des Halbleiterchips CHP1 ist, verwendet wird. Die hier beschriebene Härte bezieht sich auf die Mikrohärte nach Vickers, die Brinell-Härte oder die Rockwell-Härte bei Zimmertemperatur.Thus, the description of the comparison of the elastic moduli has been given between the frame body FB and the semiconductor chip CHP1; the basic principle, however, is that the frame body FB whose hardness is smaller than that of the semiconductor chip CHP1 is used. The hardness described here refers to Vickers microhardness, Brinell hardness or Rockwell hardness at room temperature.

Spezifisch kann der Rahmenkörper FB, dessen Härte kleiner als die des Halbleiterchips CHP1 ist, aus einem thermoplastischen Harz, das ein PBT-Harz, ein ABS-Harz, ein PC-Harz, ein Nylonharz, ein PS-Harz oder ein Fluorharz enthält, einem wärmeaushärtenden Harz, das ein Epoxidharz oder ein Phenolharz enthält, einem Gummimaterial, das Teflon (eingetragenes Warenzeichen), Urethan oder Fluor enthält, oder einem Polymermaterial, wie z. B. Elastomer, ausgebildet sein.Specifically, the frame body FB whose hardness is smaller than that of the semiconductor chip CHP1 may be made of a thermoplastic resin containing a PBT resin, an ABS resin, a PC resin, a nylon resin, a PS resin or a fluorine resin thermosetting resin containing an epoxy resin or a phenolic resin, a rubber material containing Teflon (registered trademark), urethane or fluorine, or a polymer material such as a rubber. B. elastomer, be formed.

Der Rahmenkörper FB kann durch Gießen auf eine Weise, dass eine Form mit einem Harz durch Spritzgießen oder Spritzpressen gefüllt wird, oder unter Verwendung eines Filmprodukts oder eines plattenförmigen Produkts, das aus dem oben erwähnten Material ausgebildet ist, gebildet werden.The frame body FB may be formed by molding in a manner that a mold is filled with a resin by injection molding or transfer molding, or by using a film product or a plate-shaped product formed of the above-mentioned material.

Der aus dem wärmeaushärtenden Harz, dem thermoplastischen Harz, dem Gummimaterial oder dem Polymermaterial, wie z. B. dem Elastomer, ausgebildete Rahmenkörper FB selbst kann als das Klebstoffmaterial, das eine Klebstoffeigenschaft aufweist, verwendet werden; außerdem kann der Rahmenkörper FB mit einem anorganischen Füllmaterial, wie z. B. Glas, Siliciumdioxid, Glimmer oder Talkum, oder einem organischen Füllmaterial, wie z. B. Kohlenstoff, gefüllt sein. From the thermosetting resin, the thermoplastic resin, the rubber material or the polymer material, such as. B. the elastomer, formed frame body FB itself can be used as the adhesive material having an adhesive property; In addition, the frame body FB with an inorganic filler such. As glass, silica, mica or talc, or an organic filler such. As carbon, be filled.

Der Rahmenkörper FB kann durch Pressen, Walzen oder Gießen eines Metallmaterials mit einem kleineren Elastizitätsmodul als dem des Siliciums, wie z. B. Messing, einer Aluminiumlegierung oder einer Kupferlegierung, strukturiert werden.The frame body FB may be formed by pressing, rolling or casting a metal material having a modulus of elasticity lower than that of silicon, such as silicon. As brass, an aluminum alloy or a copper alloy, be structured.

In dem Strömungssensor FS1 in der ersten Ausführungsform ist die Halterungsstruktur des Strömungssensors FS1 vor dem Versiegeln mit dem Harz wie oben; die Halterungsstruktur des Strömungssensors FS1 nach dem Versiegeln mit dem Harz wird im Folgenden beschrieben.In the flow sensor FS1 in the first embodiment, the support structure of the flow sensor FS1 before sealing with the resin is as above; the support structure of the flow sensor FS1 after being sealed with the resin will be described below.

Die 5(a) bis 5(c) sind graphische Darstellungen, die die Halterungsstruktur des Strömungssensors FS1 in der ersten Ausführungsform veranschaulichen, wobei diese Struktur nach dem Versiegeln mit dem Harz vorliegt. Insbesondere ist 5(a) ein Grundriss, der die Halterungsstruktur des Strömungssensors FS1 in der ersten Ausführungsform veranschaulicht, ist 5(b) eine entlang einer Linie A-A nach 5(a) genommene Schnittansicht und ist 5(c) eine entlang einer Linie B-B nach 5(a) genommene Schnittansicht.The 5 (a) to 5 (c) FIG. 15 is graphs illustrating the support structure of the flow sensor FS1 in the first embodiment, which structure is after sealing with the resin. In particular 5 (a) a plan view illustrating the support structure of the flow sensor FS1 in the first embodiment is 5 (b) one along a line AA 5 (a) taken sectional view and is 5 (c) one along a line BB to 5 (a) taken sectional view.

In dem Strömungssensor FS1 in der ersten Ausführungsform sind, wie in 5(a) veranschaulicht ist, ein Abschnitt des Halbleiterchips CHP1 und der gesamte Halbleiterchip CHP2 mit dem Harz MR in dem Zustand abgedeckt, dass die Strömungsdetektionseinheit FDU, die für den Halbleiterchip CHP1 vorgesehen ist, aus dem Öffnungsabschnitt OP (FB), der in dem Rahmenkörper FB (dem ersten charakteristischen Punkt) ausgebildet ist, freigelegt ist. Mit anderen Worten, in der ersten Ausführungsform sind der gesamte Bereich des Halbleiterchips CHP2 und der Bereich des Halbleiterchips CHP1 mit Ausnahme des Bereichs, der die Strömungsdetektionseinheit FDU enthält, und des Bereichs, der den angebrachten Rahmenkörper FB aufweist, gemeinsam mit dem Harz MR versiegelt.In the flow sensor FS1 in the first embodiment, as shown in FIG 5 (a) 1, a portion of the semiconductor chip CHP1 and the entire semiconductor chip CHP2 are covered with the resin MR in the state that the flow detection unit FDU provided for the semiconductor chip CHP1 is formed from the opening portion OP (FB) provided in the frame body FB (the first characteristic point) is exposed. In other words, in the first embodiment, the entire area of the semiconductor chip CHP2 and the area of the semiconductor chip CHP1 are sealed together with the resin MR except for the area including the flow detection unit FDU and the area having the attached frame body FB.

Das oben erwähnte Harz MR kann z. B. ein wärmeaushärtendes Harz, wie z. B. ein Epoxidharz oder ein Phenolharz, ein thermoplastisches Harz, wie z. B. Polycarbonat oder Polyethylenterephthalat, sein; außerdem kann ein Füllmaterial, wie z. B. Glas oder Glimmer, in das Harz gemischt sein.The above-mentioned resin MR may be, for. B. a thermosetting resin such. As an epoxy resin or a phenolic resin, a thermoplastic resin such. Polycarbonate or polyethylene terephthalate; In addition, a filling material, such as. Glass or mica, may be mixed in the resin.

Weil das Versiegeln mit dem Harz MR in dem Zustand ausgeführt werden kann, in dem der Halbleiterchip CHP1, der die Strömungsdetektionseinheit FDU enthält, durch die Form befestigt ist, kann ein Abschnitt des Halbleiterchips CHP1 und des Halbleiterchips CHP2 mit dem Harz MR versiegelt werden, während die Verschiebung des Halbleiterchips CHP1 unterdrückt wird. Dies bedeutet, dass ein Abschnitt des Halbleiterchips CHP1 und der gesamte Bereich des Halbleiterchips CHP2 mit dem Harz MR versiegelt werden können, während die Verschiebung jedes Strömungssensors FS1 in der ersten Ausführungsform unterdrückt wird, und dass die Positionsvariation der Strömungsdetektionseinheit FDU, die in dem Halbleiterchip CHP1 enthalten ist, unterdrückt werden kann.Because the sealing with the resin MR can be performed in the state in which the semiconductor chip CHP1 including the flow detection unit FDU is fixed by the mold, a portion of the semiconductor chip CHP1 and the semiconductor chip CHP2 can be sealed with the resin MR the displacement of the semiconductor chip CHP1 is suppressed. That is, a portion of the semiconductor chip CHP1 and the entire area of the semiconductor chip CHP2 can be sealed with the resin MR while suppressing the displacement of each flow sensor FS1 in the first embodiment, and the positional variation of the flow detection unit FDU included in the semiconductor chip CHP1 is contained, can be suppressed.

Im Ergebnis können in der ersten Ausführungsform die Positionen der Strömungsdetektionseinheiten FDU, die die Gasströmung detektieren, zwischen den Strömungssensoren FS1 angepasst werden; folglich kann die beachtliche Wirkung erhalten werden, die die Variation der Leistung für das Detektieren der Gasströmung in den Strömungssensoren FS1 unterdrückt.As a result, in the first embodiment, the positions of the flow detection units FDU that detect the gas flow can be adjusted between the flow sensors FS1; consequently, the remarkable effect suppressing the variation of the power for detecting the gas flow in the flow sensors FS1 can be obtained.

Anschließend ist in dem Strömungssensor FS1 in der ersten Ausführungsform, wie in 5(b) veranschaulicht ist, die Höhe des Rahmenkörpers FB auf jeder Seite der freigelegten Strömungsdetektionseinheit FDU oder die Höhe des Harzes MR (des Versiegelungskörpers) größer als die der Oberfläche des Halbleiterchips CHP1, der die Strömungsdetektionseinheit FDU (den zweiten charakteristischen Punkt) enthält. Mit anderen Worten, die freigelegte Strömungsdetektionseinheit FDU ist durch den Rahmenkörper FB umgeben, wobei die Höhe des Rahmenkörpers FB, der die Strömungsdetektionseinheit FDU umgibt, größer als die der Strömungsdetektionseinheit FDU ist. In Übereinstimmung mit dem zweiten charakteristischen Punkt in der ersten Ausführungsform kann der Zusammenstoß der Komponente mit der freigelegten Strömungsdetektionseinheit FDU während des Anbringens der Komponente verhindert werden; folglich kann die Beschädigung des Halbleiterchips CHP1, der die Strömungsdetektionseinheit FDU enthält, verhindert werden. Mit anderen Worten, die Höhe der freigelegten Strömungsdetektionseinheit FDU ist größer als die des Rahmenkörpers FB, der die Strömungsdetektionseinheit FDU umgibt. Wenn die Komponente in Kontakt gebracht wird, wird deshalb zuerst die Komponente mit dem hohen Rahmenkörper FB in Kontakt gebracht; deshalb ist es möglich zu verhindern, dass die Komponente mit der freigelegten Oberfläche (der XY-Oberfläche) des Halbleiterchips CHP1, der die niedrige Strömungsdetektionseinheit FDU enthält, in Kontakt gelangt, was die Beschädigung des Halbleiterchips CHP1 verursacht.Subsequently, in the flow sensor FS1 in the first embodiment, as in FIG 5 (b) 9, the height of the frame body FB on each side of the exposed flow detection unit FDU or the height of the resin MR (sealing body) is larger than that of the surface of the semiconductor chip CHP1 including the flow detection unit FDU (the second characteristic point). In other words, the exposed flow detection unit FDU is surrounded by the frame body FB, and the height of the frame body FB surrounding the flow detection unit FDU is larger than that of the flow detection unit FDU. In accordance with the second characteristic point in the first embodiment, the collision of the component with the exposed flow detection unit FDU during the attachment of the component can be prevented; consequently, the damage of the semiconductor chip CHP1 including the flow detection unit FDU can be prevented. In other words, the height of the exposed flow detection unit FDU is larger than that of the frame body FB surrounding the flow detection unit FDU. Therefore, when the component is brought into contact, the component is first brought into contact with the high frame body FB; therefore, it is possible to prevent the component from coming into contact with the exposed surface (the XY surface) of the semiconductor chip CHP1 including the low-flow detection unit FDU, causing the damage of the semiconductor chip CHP1.

Insbesondere ist in der ersten Ausführungsform der Rahmenkörper FB an einem Abschnitt des Halbleiterchips CHP1 angeordnet, wobei dieser Rahmenkörper FB einen kleineren Elastizitätsmodul als der Halbleiterchip CHP1 aufweist. Mit anderen Worten, der Rahmenkörper FB ist aus einem Material ausgebildet, dessen Härte kleiner als die des Halbleiterchips CHP1 ist. Deshalb kann, wenn die Komponente mit dem Rahmenkörper FB in Kontakt gebracht wird, der Stoß durch die Deformation des Rahmenkörpers FB absorbiert werden, der relativ weich ist. Im Ergebnis kann die Übertragung des Stoßes zu dem Halbleiterchip CHP1, der unter dem Rahmenkörper FB angeordnet ist, unterdrückt werden. Dies kann die Beschädigung des Halbleiterchips CHP1 effektiv verhindern. More specifically, in the first embodiment, the frame body FB is disposed at a portion of the semiconductor chip CHP1, which frame body FB has a smaller elastic modulus than the semiconductor chip CHP1. In other words, the frame body FB is formed of a material whose hardness is smaller than that of the semiconductor chip CHP1. Therefore, when the component is brought into contact with the frame body FB, the shock can be absorbed by the deformation of the frame body FB which is relatively soft. As a result, the transmission of the shock to the semiconductor chip CHP1 disposed under the frame body FB can be suppressed. This can effectively prevent the damage of the semiconductor chip CHP1.

Es wird angegeben, dass der Rahmenkörper FB und das Harz MR (der Versiegelungskörper) irgendeine Höhe aufweisen können, solange wie deren Höhe größer als die Oberfläche des Halbleiterchips CHP1 ist, der die Strömungsdetektionseinheit FDU enthält. Die Höhe des Rahmenkörpers FB kann entweder größer oder kleiner als die Höhe des Harzes MR (des Versiegelungskörpers) sein oder kann zu ihr gleich sein.It is stated that the frame body FB and the resin MR (the sealing body) may have any height as long as their height is larger than the surface of the semiconductor chip CHP1 containing the flow detection unit FDU. The height of the frame body FB may be either larger or smaller than the height of the resin MR (the sealing body) or may be equal to it.

In der Struktur der ersten Ausführungsform wird das Klebstoffmaterial ADH1 aufgetragen, damit es die auf der Rückseite des Halbleiterchips CHP1 ausgebildete Membran DF umgibt, um z. B. zu verhindern, dass das Harz MR in den Innenraum der Membran DF eintritt. Wie in 5(b) und 5(c) veranschaulicht ist, ist der Öffnungsabschnitt OP1 an der Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 unter der Membran DF, die auf der Rückseite des Halbleiterchips CHP1 vorgesehen ist, ausgebildet; wobei außerdem ein Öffnungsabschnitt OP2 in dem Harz MR ausgebildet ist, das die Rückseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 abdeckt.In the structure of the first embodiment, the adhesive material ADH1 is applied so as to surround the diaphragm DF formed on the back surface of the semiconductor chip CHP1 to be e.g. B. to prevent the resin MR enters the interior of the membrane DF. As in 5 (b) and 5 (c) is illustrated, the opening portion OP1 is formed on the underside of the chip holder portion TAB1 under the diaphragm DF provided on the back surface of the semiconductor chip CHP1; wherein also an opening portion OP2 is formed in the resin MR covering the back side of the chip holding portion TAB1.

Folglich steht gemäß dem Strömungssensor FS1 der ersten Ausführungsform der Innenraum der Membran DF mit dem Außenraum des Strömungssensor FS1 durch den Öffnungsabschnitt OP1, der an der Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 ausgebildet ist, und den Öffnungsabschnitt OP2, der in dem Harz MR ausgebildet ist, in Verbindung. Im Ergebnis können der Druck des Innenraums der Membran DF und der Druck des Außenraums des Strömungssensor FS1 zueinander gleich gemacht werden; dementsprechend kann die Anwendung der Beanspruchung auf die Membran DF unterdrückt werden.Thus, according to the flow sensor FS1 of the first embodiment, the inside of the diaphragm DF communicates with the outside of the flow sensor FS1 through the opening portion OP1 formed on the bottom of the chip holder portion TAB1 and the opening portion OP2 formed in the resin MR , As a result, the pressure of the inner space of the diaphragm DF and the pressure of the outer space of the flow sensor FS1 can be made equal to each other; Accordingly, the application of the stress to the membrane DF can be suppressed.

Die Halterungsstruktur des Strömungssensor FS1 in der ersten Ausführungsform ist, wie oben beschrieben worden ist. In dem aktuellen Strömungssensor FS1 wird jedoch der Dämmstab DM, der den äußeren Rahmenkörper des Leitungsrahmens LF bildet, nach dem Versiegeln mit dem Harz MR entfernt. 6 ist ein Grundriss, der die Halterungsstruktur des Strömungssensors FS1 nach der Entfernung des Dämmstabs DM veranschaulicht. Wie in 6 veranschaulicht ist, wird erkannt, dass durch das Zerschneiden des Dämmstabs DM mehrere elektrische Signale von den mehreren Leitungen LD2 unabhängig extrahiert werden können.The support structure of the flow sensor FS1 in the first embodiment is as described above. In the current flow sensor FS1, however, the insulating rod DM constituting the outer frame body of the lead frame LF is removed after being sealed with the resin MR. 6 FIG. 10 is a plan view illustrating the support structure of the flow sensor FS1 after the removal of the insulation rod DM. FIG. As in 6 is illustrated, it is recognized that by cutting the Dämmstabs DM multiple electrical signals from the multiple lines LD2 can be extracted independently.

<Das Herstellungsverfahren für den Strömungssensor in der ersten Ausführungsform><The Production Method for the Flow Sensor in the First Embodiment>

Der Strömungssensor FS1 in der ersten Ausführungsform ist wie oben strukturiert, wobei ein Herstellungsverfahren für denselben unter Bezugnahme auf 7 bis 14 beschrieben wird. 7 bis 14 veranschaulichen den Herstellungsprozess in dem entlang der Linie A-A nach 5(a) genommenen Querschnitt.The flow sensor FS1 in the first embodiment is structured as above, and a manufacturing method thereof is described with reference to FIG 7 to 14 is described. 7 to 14 illustrate the manufacturing process in the along the line AA 5 (a) taken cross-section.

Zuerst wird, wie in 7 veranschaulicht ist, der Leitungsrahmen LF, der z. B. aus einem Kupfermaterial hergestellt ist, vorbereitet. Dieser Leitungsrahmen LF weist den Chiphalterungsabschnitt TAB1, den Chiphalterungsabschnitt TAB2, die Leitung LD1 und die Leitung LD2, die einteilig darin ausgebildet sind, auf, wobei der Öffnungsabschnitt OP1 an der Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 ausgebildet ist.First, as in 7 is illustrated, the lead frame LF, the z. B. made of a copper material is prepared. This lead frame LF has the chip holding portion TAB1, the chip holding portion TAB2, the lead LD1 and the lead LD2 integrally formed therein, and the opening portion OP1 is formed on the bottom of the chip holding portion TAB1.

Anschließend wird, wie in 8 veranschaulicht ist, der Halbleiterchip CHP1 an dem Chiphalterungsabschnitt TAB1 angebracht, während der Halbleiterchip CHP2 an dem Chiphalterungsabschnitt TAB2 angebracht wird. Spezifisch wird der Halbleiterchip CHP1 durch das Klebstoffmaterial ADH1 mit dem Chiphalterungsabschnitt TAB1, der in dem Leitungsrahmen LF ausgebildet ist, verbunden. Bei dieser Gelegenheit wird der Halbleiterchip CHP1 an dem Chiphalterungsabschnitt TAB1 angebracht, so dass die in dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildete Membran DF mit dem Öffnungsabschnitt OP1, der an der Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 ausgebildet ist, in Verbindung steht. Es wird angegeben, dass der Halbleiterchip CHP1 durch den allgemeinen Halbleiterherstellungsprozess mit der Strömungsdetektionseinheit FDU, (nicht veranschaulichten) Verdrahtungen und den Anschlussflächen PD1 versehen wird. Dann wird z. B. die Membran DF durch das anisotrope Ätzen auf der Rückseite des Halbleiterchips CHP1 in der Position gegenüber der Strömungsdetektionseinheit FDU, die auf der Vorderseite des Halbleiterchips CHP1 ausgebildet ist, gebildet. Außerdem wird der Halbleiterchip CHP2 mit dem Klebstoffmaterial ADH2 an dem Chiphalterungsabschnitt TAB2, der in dem Leitungsrahmen LF ausgebildet ist, angebracht. Dieser Halbleiterchip CHP2 wird durch den allgemeinen Halbleiterherstellungsprozess mit dem (nicht veranschaulichten) Halbleiterelement, wie z. B. dem MISFET, den (nicht veranschaulichten) Verdrahtungen, den Anschlussflächen PD2 und den Anschlussflächen PD3 versehen.Subsequently, as in 8th 1, the semiconductor chip CHP1 is attached to the chip holder portion TAB1 while the semiconductor chip CHP2 is attached to the chip holder portion TAB2. Specifically, the semiconductor chip CHP1 is bonded by the adhesive material ADH1 to the chip holder portion TAB1 formed in the lead frame LF. On this occasion, the semiconductor chip CHP1 is attached to the chip holder portion TAB1, so that the diaphragm DF formed in the semiconductor chip CHP1 communicates with the opening portion OP1 formed on the bottom of the chip holder portion TAB1. It is indicated that the semiconductor chip CHP1 is provided with the flow detection unit FDU, wirings (not shown), and pads PD1 through the general semiconductor manufacturing process. Then z. For example, the diaphragm DF is formed by the anisotropic etching on the back side of the semiconductor chip CHP1 in the position opposite to the flow detection unit FDU formed on the front side of the semiconductor chip CHP1. In addition, the semiconductor chip CHP2 with the adhesive material ADH2 is attached to the chip holder portion TAB2 formed in the lead frame LF. This semiconductor chip CHP2 is formed by the general semiconductor manufacturing process with the (not illustrated) semiconductor element, such as. B. the MISFET, the (not Wiring, the pads PD2 and the pads PD3 provided.

