DE112012001222T5 - Leitende Metallpaste für eine Metal-Wrap-Through-Siliciumsolarzelle - Google Patents
Leitende Metallpaste für eine Metal-Wrap-Through-Siliciumsolarzelle Download PDFInfo
- Publication number
- DE112012001222T5 DE112012001222T5 DE112012001222.4T DE112012001222T DE112012001222T5 DE 112012001222 T5 DE112012001222 T5 DE 112012001222T5 DE 112012001222 T DE112012001222 T DE 112012001222T DE 112012001222 T5 DE112012001222 T5 DE 112012001222T5
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- conductive metal
- metal paste
- phosphorus
- group
- fluorine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 96
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 44
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 39
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 38
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 20
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 15
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- -1 phosphides Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VKCLPVFDVVKEKU-UHFFFAOYSA-N S=[P] Chemical class S=[P] VKCLPVFDVVKEKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N phosphoryl Chemical class [P]=O LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 2
- 229940104869 fluorosilicate Drugs 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 2
- LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N triethylborane Chemical compound CCB(CC)CC LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 6
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical group CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 6
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 2-Ethyl-1,3-hexanediol Chemical compound CCCC(O)C(CC)CO RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960005082 etohexadiol Drugs 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N (Z)-beta-Terpineol Natural products CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical class CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 2-cyanobenzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC=C1C#N TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000005632 Capric acid (CAS 334-48-5) Substances 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- 235000021360 Myristic acid Nutrition 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N Myristic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCC(O)=O TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003791 organic solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000006254 rheological additive Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N syringin Chemical compound COC1=CC(\C=C\CO)=CC(OC)=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- PYVOHVLEZJMINC-UHFFFAOYSA-N trihexyl(tetradecyl)phosphanium Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC[P+](CCCCCC)(CCCCCC)CCCCCC PYVOHVLEZJMINC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011345 viscous material Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
- H01L31/02245—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for metallisation wrap-through [MWT] type solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
Leitende Metall-Durchgangsloch-Paste, umfassend partikuliertes leitendes Metall, einen Reaktant, der bei Temperaturen von 600°C bis 900°C mit mindestens einem aus der Gruppe, bestehend aus Si, SiO2 und SiNx, reagiert, um ein Isolierglas zu bilden, und einen organischen Trägerstoff, der insbesondere nützlich ist zur Bereitstellung der Metallisierung der Löcher in den Siliciumscheiben von MWT-Solarzellen. Das Ergebnis ist ein metallisches, elektrisch leitendes Durchgangsloch zwischen den Kollektorleitungen an der Vorderseite und der Emitterelektrode an der Rückseite der Solarzelle. Die Paste kann auch verwendet werden, um die Kollektorleitungen an der Vorderseite der Solarzelle und die Emitterelektrode an der Rückseite der Solarzelle zu bilden. Außerdem werden Metal-Wrap-Through-Siliciumsolarzellen offenbart, umfassend die gebrannte leitende Metallpaste.
Description
- GEBIET DER ERFINDUNG
- Diese Erfindung betrifft eine leitende Metallpaste zur Verwendung in einer Metal-Wrap-Through- bzw. MWT-Siliciumsolarzelle und die mit der leitenden Metallpaste hergestellten MWT-Siliciumsolarzellen.
- STAND DER TECHNIK
- Eine konventionelle Solarzelle mit einer Siliciumbasis vom Typ p (p-dotiert) weist einen Emitter vom Typ n (n-dotiert) in der Form einer n-Diffusionsschicht an ihrer Vorderseite auf. Diese konventionelle Siliciumsolarzellen-Struktur verwendet eine negative Elektrode zum Kontaktieren der Vorderseite, d. h. der Sonnenseite, der Zelle und eine positive Elektrode an der Rückseite. Es ist gut bekannt, dass Strahlung einer geeigneten Wellenlänge, die auf einen p-n-Übergang eines Halbleiters fällt, als eine Quelle externer Energie zum Erzeugen von Elektronen-Loch-Paaren dient. Die Potenzialdifferenz, die an einem p-n-Übergang vorhanden ist, bewirkt, dass Löcher und Elektronen über dem Übergang sich in entgegengesetzte Richtungen bewegen, wodurch sie den Fluss eines elektrischen Stroms hervorrufen, der imstande ist, Leistung zu einer externen Schaltung zu liefern. Die meisten Solarzellen sind in der Form einer Siliciumscheibe, die metallisiert wurde, d. h. mit Metallelektroden versehen wurde, die elektrisch leitend sind. Typischerweise ist die Metallisierung der Vorderseite in der Form eines so genannten H-Musters, d. h. in der Form einer Gitterkathode, die dünne parallele Fingerleitungen (Kollektorleitungen) und Sammelschienen, die die Fingerleitungen in rechten Winkeln schneiden, umfasst, während die Metallisierung der Rückseite eine Aluminiumanode in elektrischer Verbindung mit Silber- oder Silber/Aluminium-Sammelschienen oder -Laschen ist. Der photoelektrische Strom wird mittels dieser beiden Elektroden erfasst.
