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Hintergrund der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen Leiterplatten, wie sie beispielsweise in elektrischen Verteilerkästen bzw. Verteilern für Kraftfahrzeuge eingesetzt werden können. Die vorliegende Erfindung betrifft insbesondere eine Leiterplatte mit Aluminium-Leiterbahnen, auf die eine lötbare Schicht aus Material aufgebracht ist, sowie ein Verfahren zum Herstellen einer derartigen Leiterplatte.
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Elektrische Verteiler werden in Kraftfahrzeugen eingesetzt, um Einsteck-Komponenten über eine Reihe elektrischer Verbinder mit Kabelbäumen zu verbinden. Die elektrischen Verbinder sind an einer Leiterplatte angebracht, die sich in dem Verteiler befindet. Eine typische Leiterplatte enthält ein isolierendes Substrat, wie beispielsweise eine dielektrische Schichtplatte, die entsprechende Öffnungen zum Befestigen der elektrischen Verbinder an der Platte aufweist. Die Leiterplatte enthält des Weiteren Leiterbahnen, die an einer Fläche der Platte angeordnet sind, um die elektrischen Verbinder miteinander oder mit anderen Komponenten auf der Leiterplatte zu verbinden. Die elektrischen Verbinder werden an den Leiterbahnen abgelötet, um eine sichere elektrische Verbindung herzustellen.
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Leiterbahnen werden bekanntermaßen im Allgemeinen aus Kupfer oder einer Kupferlegierung hergestellt. Kupfer weist, verglichen mit anderen Metallen, hervorragende elektrische Eigenschaften auf und ermöglicht einfaches Anlöten anderer Komponenten daran. Durch Kupfer können jedoch die Kosten und das Gewicht des Verteilers zunehmen. Daher werden Leiterbahnen bekanntermaßen auch aus Aluminium oder Aluminiumlegierungen hergestellt. Aluminium weist vergleichbare elektrische Eigenschaften auf und ist verglichen mit Kupfer relativ leicht. Es kann jedoch schwierig sein, eine Lötverbindung an der Oberfläche von Aluminium herzustellen.
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Obwohl bisher bekannte Leiterplatten akzeptabel funktionieren, ist es wünschenswert, eine Leiterplatte mit Aluminium-Leiterbahnen, auf die eine lötbare Schicht aus Material aufgebracht ist, sowie ein Verfahren zum Herstellen einer derartigen Leiterplatte zu schaffen.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte. Das Verfahren schließt den Schritt des Bereitstellens eines isolierenden Substrats ein, wobei eine Schicht aus Aluminiummaterial auf das Substrat aufgebracht wird. Ein Teil der Schicht aus Aluminiummaterial wird entfernt, um eine Leiterbahn auszubilden. Eine Schicht aus leitendem Material wird auf die Schicht aus Aluminiummaterial aufgebracht.
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Verschiedene Aspekte der vorliegenden Erfindung werden für den Fachmann aus der folgenden ausführlichen Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform beim Lesen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen ersichtlich.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1 ist eine Perspektivansicht einer Leiterplattenanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung.
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2 ist eine als Schnitt ausgeführte Seitenansicht einer Leiterplatte, die in einem Anfangszustand dargestellt ist, bevor Prozesse gemäß der vorliegenden Erfindung daran durchgeführt werden.
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3 ist eine als Schnitt ausgeführte Seitenansicht der Leiterplatte in 2, die dargestellt ist, nachdem ein Ätzresist-Maskierungsprozess daran durchgeführt wurde.
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4 ist eine als Schnitt ausgeführte Seitenansicht der Leiterplatte in 3, die dargestellt ist, nachdem ein Ätzprozess daran durchgeführt wurde.
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5 ist eine als Schnitt ausgeführte Seitenansicht der Leiterplatte in 4, die dargestellt ist, nachdem ein Spaltfüll-Prozess daran durchgeführt wurde.