Als Nächstes werden, wie in 9 veranschaulicht ist, die Anschlussfläche PD1, die für den Halbleiterchip CHP1 vorgesehen ist, und die Leitung LD1, die in dem Leitungsrahmen LF ausgebildet ist, mit dem Draht W1 miteinander verbunden (Drahtbonden). Ähnlich werden die Anschlussfläche PD2, die für den Halbleiterchip CHP2 vorgesehen ist, und die Leitung LD1 mit dem Dreht W2 miteinander verbunden, während die Anschlussfläche PD3, die für den Halbleiterchip CHP2 vorgesehen ist, und die Leitung LD2 mit dem Draht W3 miteinander verbunden werden. Die Drähte W1 bis W3 sind z. B. aus einem Golddraht ausgebildet.Next, as in 9 1, the pad PD1 provided for the semiconductor chip CHP1 and the wire LD1 formed in the lead frame LF are connected to each other with the wire W1 (wire bonding). Similarly, the pad PD2 provided for the semiconductor chip CHP2 and the line LD1 are connected to the rotary W2, while the pad PD3 provided for the semiconductor chip CHP2 and the line LD2 are connected to the wire W3. The wires W1 to W3 are z. B. formed of a gold wire.

Danach wird, wie in 10 veranschaulicht ist, der Rahmenkörper FB an dem Halbleiterchip CHP1 angebracht. Spezifisch wird der Rahmenkörper FB so angebracht, dass die für den Halbleiterchip CHP1 vorgesehene Strömungsdetektionseinheit FDU in dem Öffnungsabschnitt OP (FB) enthalten ist, der im Inneren ausgebildet ist, und dass die mehreren Anschlussflächen PD1, die in dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildet sind, außerhalb des Rahmenkörpers FB angeordnet sind. Folglich kann der Rahmenkörper FB an dem Halbleiterchip CHP1 angebracht werden, während die Strömungsdetektionseinheit FDU und die mehreren Anschlussflächen PD1 freigelegt sind.After that, as in 10 is illustrated, the frame body FB attached to the semiconductor chip CHP1. Specifically, the frame body FB is mounted so that the flow detection unit FDU provided for the semiconductor chip CHP1 is included in the opening portion OP (FB) formed inside, and the plurality of pads PD1 formed in the semiconductor chip CHP1 are outside the opening Frame body FB are arranged. Consequently, the frame body FB can be attached to the semiconductor chip CHP1 while the flow detection unit FDU and the plural pads PD1 are exposed.

Weil der Rahmenkörper FB in der ersten Ausführungsform den Wandabschnitt WP aufweist, kann bei dieser Gelegenheit der Rahmenkörper FB an dem Halbleiterchip CHP1 angeordnet werden, während dieser Wandabschnitt WP in engen Kontakt mit einer Seitenfläche des Halbleiterchips CHP1 gebracht wird. Folglich kann die Positionierungsgenauigkeit des Rahmenkörpers FB, der an dem Halbleiterchip CHP1 angebracht wird, verbessert werden, wobei die Strömungsdetektionseinheit FDU aus dem Öffnungsabschnitt OP (FB), der in dem Rahmenkörper FB ausgebildet ist, sicher freigelegt werden kann. Außerdem kann der Kontakt zwischen dem Rahmenkörper FB und der Anschlussfläche PD1 verhindert werden.On this occasion, because the frame body FB has the wall portion WP in the first embodiment, the frame body FB can be disposed on the semiconductor chip CHP1 while this wall portion WP is brought into close contact with a side surface of the semiconductor chip CHP1. Consequently, the positioning accuracy of the frame body FB attached to the semiconductor chip CHP1 can be improved, and the flow detection unit FDU can be surely exposed from the opening portion OP (FB) formed in the frame body FB. In addition, the contact between the frame body FB and the pad PD1 can be prevented.

Hier können der Rahmenkörper FB und der Halbleiterchip CHP1 aneinander befestigt werden oder nicht. Der Rahmenkörper FB wird jedoch vom Standpunkt des Unterdrückens der Verschiebung des Rahmenkörpers FB, der an dem Halbleiterchip CHP1 angebracht ist, wünschenswerterweise an dem Halbleiterchip CHP1 befestigt.Here, the frame body FB and the semiconductor chip CHP1 may be attached to each other or not. However, the frame body FB is desirably attached to the semiconductor chip CHP1 from the standpoint of suppressing the displacement of the frame body FB attached to the semiconductor chip CHP1.

Danach werden, wie in 11 veranschaulicht ist, die Oberfläche des Halbleiterchips CHP1 in der Nähe der Anschlussflächen PD1, der Draht W1, die Leitung LD1, der Draht W2, die gesamte Hauptfläche des Halbleiterchips CHP2, der Draht W3 und ein Abschnitt der Leitung LD2 mit dem Harz MR versiegelt (Gießprozess). Spezifisch wird, wie in 11 veranschaulicht ist, der Leitungsrahmen LF, der den Halbleiterchip CHP1 mit dem daran angebrachten Rahmenkörper FB und den Halbleiterchip CHP2 aufweist, durch einen zweiten Raum zwischen der oberen Form UM und der unteren Form BM gehalten. Danach wird das Harz MR in diesen zweiten Raum gegossen, während Wärme darauf angewendet wird, so dass die Oberfläche des Halbleiterchips CHP1 in der Nähe der Anschlussflächen PD1, der Draht W1, die Leitung LD1, der Draht W2, die gesamte Hauptfläche des Halbleiterchips CHP2, der Draht W3 und ein Abschnitt der Leitung LD2 mit dem Harz MR versiegelt werden. Bei dieser Gelegenheit wird, wie in 11 veranschaulicht ist, der Innenraum der Membran DF von dem oben erwähnten zweiten Raum mit dem Klebstoffmaterial ADH1 getrennt; folglich kann der Eintritt des Harzes MR in den Innenraum der Membran DF verhindert werden, wenn der zweite Raum mit dem Harz MR gefüllt wird.After that, as in 11 1, the surface of the semiconductor chip CHP1 in the vicinity of the pads PD1, the wire W1, the lead LD1, the wire W2, the entire main surface of the semiconductor chip CHP2, the wire W3, and a portion of the lead LD2 are sealed with the resin MR (casting process ). Specifically, as in 11 1, the lead frame LF including the semiconductor chip CHP1 with the frame body FB and the semiconductor chip CHP2 attached thereto is held by a second space between the upper mold UM and the lower mold BM. Thereafter, the resin MR is poured into this second space while heat is applied thereto so that the surface of the semiconductor chip CHP1 near the pads PD1, the wire W1, the line LD1, the wire W2, the entire main surface of the semiconductor chip CHP2, the wire W3 and a portion of the line LD2 are sealed with the resin MR. On this occasion, as in 11 is illustrated, the interior of the membrane DF separated from the above-mentioned second space with the adhesive material ADH1; consequently, the entrance of the resin MR into the inner space of the membrane DF can be prevented when the second space is filled with the resin MR.

Außerdem wird in der ersten Ausführungsform der Halbleiterchip CHP1, der mit der Strömungsdetektionseinheit FDU versehen ist, durch den Rahmenkörper FB durch die Form befestigt; deshalb können ein Abschnitt des Halbleiterchips CHP1 und der Halbleiterchip CHP2 mit dem Harz MR versiegelt werden, während die Verschiebung des Halbleiterchips CHP1 unterdrückt wird. Dies bedeutet, dass ein Abschnitt des Halbleiterchips CHP1 und der gesamte Bereich des Halbleiterchips CHP2 mit dem Harz MR versiegelt werden können, während die Verschiebung jedes Strömungssensors FS1 bei dem Herstellungsverfahren für den Strömungssensor FS1 in der ersten Ausführungsform unterdrückt wird, und dass die Positionsvariation der Strömungsdetektionseinheit FDU, die in dem Halbleiterchip CHP1 enthalten ist, unterdrückt werden kann. Im Ergebnis können gemäß der ersten Ausführungsform die Positionen der Strömungsdetektionseinheiten FDU zum Detektieren der Gasströmung zwischen den Strömungssensoren ausgerichtet werden; wobei deshalb die beachtliche Wirkung erhalten werden kann, die die Variation der Leistung für das Detektieren der Gasströmung in jedem Strömungssensor unterdrücken kann.In addition, in the first embodiment, the semiconductor chip CHP1 provided with the flow detection unit FDU is fixed by the frame body FB through the mold; therefore, a portion of the semiconductor chip CHP1 and the semiconductor chip CHP2 can be sealed with the resin MR while suppressing the displacement of the semiconductor chip CHP1. That is, a portion of the semiconductor chip CHP1 and the entire area of the semiconductor chip CHP2 can be sealed with the resin MR while suppressing the displacement of each flow sensor FS1 in the manufacturing process for the flow sensor FS1 in the first embodiment, and the positional variation of the flow detection unit FDU contained in the semiconductor chip CHP1 can be suppressed. As a result, according to the first embodiment, the positions of the flow detection units FDU for detecting the gas flow between the flow sensors can be aligned; therefore, the remarkable effect that can suppress the variation of the power for detecting the gas flow in each flow sensor can be obtained.

Hier liegt die charakteristische Eigenschaft des Herstellungsverfahrens für den Strömungssensor FS1 in der ersten Ausführungsform darin, dass der Leitungsrahmen LF, der den daran angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, zwischen der unteren Form BM und der oberen Form UM gehalten wird, während die obere Form UM durch einen Film LAF eines elastischen Körpers gegen den Rahmenkörper FB gepresst wird, wobei der Rahmenkörper FB höher als die Strömungsdetektionseinheit FDU ist, die in dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildet ist.Here, the characteristic feature of the manufacturing method for the flow sensor FS1 in the first embodiment is that the lead frame LF having the semiconductor chip CHP1 attached thereto is held between the lower mold BM and the upper mold UM, while the upper mold UM is held by one Film LAF of an elastic body is pressed against the frame body FB, wherein the frame body FB is higher than the flow detection unit FDU, which is formed in the semiconductor chip CHP1.

Folglich kann gemäß der ersten Ausführungsform der Oberflächenbereich des Halbleiterchips CHP1, der z. B. durch einen Anschlussflächen-Bildungsbereich gekennzeichnet ist, versiegelt werden, während ein erster Raum SP1 (ein versiegelter Raum), der die Strömungsdetektionseinheit FDU, die in dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildet ist, und ihre Umgebung umgibt, sichergestellt ist. Mit anderen Worten, gemäß der ersten Ausführungsform kann der Oberflächenbereich des Halbleiterchips CHP1, der durch den Anschlussflächen-Bildungsbereich gekennzeichnet ist, versiegelt werden, während die Strömungsdetektionseinheit FDU, die in dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildet ist, und ihre Umgebung freigelegt sind. Consequently, according to the first embodiment, the surface area of the semiconductor chip CHP1, e.g. Is characterized by a pad formation area, while a first space SP1 (a sealed space) surrounding the flow detection unit FDU formed in the semiconductor chip CHP1 and its surroundings is ensured. In other words, according to the first embodiment, the surface area of the semiconductor chip CHP1, which is characterized by the land formation area, can be sealed while the flow detection unit FDU formed in the semiconductor chip CHP1 and its surroundings are exposed.

Folglich besteht die wesentliche Funktion des Rahmenkörpers FB darin, den ersten Raum SP1 (den versiegelten Raum), der die Strömungsdetektionseinheit FDU und ihre Umgebung umgibt, sicherzustellen, wenn die obere Form UM gegen den Rahmenkörper FB gepresst wird. Um diese wesentliche Funktion zu erreichen, wird die Höhe des Rahmenkörpers FB so festgelegt, dass sie im Fall des Anordnens des Rahmenkörpers FB an dem Halbleiterchip CHP1 größer als die der Strömungsdetektionseinheit FDU ist. Mit anderen Worten, die Struktur, bei der die Höhe des Rahmenkörpers FB so festgelegt ist, dass sie größer als die der Strömungsdetektionseinheit FDU ist, wird vom Standpunkt des Herstellungsverfahrens für den Zweck des Sicherstellens des ersten Raums SP1 (des versiegelten Raums), der die Strömungsdetektionseinheit FDU und ihre Umgebung umgibt, verwendet. Bei dieser Struktur kann der Oberflächenbereich des Halbleiterchips CHP1, der durch den Anschlussflächen-Bildungsbereich gekennzeichnet ist, versiegelt werden, während die Strömungsdetektionseinheit FDU und ihre Umgebung freigelegt sind. Es kann außerdem gesagt werden, dass in der ersten Ausführungsform durch das Bereitstellen des Rahmenkörpers FB, der höher als die Strömungsdetektionseinheit FDU ist, an dem Halbleiterchip CHP1 die Strömungsdetektionseinheit FDU, die aus dem Öffnungsabschnitt OP (FB) des Rahmenkörpers FB freigelegt ist, vor der Schließkraft der oberen Form UM geschützt werden kann.Consequently, the essential function of the frame body FB is to ensure the first space SP1 (the sealed space) surrounding the flow detection unit FDU and its surroundings when the upper mold UM is pressed against the frame body FB. In order to achieve this essential function, the height of the frame body FB is set to be larger than that of the flow detection unit FDU in the case of arranging the frame body FB on the semiconductor chip CHP1. In other words, the structure in which the height of the frame body FB is set to be larger than that of the flow detection unit FDU becomes, from the viewpoint of the manufacturing method, for the purpose of ensuring the first space SP1 (the sealed space) that the Flow detection unit FDU and its environment surrounds used. With this structure, the surface area of the semiconductor chip CHP1 characterized by the land formation area can be sealed while the flow detection unit FDU and its surroundings are exposed. It can also be said that in the first embodiment, by providing the frame body FB higher than the flow detection unit FDU on the semiconductor chip CHP1, the flow detection unit FDU exposed from the opening portion OP (FB) of the frame body FB is provided Closing force of the upper mold UM can be protected.

Andererseits kann die Struktur, bei der der Rahmenkörper FB höher als die Strömungsdetektionseinheit FDU ist, als die Struktur betrachtet werden, bei der vom Standpunkt der Struktur des Strömungssensors FS1 der Zusammenstoß der Komponente mit der Strömungsdetektionseinheit FDU während des Anbringens der Komponente verhindert werden kann. Folglich kann der Vorteil erhalten werden, dass die Beschädigung des Halbleiterchips CHP1, der die Strömungsdetektionseinheit FDU aufweist, verhindert werden kann. Mit anderen Worten, die Struktur, bei der der Rahmenkörper FB höher als die Strömungsdetektionseinheit FDU ist, kann als die Struktur betrachtet werden, bei der von den Standpunkten sowohl des Herstellungsverfahrens als auch der Struktur die beachtliche Wirkung erhalten werden kann.On the other hand, the structure in which the frame body FB is higher than the flow detection unit FDU can be regarded as the structure in which the collision of the component with the flow detection unit FDU during the mounting of the component can be prevented from the viewpoint of the structure of the flow sensor FS1. Consequently, the advantage can be obtained that the damage of the semiconductor chip CHP1 having the flow detection unit FDU can be prevented. In other words, the structure in which the frame body FB is higher than the flow detection unit FDU can be regarded as the structure in which the remarkable effect can be obtained from the viewpoints of both the manufacturing method and the structure.

Außerdem ist der Rahmenkörper FB in der ersten Ausführungsform aus dem Material strukturiert, dessen Härte kleiner als die des Halbleiterchips CHP1 ist, wobei diese Struktur es ermöglicht, dass der Rahmenkörper FB eine weitere Funktion aufweist. Im Folgenden wird die Beschreibung der weiteren Funktion des Rahmenkörpers FB gegeben.In addition, in the first embodiment, the frame body FB is structured of the material whose hardness is smaller than that of the semiconductor chip CHP1, which structure enables the frame body FB to have another function. The description of the further function of the frame body FB is given below.

Die charakteristische Eigenschaft des Herstellungsverfahrens für den Strömungssensor FS1 in der ersten Ausführungsform liegt darin, dass, wenn der Leitungsrahmen LF, der den daran angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, zwischen der oberen Form UM und der unteren Form BM gehalten wird, der Rahmenkörper FB und der Film LAF eines elastischen Körpers zwischen der oberen Form UM und dem Leitungsrahmen LF, der den angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, gehalten werden.The characteristic feature of the manufacturing method for the flow sensor FS1 in the first embodiment is that when the lead frame LF having the semiconductor chip CHP1 attached thereto is held between the upper mold UM and the lower mold BM, the frame body FB and the film LAF of an elastic body is held between the upper mold UM and the lead frame LF having the attached semiconductor chip CHP1.

Die Dicken der einzelnen Halbleiterchips CHP1 variieren z. B.; deshalb wird, falls die Dicke des Halbleiterchips CHP1 kleiner als die durchschnittliche Dicke ist, eine Lücke erzeugt, wenn der Leitungsrahmen LF, der den angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, zwischen der oberen Form UM und der unteren Form BM gehalten wird, wobei aus dieser Lücke das Harz MR zur Strömungsdetektionseinheit FDU ausläuft.The thicknesses of the individual semiconductor chips CHP1 vary z. B .; therefore, if the thickness of the semiconductor chip CHP1 is smaller than the average thickness, a gap is generated when the lead frame LF having the mounted semiconductor chip CHP1 is held between the upper mold UM and the lower mold BM, from this gap Resin MR to the flow detection unit FDU expires.

Falls andererseits die Dicke des Halbleiterchips CHP1 größer als die durchschnittliche Dicke ist, wird der Halbleiterchip CHP1, wenn der Leitungsrahmen LF, der den angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, zwischen der oberen Form UM und der unteren Form BM gehalten wird, einer größeren Kraft unterworfen, wobei in diesem Fall der Halbleiterchip CHP1 zerbrochen werden kann.On the other hand, if the thickness of the semiconductor chip CHP1 is larger than the average thickness, when the lead frame LF having the attached semiconductor chip CHP1 is held between the upper mold UM and the lower mold BM, the semiconductor chip CHP1 is subjected to a larger force In this case, the semiconductor chip CHP1 can be broken.

Im Hinblick darauf werden in der ersten Ausführungsform, um das Auslaufen des Harzes auf die Strömungsdetektionseinheit FDU oder den Bruch des Halbleiterchips CHP1, die durch die Variation der Dicke des Halbleiterchips CHP1 verursacht werden, zu verhindern, der Film LAF eines elastischen Körpers und der Rahmenkörper FB zwischen der oberen Form UM und dem Leitungsrahmen LF, der den angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, gehalten. Folglich wird, falls z. B. die Dicke des Halbleiterchips CHP1 kleiner als die durchschnittliche Dicke ist, eine Lücke erzeugt, wenn der Leitungsrahmen LF, der den angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, zwischen der oberen Form UM und der unteren Form BM gehalten wird; weil diese Lücke jedoch mit dem Film LAF eines elastischen Körpers gefüllt werden kann, kann das Auslaufen des Harzes auf den Halbleiterchip CHP1 verhindert werden.In view of this, in the first embodiment, in order to prevent the leakage of the resin to the flow detection unit FDU or the breakage of the semiconductor chip CHP1 caused by the variation of the thickness of the semiconductor chip CHP1, the elastic body film LAF and the frame body FB between the upper mold UM and the lead frame LF having the attached semiconductor chip CHP1 held. Consequently, if z. For example, when the thickness of the semiconductor chip CHP1 is smaller than the average thickness, a gap is generated when the lead frame LF having the mounted semiconductor chip CHP1 is held between the upper mold UM and the lower mold BM; because this gap can be filled with the film LAF of an elastic body, the leakage of the resin onto the semiconductor chip CHP1 can be prevented.