- Alternativ ist auch eine umgekehrte Solarzellenstruktur mit einer n-Siliciumbasis bekannt. Diese Zelle weist eine vordere Siliciumoberfläche vom Typ p (vorderer p-Emitter) mit einer positiven Elektrode an der Vorderseite und einer negativen Elektrode zum Kontaktieren der Rückseite der Zelle auf. Solarzellen mit n-Siliciumbasen (n-Siliciumsolarzellen) können im Vergleich mit Solarzellen mit p-Siliciumbasen aufgrund der reduzierten Rekombinationsgeschwindigkeit von Elektronen in dem n-dotierten Silicium in der Theorie höhere Effizienzgewinne produzieren.
- Wie im Fall der konventionellen Siliciumsolarzellen können MWT-Siliciumsolarzellen als MWT-Siliciumsolarzellen, die eine p-Siliciumbasis aufweisen, oder als Alternative als MWT-Siliciumsolarzellen, die eine n-Siliciumbasis aufweisen, produziert werden. Wie bei konventionellen Solarzellen ist der Emitter einer MWT-Solarzelle typischerweise von einer dielektrischen Passivierungsschicht bedeckt, die als eine Antireflexbelag- bzw. ARC-Schicht dient. MWT-Siliciumsolarzellen weisen jedoch eine Zellenkonstruktion auf, die von der konventioneller Solarzellen verschieden ist. Die vorderseitigen Elektroden konventioneller Solarzellen reduzieren die effektive photosensitive Fläche, die an der Vorderseite der Solarzelle verfügbar ist, und reduzieren dadurch die Leistung der Solarzelle. MWT-Solarzellen weisen beide Elektroden an der Rückseite der Solarzelle auf. Dies wird durch Bohren, z. B. mit einem Laser, von kleinen Löchern erreicht, die Kontaktlöcher zwischen der Vorderseite und der Rückseite der Zelle bilden.
- Die Vorderseite der MWT-Siliciumsolarzelle ist mit einer Vorderseiten-Metallisierung in der Form von dünnen leitenden Metall-Kollektorleitungen versehen, die in einem für MWT-Siliciumsolarzellen typischen Muster angeordnet sind, z. B. in einem Gitter- oder Wabenähnlichen Muster oder als dünne parallele Fingerleitungen. Die Kollektorleitungen werden aus einer leitenden Metallpaste mit Durchbrennfähigkeit aufgetragen. Nach dem Trocknen werden die Kollektorleitungen durch die vorderseitige dielektrische Passivierungsschicht gebrannt, so dass sie Kontakt mit der Vorderseite des Siliciumsubstrats herstellen. Der Begriff „Metallpaste mit Durchbrennfähigkeit” bedeutet eine Metallpaste, die beim Brennen durch eine Passivierungs- oder ARC-Schicht ätzt und diese durchdringt (durchbrennt), so dass elektrischer Kontakt mit der Oberfläche des Siliciumsubstrats hergestellt wird.
- Die Innenseite der Löcher und, wenn vorhanden, der schmale Rand um die Vorderkanten der Löcher, d. h. die Diffusionsschicht, die nicht von der dielektrischen Passivierungsschicht bedeckt ist, wird mit einer Metallisierung versehen, entweder in der Form einer leitenden Metallschicht an den Seite des Lochs oder in der Form eines leitenden Metallstöpsels, der das Loch vollständig mit leitendem Metall füllt. Die Anschlussklemmen der Kollektorleitungen überlappen mit den Metallisierungen der Löcher und sind daher elektrisch damit verbunden. Die Kollektorleitungen werden aus einer leitenden Metallpaste mit Durchbrennfähigkeit aufgetragen. Die Metallisierungen der Löcher werden typischerweise aus einer leitenden Metallpaste aufgetragen und dann gebrannt. Die Metallisierungen der Löcher dienen als Emitterkontakte und bilden rückseitige Elektroden, die mit dem Emitter verbunden sind, oder andere Metallablagerungen, die als mit dem Emitter verbundene rückseitige Elektroden dienen, elektrisch kontaktieren.
- Die Elektroden der Rückseite einer MWT-Siliciumsolarzelle sind ebenfalls direkt mit der Siliciumbasis verbunden. Diese Elektroden sind von den Metallisierungen der Löcher und den Emitterelektroden elektrisch isoliert. Der photoelektrische Strom wird von diesen beiden verschiedenen rückseitigen Elektroden, d. h. den mit dem Emitter verbundenen und den mit der Basis verbundenen, erfasst.
- Brennen wird typischerweise in einem Förderband-Ofen für eine Zeitdauer von mehreren Minuten bis mehreren zehn Minuten ausgeführt, wobei die Scheibe eine Spitzentemperatur im Bereich von 600°C bis 900°C erreicht.
- Die Wirksamkeit der MWT-Solarzelle ist verbessert, da die Emitterelektrode an der Rückseite angeordnet ist und daher Abschattung der photosensitiven Fläche, die an der Vorderseite der Solarzelle verfügbar ist, reduziert. Außerdem können die Emitterelektroden größer bemessen werden und reduzieren dadurch ohmsche Verluste, und alle elektrischen Verbindungen werden an der Rückseite hergestellt.