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6 ist eine als Schnitt ausgeführte Seitenansicht der Leiterplatte in 5, die dargestellt ist, nachdem ein Lot-Maskierungsprozess daran durchgeführt wurde.
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7 ist eine als Schnitt ausgeführte Seitenansicht der Leiterplatte in 6, die nach der Ausbildung einer Öffnung dargestellt ist.
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8 ist eine als Schnitt ausgeführte Seitenansicht der Leiterplatte in 7, die dargestellt ist, nachdem ein Plattierungsprozess daran durchgeführt wurde.
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Ausführliche Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform
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In den Zeichnungen ist in 1 eine Leiterplattenanordnung, die allgemeinen mit 10 gekennzeichnet ist, gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt. Die Leiterplattenanordnung 10 kann in einem breiten Spektrum elektronischer Vorrichtungen zum Verbinden und Anbringen verschiedener elektrischer Komponenten eingesetzt werden. Beispielsweise kann die Leiterplattenanordnung 10 in einen elektrischen Verteiler (nicht dargestellt) zum Einsatz für Stromversorgungszwecke von Kraftfahrzeugen integriert werden. Der elektrische Verteiler ist so eingerichtet, dass er Einsteckkomponenten über eine Reihe elektrischer Verbinder mit Kabelbäumen verbindet. Die elektrischen Verbinder sind an der Leiterplattenanordnung 10 angebracht und können als Stifte 12, Zungen 14 oder jede beliebige andere Struktur ausgeführt sein, die eine elektrische Verbindung herstellt. Die verschiedenen elektrischen Verbinder können, wie dargestellt, über Leiterbahnen 30 miteinander oder mit anderen Komponenten elektrisch verbunden werden. Zu anderen nicht dargestellten Komponenten, die mit der Leiterplattenanordnung 10 verbunden werden können, können, ohne darauf beschränkt zu sein, Relais, Sicherungsanschlüsse, Transistoren und beliebige in Durchsteckmontage (through-hole technology – THT) angebrachte Komponenten oder oberflächenmontierte Bauteile (surface mount devices – SMD) gehören. Obwohl die Erfindung im Zusammenhang mit Leiterplatten zum Einsatz in Kraftfahrzeug-Verteilern beschrieben und dargestellt wird, sollte klar sein, dass die vorliegende Erfindung in jeder beliebigen gewünschten Umgebung und für jeden beliebigen gewünschten Zweck eingesetzt werden kann.
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2 bis 8 stellen ein Verfahren zum Herstellen der in 1 gezeigten Leiterplattenanordnung 10 gemäß der vorliegenden Erfindung dar. Es sollte klar sein, dass die vorliegende Erfindung eine verbesserte Leiterplatte sowie ein Verfahren zum Herstellen einer derartigen Leiterplatte schafft.
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In 2 ist eine Leiterplatte 10 dargestellt, bevor Prozesse daran durchgeführt wurden. Die dargestellte Leiterplatte 10 kann zu Beginn eine metallüberzogene Struktur sein, die ein isolierendes Substrat 20 enthält. Das isolierende Substrat 20 ist größtenteils herkömmlich aufgebaut und kann als eine elektrisch nicht leitende Schichtplatte ausgeführt sein. Beispielsweise kann das isolierende Substrat 20 aus jedem beliebigen dielektrischen Material bestehen, das für derartige Zwecke eingesetzt wird, wobei dies diejenigen Materialien einschließt, die üblicherweise als FR2 (Flame Retardant 2), FR3, FR4, CEM1, CEM2, CEM3 und dergleichen bezeichnet werden. Das isolierende Substrat weist eine erste Fläche 20A sowie eine zweite, gegenüberliegende Fläche 20B auf. Es sollte klar sein, dass das isolierende Substrat 20 nicht auf die hier beschriebene und dargestellte Ausführungsform beschränkt ist, sondern jede beliebige Struktur bilden kann, die für einen gewünschten Einsatzzweck geeignet ist.