Falls andererseits die Dicke des Halbleiterchips CHP1 größer als die durchschnittliche Dicke ist, ändern sich, wenn der Leitungsrahmen LF, der den angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, zwischen der oberen Form UM und der unteren Form BM gehalten wird, die Größen des Films LAF eines elastischen Körpers und des Rahmenkörpers FB in der Dickenrichtung, so dass die Dicke des Halbleiterchips CHP1 absorbiert wird, weil der Film LAF eines elastischen Körpers und der Rahmenkörper FB weicher als der Halbleiterchip CHP1 sind. Folglich kann die Ausübung der zusätzlichen Kraft auf den Halbleiterchip CHP1 verhindert werden, selbst wenn die Dicke des Halbleiterchips CHP1 größer als die durchschnittliche Dicke ist, wobei im Ergebnis der Bruch des Halbleiterchips CHP1 verhindert werden kann.On the other hand, if the thickness of the semiconductor chip CHP1 is larger than the average thickness, if the lead frame LF having the attached semiconductor chip CHP1 is held between the upper mold UM and the lower mold BM, the sizes of the elastic body film LAF change and the frame body FB in the thickness direction, so that the thickness of the semiconductor chip CHP1 is absorbed because the elastic body film LAF and the frame body FB are softer than the semiconductor chip CHP1. Consequently, the application of the additional force to the semiconductor chip CHP1 can be prevented even if the thickness of the semiconductor chip CHP1 is larger than the average thickness, as a result of which the breakage of the semiconductor chip CHP1 can be prevented.

Mit anderen Worten, der Halbleiterchip CHP1 wird gemäß dem Herstellungsverfahren für den Strömungssensor in der ersten Ausführungsform durch die obere Form UM gepresst, wobei der Film LAF eines elastischen Körpers und der Rahmenkörper FB dazwischen angeordnet sind. Deshalb kann die Variation beim Anbringen der Komponenten, die durch die Variation der Dicke des Halbleiterchips CHP1, des Klebstoffmaterials ADH1 und des Leitungsrahmens LF verursacht wird, durch die Änderung der Dicke des Films LAF eines elastischen Körpers und des Rahmenkörpers FB absorbiert werden.In other words, according to the manufacturing method for the flow sensor in the first embodiment, the semiconductor chip CHP1 is pressed by the upper mold UM with the elastic body film LAF and the frame body FB interposed therebetween. Therefore, the variation in mounting of the components caused by the variation of the thickness of the semiconductor chip CHP1, the adhesive material ADH1 and the lead frame LF can be absorbed by the change in the thickness of the elastic body film LAF and the frame body FB.

Selbst wenn die Variation beim Anbringen der Komponenten in der Dickenrichtung (der Z-Richtung) so groß ist, dass die Variation beim Anbringen der Komponenten, die durch die Variation der Dicke des Halbleiterchips CHP1, des Klebstoffmaterials ADH1 und des Leitungsrahmens LF verursacht wird, nicht durch die Änderung der Dicke des Films LAF eines elastischen Körpers absorbiert werden kann, kann insbesondere in der ersten Ausführungsform die Schließkraft, die auf den Halbleiterchip CHP1 ausgeübt wird, durch die Deformation des Rahmenkörpers FB mit einem kleineren Elastizitätsmodul als dem des Halbleiterchips CHP1 in der Dickenrichtung (der Z-Richtung) verringert werden. Im Ergebnis kann gemäß der ersten Ausführungsform die Beschädigung, die durch den Bruch, das Abplatzen oder das Spalten des Halbleiterchips CHP1 gekennzeichnet ist, verhindert werden.Even if the variation in attaching the components in the thickness direction (the Z direction) is so large that the variation in mounting the components caused by the variation of the thickness of the semiconductor chip CHP1, the adhesive material ADH1 and the lead frame LF is not can be absorbed by the change in the thickness of the film LAF of an elastic body, particularly in the first embodiment, the closing force applied to the semiconductor chip CHP1 can be caused by the deformation of the frame body FB having a smaller elastic modulus than that of the semiconductor chip CHP1 in the thickness direction (the Z direction) are reduced. As a result, according to the first embodiment, the damage which is characterized by the breakage, the chipping or the splitting of the semiconductor chip CHP1 can be prevented.

Hier ist es wichtig, dass der Film LAF eines elastischen Körpers und der Rahmenkörper FB einen kleineren Elastizitätsmodul als der Halbleiterchip CHP1 aufweisen, damit der Film LAF eines elastischen Körpers und der Rahmenkörper FB die Variation beim Anbringen der Komponenten absorbieren. Selbst beim Auftreten der Variation beim Anbringen der Komponenten kann dies die Schließkraft, die von der oberen Form UM auf den Halbleiterchip CHP1 ausgeübt wird, durch die Änderung der Dicke des Films LAF eines elastischen Körpers und die Deformation des Rahmenkörpers FB effektiv verringern. Mit anderen Worten, in der ersten Ausführungsform werden der Film LAF eines elastischen Körpers und der Rahmenkörper FB frei kombiniert, solange wie der Film LAF eines elastischen Körpers und der Rahmenkörper FB einen kleineren Elastizitätsmodul als der Halbleiterchip CHP1 aufweisen. Der Elastizitätsmodul des Rahmenkörpers FB kann z. B. entweder größer oder kleiner als der des Films LAF eines elastischen Körpers sein oder kann zu diesem gleich sein. Es wird angegeben, dass der Film LAF eines elastischen Körpers aus einem Polymermaterial, wie z. B. Teflon (eingetragenes Warenzeichen), oder einem Fluorharz ausgebildet sein kann.Here, it is important that the film LAF of an elastic body and the frame body FB have a smaller elastic modulus than the semiconductor chip CHP1, so that the elastic body film LAF and the frame body FB absorb the variation in mounting the components. Even when the variation occurs in attaching the components, this can effectively reduce the closing force exerted by the upper mold UM on the semiconductor chip CHP1 by changing the thickness of the film LAF of an elastic body and the deformation of the frame body FB. In other words, in the first embodiment, the elastic body film LAF and the frame body FB are freely combined as long as the elastic body film LAF and the frame body FB have a smaller elastic modulus than the semiconductor chip CHP1. The modulus of elasticity of the frame body FB can z. B. be either greater or less than that of the film LAF of an elastic body or may be equal to this. It is stated that the film LAF of an elastic body made of a polymer material, such. As Teflon (registered trademark), or a fluororesin may be formed.

Die weitere Funktion des Rahmenkörpers FB in der ersten Ausführungsform ist die Funktion des Unterdrückens der Zunahme der Schließkraft von der oberen Form UM auf den Halbleiterchip CHP1, die durch die Variation beim Anbringen der Komponenten verursacht wird. Um diese Funktion zu erreichen, wird in der ersten Ausführungsform der Elastizitätsmodul des Rahmenkörpers FB so festgelegt, dass er kleiner als der des Halbleiterchips CHP1 ist. Folglich kann die auf den Halbleiterchip CHP1 ausgeübte Schließkraft durch die Deformation des Rahmenkörpers FB, dessen Elastizitätsmodul kleiner als der des Halbleiterchips CHP1 ist, in der Dickenrichtung (der Z-Richtung) verringert werden, selbst wenn es eine Variation beim Anbringen der Komponenten gibt. Im Ergebnis kann in der ersten Ausführungsform die Beschädigung, die durch den Bruch, das Abplatzen oder das Spalten des Halbleiterchips CHP1 gekennzeichnet ist, verhindert werden.The other function of the frame body FB in the first embodiment is the function of suppressing the increase in the closing force of the upper mold UM on the semiconductor chip CHP1 caused by the variation in attachment of the components. In order to achieve this function, in the first embodiment, the elastic modulus of the frame body FB is set to be smaller than that of the semiconductor chip CHP1. Consequently, the clamping force applied to the semiconductor chip CHP1 can be reduced in the thickness direction (the Z direction) by the deformation of the frame body FB whose Young's modulus is smaller than that of the semiconductor chip CHP1, even if there is a variation in mounting the components. As a result, in the first embodiment, the damage characterized by the breakage, the chipping or the splitting of the semiconductor chip CHP1 can be prevented.

Anschließend wird eine weitere charakteristische Eigenschaft der ersten Ausführungsform beschrieben. Wie in 11 veranschaulicht ist, strömt in der ersten Ausführungsform das Harz MR außerdem zur Rückseite des Leitungsrahmens LF. Dies führt zu dem Risiko der Strömung des Harzes MR von dem Öffnungsabschnitt OP1, der an der Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 vorgesehen ist, in den Innenraum der Membran DF.Next, another characteristic of the first embodiment will be described. As in 11 is illustrated, in the first embodiment, the resin MR also flows to the back of the lead frame LF. This leads to the risk of the flow of the resin MR from the opening portion OP1 provided at the bottom of the chip holder portion TAB1 into the interior of the diaphragm DF.

In Anbetracht dessen wird in der ersten Ausführungsform die Form der unteren Form BM, die den Leitungsrahmen LF hält, entwickelt. Spezifisch ist, wie in 11 veranschaulicht ist, ein Einsetzstück IP1 mit einer vorstehenden Form für die untere Form BM vorgesehen, wobei, wenn zwischen der oberen Form UM und der unteren Form BM der Leitungsrahmen LF angeordnet ist, das Einsetzstück IP1 mit der vorstehenden Form, das für die untere Form BM vorgesehen ist, in den Öffnungsabschnitt OP1 eingesetzt wird, der an der Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 ausgebildet ist. Weil das Einsetzstück IP1 in den Öffnungsabschnitt OP1 ohne irgendeine Lücke dazwischen eingesetzt ist, kann folglich der Eintritt des Harzes MR von dem Öffnungsabschnitt OP1 in den Innenraum der Membran DF verhindert werden. Mit anderen Worten, in der ersten Ausführungsform ist das Einsetzstück IP1 mit der vorstehenden Form für die untere Form BM vorgesehen, wobei, wenn das Versiegeln mit dem Harz ausgeführt wird, dieses Einsetzstück IP1 in den Öffnungsabschnitt OP1 eingesetzt ist, der an der Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 vorgesehen ist.In view of this, in the first embodiment, the shape of the lower mold BM holding the lead frame LF is developed. Specifically, as in 11 is illustrated, an insertion piece IP1 provided with a protruding mold for the lower mold BM, wherein, when between the upper mold UM and the lower mold BM of the lead frame LF is arranged, the insert piece IP1 with the protruding shape, which for the lower mold BM is provided in the opening portion OP1, which is formed on the underside of the chip holder portion TAB1. Because that Insertion piece IP1 is inserted into the opening portion OP1 without any gap therebetween, therefore, the entrance of the resin MR from the opening portion OP1 into the internal space of the membrane DF can be prevented. In other words, in the first embodiment, the inserting piece IP1 having the protruding shape for the lower mold BM is provided, and when the resin sealing is carried out, this inserting piece IP1 is inserted into the opening portion OP1 provided on the underside of the chip holding portion TAB1 is provided.

Außerdem wird in der ersten Ausführungsform die Form des Einsetzstücks IP1 entwickelt. Spezifisch enthält das Einsetzstück IP1 einen Einsetzabschnitt, der in den Öffnungsabschnitt OP1 eingesetzt wird, und einen Fußabschnitt, der diesen Einsetzabschnitt stützt. Der Fußabschnitt weist einen größeren Querschnitt als der Einsetzabschnitt auf. Folglich ist zwischen dem Einsetzabschnitt und dem Fußabschnitt dieses Einsetzstücks IP1 ein Stufenabschnitt ausgebildet, wobei dieser Stufenabschnitt in engen Kontakt mit der Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 gebracht wird.In addition, in the first embodiment, the shape of the insertion piece IP1 is developed. Specifically, the insertion piece IP1 includes an insertion portion inserted into the opening portion OP1 and a leg portion supporting this insertion portion. The foot portion has a larger cross section than the insertion portion. Consequently, a step portion is formed between the insertion portion and the root portion of this insertion piece IP1, and this step portion is brought into close contact with the underside of the chip holding portion TAB1.

Durch das Strukturieren des Einsetzstücks IP1 wie oben können die Wirkungen wie im Folgenden erhalten werden. Wenn z. B. die Form des Einsetzstücks IP1 nur durch den oben erwähnten Einsetzabschnitt ausgebildet ist, weist der Einsetzabschnitt des Einsetzstücks IP1 einen etwas kleineren Durchmesser als der Öffnungsabschnitt OP1 auf, um es zu ermöglichen, dass der Einsetzabschnitt in den Öffnungsabschnitt OP1 eingesetzt wird. Folglich ist in dem Fall, in dem das Einsetzstück IP1 nur durch den Einsetzabschnitt ausgebildet ist, eine kleine Lücke zwischen dem eingesetzten Einsetzabschnitt und dem Öffnungsabschnitt OP1 vorhanden, nachdem der Einsetzabschnitt des Einsetzstücks IP1 in den Öffnungsabschnitt OP1 eingesetzt worden ist. In diesem Fall kann das Harz MR durch diese Lücke in den Innenraum der Membran DF eintreten.By structuring the insertion piece IP1 as above, the effects can be obtained as follows. If z. For example, when the shape of the insertion piece IP1 is formed only by the above-mentioned fitting portion, the insertion portion of the insertion piece IP1 has a slightly smaller diameter than the opening portion OP1 to allow the fitting portion to be inserted into the opening portion OP1. Thus, in the case where the insertion piece IP1 is formed only by the insertion portion, a small gap exists between the inserted insertion portion and the opening portion OP1 after the insertion portion of the insertion piece IP1 has been inserted into the opening portion OP1. In this case, the resin MR can enter through this gap in the interior of the membrane DF.

In Anbetracht dessen besitzt in der ersten Ausführungsform das Einsetzstück IP1 eine Struktur, bei der der Einsetzabschnitt an dem Fußabschnitt mit einem größeren Querschnitt als der Einsetzabschnitt ausgebildet ist. In diesem Fall wird, wie in 11 veranschaulicht ist, zum gleichen Zeitpunkt wie das Einsetzen des Einsetzabschnitts des Einsetzstücks IP1 in das Innere des Öffnungsabschnitts OP1 der Fußabschnitt des Einsetzstücks IP1 dicht an der Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 befestigt. Im Ergebnis kann der Eintritt des Harzes MR in den Öffnungsabschnitt OP1 verhindert werden, weil der Fußabschnitt fest gegen die Rückseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 gepresst wird, selbst wenn zwischen dem Öffnungsabschnitt OP1 und dem Einsetzabschnitt des Einsetzstücks IP1 eine kleine Lücke erzeugt wird. Mit anderen Worten, weil in der ersten Ausführungsform das Einsetzstück IP1 die Struktur aufweist, bei der der Einsetzabschnitt an dem Fußabschnitt mit einem größeren Querschnitt als der des Einsetzabschnitts ausgebildet ist, kann der Eintritt des Harzes MR in den Innenraum der Membran DF durch den Öffnungsabschnitt OP1 durch die Kombination der folgenden Punkte effektiv verhindert werden: das Harz MR erreicht aufgrund des Fußabschnitts den Öffnungsabschnitt OP1 nicht; und der zwischen dem Fußabschnitt und dem Einsetzabschnitt ausgebildete Stufenabschnitt wird gegen den Chiphalterungsabschnitt TAB1 gepresst.In view of this, in the first embodiment, the insertion piece IP1 has a structure in which the fitting portion is formed on the root portion having a larger cross section than the fitting portion. In this case, as in 11 9, at the same time as the insertion of the insertion portion of the insertion piece IP1 into the inside of the opening portion OP1, the root portion of the insertion piece IP1 is fastened close to the bottom of the chip holding portion TAB1. As a result, the entrance of the resin MR into the opening portion OP1 can be prevented because the foot portion is firmly pressed against the back surface of the chip holder portion TAB1 even if a small gap is created between the opening portion OP1 and the insertion portion of the insert piece IP1. In other words, since, in the first embodiment, the insertion piece IP1 has the structure in which the fitting portion is formed on the root portion having a larger cross section than that of the fitting portion, the entrance of the resin MR into the internal space of the membrane DF can be through the opening portion OP1 effectively prevented by the combination of the following points: the resin MR does not reach the opening portion OP1 due to the foot portion; and the step portion formed between the leg portion and the insertion portion is pressed against the chip holding portion TAB1.

Wie somit beschrieben worden ist, wird in der ersten Ausführungsform der Leitungsrahmen LF, an dem der Halbleiterchip CHP1 mit dem angebrachten Rahmenkörper FB und der Halbleiterchip CHP2 angebracht sind, durch den zweiten Raum zwischen der oberen Form UM und der unteren Form BM gehalten. Danach wird das Harz MR in diesem zweiten Raum gegossen, während Wärme darauf angewendet wird, so dass die Oberfläche des Halbleiterchips CHP1 in der Nähe der Anschlussflächen PD1, der Draht W1, die Leitung LD1, der Draht W2, die gesamte Hauptfläche des Halbleiterchips CHP2, der Draht W3 und ein Abschnitt der Leitung LD2 mit dem Harz MR versiegelt werden.As thus described, in the first embodiment, the lead frame LF to which the semiconductor chip CHP1 with the attached frame body FB and the semiconductor chip CHP2 are attached is held by the second space between the upper mold UM and the lower mold BM. Thereafter, the resin MR is poured in this second space while heat is applied thereto so that the surface of the semiconductor chip CHP1 near the pads PD1, the wire W1, the line LD1, the wire W2, the entire main surface of the semiconductor chip CHP2, the wire W3 and a portion of the line LD2 are sealed with the resin MR.

Danach wird, wie in 12 veranschaulicht ist, nachdem das Harz MR ausgehärtet ist, der Leitungsrahmen LF, der den angebrachten Halbleiterchip CHP1 und den angebrachten Halbleiterchip CHP2 aufweist, von der oberen Form UM und der unteren Form BM entfernt. Folglich kann der Strömungssensor FS1 gemäß der ersten Ausführungsform hergestellt werden.After that, as in 12 3, after the resin MR is cured, the lead frame LF having the attached semiconductor chip CHP1 and the attached semiconductor chip CHP2 is removed from the upper mold UM and the lower mold BM. Consequently, the flow sensor FS1 according to the first embodiment can be manufactured.

Es wird angegeben, dass, weil der Harzversiegelungsprozess (der Gießprozess) in der ersten Ausführungsform die obere Form UM und die untere Form BM verwendet, die eine Temperatur so hoch wie 80°C oder mehr aufweisen, die Wärme in einem kurzen Zeitraum von der erwärmten oberen Form UM und der erwärmten unteren Form BM zu dem in den zweiten Raum gespritzten Harz MR geleitet wird. Im Ergebnis kann das Herstellungsverfahren für den Strömungssensor FS1 in der ersten Ausführungsform den Zeitraum zum Erwärmen und zum Aushärten des Harzes MR verkürzen.It is stated that because the resin sealing process (the casting process) in the first embodiment uses the upper mold UM and the lower mold BM having a temperature as high as 80 ° C or more, the heat is heated from the heated one in a short time upper mold UM and the heated lower mold BM is led to the resin MR injected into the second space. As a result, the manufacturing method for the flow sensor FS1 in the first embodiment can shorten the period for heating and curing the resin MR.

Wie in dem Abschnitt des technischen Problems beschrieben worden ist, wird in dem Fall, in dem nur das Befestigen des Golddrahtes (des Drahtes) durch das Vergießharz ausgeführt wird, die Förderung des Aushärtens des Vergießharzes durch Erwärmen nicht ausgeführt; wobei deshalb ein langer Zeitraum erforderlich ist, bis das Vergießharz ausgehärtet ist, und der Durchsatz in dem Herstellungsprozess für den Strömungssensor gering ist.As has been described in the section of the technical problem, in the case where only the fixing of the gold wire (the wire) is performed by the potting resin, the promotion of the potting resin by heating is not carried out; therefore, a long time is required until the potting resin is cured, and the flow rate in the manufacturing process for the flow sensor is small.

Im Gegensatz dazu wird die Wärmeleitung von der erwärmten oberen Form UM und der erwärmten unteren Form BM zu dem Harz MR in einem kurzen Zeitraum möglich, was den Zeitraum des Erwärmens und des Aushärtens des Harzes MR verringern kann, weil die erwärmte obere Form UM und die erwärmte untere Form BM in dem Harzversiegelungsprozess in der ersten Ausführungsform verwendet werden, wie oben erwähnt worden ist. Im Ergebnis kann gemäß der ersten Ausführungsform der Durchsatz in dem Herstellungsprozess für den Strömungssensor FS1 verbessert werden. In contrast, the heat conduction from the heated upper mold UM and the heated lower mold BM to the resin MR becomes possible in a short period of time, which can reduce the time of heating and curing of the resin MR, because the heated upper mold UM and the heated lower mold BM can be used in the resin sealing process in the first embodiment, as mentioned above. As a result, according to the first embodiment, the throughput in the manufacturing process for the flow sensor FS1 can be improved.