- Beim Produzieren einer MWT-Solarzelle besteht ein Bedarf nach einer leitenden Paste, die in einem metallisierten Loch resultiert, das: (1) einen ausreichend niedrigen Serienwiderstand zwischen den Kollektorleitungen und der Emitterelektrode aufweist, (2) eine gute Anhaftung an die Seiten des Lochs und an das Silicium an der Rückseite der Solarzelle aufweist und (3) einen ausreichend hohen Widerstandsnebenschluss aufweist, um schädliche elektrische Verbindung zwischen Teilen der Zelle, d. h. den Emitter und der Basis, zu verhindern.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine leitende Metallpaste, umfassend:
- (a) partikuliertes leitendes Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Silber, Kupfer, Nickel und Mischungen davon;
- (b) einen Reaktant, der bei Temperaturen von 600°C bis 900°C mit mindestens einem aus der Gruppe, bestehend aus Si, SiO2 und SiNx, reagiert, um ein Isolierglas zu bilden; und
- (c) einen organischen Trägerstoff, wobei das partikulierte leitende Metall und der Reaktant in dem organischen Trägerstoff dispergiert sind.
- Diese leitende Metallpaste ist insbesondere nützlich zur Bereitstellung der Metallisierung der Löcher in den Siliciumscheiben von MWT-Solarzellen. Diese Metallisierung resultiert in einem metallischen, elektrisch leitenden Durchgangsloch zwischen den Kollektorleitungen an der Vorderseite und der Emitterelektrode an der Rückseite der Solarzelle.
- Außerdem wird eine Metal-Wrap-Through-Siliciumsolarzelle bereitgestellt, umfassend die gebrannte leitende Metallpaste der Erfindung.
- AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
- Die leitende Metall-Durchgangsloch-Paste der vorliegenden Erfindung gestattet die Produktion von MWT-Siliciumsolarzellen mit verbesserter Leistung. Die leitende Metallpaste weist eine gute Lochfüllungskapazität auf. Die gebrannte leitende Metallpaste haftet gut an die Innenseite der Löcher der Siliciumscheibe und an das Silicium an der Rückseite der Solarzelle und stellt einen ausreichend hohen Widerstandsnebenschluss und einen ausreichend niedrigen Serienwiderstand bereit.
- In einer Ausführungsform umfasst die leitende Metallpaste partikuliertes leitendes Metall, einen Reaktant, der bei Temperaturen von 600°C bis 900°C mit mindestens einem aus der Gruppe, bestehend aus Si, SiO2 und SiNx, reagiert, um ein Isolierglas zu bilden, und einen organischen Trägerstoff. In einer anderen Ausführungsform umfasst die leitende Metallpaste ferner einen Sinterhemmstoff.
- Die leitende Metallpaste umfasst mindestens ein partikuliertes, elektrisch leitenden Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Silber, Kupfer und Nickel. Das partikulierte, elektrisch leitende Metall ist vorzugsweise Silber. Das partikulierte Silber kann aus Silber oder einer Silberlegierung mit einem oder mehreren anderen Metallen wie Kupfer, Nickel und Palladium bestehen. Das partikulierte, elektrisch leitende Metall kann unbeschichtet oder mindestens teilweise mit einem Tensid beschichtet sein. Der Tensid kann aus Stearinsäure, Palmitinsäure, Laurinsäure, Oleinsäure, Caprinsäure, Myristinsäure und Linolsäule und Salzen davon, z. B. Ammonium-, Natrium- oder Kaliumsalze, ausgewählt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
- Die Partikelgröße des partikulierten, elektrisch leitenden Metalls liegt im Bereich von 0,5 bis 5 μm. Der Ausdruck „Partikelgröße” wird hierin verwendet, um den mittleren Partikeldurchmesser, d50, wie mittels Laserdiffraktion bestimmt, anzugeben.
- Das partikulierte, elektrisch leitende Metall ist in der leitenden Metallpaste in einem Anteil von 70 bis 92 Gew.-% basierend auf dem Gesamtgewicht der leitenden Metallpasten-Zusammensetzung vorhanden. In einer Ausführungsform ist das partikulierte, elektrisch leitende Metall in der leitenden Metallpaste in einem Anteil von 75 bis 90 Gew.-% vorhanden.