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Die dargestellte Leiterplatte 10' enthält eine erste Schicht 30 und eine zweite Schicht 32 aus Überzugmaterial, die nacheinander so geformt werden, dass die Leiterbahnen entstehen, wie es weiter unten erläutert wird. Die erste Schicht 30 ist auf der ersten Fläche 20A des isolierenden Substrats 20 angeordnet, und die zweite Schicht 32 ist auf der zweiten Fläche 20B des isolierenden Substrats 20 angeordnet. Wahlweise kann, wenn gewünscht, ansonsten nur eine einzelne Schicht aus Überzugmaterial auf einer einzelnen Fläche vorhanden sein und gemäß der vorliegenden Erfindung verarbeitet werden. Die erste Schicht 30 bildet eine äußere Fläche 30A, und die zweite Schicht 32 bildet eine äußere Fläche 32A. Die äußeren Flächen 30A, 32A sind im Allgemeinen plane Flächen, die der Platte entsprechen, sie können jedoch, wenn gewünscht, auch nicht-plane Strukturen aufweisen. Leiterplatten, die in elektrische Verteiler zum Einsatz in Kraftfahrzeugen integriert werden, haben üblicherweise eine Dicke von mehr als 200 μm, beispielsweise in der Größenordnung von 400 μm, obwohl die vorliegende Erfindung bei Leiterplatten mit einer Dicke von weniger als 200 μm oder mehr als 400 μm eingesetzt werden kann.
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Die erste Schicht 30 und die zweite Schicht 32 können auf jede beliebige Weise an dem isolierenden Substrat 20 befestigt werden, wobei dies den Einsatz eines Schichtungsprozesses oder eines Klebstoffs einschließt, jedoch nicht darauf beschränkt ist. Beispielsweise kann eine Anordnung aus dem Substrat 20 und der ersten Schicht 30 sowie der zweiten Schicht 32 erhitzt und unter Druck gesetzt werden, um eine Laminat- bzw. Schichtstruktur auszubilden. Die Wärme kann bewirken, dass das Substrat 20 weich wird oder ansonsten schmilzt, so dass eine geeignete Bindung mit der ersten Schicht 30 und der zweiten Schicht 32 hergestellt werden.
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Die erste Schicht 30 und die zweite Schicht 32 bestehen aus einem elektrisch leitenden Material, das, beispielsweise, verglichen mit Kupfer, relativ leicht ist. In einer Ausführungsform bestehen die erste Schicht 30 und die zweite Schicht 32 aus einem Aluminium- oder einem Aluminiumlegierungs-Material. Obwohl die erste Schicht 30 und die zweite Schicht 32 im Folgenden als aus Aluminium bestehend beschrieben werden, sollte klar sein, dass die Überzugschichten aus jedem beliebigen geeigneten Material bestehen können, das relativ leicht ist und sich zum Einsatz in Kraftfahrzeug-Verteilern oder für andere gewünschte Zwecke eignet.
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In 3 ist die Leiterplatte 10' nach dem Aufbringen einer Ätzresist-Maske dargestellt. Die erste Schicht 30 und die zweite Schicht 32 werden, wie unten weitergehend erläutert, unter Verwendung eines Ätzprozesses chemisch gefräst, um gewünschte Stromwege bzw. Leiterbahnen in den jeweiligen Schichten auszubilden. Vor dem Ätzprozess kann eine Ätzresist-Maske bzw. Ätzmaske 40 selektiv auf die äußere Fläche 30A der ersten Schicht 30 aufgebracht werden. Desgleichen kann eine zweite Ätzmaske 42 auf die äußere Schicht 32A der zweiten Schicht 32 aufgebracht werden. Die Ätzmasken 40, 42 sind so aufgebaut, dass sie verhindern, dass die ausgewählten Abschnitte der ersten Schicht 30 und der zweiten Schicht 32 geätzt werden. Die Ätzmasken 40, 42 können aus jedem beliebigen Material bestehen, das Ätzen widersteht. Beispielsweise können die Ätzmasken 40, 42 aus Siliziumdioxid, Siliziumnitrid oder einem Photoresist-Material bestehen. In anderen Ausführungsformen können die Leiterbahnen als Alternative dazu unter Verwendung eines Ätzprozesses ausgebildet werden, für den die Ätzmasken 40, 42 nicht erforderlich sind.