Die erste Ausführungsform hat das Beispiel beschrieben, bei dem, wenn der Leitungsrahmen LF, der den angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, zwischen der oberen Form UM und der unteren Form BM gehalten wird, der Rahmenkörper FB und der Film LAF eines elastischen Körpers zwischen dem Leitungsrahmen LF, der den angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, und der oberen Form UM gehalten werden, wie in 11 veranschaulicht ist. Die technische Idee in der ersten Ausführungsform ist jedoch nicht darauf eingeschränkt, wobei z. B. nur der Rahmenkörper FB ohne die Verwendung des Films LAF eines elastischen Körpers gehalten werden kann und die obere Form UM gegen den Leitungsrahmen LF, der den angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, gepresst werden kann, wie in 13 veranschaulicht ist.The first embodiment has described the example in which, when the lead frame LF having the attached semiconductor chip CHP1 is held between the upper mold UM and the lower mold BM, the frame body FB and the elastic body film LAF are interposed between the lead frame LF having the attached semiconductor chip CHP1 and the upper mold UM are held as in 11 is illustrated. However, the technical idea in the first embodiment is not limited thereto, wherein z. For example, only the frame body FB can be held without using the film LAF of an elastic body, and the upper mold UM can be pressed against the lead frame LF having the attached semiconductor chip CHP1, as in FIG 13 is illustrated.

Selbst in diesem Fall kann die auf den Halbleiterchip CHP1 ausgeübte Schließkraft durch die Deformation des Rahmenkörpers FB mit einem kleineren Elastizitätsmodul als der des Halbleiterchips CHP1 in der Dickenrichtung (der Z-Richtung) in der Struktur, bei der der Elastizitätsmodul des Rahmenkörpers FB kleiner als der des Halbleiterchips CHP1 ist, verringert werden, wenn es die Variation beim Anbringen der Komponente gibt. Im Ergebnis kann gemäß der ersten Ausführungsform die Beschädigung, die durch den Bruch, das Abplatzen oder das Spalten des Halbleiterchips CHP1 gekennzeichnet ist, verhindert werden.Even in this case, the clamping force applied to the semiconductor chip CHP1 can be smaller than the deformation force of the frame body FB having a smaller elastic modulus than that of the semiconductor chip CHP1 in the thickness direction (the Z direction) in the structure in which the elastic modulus of the frame body FB is smaller than that of the semiconductor chip CHP1 is decreased when there is variation in mounting the component. As a result, according to the first embodiment, the damage which is characterized by the breakage, the chipping or the splitting of the semiconductor chip CHP1 can be prevented.

<Die Nutzbarkeit des Rahmenkörpers><The usability of the frame body>

Als Nächstes wird eine ausführliche Beschreibung der Nutzbarkeit des Rahmenkörpers FB gegeben, der in dem Strömungssensor FS1 in der ersten Ausführungsform verwendet wird.

  • (1) 14 ist eine graphische Darstellung, die ein Beispiel der in Beziehung stehenden Technik zum Versiegeln mit dem Harz ohne die Verwendung des Rahmenkörpers FB veranschaulicht. Wie in 14 veranschaulicht ist, ist der Versiegelungsabschnitt SL, der eine vorstehende Form aufweist, für die obere Form UM vorgesehen, weil die Strömungsdetektionseinheit FDU in der in Beziehung stehenden Technik nicht mit dem Harz versiegelt wird. Das Umgeben der Strömungsdetektionseinheit FDU mit diesem Versiegelungsabschnitt SL kann den ersten Raum SP1 (den versiegelten Raum) um die Strömungsdetektionseinheit FDU bilden. Mit anderen Worten, das Umgeben der Strömungsdetektionseinheit FDU mit dem Versiegelungsabschnitt SL, der für die obere Form UM vorgesehen ist, eliminiert die Notwendigkeit des Versiegelns der Strömungsdetektionseinheit FDU mit dem Harz.
Next, a detailed description will be given of the usability of the frame body FB used in the flow sensor FS1 in the first embodiment.
  • (1) 14 Fig. 12 is a graph illustrating an example of the related technique for sealing with the resin without the use of the frame body FB. As in 14 is illustrated, the sealing portion SL having a protruding shape is provided for the upper mold UM because the flow detecting unit FDU is not sealed with the resin in the related art. Surrounding the flow detection unit FDU with this sealing portion SL may form the first space SP1 (the sealed space) around the flow detection unit FDU. In other words, surrounding the flow detecting unit FDU with the sealing portion SL provided for the upper mold UM eliminates the necessity of sealing the flow detecting unit FDU with the resin.

In der in Beziehung stehenden Technik, die wie oben strukturiert ist, ist es notwendig, eine Entwicklung zu machen, dass die obere Form UM mit den Versiegelungsabschnitt SL versehen ist, der die vorstehende Form aufweist. Mit anderen Worten, es ist notwendig, die spezielle obere Form UM vorzubereiten, die speziell für die Herstellung des Strömungssensors konstruiert ist, um den Strömungssensor mit der freigelegten Strömungsdetektionseinheit FDU herzustellen. Dies erfordert die spezielle obere Form UM, die den Versiegelungsabschnitt SL aufweist.In the related art structured as above, it is necessary to make a development that the upper mold UM is provided with the seal portion SL having the above shape. In other words, it is necessary to prepare the special upper mold UM specifically designed for the manufacture of the flow sensor to produce the flow sensor with the flow detection unit FDU exposed. This requires the special upper mold UM having the sealing portion SL.

Im Gegensatz dazu ist in der ersten Ausführungsform der Rahmenkörper FB an dem Halbleiterchip CHP1 angeordnet, wobei die obere Form UM in engen Kontakt mit diesem Rahmenkörper FB gepresst wird, wie in 13 veranschaulicht ist. Bei dieser Gelegenheit ist in der ersten Ausführungsform, wenn der Rahmenkörper FB an dem Halbleiterchip CHP1 angeordnet ist, die Höhe des Rahmenkörpers größer als die der Strömungsdetektionseinheit FDU. Mit anderen Worten, durch das Festlegen der Höhe des Rahmenkörpers FB, damit sie größer als die der Strömungsdetektionseinheit FDU ist, wird der erste Raum SP1 (der versiegelte Raum), der die Strömungsdetektionseinheit FDU und ihre Umgebung umgibt, notwendigerweise sichergestellt. Deshalb kann gemäß der ersten Ausführungsform der Oberflächenbereich des Halbleiterchips CHP1, der durch den Anschlussflächen-Bildungsbereich gekennzeichnet ist, versiegelt werden, während die Strömungsdetektionseinheit FDU und ihr Umgebungsbereich freigelegt sind.In contrast, in the first embodiment, the frame body FB is disposed on the semiconductor chip CHP1, and the upper mold UM is pressed into close contact with this frame body FB, as in FIG 13 is illustrated. On this occasion, in the first embodiment, when the frame body FB is disposed on the semiconductor chip CHP1, the height of the frame body is larger than that of the flow detection unit FDU. In other words, by setting the height of the frame body FB to be larger than that of the flow detection unit FDU, the first space becomes SP1 (the sealed space) surrounding the flow detection unit FDU and its surroundings is necessarily ensured. Therefore, according to the first embodiment, the surface area of the semiconductor chip CHP1, which is characterized by the land formation area, can be sealed while the flow detection unit FDU and its surrounding area are exposed.

Mit anderen Worten, in der ersten Ausführungsform ist der Rahmenkörper FB an dem Halbleiterchip CHP1 so angeordnet, dass die Strömungsdetektionseinheit FDU in dem Öffnungsabschnitt OP (FB) enthalten ist, der für den Rahmenkörper FB vorgesehen ist, und dass die Höhe des Rahmenkörpers FB so festgelegt ist, dass sie größer als die der Strömungsdetektionseinheit FDU ist. Im Ergebnis kann der erste Raum SP1 (der versiegelte Raum), der die Strömungsdetektionseinheit FDU umgibt, selbst in dem Zustand, dass die Oberfläche der oberen Form UM in dem Hohlraum flach ist, notwendigerweise sichergestellt werden. Mit anderen Worten, gemäß der ersten Ausführungsform kann z. B. der erste Raum SP1 (der versiegelte Raum), der die Strömungsdetektionseinheit FDU umgibt, sichergestellt werden, ohne eine spezielle Entwicklung zu machen, dass die obere Form UM mit dem Versiegelungsabschnitt SL versehen ist, was in der in Beziehung stehenden Technik offenbart ist.In other words, in the first embodiment, the frame body FB is disposed on the semiconductor chip CHP1 so that the flow detection unit FDU is included in the opening portion OP (FB) provided for the frame body FB and the height of the frame body FB is set is that it is larger than that of the flow detection unit FDU. As a result, the first space SP1 (the sealed space) that surrounds the flow detection unit FDU can be necessarily secured even in the state that the surface of the upper mold UM is shallow in the cavity. In other words, according to the first embodiment, for. For example, the first space SP1 (the sealed space) surrounding the flow detection unit FDU can be secured without making a special development that the upper mold UM is provided with the sealing portion SL, which is disclosed in the related art.

Dies bedeutet, dass die obere Form UM mit der speziellen Struktur nicht erforderlich ist und die allgemeine obere Form UM (ein handelsübliches Produkt) zum Versiegeln des gesamten Hohlraums mit dem Harz verwendet werden kann und dass der Strömungssensor FS1 mit der freigelegten Strömungsdetektionseinheit FDU unter Verwendung der allgemeinen oberen Form UM wie das handelsübliche Produkt hergestellt werden kann. Deshalb ist es gemäß der ersten Ausführungsform überflüssig, die für den Strömungssensor dedizierte obere Form UM mit der speziellen Entwicklung in der ersten Ausführungsform vorzubereiten, wobei der Strömungssensor mit der freigelegten Strömungsdetektionseinheit FDU unter Verwendung der oberen Form UM mit der vielseitigen Struktur, die im Allgemeinen verwendet wird, hergestellt werden kann.

  • (2) Als Nächstes befindet sich in der in Beziehung stehenden Technik, die in 14 veranschaulicht ist, der für die obere Form UM vorgesehene Versiegelungsabschnitt SL mit dem Halbleiterchip CHP1 in direkten Kontakt. Deshalb wird die Schließkraft von dem Versiegelungsabschnitt SL, der für die obere Form UM vorgesehen ist, zu dem Halbleiterchip CHP1 übertragen.
This means that the upper mold UM having the specific structure is not required and the general upper mold UM (a commercial product) can be used for sealing the entire cavity with the resin and that the flow sensor FS1 with the flow detection unit FDU exposed using the general top shape UM how the commercial product can be made. Therefore, according to the first embodiment, it is unnecessary to prepare the flow sensor dedicated upper mold UM with the specific development in the first embodiment, the flow sensor having the flow detection unit FDU exposed using the upper mold UM having the versatile structure which generally employs is, can be produced.
  • (2) Next, in the related art, which is incorporated in 14 13, the seal portion SL provided for the upper mold UM is in direct contact with the semiconductor chip CHP1. Therefore, the closing force from the sealing portion SL provided for the upper mold UM is transmitted to the semiconductor chip CHP1.

Hier gibt es z. B. die Variation der Dicke zwischen den Halbleiterchips CHP1; deshalb wird, falls die Dicke des Halbleiterchips CHP1 größer als die durchschnittliche Dicke ist, die von dem Versiegelungsabschnitt SL auf den Halbleiterchip CHP1 ausgeübte Schließkraft vergrößert, wenn der Leitungsrahmen LF, der den angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, zwischen der oberen Form UM und der unteren Form BM gehalten wird, wobei in diesem Fall der Halbleiterchip CHP1 zerbrochen werden kann.There are z. B. the variation of the thickness between the semiconductor chips CHP1; therefore, if the thickness of the semiconductor chip CHP1 is larger than the average thickness, the closing force exerted on the semiconductor chip CHP1 by the sealing portion SL is increased when the lead frame LF having the attached semiconductor chip CHP1 is between the upper mold UM and the lower mold BM, in which case the semiconductor chip CHP1 can be broken.

Im Gegensatz dazu wird in der ersten Ausführungsform die obere Form UM nicht direkt gegen den Halbleiterchip CHP1 gepresst, sondern ist der Rahmenkörper FB zwischen der oberen Form UM und dem Halbleiterchip CHP1 angeordnet. In der ersten Ausführungsform ist der Elastizitätsmodul des Rahmenkörpers FB kleiner als der des Halbleiterchips CHP1. Weil der Rahmenkörper FB weicher als der Halbleiterchip CHP1 ist, ändert sich deshalb die Größe des Rahmenkörpers FB in der Dickenrichtung, um die Variation der Dicke des Halbleiterchips CHP1 zu absorbieren, wenn die obere Form UM gegen den Rahmenkörper FB gepresst wird. Selbst wenn die Dicke des Halbleiterchips CHP1 größer als die durchschnittliche Dicke ist, kann deshalb die mehr als notwendige Ausübung der Schließkraft auf den Halbleiterchip CHP1 verhindert werden. Im Ergebnis kann in der ersten Ausführungsform der Bruch des Halbleiterchips CHP1 verhindert werden.

  • (3) Außerdem ist in der in 14 veranschaulichten in Beziehung stehenden Technik die Kontaktfläche zwischen dem Halbleiterchip CHP1 und dem für die obere Form UM vorgesehenen Versiegelungsabschnitt SL klein. Deshalb konzentriert sich die von der oberen Form UM ausgeübte Schließkraft auf den Kontaktbereich zwischen dem Versiegelungsabschnitt SL und dem Halbleiterchip CHP1. Im Ergebnis nimmt der auf den Kontaktabschnitt zwischen dem Versiegelungsabschnitt SL und dem Halbleiterchip CHP1 ausgeübte Druck zu, um zu bewirken, dass der Halbleiterchip CHP1 leicht zerbrochen wird. Insbesondere ist in der in 14 veranschaulichten in Beziehung stehenden Technik der Kontaktbereich zwischen dem Versiegelungsabschnitt SL und dem Halbleiterchip CHP1 in dem sich mit der Membran DF überlappenden Bereich auf eine planare Weise ausgebildet. Dies bedeutet, dass der Kontaktbereich zwischen dem Versiegelungsabschnitt SL und dem Halbleiterchip CHP1 in dem Bereich vorhanden ist, wo die Dicke des Halbleiterchips CHP1 klein ist. Dieser Bereich, in dem die Dicke des Halbleiterchips CHP1 klein ist, wird leicht zerbrochen; deshalb wird in der in 14 veranschaulichten in Beziehung stehenden Technik der Halbleiterchip CHP1 infolge der Druckkonzentration aufgrund der kleinen Kontaktfläche zwischen dem Versiegelungsabschnitt SL und dem Halbleiterchip CHP1 und der Anordnung des Kontaktbereichs, der sich im Grundriss mit dem Bereich überlappt, in dem die Dicke des Halbleiterchips CHP1 klein ist, leicht zerbrochen.
In contrast, in the first embodiment, the upper mold UM is not pressed directly against the semiconductor chip CHP1, but the frame body FB is disposed between the upper mold UM and the semiconductor chip CHP1. In the first embodiment, the elastic modulus of the frame body FB is smaller than that of the semiconductor chip CHP1. Therefore, because the frame body FB is softer than the semiconductor chip CHP1, the size of the frame body FB changes in the thickness direction to absorb the variation of the thickness of the semiconductor chip CHP1 when the upper mold UM is pressed against the frame body FB. Even if the thickness of the semiconductor chip CHP1 is larger than the average thickness, therefore, the more than necessary application of the closing force to the semiconductor chip CHP1 can be prevented. As a result, in the first embodiment, the breakage of the semiconductor chip CHP1 can be prevented.
  • (3) In addition, in the 14 In related art, the contact area between the semiconductor chip CHP1 and the seal portion SL provided for the upper mold UM has been made small. Therefore, the closing force exerted by the upper mold UM concentrates on the contact area between the sealing portion SL and the semiconductor chip CHP1. As a result, the pressure applied to the contact portion between the sealing portion SL and the semiconductor chip CHP1 increases to cause the semiconductor chip CHP1 to be easily broken. In particular, in the in 14 In a related art, the contact area between the sealing portion SL and the semiconductor chip CHP1 in the region overlapping the diaphragm DF is formed in a planar manner. That is, the contact area between the seal portion SL and the semiconductor chip CHP1 is present in the region where the thickness of the semiconductor chip CHP1 is small. This area in which the thickness of the semiconductor chip CHP1 is small is easily broken; therefore, in the in 14 In the related art, the semiconductor chip CHP1 due to the pressure concentration due to the small contact area between the sealing portion SL and the semiconductor chip CHP1 and the arrangement of the contact area overlapping in plan with the area where the thickness of the semiconductor chip CHP1 is small are easily broken due to the printing concentration ,

Im Gegensatz dazu ist z. B. in der ersten Ausführungsform, wie in 13 veranschaulicht ist, die Kontaktfläche zwischen dem Rahmenkörper FB und dem Halbleiterchip CHP1 größer als die der in 14 veranschaulichten in Beziehung stehenden Technik. Deshalb wird die von der oberen Form UM auf den Rahmenkörper FB ausgeübte Schließkraft verteilt, weil die Kontaktfläche zwischen dem Rahmenkörper FB und dem Halbleiterchip CHP1 groß ist. Deshalb kann gemäß der ersten Ausführungsform die lokale Konzentration der von der oberen Form UM durch den Rahmenkörper FB auf den Halbleiterchip CHP1 ausgeübten Schließkraft verringert werden; folglich kann die Beschädigung des Halbleiterchips CHP1 unterdrückt werden. Außerdem ist z. B., wie in 13 veranschaulicht ist, der Kontaktbereich zwischen dem Rahmenkörper FB und dem Halbleiterchip CHP1 unter Umgehung der Membran DF im Grundriss ausgebildet. Mit anderen Worten, der Kontaktbereich zwischen dem Rahmenkörper FB und dem Halbleiterchip CHP1 ist nicht in dem Bereich ausgebildet, in dem der Halbleiterchip CHP1, der mit der Membran DF versehen ist, dünn ist, sondern er ist in der ersten Ausführungsform in einem anderen Bereich ausgebildet, wo der Halbleiterchip CHP1 dick ist. Folglich kann in der ersten Ausführungsform die Beschädigung des Halbleiterchips CHP1 effektiv durch die mehreren Wirkungen unterdrückt werden: die Schließkraft wird verteilt, weil die Kontaktfläche zwischen dem Rahmenkörper FB und dem Halbleiterchip CHP1 vergrößert ist; und der Kontaktbereich ist in dem Bereich ausgebildet, wo der Halbleiterchip CHP1 dick ist.

  • (4) Wie oben beschrieben worden ist, gibt es ein hohes Risiko des Auslaufens des eingespritzten Harzes in den ersten Raum SP1 (den versiegelten Raum), der die Strömungsdetektionseinheit FDU umgibt, weil der Kontaktbereich zwischen dem Versiegelungsabschnitt SL und dem Halbleiterchip CHP1 in der in 14 veranschaulichten in Beziehung stehenden Technik klein ist.
In contrast, z. In the first embodiment, as in FIG 13 is illustrated, the contact area between the frame body FB and the semiconductor chip CHP1 greater than that of in 14 illustrated related technique. Therefore, the closing force exerted by the upper mold UM on the frame body FB is distributed because the contact area between the frame body FB and the semiconductor chip CHP1 is large. Therefore, according to the first embodiment, the local concentration of the closing force applied from the upper mold UM to the semiconductor chip CHP1 by the frame body FB can be reduced; consequently, the damage of the semiconductor chip CHP1 can be suppressed. In addition, z. B., as in 13 1, the contact area between the frame body FB and the semiconductor chip CHP1 is formed bypassing the diaphragm DF in plan. In other words, the contact area between the frame body FB and the semiconductor chip CHP1 is not formed in the area where the semiconductor chip CHP1 joined with of the diaphragm DF is thin, but in the first embodiment, it is formed in another area where the semiconductor chip CHP1 is thick. Thus, in the first embodiment, the damage of the semiconductor chip CHP1 can be effectively suppressed by the plural effects: the closing force is distributed because the contact area between the frame body FB and the semiconductor chip CHP1 is increased; and the contact area is formed in the area where the semiconductor chip CHP1 is thick.
  • (4) As described above, there is a high risk of leakage of the injected resin into the first space SP1 (the sealed space) surrounding the flow detection unit FDU, because the contact area between the sealing portion SL and the semiconductor chip CHP1 in the in 14 illustrated relationship technique is small.

Im Gegensatz dazu kann das Risiko des Auslaufens des eingespritzten Harzes in den ersten Raum SP1 (den versiegelten Raum), der die Strömungsdetektionseinheit FDU umgibt, verringert werden, weil die Kontaktfläche zwischen dem Rahmenkörper FB und dem Halbleiterchip CHP1 in der ersten Ausführungsform groß ist.In contrast, since the contact area between the frame body FB and the semiconductor chip CHP1 in the first embodiment is large, the risk of leakage of the injected resin into the first space SP1 (the sealed space) surrounding the flow detection unit FDU can be reduced.