- Die leitende Metallpaste umfasst außerdem einen Reaktant, der mit einer Komponente einer Siliciumsolarzelle reagiert, d. h. mit mindestens einem aus der Gruppe, bestehend aus Si, SiO2 und SiNx, um ein Isolierglas zu bilden. In einer Ausführungsform ist der Reaktant ein Phosphor enthaltendes Material und ist das Isolierglas Phosphosilicatglas. Das Phosphor enthaltende Material ist aus der Gruppe ausgewählt, bestehend aus Phosphoroxiden, Phosphorsalzen, Phosphoroxysäuren, Phosphorsulfiden, Phosphiden, Phosphor enthaltenden Tensiden, Phosphor enthaltenden Glasfritten und Mischungen davon. Die Phosphorsalze enthalten Phosphoniumsalze, Phosphate und Phosphinate. Die Phosphoroxysäuren enthalten Phosphorsäure, phosphorige Säure und hypophosphorige Säure. In mehreren verschiedenen Ausführungsformen umfasst das Phosphor enthaltende Material ein oder mehrere Materialien, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus H3PO4, P2O5, BPO4 und Phosphor enthaltenden organischen Verbindungen wie Phosphonium-basierte ionische Flüssigkeiten und insbesondere Trihexyl(tetradecyl)phosphonium-bis-2,4,4-(trimethylpentyl)phosphinat.
- In einer anderen Ausführungsform ist der Reaktant sowohl ein Phosphor enthaltendes Material als auch ein Bor enthaltendes Material und ist das Isolierglas Borphosphosilicatglas. Das Phosphor enthaltende Material ist ein beliebiges der oben aufgelisteten Phosphor enthaltenden Materialien. Das Bor enthaltende Material ist aus der Gruppe ausgewählt, bestehend aus Borpulver, einer stabilen Suspension aus Bor, Borsäure, BBr3, Triethylboran, Bor enthaltender Glasfritte und Mischungen davon. Wenn Bor enthaltende Glasfritte als das Bor enthaltende Material verwendet wird, ist es reaktiver, wenn es Si-frei und Al-frei ist.
- In einer weiteren Ausführungsform ist der Reaktant ein Fluor enthaltendes Material und ist das Isolierglas Fluorosilicatglas. Das Fluor enthaltende Material ist aus der Gruppe ausgewählt, bestehend aus Fluor enthaltender Glasfritte. In einer Ausführungsform weist die Fluor enthaltende Glasfritte eine Fluor enthaltende Komponente auf, die aus der Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus Fluoriden, Fluorsalzen, Oxyfluoriden und Mischungen davon. In einigen Ausführungsformen weist die Fluor enthaltende Glasfritte eine Fluor enthaltende Komponente auf, die aus der Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus BiF3, AlF3, NaF, LiF, KF, CsF, ZrF4, TiF4, ZnF3 und Mischungen davon.
- In einer Ausführungsform beträgt die Menge des Reaktants, d. h. die Menge Phosphor, die Menge Phosphor und Bor oder die Menge Fluor, in der leitenden Metallpaste von 0,1 bis 5 Gew.-Prozent basierend auf dem Gesamtgewicht der leitenden Metallpaste. In einer anderen Ausführungsform beträgt die Menge des Reaktants in der leitenden Metallpaste von 0,5 bis 3 Gew.-Prozent basierend auf dem Gesamtgewicht der leitenden Metallpaste. In einer weiteren Ausführungsform beträgt die Menge des Reaktants in der leitenden Metallpaste von 1 bis 2 Gew.-Prozent basierend auf dem Gesamtgewicht der leitenden Metallpaste.
- Die leitende Metallpaste umfasst einen organischen Trägerstoff. Der organische Trägerstoff ist ein organisches Lösungsmittel oder eine organische Lösungsmittelmischung oder der organische Trägerstoff ist in einer anderen Ausführungsform eine Lösung aus organischem Polymer in organischem Lösungsmittel.
- Eine große Vielfalt von inerten viskosen Materialien kann als organischer Trägerstoff verwendet werden. Der organische Trägerstoff ist einer, in dem die anderen Bestandteile, d. h. das partikulierte leitende Metall und der Reaktant, mit einem adäquaten Grad von Stabilität dispergierbar sind. Die Eigenschaften, insbesondere die rheologischen Eigenschaften, des organischen Trägerstoffs müssen derart sein, dass sie der leitenden Metallpasten-Zusammensetzung gute Aufbringungseigenschaften verleihen, einschließlich von: stabile Dispersion von nicht löslichen Feststoffen, geeignete Viskosität und Thixotropie für Auftragung, geeignete Benetzbarkeit der Feststoffe der Paste, eine gute Trocknungsrate und gute Brenneigenschaften.
- Der organische Trägerstoff ist typischerweise eine Lösung aus einem oder mehreren Polymeren in einem oder mehreren Lösungsmitteln. Das am häufigsten für diesen Zweck verwendete Polymer ist Ethylcellulose. Andere Beispiele von Polymeren enthalten Ethylhydroxyethylcellulose, Wurzelkolophonium, Mischungen aus Ethylcellulose und Phenolharzen, Polymethacrylate von niederen Alkoholen und Monobutylether von Ethylenglycolmonoacetat. Die in Dickfilm-Zusammensetzungen am verbreitesten gefundenen Lösungsmittel sind Esteralkohole und Terpene wie Alpha- oder Beta-Terpineol oder Mischungen davon mit anderen Lösungsmitteln wie Kerosin, Dibutylphthalat, Butylcarbitol, Butylcarbitolacetat, Hexylenglycol und hochsiedende Alkohole und Alkoholester. Außerdem können flüchtige Flüssigkeiten zum Fördern von schnellem Härten nach der Aufbringung auf das Substrat in dem Trägerstoff enthalten sein. Verschiedene Kombinationen dieser und anderer Lösungsmittel werden formuliert, um die gewünschten Viskositäts- und Flüchtigkeitsanforderungen zu erhalten.