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Die Ätzmasken 40, 42 werden, wie oben kurz erläutert, selektiv auf Abschnitte der äußeren Flächen 30A, 32A aufgebracht, um die gewünschten Leiterbahnen auszubilden. Die Ätzmasken 40, 42 können unter Verwendung einer Vielzahl von Verfahren, die größtenteils von dem Ätzprozess und/oder der Ätzlösung abhängen, der/die ausgewählt werden/wird, auf die äußeren Flächen 30A, 32A aufgebracht werden. Beispielsweise können die Ätzmasken 40, 42 unter Verwendung herkömmlicher Druckmethoden, wie beispielsweise Siebdruck, Photoresist-Methoden, wie beispielsweise Fotolithografie, oder beliebigen anderen, für einen gewünschten Einsatzzweck geeigneten Methoden auf die äußeren Flächen 30A, 32A aufgebracht werden.
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Die erste Schicht 30 und die zweite Schicht 32 können unter Verwendung eines beliebigen Ätzprozesses geätzt werden. Beispielsweise kann bei einem Nass-Ätzprozess die dargestellte Leiterplatte 10' in eine Ätzlösung (das heißt, Ätzmittel) eingetaucht und über eine vorgegebene Zeit bewegt werden. Das Ätzmittel ist so eingerichtet, dass es die nicht maskierten Abschnitte der ersten Schicht 30 und der zweiten Schicht 32 auflöst und so das isolierende Substrat 20 freilegt. Beispielsweise kann das Ätzmittel Natriumhydroxid, Eisenchlorid, Salzsäure, eine wässrige Lösung aus Ethylendiamin und Pyrocatechol oder jede beliebige andere Lösung sein. Es sollte klar sein, dass der Prozess des Ätzens einer Aluminium-Schichtanordnung genau gesteuert werden kann, indem verschiedene Parameter definiert werden, die, ohne darauf beschränkt zu sein, Ätzlösungen und -konzentrationen, Eintauchzeit, Zusammensetzung und Dicke der Ätzmaske usw. einschließen. Die erste Schicht 30 und die zweite Schicht 32 können als Alternative dazu unter Verwendung eines Trocken-Ätzprozesses, wie bzw. Plasma-Ätzen, geätzt werden.
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Bezugnehmend auf 4 ist die Leiterplatte 10 anschließend an einen Ätzprozess dargestellt, wie er oben beschrieben ist. Mit dem Ätzprozess werden, wie gezeigt, die nicht maskierten Abschnitte (das heißt, freiliegende Abschnitte) der ersten Schicht 30 und der zweiten Schicht 32 von dem isolierenden Substrat 20 entfernt. So bilden Abschnitte der ersten Schicht 30 und der zweiten Schicht 32, die auf dem isolierenden Substrat 20 verbleiben (das heißt, maskierte Abschnitte) die gewünschten Leiterbahnen. In der dargestellten Ausführungsform weist die erste Schicht 30 einen ersten Kanal 34 auf, der die erste Schicht 30 in einzelne Leiterbahnen teilt, so dass eine Vielzahl von Leiterbahnen entstehen. Desgleichen weist die zweite Schicht 32 einen zweiten Kanal 36 auf, der die zweite Schicht 32 in einzelne Bahnen teilt, um zusätzliche Leiterbahnen an der Rückseite der Leiterplatte 10' auszubilden. Anschließend kann die Ätzmaske 40 von der ersten Schicht 30 und der zweiten Schicht 32 abgezogen oder anderweitig entfernt werden, um die äußeren Flächen 30A, 32A freizulegen, wobei dies mit einem beliebigen Reinigungs-Prozess erreicht werden kann. Die Leiterplatte 10' kann dann gespült und einer elektrischen Prüfung unterzogen werden, um fehlerhafte Platten zu ermitteln.