Folglich kann durch die Verwendung des Rahmenkörpers FB mit einer größeren Höhe als die der Strömungsdetektionseinheit FDU und einem kleineren Elastizitätsmodul als der des Halbleiterchips CHP1 die erste Ausführungsform die oben in (1) bis (4) beschriebene Nutzbarkeit bereitstellen.Thus, by using the frame body FB having a height higher than that of the flow detection unit FDU and a smaller elastic modulus than that of the semiconductor chip CHP1, the first embodiment can provide the usability described in (1) to (4) above.

<Das erste modifizierte Beispiel><The first modified example>

Als Nächstes wird ein erstes modifiziertes Beispiel des Strömungssensor FS1 in der ersten Ausführungsform beschrieben. Wie in 4 veranschaulicht, hat die erste Ausführungsform das Beispiel beschrieben, bei dem der Rahmenkörper FB den Wandabschnitt WP aufweist; dieses erste modifizierte Beispiel beschreibt jedoch ein Beispiel, bei dem der Rahmenkörper FB den Wandabschnitt WP nicht aufweist.Next, a first modified example of the flow sensor FS1 in the first embodiment will be described. As in 4 1, the first embodiment has described the example in which the frame body FB has the wall portion WP; However, this first modified example describes an example in which the frame body FB does not have the wall portion WP.

15(a) ist ein Grundriss, der den Strömungssensor FS1 gemäß dem ersten modifizierten Beispiel veranschaulicht. 15(b) ist eine entlang einer Linie A-A nach 15(a) genommene Schnittansicht und 15(c) ist eine entlang einer Linie B-B nach 15(a) genommene Schnittansicht. 15 (a) FIG. 10 is a plan view illustrating the flow sensor FS1 according to the first modified example. FIG. 15 (b) is one along a line AA after 15 (a) taken sectional view and 15 (c) is one along a line BB after 15 (a) taken sectional view.

Wie in 15(b) und 15(c) veranschaulicht ist, ist der Wandabschnitt nicht für den an dem Halbleiterchip CHP1 angeordneten Rahmenkörper FB vorgesehen. Selbst wenn der Rahmenkörper FB, der den Wandabschnitt nicht aufweist, verwendet wird, kann eine Wirkung, der zu der der ersten Ausführungsform ähnlich ist, erhalten werden, solange wie die Höhe des Rahmenkörpers FB größer als die der Strömungsdetektionseinheit FDU ist und der Elastizitätsmodul des Rahmenkörpers FB kleiner als der des Halbleiterchips CHP1 ist.As in 15 (b) and 15 (c) is illustrated, the wall portion is not provided for the arranged on the semiconductor chip CHP1 frame body FB. Even if the frame body FB not having the wall portion is used, an effect similar to that of the first embodiment can be obtained as long as the height of the frame body FB is larger than that of the flow detection unit FDU and the elastic modulus of the frame body FB is smaller than that of the semiconductor chip CHP1.

Weil die Verbesserung der Positionierungsgenauigkeit durch den Wandabschnitt in dem Rahmenkörper FB in dem ersten modifizierten Beispiel schwierig ist, ist es jedoch vom Standpunkt des festen Befestigens des Rahmenkörpers FB an dem Halbleiterchip CHP1 erwünscht, dass der Rahmenkörper FB in dem ersten modifizierten Beispiel an dem Halbleiterchip CHP1 befestigt ist. Bei dieser Gelegenheit können der Rahmenkörper FB und der Halbleiterchip CHP1 unter Verwendung eines Klebstoffmaterials aneinander befestigt werden oder kann der Rahmenkörper FB aus dem Material, das eine Klebstoffwirkung aufweist, gebildet werden.However, because the improvement of the positioning accuracy by the wall portion in the frame body FB is difficult in the first modified example, it is desirable from the viewpoint of firmly fixing the frame body FB to the semiconductor chip CHP1 that the frame body FB be attached to the semiconductor chip CHP1 in the first modified example is attached. On this occasion, the frame body FB and the semiconductor chip CHP1 may be fixed to each other using an adhesive material, or the frame body FB may be formed of the material having an adhesive action.

Falls z. B. die äußere Größe des Rahmenkörpers FB größer als die des Halbleiterchips CHP1 ist, kann die Position des Rahmenkörpers FB durch den Druck des Harzes in dem Harzversiegelungsprozess (dem Gießprozess) abweichen. Folglich ist die äußere Größe des Rahmenkörpers FB z. B. vorzugsweise kleiner als die des Halbleiterchips CHP1. Mit anderen Worten, im Grundriss ist der Rahmenkörper FB wünschenswerterweise innerhalb des Halbleiterchips CHP1 ausgebildet. Es kann außerdem gesagt werden, dass der Rahmenkörper FB eine kleinere äußere Größe als die Projektionsebene der Oberseite des Halbleiterchips CHP1 aufweist. Bei dieser Struktur kann die Verschiebung des Rahmenkörpers FB aufgrund des Druckes des Harzes in dem Harzversiegelungsprozess unterdrückt werden.If z. For example, when the outer size of the frame body FB is larger than that of the semiconductor chip CHP1, the position of the frame body FB may be deviated by the pressure of the resin in the resin sealing process (the molding process). Consequently, the outer size of the frame body FB z. B. preferably smaller than that of the semiconductor chip CHP1. In other words, in the plan view, the frame body FB is desirably formed inside the semiconductor chip CHP1. It can also be said that the frame body FB has a smaller outer size than the projection plane of the upper surface of the semiconductor chip CHP1. With this structure, the displacement of the frame body FB due to the pressure of the resin in the resin sealing process can be suppressed.

16 veranschaulicht einen Querschnitt des Strömungssensors gemäß dem ersten modifizierten Beispiel. 16 gibt an, dass der Rahmenkörper FB in dem Halbleiterchip CHP1 enthalten ist. Spezifisch kann in 16 gesagt werden, dass der Rahmenkörper FB in dem Halbleiterchip CHP1 enthalten ist, wenn der Halbleiterchip CHP1 eine Breite von L1 aufweist und der Rahmenkörper FB eine Breite von L2 aufweist und die Relation L1 > L2 bezüglich aller Querschnitte erfüllt ist. 16 FIG. 12 illustrates a cross section of the flow sensor according to the first modified example. FIG. 16 indicates that the frame body FB is contained in the semiconductor chip CHP1. Specifically, in 16 That is, the frame body FB is included in the semiconductor chip CHP1 when the semiconductor chip CHP1 has a width of L1 and the frame body FB has a width of L2 and the relation L1> L2 is satisfied with respect to all cross sections.

<Das zweite modifizierten Beispiel><The second modified example>

Als Nächstes wird eine Beschreibung eines zweiten modifizierten Beispiels des Strömungssensor FS1 in der ersten Ausführungsform gegeben. Die erste Ausführungsform hat das Beispiel beschrieben, in dem, wie in den 5(b) oder 5(c) veranschaulicht ist, der Rahmenkörper FB an dem Halbleiterchip CHP1 angeordnet ist, der an dem Chiphalterungsabschnitt TAB1 mit dem dazwischen angeordneten Klebstoffmaterial ADH1 angebracht ist. Das zweite modifizierte Beispiel beschreibt ein Beispiel, bei dem eine plattenähnliche Struktur PLT zwischen den Halbleiterchip CHP1 und den Leitungsrahmen LF eingefügt ist.Next, a description will be given of a second modified example of the flow sensor FS1 in the first embodiment. The first embodiment has described the example in which, as in the 5 (b) or 5 (c) 1, the frame body FB is disposed on the semiconductor chip CHP1 attached to the chip holder portion TAB1 with the adhesive material ADH1 interposed therebetween. The second modified example describes an example in which a plate-like structure PLT is interposed between the semiconductor chip CHP1 and the lead frame LF are inserted.

17 ist ein Grundriss, der eine Struktur des Strömungssensors vor dem Versiegeln mit dem Harz in dem zweiten modifizierten Beispiel veranschaulicht. 18 ist eine entlang einer Linie A-A nach 17 genommene Schnittansicht und 19 ist eine entlang einer Linie B-B nach 17 genommene Schnittansicht. 17 FIG. 10 is a plan view illustrating a structure of the flow sensor before being sealed with the resin in the second modified example. FIG. 18 is one along a line AA after 17 taken sectional view and 19 is one along a line BB after 17 taken sectional view.

Wie in 17 veranschaulicht ist, wird erkannt, dass in dem Strömungssensor FS1 in dem zweiten modifizierten Beispiel die plattenähnliche Struktur PLT ausgebildet ist, die sich von einer Schicht unter dem Halbleiterchip CHP1 bis zu einer Schicht unter dem Halbleiterchip CHP2 erstreckt. Diese plattenähnliche Struktur PLT weist z. B. eine rechteckige Form auf und besitzt im Grundriss eine äußere Größe, die den Halbleiterchip CHP1 und den Halbleiterchip CHP2 enthält.As in 17 1, it is recognized that in the flow sensor FS1 in the second modified example, the plate-like structure PLT extending from a layer below the semiconductor chip CHP1 to a layer below the semiconductor chip CHP2 is formed. This plate-like structure PLT has z. B. has a rectangular shape and has the outline of an external size, which includes the semiconductor chip CHP1 and the semiconductor chip CHP2.

Wie in 18 und 19 veranschaulicht ist, ist die plattenähnliche Struktur PLT spezifisch an dem Leitungsrahmen LF angeordnet, der den Chiphalterungsabschnitt TAB1 und den Chiphalterungsabschnitt TAB2 enthält. Diese plattenähnliche Struktur PLT ist z. B. unter Verwendung eines Klebstoffmaterials ADH3 an dem Leitungsrahmen LF befestigt und kann alternativ unter Verwendung eines Pastenmaterials daran befestigt sein. Der Halbleiterchip CHP1 ist an dieser plattenähnlichen Struktur PLT angebracht, wobei das Klebstoffmaterial ADH1 dazwischen angeordnet ist, während der Halbleiterchip CHP2 mit dem dazwischen angeordneten Klebstoffmaterial ADH2 daran angebracht ist. Bei dieser Gelegenheit können, wenn die plattenähnliche Struktur PLT aus einem Metallmaterial ausgebildet ist, der Halbleiterchip CHP1 und die plattenähnliche Struktur PLT mit dem Draht W1 miteinander verbunden werden, während der Halbleiterchip CHP2 und die plattenähnliche Struktur PLT mit dem Draht W2 miteinander verbunden werden können. Zusätzlich zu der plattenähnlichen Struktur PLT können andere Komponenten, wie z. B. ein Kondensator und ein Thermistor, an dem Leitungsrahmen LF angebracht sein.As in 18 and 19 1, the plate-like structure PLT is specifically arranged on the lead frame LF including the chip holding portion TAB1 and the chip holding portion TAB2. This plate-like structure PLT is z. B. attached to the leadframe LF using an adhesive material ADH3, and may alternatively be attached thereto using a paste material. The semiconductor chip CHP1 is attached to this plate-like structure PLT with the adhesive material ADH1 interposed therebetween, while the semiconductor chip CHP2 having the adhesive material ADH2 interposed therebetween is attached thereto. On this occasion, when the plate-like structure PLT is made of a metal material, the semiconductor chip CHP1 and the plate-like structure PLT can be connected to the wire W1 while the semiconductor chip CHP2 and the plate-like structure PLT can be connected to the wire W2. In addition to the plate-like structure PLT other components, such as. As a capacitor and a thermistor, be attached to the lead frame LF.

Die plattenähnliche Struktur PLT verbessert die Starrheit des Strömungssensor FS1 und funktioniert als ein Puffermaterial gegen den Stoß von außen. Wenn die plattenähnliche Struktur PLT aus einem leitfähigen Material ausgebildet ist, ist die plattenähnliche Struktur PLT außerdem mit dem Halbleiterchip CHP1 (die Anschlussfläche PD1) oder dem Halbleiterchip CHP2 (die Anschlussfläche PD2) elektrisch verbunden, wobei sie verwendet werden kann, um ein Massepotential (ein Bezugspotenzial) zuzuführen oder das Massepotential zu stabilisieren.The plate-like structure PLT improves the rigidity of the flow sensor FS1 and functions as a buffer material against the impact from outside. Further, when the plate-like structure PLT is formed of a conductive material, the plate-like structure PLT is electrically connected to the semiconductor chip CHP1 (the pad PD1) or the semiconductor chip CHP2 (the pad PD2), and it can be used to provide a ground potential Reference potential) or to stabilize the ground potential.

Die plattenähnliche Struktur PLT kann aus einem thermoplastischen Harz, wie z. B. einem PBT-Harz, einem ABS-Harz, einem PC-Harz, einem Nylonharz, einem PS-Harz, einem PP-Harz oder einem Fluorharz, oder einem wärmeaushärtenden Harz, wie z. B. einem Epoxidharz, einem Phenolharz oder einem Urethanharz, ausgebildet sein. In diesem Fall funktioniert die plattenähnliche Struktur PLT hauptsächlich als das Puffermaterial, um den Halbleiterchip CHP1 oder den Halbleiterchip CHP2 vor dem äußeren Stoß zu schützen.The plate-like structure PLT may be made of a thermoplastic resin, such as. A PBT resin, an ABS resin, a PC resin, a nylon resin, a PS resin, a PP resin or a fluororesin, or a thermosetting resin such as a resin. As an epoxy resin, a phenolic resin or a urethane resin may be formed. In this case, the plate-like structure PLT mainly functions as the buffer material to protect the semiconductor chip CHP1 or the semiconductor chip CHP2 from the external impact.

Andererseits kann die plattenähnliche Struktur PLT durch das Pressen eines Metallmaterials, wie z. B. einer Eisenlegierung, einer Aluminiumlegierung oder einer Kupferlegierung, gebildet werden oder aus einem Glasmaterial gebildet werden. Wenn insbesondere die plattenähnliche Struktur PLT aus den Metallmaterial ausgebildet ist, kann die Starrheit des Strömungssensor FS1 vergrößert werden und kann außerdem die plattenähnliche Struktur PLT mit dem Halbleiterchip CHP1 und dem Halbleiterchip CHP2 elektrisch verbunden werden und für das Zuführen des Massepotentials oder das Stabilisieren des Massepotentials verwendet werden.On the other hand, the plate-like structure PLT by pressing a metal material, such as. As an iron alloy, an aluminum alloy or a copper alloy, are formed or formed of a glass material. In particular, when the plate-like structure PLT is formed of the metal material, the rigidity of the flow sensor FS1 can be increased and also the plate-like structure PLT can be electrically connected to the semiconductor chip CHP1 and the semiconductor chip CHP2 and used for supplying the ground potential or stabilizing the ground potential become.

In dem Strömungssensor FS1 in dem zweiten modifizierten Beispiel, das wie oben strukturiert ist, ist der Rahmenkörper FB z. B. an dem Halbleiterchip CHP1 angeordnet, wie in 17 bis 19 veranschaulicht ist. Dann wird der Öffnungsabschnitt OP (FB) innerhalb des Rahmenkörpers FB gebildet, wobei die für den Halbleiterchip CHP1 vorgesehene Strömungsdetektionseinheit FDU aus diesem Öffnungsabschnitt OP (FB) freigelegt wird. In dem zweiten modifizierten Beispiel kann die Wirkung, die zu der der ersten Ausführungsform ähnlich ist, erhalten werden, solange wie die Höhe des Rahmenkörpers FB so festgelegt ist, dass sie größer als die der Strömungsdetektionseinheit FDU ist, und der Elastizitätsmodul des Rahmenkörpers FB so festgelegt ist, dass er kleiner als der des Halbleiterchips CHP1 ist.In the flow sensor FS1 in the second modified example structured as above, the frame body FB is e.g. B. arranged on the semiconductor chip CHP1, as in 17 to 19 is illustrated. Then, the opening portion OP (FB) is formed inside the frame body FB, whereby the flow detection unit FDU provided for the semiconductor chip CHP1 is exposed from this opening portion OP (FB). In the second modified example, the effect similar to that of the first embodiment can be obtained as long as the height of the frame body FB is set to be larger than that of the flow detection unit FDU and the elastic modulus of the frame body FB is set is that it is smaller than that of the semiconductor chip CHP1.

(Die zweite Ausführungsform)(The Second Embodiment)

Die erste Ausführungsform hat das Beispiel beschrieben, bei dem, wie in 5(b) veranschaulicht ist, der Strömungssensor FS1 eine Zwei-Chip-Struktur aufweist, die den Halbleiterchip CHP1 und den Halbleiterchip CHP2 enthält. Die technische Idee der vorliegenden Erfindung ist jedoch nicht darauf eingeschränkt, wobei der Strömungssensor alternativ eine Ein-Chip-Struktur aufweisen kann, die die Strömungsdetektionseinheit und eine Steuereinheit (eine Steuerschaltung) integriert aufweist. Die zweite Ausführungsform beschreibt ein Beispiel, bei dem die technische Idee der vorliegenden Erfindung auf den Strömungssensor mit der Ein-Chip-Struktur angewendet ist.The first embodiment has described the example in which, as in 5 (b) 1, the flow sensor FS1 has a two-chip structure including the semiconductor chip CHP1 and the semiconductor chip CHP2. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto, wherein the flow sensor may alternatively have a one-chip structure that integrally includes the flow detection unit and a control unit (a control circuit). The second embodiment describes an example in which the technical idea of the present invention is applied to the flow sensor having the one-chip structure.

<Die Befestigungsstruktur des Strömungssensors in der zweiten Ausführungsform> <The Fixing Structure of the Flow Sensor in Second Embodiment>

20(a) bis 20(d) veranschaulichen die Halterungsstruktur des Strömungssensors FS2 in der zweiten Ausführungsform, wobei diese Struktur vor dem Versiegeln mit dem Harz vorliegt. Insbesondere ist 20(a) ein Grundriss, der die Halterungsstruktur des Strömungssensors FS2 in der zweiten Ausführungsform veranschaulicht. 20(b) ist eine entlang einer Linie A-A nach 20(a) genommene Schnittansicht, 20(c) ist eine entlang einer Linie B-B nach 20(a) genommene Schnittansicht und 20(d) ist ein Grundriss, der die Rückseite des Halbleiterchips CHP1 veranschaulicht. 20 (a) to 20 (d) illustrate the support structure of the flow sensor FS2 in the second embodiment, which structure is present before sealing with the resin. In particular 20 (a) a plan view illustrating the support structure of the flow sensor FS2 in the second embodiment. 20 (b) is one along a line AA after 20 (a) taken sectional view, 20 (c) is one along a line BB after 20 (a) taken sectional view and 20 (d) is a plan view illustrating the back of the semiconductor chip CHP1.

Zuerst enthält, wie in 20(a) veranschaulicht ist, der Strömungssensor FS2 der zweiten Ausführungsform den Leitungsrahmen LF, der z. B. aus einem Kupfermaterial hergestellt ist. Dieser Leitungsrahmen LF weist den Chiphalterungsabschnitt TAB1 im Inneren auf, der von dem Dämmstab DM umgeben ist, der den äußeren Rahmenkörper bildet. Der Halbleiterchip CHP1 ist an dem Chiphalterungsabschnitt TAB1 angebracht.First contains, as in 20 (a) is illustrated, the flow sensor FS2 of the second embodiment, the lead frame LF, the z. B. is made of a copper material. This lead frame LF has the chip holding portion TAB1 inside surrounded by the insulating rod DM constituting the outer frame body. The semiconductor chip CHP1 is attached to the chip holder portion TAB1.