- Der Gehalt an organischem Trägerstoff in der leitenden Metallpaste ist von dem Auftragungsverfahren der Paste und der Art des verwendeten organischen Trägerstoffs abhängig. In einer Ausführungsform beträgt er von 5 bis 25 Gew.-% basierend auf dem Gesamtgewicht der leitenden Metallpasten-Zusammensetzung. In einer anderen Ausführungsform beträgt er von 7 bis 15 Gew.-% basierend auf dem Gesamtgewicht der leitenden Metallpasten-Zusammensetzung. Diese Gew.-% enthalten das organische Lösungsmittel, etwaiges organisches Polymer und etwaige andere organische Zusätze.
- Die leitende Metallpaste kann einen oder mehrere andere organische Zusätze enthalten, beispielsweise Tenside, Dickungsmittel, Rheologie-Modifikatoren und Stabilisatoren. Ein organischer Zusatz kann Bestandteil des organischen Trägerstoffs sein. Es ist jedoch auch möglich, einen organischen Zusatz beim Herstellen der leitenden Metallpaste separat hinzuzufügen.
- In einer Ausführungsform besteht die leitende Metallpaste ferner aus einem Sinterhemmstoff. Der Sinterhemmstoff verlangsamt das Sintern, und es wird angenommen, dass er dadurch Nebenschlussbildung reduziert. Der Sinterhemmstoff ist aus der Gruppe ausgewählt, bestehend aus Titanresinat, Titandioxid, Aluminiumoxid, Zinkoxid, Mangandioxid, Siliciumdioxid, Rhodiumresinat und jeglicher Verbindung, die sich bei Temperaturen von 600°C bis 900°C zu einem dieser Oxide zersetzt, und Mischungen davon.
- Die Auftragungsviskosität der leitenden Metallpaste kann 20 bis 200 Pa·s betragen, wenn sie bei einer Spindeldrehzahl von 10 U/min. und 25°C durch einen Nutzbecher unter Verwendung eines Viskosimeters Brookfield HBT und einer Spindel Nr. 14 gemessen wird.
- Die leitende Metallpaste wird auf die Löcher der Siliciumscheibe aufgetragen, um Metallisierung und ein leitendes Durchgangsloch von der Vorderseite zu der Rückseite der Metal-Wrap-Through-Solarzelle oder von der Rückseite zu der Vorderseite bereitzustellen. Die leitende Metallpaste wird in einer Weise aufgetragen, um das Loch vollständig mit leitendem Metall zu füllen, oder in der Form einer Schicht, um mindestens die Innenseite der Löcher mit einer Metallisierung zu bedecken, d. h. um die Metallisierungen mindestens der Innenseite der Löcher zu bilden.
- Das Verfahren zum Auftragen der leitenden Metallpaste kann Drucken sein, beispielsweise Siebdruck. Die Auftragung kann von der Vorderseite und/oder von der Rückseite der Solarzelle durchgeführt werden.
- Nach der Auftragung wird die leitende Metallpaste getrocknet, beispielsweise für eine Zeitdauer von 1 bis 10 Minuten, wobei die Siliciumscheibe eine Spitzentemperatur im Bereich von 100°C bis 300°C erreicht. Trocknen kann unter Verwendung von beispielsweise Förderband-, Rotations- oder stationären Trocknern und insbesondere IR- bzw. Infrarot-Förderband-Trocknern ausgeführt werden.
- Die getrocknete leitende Metallpaste wird gebrannt, um die fertige Metallisierungen der Löcher zu bilden. Diese Metallisierungen dienen als Emitterkontakte und rückseitige Kontakte der MWT-Siliciumsolarzelle. Das Brennen wird für eine Zeitdauer von 1 bis 5 Minuten durchgeführt, wobei die Siliciumscheibe eine Spitzentemperatur im Bereich von 600°C bis 900°C erreicht. Das Brennen kann unter Nutzung von Einzel- oder Mehrzonen-Förderband-Öfen, insbesondere Mehrzonen-IR-Förderband-Öfen, durchgeführt werden. Das Brennen kann in einer inerten Gas-Atmosphäre oder in Gegenwart von Sauerstoff, z. B. in Gegenwart von Luft, stattfinden. Während des Brennens wird die organische Substanz einschließlich von nichtflüchtigem organischem Material und des beim Trocknen nicht verdampften organischen Anteils entfernt. Die beim Brennen entfernte organische Substanz enthält organisches Lösungsmittel, organisches Polymer und etwaige organische Zusätze.
- Der Brennprozess der leitenden Metallpaste kann ein Co-Brennprozess sein, bei dem vorderseitige Metallisierung in der Form von dünnen leitenden Metall-Kollektorleitungen, die in einem für MWT-Siliciumsolarzellen typischen Muster angeordnet sind und aus einer leitenden Metallpaste aufgebracht werden, und/oder rückseitige Kollektorkontakte aus Silber, die aus einer rückseitigen Silberpaste aufgebracht werden, gleichzeitig gebrannt werden.