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In 5 ist die Leiterplatte 10' nach einem Spaltfüll-Prozess dargestellt. In diesem Schritt werden der erste und der zweite Kanal 34, 36 (das heißt, geätzte Abschnitte) gefüllt, um einen ersten Spaltfüller 50 und einen zweiten Spaltfüller 52 auszubilden. Das Füllmaterial kann ein nichtleitendes isolierendes Material, wie beispielsweise ein Acrylharz, Epoxidharz, oder jedes beliebige andere geeignete Material sein. Die erste und die zweite Spaltfüllung 50, 52 sind so eingerichtet, dass eine im Allgemeinen bündige Oberfläche entlang der äußeren Flächen 30A, 32A entsteht und die ansonsten freiliegenden Seitenwände der ersten Schicht 30 und der zweiten Schicht 32 geschützt werden (wie in 4 gezeigt). Es sollte klar sein, dass die Kanäle 34, 36, auf andere Weise als hier beschrieben und dargestellt geschützt werden können, oder dass die Leiterplatte 10' als Alternative dazu die Spaltfüller 50, 52 nicht enthalten muss.
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Das Füllmaterial kann auf jede beliebige geeignete Weise in den ersten und den zweiten Kanal 34, 36 eingebracht werden. Beispielsweise kann das Füllmaterial in Form einer Flüssigkeit vorhanden sein, die auf die erste Schicht 30 aufgebracht wird, um so den ersten Kanal 34 zu füllen. Die äußere Fläche 30A kann abgewischt werden, um etwaiges überschüssiges Füllmaterial auf der ersten Schicht 30 zu entfernen. Das Füllmaterial kann dann mittels Wärme oder ultravioletter Strahlung ausgehärtet werden, um den Spaltfüller 50 auszubilden. Der gleiche Prozess kann wiederholt werden, um den Spaltfüller 52 der zweiten Schicht 32 auszubilden. Als Alternative dazu kann das überschüssige Füllmaterial mit einem Schleif- oder Polierschritt im Anschluss an das Aushärten des Füllmaterials entfernt werden.
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In 6 ist die Leiterplatte 10' nach dem Aufbringen einer Ätzresist-Maske dargestellt. Verschiedene elektrische Komponenten können, wie oben kurz erläutert, auf die Leiterplatte 10' gelötet werden. So kann eine erste Lötresist-Maske 60 selektiv auf die äußere Fläche 30A der ersten Schicht 30 aufgebracht werden. Desgleichen kann eine zweite Lötresist-Maske 62 selektiv auf die äußere Fläche 32A der zweiten Schicht 32 aufgebracht werden. Die Lötresist-Masken 60, 62 bilden eine schützende Schicht auf der Leiterplatte 10', die nur kleine Bereiche bzw. Kontaktstellen der äußeren Flächen 30A, 32A freilässt. Die Lötresist-Masken 60, 62 können aus jedem beliebigen Material bestehen, dass so eingerichtet ist, dass es Abschnitte der Leiterbahnen abdeckt, obwohl dies nicht erforderlich ist.
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Die Lötresist-Masken 60, 62 können unter Verwendung beliebiger herkömmlicher Druckmethoden, wie beispielsweise eines Siebdruck-Prozesses, selektiv auf die äußeren Flächen 30A, 32A aufgebracht werden. Die Lötresist-Masken 60, 62 können dann mittels Wärme oder ultravioletter Strahlung ausgehärtet werden. Es sollte jedoch klar sein, dass die Leiterplatte 10', wenn gewünscht, die Lötresist-Masken 60, 62 nicht unbedingt enthalten muss.