Der Halbleiterchip CHP1 weist eine rechteckige Form auf und weist die Strömungsdetektionseinheit FDU im Wesentlichen in der Mitte auf. Die Verdrahtungen WL1A, die mit der Strömungsdetektionseinheit FDU verbunden sind, sind an dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildet, wobei die Verdrahtungen WL1A mit einer Steuereinheit CU verbunden sind, die für den Halbleiterchip CHP1 vorgesehen ist. Diese Steuereinheit CU enthält die integrierten Schaltungen, die die Verdrahtungen oder die Halbleiterelemente, wie z. B. einen MISFET (einen Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor), enthalten. Spezifisch sind die integrierten Schaltungen, die die CPU 1, die Eingangsschaltung 2, die Ausgangsschaltung 3, den Speicher 4 und dergleichen bilden, die in 1 veranschaulicht sind, ausgebildet. Die Steuereinheit CU ist durch die Verdrahtungen WL1B mit den mehreren Anschlussflächen PD1 und den mehreren Anschlussflächen PD2 verbunden, die entlang der langen Seite des Halbleiterchips CHP1 ausgebildet sind. Mit anderen Worten, die Strömungsdetektionseinheit FDU und die Steuereinheit CU sind durch die Verdrahtungen WL1A miteinander verbunden, während die Steuereinheit CU durch die Verdrahtungen WL1B mit den Anschlussflächen PD1 und den Anschlussflächen PD2 verbunden ist. Die Anschlussfläche PD1 ist durch den Draht W1, der z. B. aus einem Golddraht hergestellt ist, mit der Leitung LD1 verbunden, die für den Leitungsrahmen LF vorgesehen ist. Andererseits ist die Anschlussfläche PD2 durch den Draht W2, der z. B. aus einem Golddraht hergestellt ist, mit der Leitung LD2 verbunden, die für den Leitungsrahmen LF vorgesehen ist. Es wird angegeben, dass die äußerste Oberfläche (die Elementbildungsfläche) des Halbleiterchips CHP1 mit einem Polyimidfilm für den Zweck der Funktion des Verringerns der Beanspruchung, der Funktion des Schützens der Oberfläche oder der Funktion des Sicherstellens der Isolierung von dem anzubringenden Harz versehen sein kann.The semiconductor chip CHP1 has a rectangular shape and has the flow detection unit FDU substantially at the center. The wirings WL1A connected to the flow detection unit FDU are formed on the semiconductor chip CHP1, and the wirings WL1A are connected to a control unit CU provided for the semiconductor chip CHP1. This control unit CU contains the integrated circuits that contain the wirings or the semiconductor elements, such as silicon. As a MISFET (a metal-insulator-semiconductor field effect transistor) included. Specifically, the integrated circuits are the CPU 1 , the input circuit 2 , the output circuit 3 , the memory 4 and the like formed in 1 are illustrated trained. The control unit CU is connected through the wirings WL1B to the plurality of pads PD1 and the plurality of pads PD2 formed along the long side of the semiconductor chip CHP1. In other words, the flow detection unit FDU and the control unit CU are connected to each other through the wirings WL1A, while the control unit CU is connected to the pads PD1 and the pads PD2 through the wirings WL1B. The pad PD1 is connected by the wire W1, the z. B. is made of a gold wire, connected to the line LD1, which is provided for the lead frame LF. On the other hand, the pad PD2 through the wire W2, the z. B. is made of a gold wire, connected to the line LD2, which is provided for the lead frame LF. It is stated that the outermost surface (the element forming surface) of the semiconductor chip CHP1 may be provided with a polyimide film for the purpose of decreasing the function of function of protecting the surface or the function of ensuring the insulation of the resin to be attached.

Die Leitungen LD1 und LD2 sind so angeordnet, dass sie in der X-Richtung verlaufen, die zu der Y-Richtung, in der das Gas strömt, orthogonal ist, und weisen eine Funktion des Ausführens der Eingabe/Ausgabe mit der äußeren Schaltung auf. Unterdessen ist eine vorstehende Leitung PLD entlang der Y-Richtung des Leitungsrahmens LF ausgebildet. Diese vorstehende Leitung PLD ist mit dem Chiphalterungsabschnitt TAB1 verbunden, aber nicht mit den Anschlussflächen PD1 und PD2, die für den Halbleiterchip CHP1 vorgesehen sind, verbunden. Mit anderen Worten, die vorstehende Leitung PLD ist von den Leitungen LD1 und LD2, die als die Eingangs-/Ausgangsanschlüsse arbeiten, verschieden.The lines LD1 and LD2 are arranged to be in the X direction which is orthogonal to the Y direction in which the gas flows, and have a function of performing the input / output with the external circuit. Meanwhile, a protruding line PLD is formed along the Y direction of the lead frame LF. This above-mentioned line PLD is connected to the chip holder portion TAB1, but not connected to the pads PD1 and PD2 provided for the semiconductor chip CHP1. In other words, the above line PLD is different from the lines LD1 and LD2 which function as the input / output terminals.

Hier in der zweiten Ausführungsform ist der Halbleiterchip CHP1 an dem Chiphalterungsabschnitt TAB1 auf eine Weise angebracht, dass die lange Seite des rechteckigen Halbleiterchips CHP1 zu der Richtung parallel ist, in der das Gas strömt (die Pfeilrichtung, die Y-Richtung). Entlang der langen Seite des Halbleiterchips CHP1 sind die mehreren Anschlussflächen PD1 und PD2 angeordnet. Jede der Anschlussflächen PD1 und jede der Leitungen LD1 ist durch einen entsprechenden der Drähte W1, die über der langen Seite des Halbleiterchips CHP1 angeordnet sind, miteinander verbunden. Ähnlich ist jede der Anschlussflächen PD2 und jede der Leitungen LD2 durch einen entsprechenden der Drähte W2, die über der langen Seite des Halbleiterchips CHP1 angeordnet sind, miteinander verbunden. Weil die Anschlussflächen PD1 und PD2 entlang der langen Seite des rechteckigen Halbleiterchips CHP1 angeordnet sind, können auf diese Weise mehr Anschlussflächen PD1 und PD2 für den Halbleiterchip CHP1 vorgesehen sein, als wenn die Anschlussflächen entlang der kurzen Seite des Halbleiterchips CHP1 angeordnet sind. Insbesondere ist in der zweiten Ausführungsform die Strömungsdetektionseinheit FDU zusätzlich zu der Steuereinheit CU in dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildet; deshalb kann durch das Anordnen einer Anzahl von Anschlussflächen PD1 und PD2 entlang der langen Seite der Bereich an dem Halbleiterchip CHP1 effektiv verwendet werden.Here, in the second embodiment, the semiconductor chip CHP1 is attached to the chip holder portion TAB1 in such a manner that the long side of the rectangular semiconductor chip CHP1 is parallel to the direction in which the gas flows (the arrow direction, the Y direction). Along the long side of the semiconductor chip CHP1, the plurality of pads PD1 and PD2 are arranged. Each of the pads PD1 and each of the wires LD1 is connected to each other by a corresponding one of the wires W1 arranged over the long side of the semiconductor chip CHP1. Similarly, each of the pads PD2 and each of the wires LD2 is connected to each other by a corresponding one of the wires W2 arranged above the long side of the semiconductor chip CHP1. In this way, because the pads PD1 and PD2 are arranged along the long side of the rectangular semiconductor chip CHP1, more pads PD1 and PD2 may be provided for the semiconductor chip CHP1 than when the pads are arranged along the short side of the semiconductor chip CHP1. More specifically, in the second embodiment, the flow detection unit FDU is formed in the semiconductor chip CHP1 in addition to the control unit CU; therefore, by arranging a number of pads PD1 and PD2 along the long side, the area on the semiconductor chip CHP1 can be effectively used.

Außerdem ist in der zweiten Ausführungsform der Rahmenkörper FB an einem Abschnitt des Halbleiterchips CHP1 ausgebildet. Dieser Rahmenkörper FB weist z. B. eine rechteckige Form auf und weist den Öffnungsabschnitt OP (FB) im Inneren auf. Dieser Rahmenkörper FB ist so angeordnet, dass die Strömungsdetektionseinheit FDU, die an der Hauptfläche des Halbleiterchips CHP1 ausgebildet ist, aus diesem Öffnungsabschnitt OP (FB) freigelegt ist und so dass die Anschlussflächen PD1, die für den Halbleiterchip CHP1 vorgesehen sind, zum Äußeren des Rahmenkörpers FB freigelegt sind.In addition, in the second embodiment, the frame body FB is formed on a portion of the semiconductor chip CHP1. This frame body FB has z. B. a rectangular shape and has the opening portion OP (FB) in the interior. This frame body FB is arranged so that the flow detection unit FDU attached to the Main surface of the semiconductor chip CHP1 is formed, is exposed from this opening portion OP (FB) and so that the pads PD1, which are provided for the semiconductor chip CHP1 exposed to the outside of the frame body FB.

Als Nächstes wird der Leitungsrahmen LF, wie in 20(b) veranschaulicht ist, mit dem Chiphalterungsabschnitt TAB1 versehen, wobei der Halbleiterchip CHP1 an diesem Chiphalterungsabschnitt TAB angebracht wird. Dieser Halbleiterchip CHP1 wird mit dem Klebstoffmaterial ADH1 an dem Chiphalterungsabschnitt TAB1 befestigt. Die Rückseite des Halbleiterchips CHP1 ist mit der Membran DF (einem Abschnitt aus einer dünnen Platte) versehen, wobei die Oberfläche des Halbleiterchips CHP1 auf der gegenüberliegenden Seite der Membran DF mit der Strömungsdetektionseinheit FDU versehen ist. Andererseits ist der Öffnungsabschnitt OP1 an der Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 unter der Membran DF ausgebildet.Next, the lead frame LF becomes, as in FIG 20 (b) is provided with the chip holder portion TAB1, wherein the semiconductor chip CHP1 is attached to this chip holder portion TAB. This semiconductor chip CHP1 is attached to the chip holder portion TAB1 with the adhesive material ADH1. The back side of the semiconductor chip CHP1 is provided with the diaphragm DF (a thin plate portion), and the surface of the semiconductor chip CHP1 on the opposite side of the diaphragm DF is provided with the flow detection unit FDU. On the other hand, the opening portion OP1 is formed on the underside of the chip holder portion TAB1 under the diaphragm DF.

Außerdem sind, wie in 20(b) veranschaulicht ist, die Anschlussflächen PD1 und PD2 zusätzlich zu der Strömungsdetektionseinheit FDU auf der Vorderseite (der Oberseite) des Halbleiterchips CHP1 ausgebildet. Diese Anschlussfläche PD1 ist durch den Draht W1 mit der Leitung LD1 verbunden, die für den Leitungsrahmen LF vorgesehen ist, wobei ähnlich die Anschlussfläche PD2 durch den Draht W2 mit der Leitung LD2 verbunden ist, die für den Leitungsrahmen LF vorgesehen ist. Der Rahmenkörper FB ist an dem Halbleiterchip CHP1 angeordnet. Dieser Rahmenkörper FB ist mit dem Öffnungsabschnitt OP (FB) versehen, wobei die Strömungsdetektionseinheit FDU von diesem Öffnungsabschnitt OP (FB) freigelegt ist.Besides, as in 20 (b) 1, the pads PD1 and PD2 are formed in addition to the flow detection unit FDU on the front side (top side) of the semiconductor chip CHP1. This pad PD1 is connected through the wire W1 to the line LD1 provided for the lead frame LF, similarly, the pad PD2 is connected through the wire W2 to the lead LD2 provided for the lead frame LF. The frame body FB is disposed on the semiconductor chip CHP1. This frame body FB is provided with the opening portion OP (FB), the flow detection unit FDU being exposed from this opening portion OP (FB).

Wie in 20(c) veranschaulicht ist, ist der Leitungsrahmen LF mit dem Chiphalterungsabschnitt TAB1 und der vorstehenden Leitung PLD versehen, wobei der Chiphalterungsabschnitt TAB1 und die vorstehende Leitung PLD einteilig ausgebildet sind. Der Halbleiterchip CHP1 ist mit dem Klebstoffmaterial ADH1 an diesem Chiphalterungsabschnitt TAB1 befestigt. Die Rückseite des Halbleiterchips CHP1 ist mit der Membran DF (dem Abschnitt aus einer dünnen Platte) versehen, während dessen Vorderseite auf der gegenüberliegenden Seite der Membran DF mit der Strömungsdetektionseinheit FDU versehen ist. Andererseits ist der Öffnungsabschnitt OP1 in der Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 unter der Membran DF ausgebildet. Auf der Vorderseite des Halbleiterchips CHP1 ist die Steuereinheit CU neben der Strömungsdetektionseinheit FDU ausgebildet. Ähnlich ist der Rahmenkörper FB an dem Halbleiterchip CHP1 angeordnet. Dieser Rahmenkörper FB ist mit dem Öffnungsabschnitt OP (FB) versehen, wobei die Strömungsdetektionseinheit FDU aus diesem Öffnungsabschnitt OP (FB) freigelegt ist.As in 20 (c) is illustrated, the lead frame LF is provided with the chip holding portion TAB1 and the protruding line PLD, wherein the chip holding portion TAB1 and the protruding line PLD are formed integrally. The semiconductor chip CHP1 is attached to the adhesive material ADH1 at this chip holder portion TAB1. The rear side of the semiconductor chip CHP1 is provided with the diaphragm DF (the thin-plate portion), while the front side thereof on the opposite side of the diaphragm DF is provided with the flow-detecting unit FDU. On the other hand, the opening portion OP1 is formed in the bottom of the chip holder portion TAB1 under the diaphragm DF. On the front side of the semiconductor chip CHP1, the control unit CU is formed adjacent to the flow detection unit FDU. Similarly, the frame body FB is disposed on the semiconductor chip CHP1. This frame body FB is provided with the opening portion OP (FB), the flow detection unit FDU being exposed from this opening portion OP (FB).

Das Klebstoffmaterial ADH1, das den Halbleiterchip CHP1 und den Chiphalterungsabschnitt TAB1 befestigt, kann z. B. ein wärmeaushärtendes Harz, wie z. B. ein Epoxidharz oder ein Polyurethanharz, oder ein thermoplastisches Harz, wie z. B. ein Polyimidharz oder ein Acrylharz, sein.The adhesive material ADH1, which fixes the semiconductor chip CHP1 and the chip holder portion TAB1, may be, for. B. a thermosetting resin such. As an epoxy resin or a polyurethane resin, or a thermoplastic resin such. A polyimide resin or an acrylic resin.

Der Halbleiterchip CHP1 und der Chiphalterungsabschnitt TAB1 können z. B. durch das Auftragen des Klebstoffmaterials ADH1 aneinander befestigt werden, wie in 20(d) veranschaulicht ist. 20(d) ist ein Grundriss, der die Rückseite des Halbleiterchips CHP1 veranschaulicht. Wie in 20(d) veranschaulicht ist, ist die Rückseite des Halbleiterchips CHP1 mit der Membran DF versehen, wobei das Klebstoffmaterial ADH1 die Membran DF umgebend aufgetragen ist. Es wird angegeben, dass in 20(c) das Klebstoffmaterial ADH1 so aufgetragen ist, dass es die Membran DF in einer quadratischen Form umgibt; die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf eingeschränkt, wobei das Klebstoffmaterial ADH1 z. B. so aufgetragen sein kann, dass es die Membran DF in irgendeiner Form, wie z. B. einer elliptischen Form, umgibt.The semiconductor chip CHP1 and the chip holder portion TAB1 may be, for. B. by applying the adhesive material ADH1 are attached to each other, as in 20 (d) is illustrated. 20 (d) is a plan view illustrating the back of the semiconductor chip CHP1. As in 20 (d) is illustrated, the back of the semiconductor chip CHP1 is provided with the membrane DF, wherein the adhesive material ADH1 is applied surrounding the membrane DF. It is stated that in 20 (c) the adhesive material ADH1 is applied so as to surround the membrane DF in a square shape; However, the present invention is not limited thereto, wherein the adhesive material ADH1 z. B. may be applied so that it is the membrane DF in any form, such. B. an elliptical shape surrounds.

Die Halterungsstruktur des Strömungssensors FS2 gemäß der zweiten Ausführungsform vor dem Versiegeln mit dem Harz ist wie oben, wobei die Beschreibung der Halterungsstruktur des Strömungssensor FS2 nach dem Versiegeln mit dem Harz im Folgenden gegeben wird.The support structure of the flow sensor FS2 according to the second embodiment before sealing with the resin is as above, and the description will be given below about the support structure of the flow sensor FS2 after being sealed with the resin.

Die 21 veranschaulichen die Halterungsstruktur des Strömungssensors FS2 in der zweiten Ausführungsform, wobei diese Struktur nach dem Versiegeln mit dem Harz vorliegt. Insbesondere ist 21(a) ein Grundriss, der die Halterungsstruktur des Strömungssensors FS2 in der zweiten Ausführungsform veranschaulicht. 21(b) ist eine entlang einer Linie A-A nach 21(a) genommene Schnittansicht und 21(c) ist eine entlang einer Linie B-B nach 21(a) genommene Schnittansicht.The 21 illustrate the support structure of the flow sensor FS2 in the second embodiment, which structure is present after sealing with the resin. In particular 21 (a) a plan view illustrating the support structure of the flow sensor FS2 in the second embodiment. 21 (b) is one along a line AA after 21 (a) taken sectional view and 21 (c) is one along a line BB after 21 (a) taken sectional view.

In der zweiten Ausführungsform weist der Strömungssensor FS2 die Struktur auf, bei der, wie in 21(a) veranschaulicht ist, ein Abschnitt des Halbleiterchips CHP1 mit dem Harz MR in dem Zustand abgedeckt ist, dass die Strömungsdetektionseinheit FDU, die für den Halbleiterchip CHP1 vorgesehen ist, aus dem Öffnungsabschnitt OP (FB), der für den Rahmenkörper FB vorgesehen ist, freigelegt ist. Mit anderen Worten, in der zweiten Ausführungsform ist der Bereich des Halbleiterchips CHP1 mit Ausnahme des Bereichs, der mit der Strömungsdetektionseinheit FDU versehen ist, und des Bereichs, der den angebrachten Rahmenkörper FB aufweist, gemeinsam mit dem Harz MR versiegelt.In the second embodiment, the flow sensor FS2 has the structure in which, as in FIG 21 (a) 1, a portion of the semiconductor chip CHP1 is covered with the resin MR in the state that the flow detection unit FDU provided for the semiconductor chip CHP1 is exposed from the opening portion OP (FB) provided for the frame body FB. In other words, in the second embodiment, the area of the semiconductor chip CHP1 except the area that is is provided with the flow detection unit FDU and the portion having the attached frame body FB sealed together with the resin MR.

Das Versiegeln mit dem Harz kann ausgeführt werden, während der Halbleiterchip CHP1, der mit der Strömungsdetektionseinheit FDU versehen ist, durch die Form befestigt ist; deshalb kann ein Abschnitt des Halbleiterchips CHP1 mit dem Harz MR versiegelt werden, während die Verschiebung des Halbleiterchips CHP1 unterdrückt wird. Dies bedeutet, dass ein Abschnitt des Halbleiterchips CHP1 mit dem Harz MR versiegelt werden kann, während die Verschiebung jedes Strömungssensors FS2 unterdrückt wird, und dass die Positionsvariation der Strömungsdetektionseinheiten FDU, die für den Halbleiterchip CHP1 vorgesehen sind, gemäß der zweiten Ausführungsform unterdrückt werden kann.The sealing with the resin may be performed while the semiconductor chip CHP1 provided with the flow detection unit FDU is fixed by the mold; therefore, a portion of the semiconductor chip CHP1 can be sealed with the resin MR while suppressing the displacement of the semiconductor chip CHP1. That is, a portion of the semiconductor chip CHP1 can be sealed with the resin MR while suppressing the displacement of each flow sensor FS2, and the positional variation of the flow detection units FDU provided for the semiconductor chip CHP1 can be suppressed according to the second embodiment.

Im Ergebnis können gemäß der zweiten Ausführungsform die Positionen der Strömungsdetektionseinheiten FDU, die die Gasströmung detektieren, zwischen den Strömungssensoren FS2 ausgerichtet werden; deshalb kann die beachtliche Wirkung erhalten werden, dass die Variation der Leistung für das Detektieren der Gasströmung zwischen den Strömungssensoren FS2 unterdrückt wird.As a result, according to the second embodiment, the positions of the flow detection units FDU that detect the gas flow can be aligned between the flow sensors FS2; therefore, the remarkable effect can be obtained that the variation of the power for detecting the gas flow between the flow sensors FS2 is suppressed.

Anschließend ist, wie in 21(a) veranschaulicht ist, in dem Strömungssensor FS2 in der zweiten Ausführungsform die Höhe des Rahmenkörpers FB auf jeder Seite, die die freigelegte Strömungsdetektionseinheit FDU umgibt, oder die Höhe des Harzes MR (des Versiegelungskörpers) höher als die Höhe der Oberfläche des Halbleiterchips CHP1, der die Strömungsdetektionseinheit FDU enthält. Mit anderen Worten, die freigelegte Strömungsdetektionseinheit FDU ist durch den Rahmenkörper FB umgeben, wobei die Höhe des Rahmenkörpers FB um die Strömungsdetektionseinheit FDU höher als die Höhe der Strömungsdetektionseinheit FDU ist. Gemäß der zweiten Ausführungsform, die wie oben strukturiert ist, kann der Zusammenstoß der Komponente mit der freigelegten Strömungsdetektionseinheit FDU während des Anbringens der Komponente verhindert werden. Deshalb kann die Beschädigung des Halbleiterchips CHP1, der die Strömungsdetektionseinheit FDU aufweist, verhindert werden. Mit anderen Worten, die Höhe des Rahmenkörpers FB, der die freigelegte Strömungsdetektionseinheit FDU umgibt, ist größer als die der Strömungsdetektionseinheit FDU. Folglich wird die Komponente zuerst mit dem hohen Rahmenkörper FB in Kontakt gebracht; dementsprechend ist es möglich, zu verhindern, dass die Komponente mit der freigelegten Oberfläche (der XY-Oberfläche) des Halbleiterchips CHP1, der die niedrige Strömungsdetektionseinheit FDU enthält, in Kontakt gelangt, um die Beschädigung des Halbleiterchips CHP1 zu verursachen.Subsequently, as in 21 (a) 1, in the flow sensor FS2 in the second embodiment, the height of the frame body FB on each side surrounding the exposed flow detection unit FDU or the height of the resin MR (sealing body) is higher than the height of the surface of the semiconductor chip CHP1 containing the flow detection unit Contains FDU. In other words, the exposed flow detection unit FDU is surrounded by the frame body FB, and the height of the frame body FB around the flow detection unit FDU is higher than the height of the flow detection unit FDU. According to the second embodiment structured as above, the collision of the component with the exposed flow detection unit FDU during the mounting of the component can be prevented. Therefore, the damage of the semiconductor chip CHP1 having the flow detection unit FDU can be prevented. In other words, the height of the frame body FB surrounding the exposed flow detection unit FDU is larger than that of the flow detection unit FDU. Consequently, the component is first brought into contact with the high frame body FB; accordingly, it is possible to prevent the component from coming into contact with the exposed surface (the XY surface) of the semiconductor chip CHP1 including the low-flow detection unit FDU to cause the damage of the semiconductor chip CHP1.

Insbesondere ist in der zweiten Ausführungsform der Rahmenkörper FB an einem Abschnitt des Halbleiterchips CHP1 angeordnet, wobei der Rahmenkörper FB einen kleineren Elastizitätsmodul als der Halbleiterchip CHP1 aufweist. Mit anderen Worten, der Rahmenkörper FB ist aus einem Material ausgebildet, das weicher als das des Halbleiterchips CHP1 ist. Deshalb kann, wenn die Komponente mit dem Rahmenkörper FB in Kontakt gebracht wird, der Stoß durch die Deformation des Rahmenkörpers FB, der relativ weich ist, absorbiert werden. Dementsprechend kann die Übertragung des Stoßes zu dem Halbleiterchip CHP1 unter dem Rahmenkörper FB unterdrückt werden, wobei dies die Beschädigung des Halbleiterchips CHP1 effektiv verhindern kann.Specifically, in the second embodiment, the frame body FB is disposed at a portion of the semiconductor chip CHP1, the frame body FB having a smaller elastic modulus than the semiconductor chip CHP1. In other words, the frame body FB is formed of a material softer than that of the semiconductor chip CHP1. Therefore, when the component is brought into contact with the frame body FB, the shock can be absorbed by the deformation of the frame body FB which is relatively soft. Accordingly, the transmission of the shock to the semiconductor chip CHP1 under the frame body FB can be suppressed, and this can effectively prevent the damage of the semiconductor chip CHP1.

Es wird vorausgesetzt, dass selbst in der zweiten Ausführungsform das Klebstoffmaterial ADH1 aufgetragen wird, damit es die Membran DF, die auf der Rückseite des Halbleiterchips CHP1 ausgebildet ist, umgibt, um zu verhindern, dass das Harz MR in den Innenraum der Membran DF eintritt. Wie in 21(b) und 21(c) veranschaulicht ist, ist der Öffnungsabschnitt OP1 an der Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 unter der Membran DF, die auf der Rückseite des Halbleiterchips CHP1 ausgebildet ist, ausgebildet, wobei außerdem der Öffnungsabschnitt OP2 für das Harz MR vorgesehen ist, das die Rückseite des Chiphalterungsabschnitts TAB2 abdeckt.It is assumed that even in the second embodiment, the adhesive material ADH1 is applied to surround the diaphragm DF formed on the back surface of the semiconductor chip CHP1 to prevent the resin MR from entering the interior of the diaphragm DF. As in 21 (b) and 21 (c) 1, the opening portion OP1 is formed on the underside of the chip holder portion TAB1 under the diaphragm DF formed on the back side of the semiconductor chip CHP1, and also the opening portion OP2 for the resin MR covering the back side of the chip holder portion TAB2 is provided.

Folglich steht gemäß dem Strömungssensor FS2 der zweiten Ausführungsform der Innenraum der Membran DF durch den Öffnungsabschnitt OP1, der für die Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 vorgesehen ist, und den Öffnungsabschnitt OP2, der für das Harz MR vorgesehen ist, mit dem Außenraum des Strömungssensors FS2 in Verbindung. Im Ergebnis können der Druck im Innenraum der Membran DF und der Druck im Außenraum des Strömungssensors FS2 zueinander gleich gemacht werden, wobei die Anwendung der Belastung auf die Membran DF unterdrückt werden kann.Consequently, according to the flow sensor FS2 of the second embodiment, the inside of the diaphragm DF communicates with the outside of the flow sensor FS2 through the opening portion OP1 provided for the underside of the chip holder portion TAB1 and the opening portion OP2 provided for the resin MR , As a result, the pressure in the inner space of the diaphragm DF and the pressure in the outer space of the flow sensor FS2 can be made equal to each other, and the application of the load to the diaphragm DF can be suppressed.

Die Halterungsstruktur des Strömungssensors FS2 in der zweiten Ausführungsform ist, wie oben beschrieben worden ist, wobei in dem aktuellen Strömungssensor FS2 der Dämmstab DM, der den äußeren Rahmenkörper des Leitungsrahmens LF bildet, nach dem Versiegeln mit dem Harz MR entfernt wird. 22 ist ein Grundriss, der die Halterungsstruktur des Strömungssensor FS2 veranschaulicht, nachdem der Dämmstab DM entfernt worden ist. Wie in 22 veranschaulicht ist, können durch das Zerschneiden des Dämmstabs DM von den mehreren Leitungen LD1 und den mehreren Leitungen LD2 mehrere elektrische Signale unabhängig extrahiert werden.The support structure of the flow sensor FS2 in the second embodiment is, as described above, in the current flow sensor FS2, the insulation rod DM constituting the outer frame body of the lead frame LF is removed after being sealed with the resin MR. 22 FIG. 11 is a plan view illustrating the support structure of the flow sensor FS2 after the insulation rod DM has been removed. FIG. As in 22 is illustrated, by cutting the insulating rod DM from the multiple lines LD1 and the multiple lines LD2, a plurality of electric signals can be independently extracted.

<Das Herstellungsverfahren für den Strömungssensor in der zweiten Ausführungsform><The Production Method for the Flow Sensor in the Second Embodiment>

Der Strömungssensor FS2 der zweiten Ausführungsform ist wie oben strukturiert, wobei ein Herstellungsverfahren für denselben unter Bezugnahme auf 23 bis 26 beschrieben wird. 23 bis 26 veranschaulichen den Herstellungsprozess in dem entlang einer Linie B-B nach 21(a) genommenen Querschnitt.The flow sensor FS2 of the second embodiment is structured as above, and a manufacturing method thereof is described with reference to FIG 23 to 26 is described. 23 to 26 illustrate the manufacturing process in that along a line BB 21 (a) taken cross-section.

Zuerst wird, wie in 23 veranschaulicht ist, der Leitungsrahmen LF, der z. B. aus einem Kupfermaterial hergestellt ist, vorbereitet. Der Leitungsrahmen LF weist den Chiphalterungsabschnitt TAB1 und die vorstehende Leitung PLD, die einteilig ausgebildet sind, auf, wobei der Öffnungsabschnitt OP1 an der Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 ausgebildet ist.First, as in 23 is illustrated, the lead frame LF, the z. B. made of a copper material is prepared. The lead frame LF has the chip support portion TAB1 and the protruded lead PLD integrally formed, and the opening portion OP1 is formed on the underside of the chip support portion TAB1.

Anschließend wird, wie in 24 veranschaulicht ist, der Halbleiterchip CHP1 an dem Chiphalterungsabschnitt TAB1 angebracht. Spezifisch wird der Halbleiterchip CHP1 mit dem Chiphalterungsabschnitt TAB1, der für den Leitungsrahmen LF vorgesehen ist, mit dem Klebstoffmaterial ADH1 verbunden. Bei dieser Gelegenheit wird der Halbleiterchip CHP1 so an dem Chiphalterungsabschnitt TAB1 angebracht, dass die in dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildete Membran DF mit dem Öffnungsabschnitt OP1, der in der Unterseite des Chiphalterungsabschnitts TAB1 ausgebildet ist, in Verbindung steht. Es wird angegeben, dass in dem Halbleiterchip CHP1 die Strömungsdetektionseinheit FDU, die Steuereinheit CU, die (nicht veranschaulichten) Verdrahtungen und die (nicht veranschaulichten) Anschlussflächen durch den allgemeinen Halbleiterherstellungsprozess gebildet werden. Außerdem wird die Membran DF z. B. durch das anisotrope Ätzen auf der Rückseite des Halbleiterchips CHP1 in der Position gegenüberliegend der Strömungsdetektionseinheit FDU, die auf der Vorderseite des Halbleiterchips CHP1 ausgebildet ist, gebildet.Subsequently, as in 24 1, the semiconductor chip CHP1 is attached to the chip holder portion TAB1. Specifically, the semiconductor chip CHP1 is connected to the chip holder portion TAB1 provided for the lead frame LF with the adhesive material ADH1. On this occasion, the semiconductor chip CHP1 is attached to the chip holder portion TAB1 so that the diaphragm DF formed in the semiconductor chip CHP1 communicates with the opening portion OP1 formed in the bottom of the chip holder portion TAB1. It is indicated that in the semiconductor chip CHP1, the flow detection unit FDU, the control unit CU, the wirings (not illustrated), and the pads (not illustrated) are formed by the general semiconductor manufacturing process. In addition, the membrane DF z. B. by the anisotropic etching on the back of the semiconductor chip CHP1 in the position opposite to the flow detection unit FDU, which is formed on the front side of the semiconductor chip CHP1 formed.

Als Nächstes werden die (nicht veranschaulichte) Anschlussfläche, die in dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildet ist, und die (nicht veranschaulichte) Leitung, die in dem Leitungsrahmen LF ausgebildet ist, durch den (nicht veranschaulichte) Draht miteinander verbunden (Drahtbonden). Der (nicht veranschaulichte) Draht ist z. B. aus einem Golddraht ausgebildet.Next, the pad (not illustrated) formed in the semiconductor chip CHP1 and the lead (not illustrated) formed in the lead frame LF are connected to each other by the wire (not illustrated) (wire bonding). The (not illustrated) wire is z. B. formed of a gold wire.

Danach wird der Rahmenkörper FB an dem Halbleiterchip CHP1 angebracht. Spezifisch wird der Rahmenkörper FB so angebracht, dass die in dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildete Strömungsdetektionseinheit FDU in dem Öffnungsabschnitt OP (FB) enthalten ist, der im Inneren ausgebildet ist, und dass die Steuereinheit CU, die in dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildet ist, außerhalb des Rahmenkörpers FB angeordnet ist. Folglich kann der Rahmenkörper FB an dem Halbleiterchip CHP1 angebracht werden, während die Strömungsdetektionseinheit FDU und die Steuereinheit CU freigelegt sind.Thereafter, the frame body FB is attached to the semiconductor chip CHP1. Specifically, the frame body FB is mounted so that the flow detection unit FDU formed in the semiconductor chip CHP1 is contained in the opening portion OP (FB) formed inside, and the control unit CU formed in the semiconductor chip CHP1 is outside the frame body FB is arranged. Consequently, the frame body FB can be attached to the semiconductor chip CHP1 while the flow detection unit FDU and the control unit CU are exposed.

Als Nächstes wird, wie in 25 veranschaulicht ist, der Leitungsrahmen LF, der den angebrachten Halbleiterchip CHP1 mit dem Rahmenkörper FB aufweist, zwischen der oberen Form UM und der unteren Form BM gehalten, wobei der Film LAF eines elastischen Körpers dazwischen angeordnet ist, während der zweite Raum (ein Hohlraum) gebildet wird. Danach wird das Harz MR in diesen zweiten Raum gegossen, während Wärme darauf angewendet wird, wodurch die Oberfläche des Halbleiterchips CHP1 in dem Umgebungsbereich, der die Steuereinheit CU enthält, der (nicht veranschaulichte Draht) und ein Abschnitt der vorstehenden Leitung PLD mit dem Harz MR versiegelt werden.Next, as in 25 13, the lead frame LF having the attached semiconductor chip CHP1 with the frame body FB is held between the upper mold UM and the lower mold BM with the elastic body film LAF interposed therebetween, while the second space (a cavity) is formed becomes. Thereafter, the resin MR is poured into this second space while heat is applied thereto, whereby the surface of the semiconductor chip CHP1 in the surrounding area containing the control unit CU, the wire (not illustrated) and a portion of the protruded line PLD with the resin MR to be sealed.

Bei dem Herstellungsverfahren für den Strömungssensor FS2 in der zweiten Ausführungsform wird außerdem der Leitungsrahmen LF, der den daran angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, zwischen der unteren Form BM und der oberen Form UM gehalten, während die obere Form UM gegen den Rahmenkörper FB gepresst wird, dessen Höhe größer als die Höhe der Strömungsdetektionseinheit FDU, die in dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildet ist, ist, wobei der Film LAF eines elastischen Körpers dazwischen angeordnet ist, wie in 25 veranschaulicht ist.In the manufacturing method for the flow sensor FS2 in the second embodiment, moreover, the lead frame LF having the semiconductor chip CHP1 attached thereto is held between the lower mold BM and the upper mold UM while the upper mold UM is pressed against the frame body FB Height greater than the height of the flow detection unit FDU formed in the semiconductor chip CHP1 with the film LAF of an elastic body interposed therebetween, as shown in FIG 25 is illustrated.

Folglich kann gemäß der zweiten Ausführungsform der Oberflächenbereich des Halbleiterchips CHP1, der z. B. durch den Steuereinheits-Bildungsbereich gekennzeichnet ist, versiegelt werden, während der erste Raum SP1 (der versiegelte Raum), der die Strömungsdetektionseinheit FDU, die in dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildet ist, und deren Umgebungsbereich umgibt, sichergestellt wird. Mit anderen Worten, in der zweiten Ausführungsform kann der Oberflächenbereich des Halbleiterchips CHP1, der durch den Steuereinheits-Bildungsbereich gekennzeichnet ist, versiegelt werden, während die Strömungsdetektionseinheit FDU, die in dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildet ist, und ihr Umgebungsbereich freigelegt sind.Consequently, according to the second embodiment, the surface area of the semiconductor chip CHP1, e.g. By the control unit forming area, while the first space SP1 (the sealed space) surrounding the flow detection unit FDU formed in the semiconductor chip CHP1 and its surrounding area is ensured. In other words, in the second embodiment, the surface area of the semiconductor chip CHP1 identified by the controller forming area can be sealed while the flow detecting unit FDU formed in the semiconductor chip CHP1 and its surrounding area are exposed.

Außerdem werden bei dem Herstellungsverfahren für den Strömungssensor FS2 in der zweiten Ausführungsform der Rahmenkörper FB und der Film LAF eines elastischen Körpers zwischen der oberen Form UM und dem Leitungsrahmen LF, der den daran angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, angeordnet, wenn der Leitungsrahmen LF, der den daran angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, zwischen der oberen Form UM und der unteren Form BM gehalten wird.In addition, in the manufacturing method for the flow sensor FS2 in the second embodiment, the frame body FB and the elastic body film LAF are disposed between the upper mold UM and the lead frame LF having the semiconductor chip CHP1 attached thereto when the lead frame LF having the lead frame attached semiconductor chip CHP1 is held between the upper mold UM and the lower mold BM.

Selbst wenn es eine Variation beim Anbringen der Komponenten gibt, kann folglich die auf den Halbleiterchip CHP1 ausgeübte Schließkraft durch die Deformation des Rahmenkörpers FB, dessen Elastizitätsmodul kleiner als der des Halbleiterchips CHP1 ist, in der Dickenrichtung (der Z-Richtung) verringert werden. Im Ergebnis kann in der zweiten Ausführungsform die Beschädigung, die durch den Bruch, das Abplatzen oder das Spalten des Halbleiterchips CHP1 gekennzeichnet ist, verhindert werden.Consequently, even if there is a variation in mounting the components, the clamping force applied to the semiconductor chip CHP1 can be reduced by the deformation of the frame body FB whose Young's modulus is smaller than that of the semiconductor chip CHP1 is reduced in the thickness direction (the Z direction). As a result, in the second embodiment, the damage characterized by the breakage, the chipping or the splitting of the semiconductor chip CHP1 can be prevented.

Danach wird, wie in 26 veranschaulicht ist, nachdem das Harz MR ausgehärtet ist, der Leitungsrahmen LF, der den daran angebrachten Halbleiterchip CHP1 aufweist, von der oberen Form UM und der unteren Form BM extrahiert. Folglich kann der Strömungssensor FS2 der zweiten Ausführungsform hergestellt werden. Der auf diese Weise hergestellte Strömungssensor FS2 gemäß der zweiten Ausführungsform kann außerdem die Wirkung bereitstellen, die zu der der ersten Ausführungsform ähnlich ist.After that, as in 26 3, after the resin MR has hardened, the lead frame LF having the semiconductor chip CHP1 attached thereto is extracted from the upper mold UM and the lower mold BM. Consequently, the flow sensor FS2 of the second embodiment can be manufactured. The flow sensor FS <b> 2 made in this manner according to the second embodiment may also provide the effect similar to that of the first embodiment.

Die durch den Erfinder gemachte vorliegende Erfindung ist basierend auf den Ausführungsformen ausführlich beschrieben worden; die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf eingeschränkt. Es können verschiedene Änderungen vorgenommen werden, ohne vom Inhalt der vorliegenden Erfindung abzuweichen.The present invention made by the inventor has been described in detail based on the embodiments; however, the present invention is not limited thereto. Various changes may be made without departing from the scope of the present invention.

Es wird angegeben, dass in dem in den obigen Ausführungsformen beschriebenen Strömungssensor ein Polyimidfilm, ein Siliciumnitridfilm, ein Polysiliciumfilm, ein Siliciumoxidfilm, der TEOS (Si(OC2H5)4) enthält, oder dergleichen auf einem Abschnitt der Oberfläche (der Oberseite) des Halbleiterchips CHP1, der mit der Strömungsdetektionseinheit FDU versehen ist, ausgebildet sein kann. Folglich kann in einem Abschnitt der Oberfläche des Halbleiterchips CHP1, der fest mit dem Harz verbunden ist, die Haftfestigkeit verbessert werden.It is indicated that in the flow sensor described in the above embodiments, a polyimide film, a silicon nitride film, a polysilicon film, a silicon oxide film containing TEOS (Si (OC 2 H 5 ) 4 ), or the like on a portion of the surface (the top) of the semiconductor chip CHP1 provided with the flow detection unit FDU may be formed. Consequently, in a portion of the surface of the semiconductor chip CHP1 which is firmly bonded to the resin, the adhesion strength can be improved.

Der Polyimidfilm kann durch Auftragen auf dem Halbleiterchip CHP1 gebildet werden und durch eine Photolithographietechnik und eine Ätztechnik bei Bedarf mit einem Muster versehen werden. Der Siliciumnitridfilm, der Polysiliciumfilm oder der Siliciumoxidfilm kann durch ein chemisches Wachstumsverfahren aus der Gasphase oder ein Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung, das durch ein Plasma-CVD-Verfahren, ein CVD-Verfahren bei verringertem Druck, ein CVD-Verfahren bei Normaldruck oder dergleichen gekennzeichnet ist, ein chemisches Abscheidungsverfahren, ein physikalisches Wachstumsverfahren aus der Gasphase oder ein physikalisches Abscheidungsverfahren gebildet werden.The polyimide film may be formed by deposition on the semiconductor chip CHP1 and patterned by a photolithography technique and an etching technique if necessary. The silicon nitride film, the polysilicon film or the silicon oxide film may be characterized by a chemical vapor growth method or a chemical vapor deposition method characterized by a plasma CVD method, a reduced pressure CVD method, a normal pressure CVD method or the like , a chemical deposition method, a physical growth method from the gas phase, or a physical deposition method.

Diese auf dem Halbleiterchip CHP1 ausgebildeten Filme können das Anhaften zwischen dem Harz MR und dem Halbleiterchip CHP1 durch das Verhindern der Zunahme der Filmdicke des auf dem Silicium (Si), das den Halbleiterchip CHP1 bildet, gebildeten Siliciumoxidfilms verbessern.These films formed on the semiconductor chip CHP1 can improve the adhesion between the resin MR and the semiconductor chip CHP1 by preventing the increase in the film thickness of the silicon oxide film formed on the silicon (Si) forming the semiconductor chip CHP1.

Diese Filme können für wenigstens einen Abschnitt des Halbleiterchips CHP1, der mit dem Harz MR abgedeckt wird, gebildet werden.These films can be formed for at least a portion of the semiconductor chip CHP1 covered with the resin MR.