- Außerdem wird eine Metal-Wrap-Through-Solarzelle bereitgestellt, umfassend die gebrannte leitende Metallpaste der Erfindung.
- Beispiel
- Dieses Beispiel wurde ausgeführt, um eine leitende Metallpaste der Erfindung unter Verwendung der folgenden Komponenten in den angegebenen Anteilen nach Gewicht herzustellen:
8,0 Teile organischen Trägerstoff aus Ethylcellulose, gelöst in Lösungsmittel, wobei die Ethylcellulose etwa 10 Gew.-% des Gesamtgewichts der Lösung ausmacht;
2,0 Teile Terpineol;
0,75 Teile Thixotrol® für Rheologie der Paste (bezogen von Rheox, Inc., Hightstown, N. J.);
0,2 Teile butyliertes Hydroxytolueneionol (bezogen von PMC Specialities Group, Cincinnati, Ohio);
5 Teile Lösung, enthaltend 85 Gew.-% Phosphorsäure:
80,5 Teile Ag-Pulver;
0,2 Teile Octylenglycoltitanat, ein Titanresinat-Sinterhemmstoff (bezogen von Tioxide Specialities Ltd.) - Sämtliche der Komponenten außer dem Ag-Pulver wurden für Minuten in einer Mischdose gemischt. Die Glasfritte und das Silberpulver wurden dann hinzugefügt und das Mischen wurde für weitere 15 Minuten fortgesetzt. Da das Ag-Pulver den hauptsächlichen Anteil der Feststoffe ausmachte, wurde es nach und nach hinzugefügt, um eine bessere Benetzung zu gewährleisten. Nach Beendigung des Mischens wurde die resultierende Paste wiederholt durch ein 3-Walzen-Walzwerk mit zunehmend höheren Drücken von 0 bis 400 psi geführt. Der Abstand des Walzwerks wurde auf 1 mil (25,4 μm) eingestellt. Der Grad der Dispersion wurde nach Mahlfeinheit (FOG) gemessen, um zu gewährleisten, dass die FOG weniger als oder gleich 20/10 betrug.
- Vergleichendes Experiment
- Dieses vergleichende Experiment wurde ausgeführt, um eine Paste der Erfindung, die weniger als 0,1 Gew.-%, d. h. Phosphor, unter Verwendung der folgenden Komponenten in den angegebenen Anteilen nach Gewicht herzustellen:
8,0 Teile organischen Trägerstoff aus Ethylcellulose, gelöst in Lösungsmittel, wobei die Ethylcellulose etwa 10 Gew.-% des Gesamtgewichts der Lösung ausmacht;
4,0 Teile Terpineol;
0,75 Teile Thixotrol® für Rheologie der Paste (bezogen von Rheox, Inc., Hightstown, N. J.);
0,2 Teile butyliertes Hydroxytolueneionol (bezogen von PMC Specialities Group, Cincinnati, Ohio);
1 Teil Lösung, enthaltend 1 Gew.-% Phosphorsäure:
0,25 Teile Glasfritte G aus Tabelle I;
85,25 Teile Ag-Pulver;
0,2 Teile Octylenglycoltitanat, ein Titanresinat-Sinterhemmstoff (bezogen von Tioxide Specialities Ltd.) - Die Paste wurde hergestellt, wie für das Beispiel beschrieben.
- Als die beiden Pasten zum Füllen der Solarzellen-Durchgangslöcher verwendet und dann gebrannt wurden,
- Die Paste des Beispiels zeigte einen höheren Widerstandsnebenschluss als die des vergleichenden Experiments.
- Die Paste wurde hergestellt, wie für das Beispiel beschrieben.
- Als die Pasten aus dem Beispiel und dem vergleichenden Experiment zum Füllen der Solarzellen-Durchgangslöcher verwendet und dann gebrannt wurden, zeigte die Paste des Beispiels einen höheren Widerstandsnebenschluss als die des vergleichenden Experiments.
Claims (15)
- Leitende Metallpaste, umfassend: (a) partikuliertes leitendes Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Silber, Kupfer, Nickel, Palladium und Mischungen davon; (b) einen Reaktant, der bei Temperaturen von 600°C bis 900°C mit mindestens einem aus der Gruppe, bestehend aus Si, SiO2 und SiNx, reagiert, um ein Isolierglas zu bilden; und (c) einen organischen Trägerstoff, wobei das partikulierte leitende Metall und der Reaktant in dem organischen Trägerstoff dispergiert sind.
- Leitende Metallpaste nach Anspruch 1, ferner umfassend: (d) einen Sinterhemmstoff, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Titanresinat, Titandioxid, Aluminiumoxid, Zinkoxid, Mangandioxid, Siliciumdioxid, Rhodiumresinat und jeglicher Verbindung, die sich bei Temperaturen von 600°C bis 900°C zu einem dieser Oxide zersetzt, und Mischungen davon.