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Andere Beispiele und Beschreibungen geeigneter Herstellungsprozesse zum Herstellen von Abschnitten der Leiterplatte
10' werden im
US-Patent Nr. 6,969,471 von Pitel offenbart, das hiermit durch Verweis einbezogen wird.
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In 7 ist die Leiterplatte 10' nach der Ausbildung einer Öffnung dargestellt. Verschiedene elektrische Verbinder können, wie oben kurz beschrieben, an der Leiterplatte 10' angebracht werden. Dazu kann eine Öffnung 70 in der Leiterplatte 10' ausgebildet werden, die die verschiedenen elektrischen Verbinder einzeln aufnimmt. Beispielsweise kann die Öffnung 70 durch die erste Schicht 30, das isolierende Substrat 20 und die zweite Schicht 32 hindurch gebohrt oder gestanzt werden. Ein gewünschter elektrischer Verbinder (nicht dargestellt) kann so in die Öffnung 70 eingeführt werden, dass die erste Schicht 30 und die zweite Schicht 32 mit dem elektrischen Verbinder verbunden sind, so dass eine elektrische Verbindung zwischen ihnen hergestellt wird. Die Öffnung 70 kann eine Querschnittsform haben, die Reibungseingriff zwischen dem elektrischen Verbinder und der ersten Schicht 30 sowie der zweiten Schicht 32 bewirkt. Als Alternative dazu ist es möglich, dass nur die erste Schicht 30 oder die zweite Schicht 32 mit dem elektrischen Verbinder in Eingriff ist, wenn dies gewünscht wird. So kann die Öffnung 70 dazu dienen, den elektrischen Verbinder unter Verwendung beliebiger THT-Methoden anzubringen, obwohl dies für die Erfindung nicht notwendig ist. In anderen Ausführungsformen kann der gewünschte elektrische Verbinder in jedem beliebigen Schritt des Herstellungsverfahrens unter Druck durch die Leiterplatte 10' hindurch gestanzt werden. Jeder beliebige elektrische Verbinder oder jede beliebige elektrische Komponente kann dementsprechend an der Leiterplatte 10' angebracht werden, wobei dies einen Stift 12 (in 1 gezeigt), eine Zunge 14 (ebenfalls in 1 gezeigt), Sicherungs-Anschlüsse oder jede beliebige THT-Komponente oder dergleichen einschließt, ohne dass dies eine Einschränkung darstellt. Es sollte des Weiteren klar sein, dass innere Wände der Öffnung 70 unter Verwendung eines Zwischenschritts plattiert werden können, der das chemische Einleiten von Kupfer in die Öffnung 70 einschließt. Mittels dieser Konfiguration können die erste Schicht 30 und die zweite Schicht 32 elektrisch verbunden werden, ohne dass ein elektrischer Verbinder in die Öffnung 70 eingeführt werden muss.