Die Filmdicke des Polyimidfilms, des Siliciumnitritfilms, des Polysiliciumfilms und des Siliciumoxidfilms, der TEOS enthält, oder dergleichen ist auf etwa 1 μm bis 120 μm gesetzt, aber nicht darauf eingeschränkt, solange wie diese Filme in dem Bereich der Oberfläche des Halbleiterchips CHP1 gebildet werden, der mit dem Harz MR abgedeckt wird.The film thickness of the polyimide film, the silicon nitride film, the polysilicon film, and the silicon oxide film containing TEOS or the like is set to about 1 μm to 120 μm, as long as these films are formed in the area of the surface of the semiconductor chip CHP1. which is covered with the resin MR.

Der in den obigen Ausführungsformen beschriebene Strömungssensor ist eine Vorrichtung, die eine Gasströmung misst; die Art des Gases ist jedoch nicht speziell eingeschränkt. Der Strömungssensor kann umfassend für Vorrichtungen verwendet werden, die die Gasströmung von irgendeinem Gas messen, einschließlich von Luft, LP-Gas, Kohlendioxidgas (CO2-Gas) oder einem Chlorfluorkohlenwasserstoffgas.The flow sensor described in the above embodiments is a device that measures a gas flow; however, the nature of the gas is not specifically limited. The flow sensor may be used extensively for devices that measure the gas flow of any gas, including air, LP gas, carbon dioxide (CO 2 ) gas, or a chlorofluorohydrocarbon gas.

Die obigen Ausführungsformen haben den Strömungssensor beschrieben, der die Gasströmung misst; die technische Idee der vorliegenden Erfindung ist jedoch nicht darauf eingeschränkt. Der Strömungssensor kann umfassend auf die Halbleitervorrichtung angewendet werden, die in dem Zustand, dass ein Abschnitt des Halbleiterelements, wie z. B. ein Temperatursensor, freigelegt ist, mit dem Harz versiegelt wird.The above embodiments have described the flow sensor that measures the gas flow; however, the technical idea of the present invention is not limited thereto. The flow sensor may be comprehensively applied to the semiconductor device that is in the state that a portion of the semiconductor element, such. As a temperature sensor is exposed, is sealed with the resin.

Industrielle AnwendbarkeitIndustrial applicability

Die vorliegende Erfindung kann umfassend für die Herstellungsindustrie zum Herstellen der Halbleitervorrichtungen, die den Strömungssensor enthalten, verwendet werden.The present invention may be used extensively in the manufacturing industry for manufacturing the semiconductor devices including the flow sensor.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
CPUCPU
22
Eingangsschaltunginput circuit
33
Ausgangsschaltungoutput circuit
44
SpeicherStorage
ADH1ADH1
Klebstoffmaterialadhesive material
ADH2ADH2
Klebstoffmaterialadhesive material
ADH3ADH3
Klebstoffmaterialadhesive material
BMBM
untere Formlower form
BR1BR1
stromabwärts gelegener Temperaturdetektionswiderstanddownstream temperature detection resistor
BR2BR2
stromabwärts gelegener Temperaturdetektionswiderstanddownstream temperature detection resistor
CHP1CHP1
HalbleiterchipSemiconductor chip
CHP2CHP2
HalbleiterchipSemiconductor chip
CUCU
Steuereinheitcontrol unit
DFDF
Membranmembrane
DMDM
DämmstabDämmstab
FBFB
Rahmenkörperframe body
FDUFDU
StrömungsdetektionseinheitFlow detection unit
FPFP
Rahmenabschnittframe section
FS1FS1
Strömungssensorflow sensor
FS2FS2
Strömungssensorflow sensor
HCBHCB
Heizvorrichtungs-SteuerbrückeHeater control bridge
HRMR
Heizwiderstandheating resistor
IP1IP1
Einsetzstückinsert piece
LAFLAF
Film eines elastischen KörpersFilm of an elastic body
LD1LD1
Leitungmanagement
LD2LD2
Leitungmanagement
LFLF
Leitungsrahmenlead frame
MRMR
Harzresin
OP1OP1
Öffnungsabschnittopening section
OP2OP2
Öffnungsabschnittopening section
OP (FB)OP (FB)
Öffnungsabschnittopening section
PD1PD1
Anschlussflächeterminal area
PD2PD2
Anschlussflächeterminal area
PD3PD3
Anschlussflächeterminal area
PLDPLD
vorstehende Leitungprominent line
PLTPLT
plattenähnliche Strukturplate-like structure
PSPS
Leistungsversorgungpower supply
QQ
Gasströmunggas flow
R1R1
Widerstandresistance
R2R2
Widerstandresistance
R3R3
Widerstandresistance
R4R4
Widerstandresistance
SLSL
Versiegelungsabschnittsealing portion
SP1SP1
erster Raumfirst room
TAB1TAB1
ChiphalterungsabschnittChip mounting portion
TAB2TAB2
ChiphalterungsabschnittChip mounting portion
TrTr
Transistortransistor
TSBTSB
TemperatursensorbrückeTemperature sensor bridge
UMAROUND
obere Formupper form
UR1UR1
stromaufwärts gelegener Temperaturdetektionswiderstandupstream temperature detection resistor
UR2UR2
stromaufwärts gelegener Temperaturdetektionswiderstandupstream temperature detection resistor
Vref1Vref1
Bezugsspannungreference voltage
Vref2Vref2
Bezugsspannungreference voltage
W1W1
Drahtwire
W2W2
Drahtwire
W3W3
Drahtwire
WL1WL1
Verdrahtungwiring
WL1AWL1A
Verdrahtungwiring
WL1BWL1B
Verdrahtungwiring
WPWP
Wandabschnittwall section

Claims (17)

Strömungssensor, der umfasst: (a) einen ersten Chiphalterungsabschnitt; und (b) einen ersten Halbleiterchip, der an dem ersten Chiphalterungsabschnitt angeordnet ist, wobei der erste Halbleiterchip (b1) eine Strömungsdetektionseinheit, die auf einer Hauptfläche eines ersten Halbleitersubstrats ausgebildet ist, und (b2) eine Membran, die in einem Bereich einer Rückseite des ersten Halbleitersubstrats ausgebildet ist, die sich auf der gegenüberliegenden Seite der Hauptfläche des ersten Halbleitersubstrats befindet, wobei sich der Bereich auf der gegenüberliegenden Seite der Strömungsdetektionseinheit befindet, enthält, ein Rahmenkörper, der an dem ersten Halbleiterchip angeordnet ist, einen Öffnungsabschnitt aufweist, der wenigstens die Strömungsdetektionseinheit freilegt, und einen kleineren Elastizitätsmodul als der erste Halbleiterchip aufweist, enthalten ist, und ein Abschnitt des ersten Halbleiterchips mit einem Versiegelungskörper, der ein Harz enthält, in einem Zustand versiegelt ist, in dem die Strömungsdetektionseinheit, die in dem ersten Halbleiterchip ausgebildet ist, von dem Öffnungsabschnitt des Rahmenkörpers freigelegt ist.Flow sensor comprising: (a) a first chip holder portion; and (B) a first semiconductor chip, which is arranged on the first chip holder portion, wherein the first semiconductor chip (b1) a flow detection unit formed on a main surface of a first semiconductor substrate, and (b2) a diaphragm formed in a region of a back surface of the first semiconductor substrate located on the opposite side of the main surface of the first semiconductor substrate, the region being on the opposite side of the flow detection unit, a frame body disposed on the first semiconductor chip includes an opening portion that exposes at least the flow detection unit, and has a smaller elastic modulus than the first semiconductor chip, and a portion of the first semiconductor chip is sealed with a sealing body containing a resin in a state in which the flow detection unit formed in the first semiconductor chip is exposed from the opening portion of the frame body. Strömungssensor nach Anspruch 1, wobei der erste Halbleiterchip ferner einen Steuerschaltungsabschnitt enthält, der die Strömungsdetektionseinheit steuert.The flow sensor according to claim 1, wherein the first semiconductor chip further includes a control circuit section that controls the flow detection unit. Strömungssensor nach Anspruch 1, der ferner umfasst: (c) einen zweiten Chiphalterungsabschnitt; und (d) einen zweiten Halbleiterchip, der an dem zweiten Chiphalterungsabschnitt angeordnet ist, wobei der zweite Halbleiterchip einen Steuerschaltungsabschnitt enthält, der an einer Hauptfläche des zweiten Halbleitersubstrats ausgebildet ist und die Strömungsdetektionseinheit steuert, und der zweite Halbleiterchip mit den Versiegelungskörper versiegelt ist.The flow sensor of claim 1, further comprising: (c) a second chip holding portion; and (D) a second semiconductor chip, which is arranged on the second chip holder portion, wherein the second semiconductor chip includes a control circuit section formed on a main surface of the second semiconductor substrate and controls the flow detection unit, and the second semiconductor chip is sealed with the sealing body. Strömungssensor nach Anspruch 1, wobei der Rahmenkörper, der den Öffnungsabschnitt aufweist, und der erste Halbleiterchip aneinander befestigt sind.The flow sensor according to claim 1, wherein the frame body having the opening portion and the first semiconductor chip are fixed to each other. Strömungssensor nach Anspruch 1, wobei der Rahmenkörper, der den Öffnungsabschnitt aufweist, und der erste Halbleiterchip nicht aneinander befestigt sind.The flow sensor according to claim 1, wherein the frame body having the opening portion and the first semiconductor chip are not fixed to each other. Strömungssensor nach Anspruch 1, wobei der Rahmenkörper, der den Öffnungsabschnitt aufweist, einen Wandabschnitt aufweist, der zu wenigstens einer Seitenfläche des Halbleiterchips parallel ist.The flow sensor according to claim 1, wherein the frame body having the opening portion has a wall portion parallel to at least one side surface of the semiconductor chip. Strömungssensor nach Anspruch 1, wobei der Rahmenkörper, der den Öffnungsabschnitt aufweist, im Grundriss in der Hauptfläche des ersten Halbleiterchips enthalten ist.The flow sensor according to claim 1, wherein the frame body having the opening portion is included in the plan view in the main surface of the first semiconductor chip. Strömungssensor nach Anspruch 1, wobei wenigstens ein Abschnitt der Hauptfläche des ersten Halbleiterchips mit einem Polyimidfilm, einem Siliciumnitridfilm, einem Polysiliciumfilm oder einem Siliciumoxidfilm versehen ist.The flow sensor according to claim 1, wherein at least a portion of the main surface of the first semiconductor chip is provided with a polyimide film, a silicon nitride film, a polysilicon film, or a silicon oxide film. Strömungssensor nach Anspruch 1, wobei eine Höhe des Rahmenkörpers oder des Versiegelungskörpers größer als eine Höhe der Hauptfläche des ersten Halbleiterchips, der die Strömungsdetektionseinheit enthält, in irgendeinem Querschnitt, der die freigelegte Strömungsdetektionseinheit enthält, ist. The flow sensor of claim 1, wherein a height of the frame body or the sealing body is greater than a height of the main surface of the first semiconductor chip containing the flow detection unit in any cross section including the exposed flow detection unit. Strömungssensor nach Anspruch 1, wobei ein Rahmenabschnitt, der den Rahmenkörper bildet, und die Membran so angeordnet sind, dass sie einander nicht überlappen.A flow sensor according to claim 1, wherein a frame portion constituting the frame body and the diaphragm are arranged so as not to overlap each other. Strömungssensor nach Anspruch 1, wobei eine plattenähnliche Struktur zwischen den ersten Chiphalterungsabschnitt und den ersten Halbleiterchip eingefügt ist.The flow sensor according to claim 1, wherein a plate-like structure is interposed between the first chip holder portion and the first semiconductor chip. Strömungssensor, der umfasst: (a) einen ersten Chiphalterungsabschnitt; und (b) einen ersten Halbleiterchip, der an dem ersten Chiphalterungsabschnitt angeordnet ist, wobei der erste Halbleiterchip (b1) eine Strömungsdetektionseinheit, die auf einer Hauptfläche eines ersten Halbleitersubstrats ausgebildet ist, und (b2) eine Membran, die in einem Bereich einer Rückseite des ersten Halbleitersubstrats ausgebildet ist, die sich auf der gegenüberliegenden Seite der Hauptfläche des ersten Halbleitersubstrats befindet, wobei sich der Bereich auf der gegenüberliegenden Seite der Strömungsdetektionseinheit befindet, enthält ein Rahmenkörper, der an dem ersten Halbleiterchip angeordnet ist, einen Öffnungsabschnitt aufweist, der wenigstens die Strömungsdetektionseinheit freilegt, und eine größere Höhe als die Strömungsdetektionseinheit, wenn sie an dem ersten Halbleiterchip angebracht ist, aufweist, enthalten ist und ein Abschnitt des ersten Halbleiterchips mit einem Versiegelungskörper, der ein Harz enthält, in einem Zustand versiegelt ist, dass die Strömungsdetektionseinheit, die in dem ersten Halbleiterchip ausgebildet ist, von dem Öffnungsabschnitt des Rahmenkörpers freigelegt ist.Flow sensor comprising: (a) a first chip holder portion; and (B) a first semiconductor chip, which is arranged on the first chip holder portion, wherein the first semiconductor chip (b1) a flow detection unit formed on a main surface of a first semiconductor substrate, and (b2) a diaphragm formed in a region of a back surface of the first semiconductor substrate located on the opposite side of the main surface of the first semiconductor substrate, the region being on the opposite side of the flow detection unit a frame body disposed on the first semiconductor chip has an opening portion exposing at least the flow detection unit and having a height larger than that of the flow detection unit when mounted on the first semiconductor chip, and a portion of the first semiconductor chip is sealed with a sealing body containing a resin in a state that the flow detection unit formed in the first semiconductor chip is exposed from the opening portion of the frame body. Herstellungsverfahren für einen Strömungssensor, der umfasst: einen ersten Chiphalterungsabschnitt; und einen ersten Halbleiterchip, der an dem ersten Chiphalterungsabschnitt angeordnet ist, wobei der erste Halbleiterchip eine Strömungsdetektionseinheit, die auf einer Hauptfläche eines ersten Halbleitersubstrats ausgebildet ist, und eine Membran, die in einem Bereich einer Rückseite des ersten Halbleitersubstrats ausgebildet ist, die sich auf der gegenüberliegenden Seite der Hauptfläche des ersten Halbleitersubstrats befindet, wobei sich der Bereich auf der gegenüberliegenden Seite der Strömungsdetektionseinheit befindet, enthält, ein Rahmenkörper, der an dem ersten Halbleiterchip angeordnet ist, einen Öffnungsabschnitt aufweist, der wenigstens die Strömungsdetektionseinheit freilegt, einen kleineren Elastizitätsmodul als der erste Halbleiterchip aufweist und eine größere Höhe als die Strömungsdetektionseinheit, wenn sie an dem ersten Halbleiterchip angebracht ist, aufweist, enthalten ist und ein Abschnitt des ersten Halbleiterchips mit einem Versiegelungskörper, der ein Harz enthält, in einem Zustand versiegelt ist, dass die Strömungsdetektionseinheit, die in dem ersten Halbleiterchip ausgebildet ist, von dem Öffnungsabschnitt des Rahmenkörpers freigelegt ist, wobei das Verfahren umfasst: (a) einen Schritt des Vorbereitens eines Basismaterials, das den ersten Chiphalterungsabschnitt aufweist; (b) einen Schritt des Vorbereitens des ersten Halbleiterchips; (c) einen Schritt des Anbringens des ersten Halbleiterchips an dem ersten Chiphalterungsabschnitt; (d) einen Schritt des Anordnens des Rahmenkörpers an dem ersten Halbleiterchip, so dass die Strömungsdetektionseinheit in dem Öffnungsabschnitt enthalten ist, der für den Rahmenkörper vorgesehen ist, nach dem Schritt (c); und (e) einen Schritt des Versiegelns eines Abschnitts des ersten Halbleiterchips mit dem Versiegelungskörper, während die in dem ersten Halbleiterchip ausgebildete Strömungsdetektionseinheit freigelegt ist, nach dem Schritt (d), wobei der Schritt (e) ferner enthält: (e1) einen Schritt des Vorbereitens einer oberen Form und einer unteren Form, (e2) einen Schritt, bei dem das Basismaterial mit dem daran angebrachten ersten Halbleiterchip durch einen zweiten Raum zwischen der oberen Form und der unteren Form gehalten wird, während ein erster Raum, der die Strömungsdetektionseinheit umgibt, gebildet wird, indem eine Unterseite der oberen Form in engen Kontakt mit dem Rahmenkörper gebracht wird, nach dem Schritt (e1), und (e3) einen Schritt des Gießens des Harzes in den zweiten Raum nach dem Schritt (e2).A manufacturing method for a flow sensor, comprising: a first chip holding portion; and a first semiconductor chip disposed on the first chip mounting portion, wherein the first semiconductor chip a flow detection unit formed on a main surface of a first semiconductor substrate, and a diaphragm formed in a region of a back side of the first semiconductor substrate located on the opposite side of the main surface of the first semiconductor substrate, the region being on the opposite side of the flow detection unit, a frame body disposed on the first semiconductor chip has an opening portion that exposes at least the flow detection unit, has a smaller elastic modulus than the first semiconductor chip and has a greater height than the flow detection unit when mounted on the first semiconductor chip and a portion of the first semiconductor chip is sealed with a sealing body containing a resin in a state that the flow detection unit formed in the first semiconductor chip is exposed from the opening portion of the frame body, the method comprising: (a) a step of preparing a base material having the first chip holding portion; (b) a step of preparing the first semiconductor chip; (c) a step of attaching the first semiconductor chip to the first chip mounting portion; (d) a step of arranging the frame body on the first semiconductor chip so that the flow detecting unit is included in the opening portion provided for the frame body after the step (c); and (e) a step of sealing a portion of the first semiconductor chip with the sealing body while the flow detection unit formed in the first semiconductor chip is exposed after the step (d), wherein Step (e) further includes: (e1) a step of preparing an upper mold and a lower mold, (e2) a step of holding the base material with the first semiconductor chip attached thereto through a second space between the upper mold and the lower mold while forming a first space surrounding the flow detecting unit by forming a lower surface of the upper mold is brought into close contact with the frame body, after the step (e1), and (e3) a step of pouring the resin into the second space after the step (e2). Herstellungsverfahren für einen Strömungssensor nach Anspruch 13, wobei der erste Halbleiterchip einen Steuerschaltungsabschnitt aufweist, der die Strömungsdetektionseinheit steuert.The manufacturing method for a flow sensor according to claim 13, wherein the first semiconductor chip has a control circuit section that controls the flow detection unit. Herstellungsverfahren für einen Strömungssensor nach Anspruch 13, das ferner umfasst: (f) einen Schritt des Vorbereitens eines zweiten Halbleiterchips, der eine Steuerschaltung aufweist, die die Strömungsdetektionseinheit steuert, vor dem Schritt (c), wobei das im Schritt (a) vorbereitete Basismaterial einen zweiten Chiphalterungsabschnitt enthält, der zweite Halbleiterchip an dem zweiten Chiphalterungsabschnitt im Schritt (c) angebracht wird, der zweite Halbleiterchip mit dem Versiegelungskörper im Schritt (e) versiegelt wird und in dem Schritt (e2) das Basismaterial mit dem daran angebrachten ersten Halbleiterchip und zweiten Halbleiterchip durch den zweiten Raum zwischen der oberen Form und der unteren Form gehalten wird, während der erste Raum, der die Strömungsdetektionseinheit umgibt, gebildet wird, indem die Unterseite der oberen Form in engen Kontakt mit dem Rahmenkörper gebracht wird.The manufacturing method for a flow sensor according to claim 13, further comprising: (f) a step of preparing a second semiconductor chip having a control circuit that controls the flow detection unit, before step (c), wherein the base material prepared in step (a) has a base material second chip holder portion, the second semiconductor chip is attached to the second chip holder portion in step (c), the second semiconductor chip is sealed with the sealing body in step (e), and in step (e2) the base material with the first semiconductor chip and the second semiconductor chip attached thereto is held by the second space between the upper mold and the lower mold while the first space forming the flow detecting unit is formed by bringing the lower surface of the upper mold into close contact with the frame body. Herstellungsverfahren für einen Strömungssensor nach Anspruch 13, wobei der Rahmenkörper einen Wandabschnitt enthält, der zu wenigstens einer Seitenfläche des ersten Halbleiterchips parallel ist, und der Rahmenkörper an dem ersten Halbleiterchip angeordnet ist, während der Wandabschnitt im Schritt (d) in engen Kontakt mit der Seitenfläche des ersten Halbleiterchips gebracht wird.A manufacturing method of a flow sensor according to claim 13, wherein the frame body includes a wall portion that is parallel to at least one side surface of the first semiconductor chip, and the frame body is disposed on the first semiconductor chip while the wall portion is brought into close contact with the side surface of the first semiconductor chip in the step (d). Herstellungsverfahren für einen Strömungssensor nach Anspruch 13, wobei die obere Form im Schritt (e2) durch einen Film eines elastischen Körpers in engen Kontakt mit dem Rahmenkörper gebracht wird.A manufacturing method of a flow sensor according to claim 13, wherein the upper mold is brought into close contact with the frame body by a film of an elastic body in the step (e2).
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