- Leitende Metallpaste nach Anspruch 1, wobei der Reaktant ein Phosphor enthaltendes Material ist und das Isolierglas Phosphosilicatglas ist.
- Leitende Metallpaste nach Anspruch 3, wobei das Phosphor enthaltende Material aus der Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus Phosphoroxiden, Phosphorsalzen, Phosphoroxysäuren, Phosphorsulfiden, Phosphiden, Phosphor enthaltenden Tensiden, Phosphor enthaltenden Glasfritten und Kombinationen davon.
- Leitende Metallpaste nach Anspruch 1, wobei der Reaktant ein Phosphor enthaltendes Material und ein Bor enthaltendes Material ist und das Isolierglas Borphosphosilicatglas ist.
- Leitende Metallpaste nach Anspruch 5, wobei das Phosphor enthaltende Material aus der Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus Phosphoroxiden, Phosphorsalzen, Phosphoroxysäuren, Phosphorsulfiden, Phosphiden, Phosphor enthaltenden Tensiden und Phosphor enthaltenden Glasfritten, und das Bor enthaltende Material aus der Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus Borpulver, einer stabilen Suspension aus Bor, Borsäure, BBr3, Triethylboran, Bor enthaltender Glasfritte und Kombinationen davon.
- Leitende Metallpaste nach Anspruch 1, wobei der Reaktant ein Fluor enthaltendes Material ist und das Isolierglas Fluorosilicatglas ist.
- Leitende Metallpaste nach Anspruch 7, wobei das Fluor enthaltende Material Fluor enthaltende Glasfritte ist.
- Leitende Metallpaste nach Anspruch 8, wobei die Fluor enthaltende Glasfritte eine Fluor enthaltende Komponente aufweist, die aus der Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus Fluoriden, Fluorsalzen, Oxyfluoriden und Mischungen davon.
- Leitende Metallpaste nach Anspruch 8, wobei die Fluor enthaltende Glasfritte eine Fluor enthaltende Komponente aufweist, die aus der Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus BiF3, AlF3, NaF, LiF, KF, CsF, ZrF4, TiF4, ZnF3 und Mischungen davon.
- Leitende Metallpaste nach Anspruch 1, wobei die Menge des Reaktants in der leitenden Metallpaste von 0,1 bis 3 Gew.-% basierend auf dem Gesamtgewicht der leitenden Metallpaste beträgt.
- Leitende Metallpaste nach Anspruch 1, wobei das partikulierte leitende Metall Silber ist.
- Leitende Metallpaste nach Anspruch 1, wobei die Menge des partikulierten leitenden Metalls in der leitenden Metallpaste von 70 bis 92 Gew.-% basierend auf dem Gesamtgewicht der leitenden Metallpasten-Zusammensetzung beträgt.
- Leitende Metallpaste nach Anspruch 2, wobei der Sinterhemmstoff Titanresinat ist.
- Metal-Wrap-Through-Siliciumsolarzelle, umfassend die gebrannte leitende Metallpaste nach einem der Ansprüche 1–14.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161452771P | 2011-03-15 | 2011-03-15 | |
US61/452,771 | 2011-03-15 | ||
PCT/US2012/029305 WO2012125874A2 (en) | 2011-03-15 | 2012-03-15 | Conductive metal paste for a metal-wrap-through silicon solar cell |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112012001222T5 true DE112012001222T5 (de) | 2014-01-02 |
Family
ID=46827486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112012001222.4T Withdrawn DE112012001222T5 (de) | 2011-03-15 | 2012-03-15 | Leitende Metallpaste für eine Metal-Wrap-Through-Siliciumsolarzelle |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120234384A1 (de) |
CN (1) | CN103959391A (de) |
DE (1) | DE112012001222T5 (de) |
WO (1) | WO2012125874A2 (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120234383A1 (en) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | E.I.Du Pont De Nemours And Company | Conductive metal paste for a metal-wrap-through silicon solar cell |
US9246030B2 (en) * | 2012-09-25 | 2016-01-26 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive silver paste for a metal-wrap-through silicon solar cell |
US10069021B2 (en) * | 2012-10-12 | 2018-09-04 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Electro-conductive pastes with salts with an anion consisting of halogen and oxygen in solar cell applications |
EP2749546B1 (de) * | 2012-12-28 | 2018-04-11 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Elektrisch leitende paste mit elementarem phosphor bei der herstellung von elektroden in mwt-solarzellen |