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In 8 ist die Leiterplatte 10' dargestellt, nachdem eine lötbare Schicht aus Material auf die freiliegenden äußeren Flächen 30A, 32A der entsprechenden Schichten aufgebracht worden ist. Vor diesem Prozess können die freiliegenden äußeren Flächen 30A, 32A, wie im Folgenden erläutert, mittels eines Oberflächenbehandlungs-Prozesses aktiviert werden. Zunächst werden die freiliegenden äußeren Flächen 30A, 32A unter Verwendung eines Prozesses zum chemischen Entfetten gereinigt. Der Prozess zum chemischen Entfetten ist größtenteils herkömmliche Technologie, und damit werden Oxid, Fett und andere Verunreinigungen von den freiliegenden äußeren Flächen 30A, 32A entfernt. Die Leiterplatte 10' kann anschließend unter Verwendung von destilliertem Wasser oder dergleichen gespült werden. Im zweiten Schritt werden die freiliegenden äußeren Flächen 30A, 32A unter Verwendung eines Ätzprozesses aktiviert. Bei dem Ätzprozess kann beispielsweise eine schwach saure Lösung eingesetzt werden, die so eingerichtet ist, dass sie die freiliegenden äußeren Flächen 30A, 32A für ordnungsgemäße Schichthaftung einer lötbaren Schicht aus Material aktiviert, wie dies weiter unten erläutert wird. Wiederum kann die Leiterplatte 10' anschließend mit destilliertem Wasser oder dergleichen gespült werden. Im dritten Schritt werden die freiliegenden äußeren Flächen 30A, 32A für anschließendes elektrolytisches oder stromloses Plattieren vorbereitet. Dazu werden die äußeren Flächen 30A, 32a mit einem speziellen Amalgam einer basischen Lösung behandelt, um einen Zinkat-Prozess durchzuführen, durch den eine Zinkablagerung erzeugt wird. Durch die Zinkablagerung wird die Haftung der lötbaren Schicht während des Plattierprozesses maximiert. Es sollte klar sein, dass verschiedene Parameter des Oberflächenbehandlung-Prozesses, wie beispielsweise die Ätzlösung und das Amalgam, variiert werden können, um gewünschte Oberflächenbeschaffenheit der freiliegenden äußeren Flächen 30A, 32A für einen ausgewählten Plattierungsprozess zu erzielen.
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Nach der oben beschriebenen Oberflächenbehandlung kann die freiliegende äußere Fläche 30A der ersten Schicht 30 mit einer ersten lötbaren Schicht 80 aus Material plattiert werden. Desgleichen kann die freiliegende äußere Fläche 32A der zweiten Schicht 32 mit einer zweiten lötbaren Schicht 82 aus Material plattiert werden. Beispielsweise können die lötbaren Schichten 80, 82 unter Verwendung eines Prozesses zum stromlosen Vernickeln (electroless nickel plating – EN) ausgebildet werden. Bei dem Prozess zum stromlosen Vernickeln wird eine Schicht aus Nickel auf den freiliegenden äußeren Flächen 30A, 32A der ersten Schicht 30 bzw. der zweiten Schicht 32 abgeschieden, um so die lötbaren Schichten 80, 82 auszubilden. Wenn die äußeren Flächen 30A, 32A unter Verwendung des Prozesses zum stromlosen Vernickeln plattiert worden sind, kann jede beliebige zusätzliche Oberfläche auf die lötbaren Schichten 80, 82 aufgebracht werden. Jedes beliebige leitfähige Material, wie beispielsweise Kupfer, Nickel, Gold, Zinn, Palladium und/oder Silber, kann unter Verwendung jedes beliebigen Plattierprozesses auf die lötbaren Schichten 80, 82 aufgebracht werden. Die zusätzlichen Oberflächen-Plattiervorgänge schließen beispielsweise die als ENIG (electroless nickel immersion gold), Im-Sn (electroless immersion tin), Im-Ag (electroless immersion silver), ENEP (electroless nickel electroless palladium) sowie OSP (organic surface protection) bekannten Verfahren ein, ohne darauf beschränkt zu sein. So können die oben beschriebenen verschiedenen elektrischen Komponenten beispielsweise mit einem herkömmlichen Fließlöt-Prozess an den äußeren Flächen der ersten lötbaren Schicht 80 bzw. der zweiten lötbaren Schicht 82 zur Anbringung an der Leiterplatte 10' angelötet werden. Obwohl die dargestellte Ausführungsform eine Öffnung 70 enthält, sollte klar sein, dass die hier beschriebenen Prozesse an den äußeren Flächen 30A, 32A ohne eine darin ausgebildete Öffnung 70 durchgeführt werden können, so beispielsweise mit oberflächenmontierten Bauteilen.
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Das Prinzip und die Funktionsweise der vorliegenden Erfindung sind in ihrer bevorzugten Ausführungsform erläutert worden. Es versteht sich jedoch, dass die Erfindung anders als im Einzelnen erläutert und dargestellt praktiziert werden kann, ohne vom ihren Geist oder Schutzumfang abzuweichen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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