JP2017162636A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | ナミックス株式会社 | 導電性ペースト及び太陽電池 |
EP3267491A1 (de) * | 2016-07-06 | 2018-01-10 | Karlsruher Institut für Technologie | Verfahren zur herstellung von hoch leitfähigen, bedruckbaren pasten aus kapillarsuspensionen |
CN106297942B (zh) * | 2016-08-23 | 2017-12-08 | 无锡益联机械有限公司 | 一种壳变导线及其制备方法 |
CN112382674A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-02-19 | 无锡帝科电子材料股份有限公司 | Mwt电池、mwt电池灌孔浆料、玻璃料及玻璃料原料组合物 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4880567A (en) * | 1987-08-20 | 1989-11-14 | General Electric Company | Thick film copper conductor inks |
KR100581971B1 (ko) * | 2003-02-11 | 2006-05-22 | 주식회사 동진쎄미켐 | 미세 전극 형성용 고점도 Ag 페이스트 조성물 및 이를이용하여 제조된 미세 전극 |
JP3943057B2 (ja) * | 2003-07-11 | 2007-07-11 | 太陽インキ製造株式会社 | アルカリ現像型光硬化性導電性ペースト組成物及びそれを用いて電極形成したプラズマディスプレイパネル |
US7435361B2 (en) * | 2005-04-14 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
US7736546B2 (en) * | 2008-01-30 | 2010-06-15 | Basf Se | Glass frits |
US8383011B2 (en) * | 2008-01-30 | 2013-02-26 | Basf Se | Conductive inks with metallo-organic modifiers |
US20090266409A1 (en) * | 2008-04-28 | 2009-10-29 | E.I.Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
KR101611456B1 (ko) * | 2009-09-02 | 2016-04-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 인계 분산제를 포함하는 전극 형성용 페이스트 조성물 |
CN102763172B (zh) * | 2009-10-13 | 2015-03-18 | Lg化学株式会社 | 银糊剂组合物及其制备方法以及使用该银糊剂组合物的太阳能电池 |
-
2012
- 2012-02-23 US US13/403,059 patent/US20120234384A1/en not_active Abandoned
- 2012-03-15 DE DE112012001222.4T patent/DE112012001222T5/de not_active Withdrawn
- 2012-03-15 CN CN201280011868.0A patent/CN103959391A/zh active Pending
- 2012-03-15 WO PCT/US2012/029305 patent/WO2012125874A2/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012125874A3 (en) | 2014-04-24 |
WO2012125874A2 (en) | 2012-09-20 |
CN103959391A (zh) | 2014-07-30 |
US20120234384A1 (en) | 2012-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112012001222T5 (de) | Leitende Metallpaste für eine Metal-Wrap-Through-Siliciumsolarzelle | |
JP5395995B2 (ja) | 半導体デバイスの製造に使用される導電性組成物および方法 | |
JP5898065B2 (ja) | シリコンウエハの前面上にグリッド電極を形成する方法 | |
JP5349738B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法、およびそこで使用される導電性組成物 | |
US9349883B2 (en) | Conductor for a solar cell | |
KR101208136B1 (ko) | 반도체 소자의 제조에 사용하기 위한 전도성 조성물 및 공정: 플럭스 재료 | |
KR101322142B1 (ko) | 규소 웨이퍼의 전면 상에 그리드 전극을 형성하는 방법 | |
US10109750B2 (en) | Lead-free conductive paste composition and semiconductor devices made therewith | |
DE112012001258T5 (de) | Leitfähige Metallpaste für eine Metal-Wrap-Through-Siliciumsolarzelle | |
KR20110003382A (ko) | 반도체 소자의 제조에 사용하기 위한 전도성 조성물 및 방법 | |
KR20110003360A (ko) | 반도체 소자의 제조에 사용하기 위한 전도성 조성물 및 방법 | |
KR20100080616A (ko) | 반도체 소자의 제조에 사용하기 위한 전도성 조성물 및 공정 | |
KR20100080612A (ko) | 반도체 소자의 제조에 사용하기 위한 무연 전도성 조성물 및 공정: Mg-함유 첨가제 | |
US20110192456A1 (en) | Process for the production of a mwt silicon solar cell | |
KR20100080614A (ko) | 반도체 소자의 제조에 사용하기 위한 전도성 조성물 및 공정: Mg-함유 첨가제 | |
JP2013513974A (ja) | Mwtシリコン太陽電池の製造のプロセス | |
KR20100080610A (ko) | 반도체 소자의 제조에 사용하기 위한 전도성 조성물 및 공정: 다수의 버스바 | |
DE112016000610B4 (de) | Elektrisch leitfähige Pastenzusammensetzung, Verwendung dieser in einem Verfahren zur Bildung einer elektrisch leitfähigen Struktur, sowie Gegenstand, Photovoltaikzelle und Halbleitersubstrat, umfassend die Pastenzusammensetzung | |
JP2015506066A (ja) | メタルラップスルーシリコン太陽電池のための導電性銀ペースト | |
JP2014533432A (ja) | Lfc−percシリコン太陽電池の製造方法 | |
DE102015002991A1 (de) | Leitfähige, für Solarzellenelektroden verwendete Paste | |
CN102656645A (zh) | 在非织构化硅片的正面上形成电极的方法 | |
JP2016510486A (ja) | メタルラップスルーシリコン太陽電池のための導電性銀ペースト | |
JP2011524068A (ja) | 光電池の導体に使用されるサブミクロン粒子を含む組成物 | |
DE112013004366T5 (de) | Leitfähige Pastenzusammensetzung und damit hergestellte Halbleitervorrichtungen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R083 | Amendment of/additions to inventor(s) | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |