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GEBIET DER ERFINDUNG
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Die
Erfindung betrifft eine Oberflächen-Prüfvorrichtung,
die ein Bild eines äußeren Umfangskantenabschnitts
erfasst und prüft, der umfasst: eine erste äußere
Umfangsneigungsfläche, die an einer äußeren
Kante einer ersten Hauptoberfläche eines Halbleiterwafers
oder eines anderen plattenförmigen Teils abgeschrägt
ist, eine zweite äußere Umfangsneigungsfläche,
die an einer äußeren Kante einer zweiten Hauptoberfläche
des plattenförmigen Teils abgeschrägt ist, und
eine äußere Umfangsendfläche des plattenförmigen
Teils.
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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Bisher
wurden verschiedene Vorgehensweisen zum Erfassen eines Bilds eines äußeren
Umfangskantenabschnitts eines Halbleiterwafers und zum Verwenden
dieses Bilds für das Prüfen des äußeren
Umfangskantenabschnitts auf Schäden, Vorsprünge
und andere Umstände vorgeschlagen. Beispielsweise liefert
die Beschreibung in der Patentliteratur 1 ein System zum Prüfen
des Zustands des äußeren Umfangskantenabschnitts
eines Halbleiterwafers, wobei der äußere Umfangskantenabschnitt
umfasst: eine äußere Umfangsendfläche;
eine erste äußere Umfangsneigungsfläche,
die an einer Außenkante einer ersten Hauptoberfläche
abgeschrägt ist; und eine zweite äußere
Umfangsneigungsfläche, die an einer Außenkante
einer zweiten Hauptoberfläche abgeschrägt ist.
In dieser Prüfvorrichtung ist eine Kameralinse angeordnet,
die dem äußeren Umfangskantenabschnitt des Halbleiterwafers
gegenüberliegt und durch die Kameralinse ein Bild der äußeren
Umfangsendfläche und Bilder der ersten äußeren
Umfangsneigungsfläche und der zweiten äußeren
Umfangsneigungsfläche auf einer Abbildungsfläche
erzeugt, damit man die äußere Umfangsendfläche,
die erste äußere Umfangsneigungsfläche
und die zweite äußere Umfangsneigungsfläche
gemeinsam erfassen kann.
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Ferner
unterscheiden sich in der Beschreibung in der Patentliteratur 1
die Länge des Lichtwegs von der äußeren
Umfangsendfläche des Halbleiterwafers zur Abbildungsfläche
und die Längen der Lichtwege von der ersten äußeren
Umfangsneigungsfläche und der zweiten äußeren
Umfangsneigungsfläche zur Abbildungsfläche. Es
ist schwierig, ein Bild der äußeren Umfangsendfläche
und Bilder der ersten äußeren Umfangsneigungsfläche
und der zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche
auf einer einzigen Abbildungsfläche zu erzeugen. Hinsichtlich dieser
Gegebenheiten wird eine Korrekturlinse zwischen der äußeren
Umfangsendfläche des Halbleiterwafers und der Kameralinse
angeordnet, damit die Längen der Lichtwege zusammenpassen.
Patentliteratur
1:
WO 2006/059647 .
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Problemstellung
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Durch
Aberrationen zwischen dem Mittenbereich und den Randbereichen einer
Kameralinse usw. hat jedoch das auf der Abbildungsfläche
erzeugte Bild die Eigenschaft, dass das durch den Mittenbereich
der Kameralinse erzeugte Bild heller ist, und dass die durch die
Randbereiche der Kameralinse erzeugten Bilder dunkler sind. Dieser
Helligkeitsunterschied stellt ein Problem dar, da es nicht möglich
ist, Erkennungsbedingungen für die Helligkeit beim Prüfen
des äußeren Umfangskantenabschnitts eines Halbleiterwafers
geeignet einzustellen, da bei diesem Vorgang das Erfassen kleiner
Leuchtdichte- oder Farbtonschwankungen erforderlich ist. Stellt man
beispielsweise die Erkennungsbedingungen bezüglich der
Helligkeit entsprechend dem Bild ein, das vom Mittenbereich der
Kameralinse erzeugt wird, so sind die von den Randbereichen erzeugten
Bilder zu dunkel. Stellt man dagegen die Erkennungsbedingungen bezüglich
der Helligkeit entsprechend den Bildern ein, die von den Randbereichen
der Kameralinse erzeugt werden, so wird das durch den Mittenbereich
erzeugte Bild übermäßig hell. Für
den Prüfer wird es schwierig, Schäden, Vorsprünge
und andere Umstände an dem äußeren Umfangskantenabschnitt zu
erfassen.
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Die
Erfindung erfolgte hinsichtlich dieser Situation und stellt eine
Oberflächen-Prüfvorrichtung bereit, die eine geeignete
Prüfung des äußeren Umfangskantenabschnitts
eines Halbleiterwafers oder eines anderen plattenförmigen
Teils ermöglicht.
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Lösung des Problems
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Die
Oberflächen-Prüfvorrichtung der Erfindung ist
eine Oberflächen-Prüfvorrichtung, die ein Bild
eines äußeren Umfangskantenabschnitts erfasst und
prüft, der eine erste äußere Umfangsneigungsfläche
umfasst, die an einer äußeren Kante einer ersten
Hauptoberfläche eines plattenförmigen Teils abgeschrägt
ist, eine zweite äußere Umfangsneigungsfläche,
die an einer äußeren Kante einer zweiten Hauptoberfläche
des plattenförmigen Teils abgeschrägt ist, und
eine äußere Umfangsendfläche des plattenförmigen
Teils, wobei die Oberflächen-Prüfvorrichtung aufweist:
eine Kameralinse, die so angeordnet ist, dass sie dem äußeren
Umfangskantenabschnitt des plattenförmigen Teils gegenüberliegt;
eine Abbildungsfläche, die gesehen von dem äußeren Umfangskantenabschnitt
des plattenförmigen Teils auf der entgegengesetzten Seite
der Kamera linse angeordnet ist; ein erstes optisches Teil, das ein
Bild der ersten äußeren Umfangsneigungsfläche
des plattenförmigen Teils über einen ersten Randbereich der
Kameralinse auf der Abbildungsfläche erzeugt; ein zweites
optisches Teil, das ein Bild der zweiten äußeren
Umfangsneigungsfläche des plattenförmigen Teils über
einen zweiten Randbereich der Kameralinse auf der Abbildungsfläche
erzeugt; ein drittes optisches Teil, das ein Bild der äußeren
Umfangsendfläche des plattenförmigen Teils über
den Mittenbereich der Kameralinse auf der Abbildungsfläche
erzeugt; und eine Beleuchtungseinheit, die die äußere Umfangsendfläche,
die erste äußere Umfangsneigungsfläche
und die zweite äußere Umfangsneigungsfläche
so beleuchtet, dass die erste äußere Umfangsneigungsfläche
und die zweite äußere Umfangsneigungsfläche
verglichen mit der äußeren Umfangsendfläche
heller erscheinen.
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Mit
Hilfe dieser Anordnung wird es möglich, die Helligkeit
der Bilder, die auf der Abbildungsfläche erzeugt werden,
so gleichförmig wie möglich zu gestalten, und
die Erkennungsbedingungen bezüglich der Helligkeit geeignet
einzustellen, indem man die Eigenschaft beachtet, dass das über
den Mittenbereich der Kameralinse auf der Abbildungsfläche
erzeugte Bild eine hohe Helligkeit aufweist, und dass die über
die Randbereiche auf der Abbildungsfläche erzeugten Bilder
eine geringe Helligkeit aufweisen, und daher die äußere
Umfangsendfläche, die erste äußere Umfangsneigungsfläche
und die zweite äußere Umfangsneigungsfläche
so beleuchtet, dass die erste äußere Umfangsneigungsfläche
und die zweite äußere Umfangsneigungsfläche
verglichen mit der äußeren Umfangsendfläche
des plattenförmigen Teils heller werden.
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Die
Oberflächen-Prüfvorrichtung der Erfindung kann
zudem so ausgelegt sein, dass die Beleuchtungseinheit die äußere
Umfangsendfläche, die erste äußere Umfangsneigungsfläche
und die zweite äußere Umfangsneigungsfläche
mit einer Beleuchtungsstärkenverteilung beleuchtet, die
der Helligkeitsverteilung des Bilds der äußeren
Umfangsendfläche, des Bilds der ersten äußeren
Umfangsneigungsfläche und des Bilds der zweiten äußeren
Umfangsneigungsfläche entgegengesetzt ist, die über die
Kameralinse auf der Abbildungsfläche erzeugt werden, falls
man Licht mit einer konstanten Helligkeitsverteilung einstrahlt.
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Mit
Hilfe dieser Anordnung wird es möglich, die Helligkeit
der auf der Abbildungsfläche erzeugten Bilder so gleichförmig
wie möglich zu gestalten, indem man Licht mit Beleuchtungsstärken
einstrahlt, die einen entgegengesetzten Verlauf bezüglich
des Helligkeitsverlaufs der Bilder aufweisen, die über
die Kameralinse auf der Abbildungsfläche erzeugt werden,
falls die Beleuchtungseinheit Licht mit konstanter Leuchtstärkenverteilung
einstrahlt.
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[Die
Oberflächen-Prüfvorrichtung der Erfindung kann
auch so konfiguriert sein, dass die Beleuchtungseinheit eine Lichtquelle
aufweist und eine Anzahl Beleuchtungsflächen, die gegenüber
dem äußeren Umfangskantenabschnitt des plattenförmigen Teils
angeordnet sind und Licht von der Lichtquelle einstrahlen, wobei
die Beleuchtungsstärke des Lichts, das von den im Mittenbereich
der Anzahl Beleuchtungsflächen angeordneten Beleuchtungsflächen
abgestrahlt wird, geringer ist als die Beleuchtungsstärke
des Lichts, das von den Beleuchtungsflächen abgestrahlt
wird, die in den Randbereichen angeordnet sind.
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Mit
Hilfe dieser Anordnung wird es möglich, die Helligkeiten
der auf der Abbildungsfläche erzeugten Bilder so gleichförmig
wie möglich zu gestalten, indem man Licht, das von den
im Mittenbereich angeordneten Beleuchtungsflächen abgestrahlt
wird, auf die äußere Umfangsendfläche
des plattenförmigen Teils richtet, und Licht, das von den
in den Randbereichen angeordneten Beleuchtungsflächen abgestrahlt
wird, auf die erste äußere Umfangsneigungsfläche
und die zweite äußere Umfangsneigungsfläche
richtet.
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Unter
einem ähnlichen Gesichtspunkt kann man die Oberflächen-Prüfvorrichtung
der Erfindung so konfigurieren, dass die Beleuchtungseinheit eine Lichtquelle
und eine Anzahl Beleuchtungsflächen aufweist, die gegenüber
dem äußeren Umfangskantenabschnitt des plattenförmigen
Teils angeordnet sind und Licht von der Lichtquelle einstrahlen,
wobei die Anordnungsdichte im Mittenbereich der Anzahl Beleuchtungsflächen
geringer ist als die Anordnungsdichten in den Randbereichen.
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Ferner
kann die Oberflächen-Prüfvorrichtung der Erfindung
so konfiguriert sein, dass in der Beleuchtungseinheit vor der Anzahl
Beleuchtungsflächen eine zylindrische plankonvexe Linse
angeordnet ist, bei der die Seite der Beleuchtungsflächen eben
ist.
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Bei
dieser Anordnung wird eine zylindrische plankonvexe Linse dazu verwendet,
das von den Beleuchtungsflächen ausgesendete Licht in Parallellicht umzuwandeln,
so dass man Parallellicht auf die äußere Umfangsendfläche,
die erste äußere Umfangsneigungsfläche
und die zweite äußere Umfangsneigungsfläche
des plattenförmigen Teils strahlen kann.
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Vorteilhafte Auswirkungen
der Erfindung
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Gemäß der
Erfindung wird es möglich, die Helligkeiten der auf der
Abbildungsfläche erzeugten Bilder so gleichförmig
wie möglich zu machen, indem man die äußere
Umfangsendfläche, die erste äußere Umfangsneigungsfläche
und die zweite äußere Umfangsneigungsfläche
so beleuchtet, dass die erste äußere Umfangsneigungsfläche
und die zweite äußere Umfangsneigungsfläche
verglichen mit der äußeren Umfangsendfläche
des plattenförmigen Teils heller werden. Dadurch wird es
möglich, die Erkennungsbedingungen hinsichtlich der Helligkeit
geeignet einzustellen und die äußeren Umfangskantenabschnitte
des plattenförmigen Teils sachgerecht zu prüfen.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Es
zeigt:
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1 eine
Ansicht der Anordnung einer Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung
gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
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2A eine
Teil-Seitenansicht der Struktur eines äußeren
Umfangskantenabschnitts eines zu prüfenden Halbleiterwafers;
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2B eine
Teil-Draufsicht einer ersten Hauptoberfläche (Vorderseite)
eines zu prüfenden Halbleiterwafers;
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3 eine
Ansicht der Anordnung von Teilen eines optischen Systems in einer
Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung gesehen von der Seite;
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4 eine
Ansicht der Anordnung von Teilen eines optischen Systems in einer
Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung gesehen von oben;
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5 eine
Darstellung der Helligkeitsveränderung des auf der Abbildungsfläche
erzeugten Bilds für den Fall, dass ein Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil
Licht mit konstanter Beleuchtungsstärkenverteilung abstrahlt;
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6 eine
Ansicht der Beleuchtungsstärkenverteilung von Licht, das
der Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil abstrahlt;
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7A eine
Ansicht eines ersten Beispiels für die Anordnung einer
Anzahl Beleuchtungsflächen in dem Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil;
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7B eine
Ansicht eines zweiten Beispiels für die Anordnung einer
Anzahl Beleuchtungsflächen in dem Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil;
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8A eine
Ansicht eines dritten Beispiels für die Anordnung einer
Anzahl Beleuchtungsflächen in dem Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil;
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8B eine
Ansicht eines vierten Beispiels für die Anordnung einer
Anzahl Beleuchtungsflächen in dem Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil;
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9 eine
Ansicht eines Beispiels der Anordnung von Lichtleitern;
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10 eine
Ansicht eines Herstellungsvorgangs für eine zylindrische
plankonvexe Linse;
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11A eine Seitenansicht eines Beispiels für
einen Mechanismus, der dem Justieren eines Neigungswinkels eines
Spiegels dient;
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11B eine Vorderansicht eines Beispiels für
einen Mechanismus, der dem Justieren eines Neigungswinkels eines
Spiegels dient;
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12A eine Darstellung von Bildern einer äußeren
Umfangsendfläche, einer ersten äußeren Umfangsneigungsfläche
und einer zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche
in einer herkömmlichen Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung;
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12B eine Ansicht der Beleuchtungsstärken-Merkmale
eines Beleuchtungs-Lichtführungslampenteils;
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12C eine Ansicht der Helligkeitsmerkmale eines
durch eine Kameralinse erzeugten Bilds;
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12D eine Ansicht der Helligkeitsmerkmale eines
Bilds;
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13A eine Darstellung von Bildern einer äußeren
Umfangsendfläche, einer ersten äußeren Umfangsneigungsfläche
und einer zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche
in der Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung der Ausführungsform;
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13B eine Ansicht der Beleuchtungsstärken-Merkmale
eines Beleuchtungs-Lichtführungslampenteils;
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13C eine Ansicht der Helligkeitsmerkmale eines
durch eine Kameralinse erzeugten Bilds; und
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13D eine Ansicht der Helligkeitsmerkmale eines
Bilds.
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- 10
- Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung,
- 12,
14
- Spiegel,
- 12a,
14a
- reflektierende
Oberfläche,
- 16
- Lichtquelle,
- 17
- Lichtleiter,
- 17a
- Beleuchtungsfläche,
- 18
- Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil,
- 19
- halbdurchlässiger
Spiegel,
- 20
- zylindrische
plankonvexe Linse,
- 21
- Kamera,
- 22
- Kameralinse,
- 24
- Abbildungsfläche,
- 26
- Korrekturlinse,
- 28
- Monitor,
- 30
- Führungsschiene,
- 32,
34
- Halteteile,
- 36,
37
- Wellen,
- 40,
41, 42, 43
- Schenkelteile,
- 100
- Halbleiterwafer,
- 101
- äußerer
Umfangskantenabschnitt,
- 101a
- äußere
Umfangsendfläche,
- 101b
- erste äußere
Umfangsneigungsfläche,
- 101c
- zweite äußere
Umfangsneigungsfläche,
- 102a
- erste
Hauptoberfläche,
- 102b
- zweite
Hauptoberfläche.
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BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Im
Weiteren werden Ausführungsformen der Erfindung mit Bezug
auf die Zeichnungen beschrieben.
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1 zeigt
eine Ansicht der Anordnung der Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung,
die gemäß einer Ausführungsform der Erfindung
als Oberflächen-Prüfvorrichtung eingesetzt wird.
Die in 1 dargestellte Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung 10 erfasst
ein Bild eines äußeren Umfangskantenabschnitts
eines plattenförmigen Teils, das von einem Halbleiterwafer 100 gebildet
wird, und prüft auf Schäden, Vorsprünge
und andere Umstände am äußeren Umfangskantenabschnitt.
Ferner wird in dieser Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung 10 der
Halbleiterwafer 100 von einem drehbaren Mechanismus (nicht
dargestellt), der auf eine Führungsschiene 30 gesetzt
ist, drehbar gehalten. Auf der Führungsschiene ist eine Kamera 21 beweglich
so angebracht, dass sie zum äußeren Umfangskantenabschnitt
des Halbleiterwafers 100 zeigt. Eine Lichtquelle 16 (beispielsweise eine
Halogen-Metalldampf-Lichtquelle) und ein Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 sind über eine
Anzahl Lichtleiter 17 (Bestandteil der Beleuchtungseinheit)
verbunden. Das von der Lichtquelle 16 ausgesendete Licht
durchläuft die Lichtleiter 17 und erreicht das
Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18. Das Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 ist so
eingestellt, dass das über die Lichtleiter 17 übertragene
Licht auf den äußeren Umfangskantenabschnitt des
Halbleiterwafers 100 projiziert wird. Damit man mehrere
Flächen des äußeren Umfangskantenabschnitts
des Halbleiterwafers 100, die in verschiedene Richtungen
zeigen, mit einer einzigen Kamera 21 erfassen kann, sind
ein Spiegel 12 (erstes optisches Teil) und ein Spiegel 14 (zweites
optisches Teil) nahe am äußeren Umfangskantenabschnitt
des Halbleiterwafers 100 bereitgestellt, und eine Korrekturlinse 26 (drittes
optisches Teil) ist zwischen dem Halbleiterwafer 100 und
der Kamera 21 vorhanden; dies wird im Weiteren erläutert.
Die Kamera 21 weist eine Kameralinse 22 und eine
Abbildungsfläche 24 auf. Man beachte, dass diese
Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung 10 einen Monitor 28 besitzt,
der ein von der Kamera 21 erfasstes Bild anzeigen kann.
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2A zeigt
eine Seitenansicht der Struktur des äußeren Umfangskantenabschnitts
des zu prüfenden Halbleiterwafers 100. 2B zeigt
eine Teil-Draufsicht einer ersten Hauptoberfläche (Vorderseite)
des zu prüfenden Halbleiterwafers 100. Der in 2A und 2B dargestellte
Halbleiterwafer 100 ist am äußeren Umfangskantenabschnitt 101 abgeschrägt,
um eine Beschädigung zu verhindern. Im Einzelnen besteht
der äußere Umfangskantenabschnitt 101 aus
der äußeren Umfangsendfläche 101a,
die senkrecht zu der ersten Hauptoberfläche 102a und
der zweiten Hauptoberfläche 102b verläuft, der
ersten äußeren Umfangsneigungsfläche 101b, die
an der Außenkante der ersten Hauptoberfläche 102a schräg
verläuft, und der zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche 101c,
die an der Außenkante der zweiten Hauptoberfläche 102b schräg
verläuft.
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3 und 4 zeigen
die Anordnung der Teile des optischen Systems in der Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung 10.
Dabei zeigt 3 eine Ansicht der Anordnung
gesehen von der Seite, und 4 eine Ansicht
dieser Anordnung gesehen von oben. Wie man in 3 und 4 sehen
kann, ist die Kameralinse 22 der Kamera 21 so
angeordnet, dass sie der äußeren Umfangsendfläche 101a des äußeren
Umfangskantenabschnitts 101 des Halbleiterwafers 100 gegenüberliegt.
Die Abbildungsfläche 24 der Kamera 21 ist – gesehen
von der äußeren Umfangsendfläche 101a des äußeren
Umfangskantenabschnitts 101 des Halbleiterwafers 100 – an
der entgegengesetzten Seite der Kameralinse 22 angeordnet.
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Der
Spiegel 12 ist über der ersten äußeren Umfangsneigungsfläche 101b des
Halbleiterwafers 100 so angebracht, dass seine reflektierende
Oberfläche 12a hin zur Seite der Kameralinse 22 geneigt ist.
Dagegen ist der Spiegel 14 unter der zweiten äußeren
Umfangsneigungsfläche 101c des Halbleiterwafers 100 so
angeordnet, dass seine reflektierende Oberfläche 14a hin
zur Seite der Kameralinse 22 geneigt ist. Mit Hilfe eines
später erklärten Einstellmechanismus kann man
die Neigungswinkel der Spiegel 12 und 14 einstellen.
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Das
Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 strahlt
von der Lichtquelle 16 über die Lichtleiter 17 empfangenes
Licht von Beleuchtungsflächen ab, die von den Vorderenden
der Lichtleiter 17 gebildet werden. Dieses abgestrahlte
Licht bewegt sich parallel zu der Linie, die die Kameralinse 22 und
die äußere Umfangsendfläche 101a des
Halbleiterwafers 100 verbindet (optische Achse der Kameralinse 22)
und erreicht den äußeren Umfangskantenabschnitt 101 des
Halbleiterwafers 100 durch eine sogenannte ”koaxiale
Beleuchtung”. Im Einzelnen ist ein halbdurchlässiger
Spiegel 19 mit einem Neigungswinkel von 45 Grad gegen die
optische Achse der Kameralinse 22 angeordnet. Das Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 ist
so angeordnet, dass die Beleuchtungsflächen der Vorderenden
der Lichtleiter 17 zum halbdurchlässigen Spiegel 19 zeigen
und die Bestrahlungsrichtung des Lichts senkrecht zur optischen Achse
der Kameralinse 22 verläuft (siehe 4).
Vor den Beleuchtungsflächen des Beleuchtungs-Lichtführungslampenteils 18 ist
die zylindrische plankonvexe Linse 20 so angeordnet, dass
die Seite an der Beleuchtungsfläche eben ist. Das von den
Beleuchtungsflächen der Vorderenden der Lichtleiter 17 abgestrahlte
Licht wird über die zylindrische plankonvexe Linse 20 auf
den halbdurchlässigen Spiegel 19 eingestrahlt.
Dabei fokussiert die zylindrische plankonvexe Linse 20 das
Licht auf der reflektierenden Oberfläche des halbdurchlässigen
Spiegels 19. Das vom halbdurchlässigen Spiegel 19 reflektierte
Licht wird auf die äußere Umfangsendfläche 101a des Halbleiterwafers 100 projiziert,
und es wird über die reflektierende Oberfläche 12a des
Spiegels 12 und die reflektierende Oberfläche 14a des
Spiegels 14 auf die erste äußere Umfangsneigungsfläche 101b und
die zweite äußere Umfangsneigungsfläche 101c des
Halbleiterwafers 100 projiziert. Man beachte, dass man
die gegenseitige Lage der Lichtquelle 16 und der Kamera 21 so
festlegen kann, dass das Licht von den Beleuchtungsflächen
der Lichtleiter 17 die äußere Umfangsendfläche 101a des
Halbleiterwafers 100 unter einem bestimmten Winkel bezüglich der
optischen Achse der Kameralinse 22 trifft. In diesem Fall
kann man die gegenseitige Lage der Lichtquelle 16 (der
Beleuchtungsflächen 17a der Lichtleiter 17)
und der Kamera 21 (Linse 22) so einrichten, dass
die Kamera 21 (Linse 22) in einer Richtung angeordnet
wird, in der sich Licht von den Beleuchtungsflächen durch
die Reflexion an der äußeren Umfangsendfläche 101a des
Halbleiterwafers 100 ausbreitet (Anordnung im Helligkeitsfeld),
oder man kann die Kamera in einem gewissen Bereich so anordnen,
dass sie gegen die Richtung versetzt ist, in der sich reflektiertes
Licht ausbreitet (Anordnung im Helligkeitsfeld).
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In
dem Status, in dem das Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 Licht
einstrahlt, wird das Bild der ersten äußeren Umfangsneigungsfläche 101b des
Halbleiterwafers 100, siehe die strichpunktierten Linien
in 3 und 4, von der reflektierenden Oberfläche 12a des
Spiegels 12 reflektiert und zum oberen Teil der Kameralinse 22 geführt,
der den ersten Randbereich bildet. In vergleichbarer Weise wird
das Bild der zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche 101c des
Halbleiterwafers 100, siehe die strichpunktierten Linien
in 3 und 4, von der reflektierenden Oberfläche 14a des
Spiegels 14 reflektiert und zum unteren Teil der Kameralinse 22 geführt,
der den zweiten Randbereich bildet.
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Zudem
wird in dem Status, in dem Licht von dem Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 eingestrahlt
wird, das Bild der äußeren Umfangsendfläche 101a des
Halbleiterwafers 100, siehe die strichpunktierten Linien
in 3 und 4, zu der Korrekturlinse 26 geführt.
Die Korrekturlinse 26 ist zwischen der Kameralinse 22 und
der äußeren Umfangsendfläche 101a des
Halbleiterwafers 100 angeordnet. Das zur Korrekturlinse 26 geführte
Bild der äußeren Umfangsendfläche 101a des
Halbleiterwafers 100 wird zum Mittenbereich der Kameralinse 22 geführt. Durch
die Korrekturlinse 26 kann man die Länge des Lichtwegs
von der äußeren Umfangsendfläche 101a des
Halbleiter wafers 100 zur Kameralinse 22, die Länge
des Lichtwegs von der ersten äußeren Umfangsneigungsfläche 101b des
Halbleiterwafers 100 über die reflektierende Oberfläche 12a des
Spiegels 12 zu der Kameralinse 22 und die Länge
des Lichtwegs von der zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche 101c des
Halbleiterwafers 100 über die reflektierende Oberfläche 14a des
Spiegels 14 zur Kameralinse 22 in Übereinstimmung
bringen.
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Die
Bilder der äußeren Umfangsendfläche 101a des
Halbleiterwafers 100, der ersten äußeren Umfangsneigungsfläche 101b und
der zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche 101c,
die zu der Kameralinse 22 geführt werden, werden
zur Abbildungsfläche 24 weitergeleitet. Durch
das Anordnen der Abbildungsfläche 24 in der Brennpunktsebene
werden die Bilder der äußeren Umfangsendfläche 101a des Halbleiterwafers 100,
der ersten äußeren Umfangsneigungsfläche 101b und
der zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche 101c auf
der Abbildungsfläche 24 erzeugt. Die Kamera 21 gibt
Bildinformation entsprechend zu den auf der Abbildungsfläche 24 erzeugten
Bildern an den Monitor 28 aus. Der Monitor 28 zeigt
Bilder gemäß der eingegebenen Bildinformation
an.
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Es
werden nun Einzelheiten des Beleuchtungs-Lichtführungslampenteils 18 erklärt. 5 zeigt
eine Darstellung der Helligkeitsveränderung eines auf der
Abbildungsfläche 24 erzeugten Bilds für den
Fall, dass das Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 Licht
mit konstanter Beleuchtungsstärkenverteilung abstrahlt.
Aufgrund der Aberration zwischen dem Mittenbereich und den Randbereichen der
Kameralinse 22 hat das auf der Abbildungsfläche 24 erzeugte
Bild die Merkmale, siehe 5, dass das durch den Mittenbereich
der Kameralinse 22 erzeugte Bild heller ist und dass die
durch die Randbereiche der Kameralinse 22 (oben und unten)
erzeugten Bilder dunkler sind.
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Das
Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 strahlt
hinsichtlich dieser Eigenschaften der Kameralinse 22 Licht
mit einer Beleuchtungsstärkenverteilung ab, die entgegengesetzt
zur Helligkeit des Bilds verläuft, das auf der Abbildungsfläche 24 erzeugt
wird, falls das Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 Licht
mit konstanter Beleuchtungsstärkenverteilung abstrahlt. 6 zeigt
eine Ansicht der Beleuchtungsstärkenverteilung von Licht,
das der Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 abstrahlt. Das
Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18, siehe 6,
strahlt Licht derart ab, dass die Beleuchtungsstärke des
Lichts, das von den Beleuchtungsflächen abgestrahlt wird,
die im Mittenbereich der zahlreichen Beleuchtungsflächen
angeordnet sind, d. h. der Vorderenden der zahlreichen Lichtleiter 17,
anders formuliert das Licht, das auf die äußere
Umfangsendfläche 101a des Halbleiterwafers 100 projiziert
wird, schwächer wird als die Beleuchtungsstärke
des Lichts, das von den in den Randbereichen angeordneten Beleuchtungsflächen
abgestrahlt wird, d. h. des Lichts, das über die reflektierende
Oberfläche 12a des Spiegels 12 und die
reflektierende Oberfläche 14a des Spiegels 14 auf
die erste äußere Umfangsneigungsfläche 101b und
die zweite äußere Umfangsneigungsfläche 101c des
Halbleiterwafers 100 projiziert wird.
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7A zeigt
eine Ansicht eines ersten Beispiels für die Anordnung einer
Anzahl Beleuchtungsflächen, d. h. der Vorderenden der zahlreichen
Lichtleiter 17, in dem Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18. 7B zeigt
eine Ansicht eines zweiten Beispiels für die Anordnung
einer Anzahl Beleuchtungsflächen, d. h. der Vorderenden
der zahlreichen Lichtleiter 17, in dem Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18.
In 7A und 7B projizieren
die Beleuchtungsflächen 17a im Bereich A Licht
auf die äußere Umfangsendfläche 101a des
Halbleiterwafers 100, und die Beleuchtungsflächen 17a im
Bereich B projizieren Licht über die reflektierende Oberfläche 12a des
Spiegels 12 und die reflektierende Oberfläche 14a des
Spiegels 14 auf die erste äußere Umfangsneigungsfläche 101b und
die zweite äußere Umfangsneigungsfläche 101c des
Halbleiterwafers 100.
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In
dem Beispiel in 7B sind die Beleuchtungsflächen 17a sowohl
im Bereich A als auch im Bereich B mit gleichen Abständen
angeordnet. In diesem Fall kann man die in 6 dargestellte
Beleuchtungsstärkenverteilung erzielen, indem man die Beleuchtungsstärke
des Lichts gering hält, das die im Mittenbereich untergebrachten
Beleuchtungsflächen 17a abstrahlen, die Beleuchtungsstärke
des Lichts allmählich erhöht, das die Beleuchtungsflächen 17a abstrahlen,
wenn man sich den Randbereichen nähert, und indem man die
Beleuchtungsstärke des Lichts stark auslegt, das die Beleuchtungsflächen 17a abstrahlen,
die in den Randbereichen angeordnet sind. Dagegen haben in dem Beispiel
in 7A die Beleuchtungsflächen 17a im
Mittenbereich einen großen Anordnungsabstand und eine geringe
Anordnungsdichte. Nähert man sich den Randbereichen, so
werden der Anordnungsabstand allmählich enger und die Anordnungsdichte
höher. In diesem Fall kann man die Beleuchtungsstärke
des von allen Beleuchtungsflächen 17a abgestrahlten
Lichts gleich auslegen und die in 6 dargestellte
Beleuchtungsstärkenverteilung erzielen.
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Man
beachte, dass die Beleuchtungsstärkenverteilung des von
dem Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 abgestrahlten
Lichts nicht notwendig den inversen Verlauf bezüglich der
Helligkeit der Bilder haben muss, die auf der Abbildungsfläche 24 erzeugt
werden, siehe 6. Es genügt, wenn
ein annähernd inverser Verlauf vorhanden ist.
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8A zeigt
eine Ansicht eines dritten Beispiels für die Anordnung
einer Anzahl Beleuchtungsflächen an den Vorderenden der
zahlreichen Lichtleiter 17 in dem Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18. 8B zeigt
eine Ansicht eines vierten Beispiels für die Anordnung
einer Anzahl Beleuchtungsflächen an den Vorderenden der
zahlreichen Lichtleiter 17 in dem Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18.
In der gleichen Weise wie in 7A und 7B dargestellt
projizieren in 8A und 8B die
Beleuchtungsflächen 17a im Bereich A Licht auf
die äußere Umfangsendfläche 101a des
Halbleiterwafers 100, und die Beleuchtungsflächen 17a im
Bereich B projizieren Licht über die reflektierende Oberfläche 12a des
Spiegels 12 und die reflektierende Oberfläche 14a des
Spiegels 14 auf die erste äußere Umfangsneigungsfläche 101b und
die zweite äußere Umfangsneigungsfläche 101c des
Halbleiterwafers 100.
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In
dem Beispiel in 8B ist der Anordnungsabstand
der Beleuchtungsflächen 17a in zwei Stufen eingeteilt.
Im Bereich A ist der Anordnungsabstand groß und die Anordnungsdichte
gering. Im Bereich B ist der Anordnungsabstand klein und die Anordnungsdichte
ist hoch. In diesem Fall kann man die Beleuchtungsstärke
des Lichts, das von allen Beleuchtungsflächen 17a abgestrahlt
wird, identisch auslegen und eine Veränderung der Beleuchtungsstärke
annähernd gemäß 6 erreichen.
Dagegen sind in dem Beispiel in 8A die
Beleuchtungsflächen 17a sowohl im Bereich A als
auch im Bereich B mit gleichen Abständen angeordnet. In
diesem Fall muss man die Beleuchtungsstärke des Lichts,
das die Beleuchtungsflächen 17a im Bereich A abstrahlen,
schwächer gestalten als die Beleuchtungsstärke des
Lichts, das die Beleuchtungsflächen 17a im Bereich
B abgeben, damit man eine Veränderung der Beleuchtungsstärke
annähernd gemäß 6 erreicht.
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Will
man wie in 7B dargestellt die zahlreichen
Beleuchtungsflächen 17a mit gleichen Abständen
anordnen, wobei man die Beleuchtungsstärke des Lichts minimiert,
das die im Mittenbereich angeordneten Beleuchtungsflächen 17a abstrahlen,
die Beleuchtungsstärke des Lichts, das die hin zu den Randbereichen
angeordneten Beleuchtungsflächen 17a abstrahlen,
allmählich erhöht, und die Beleuchtungsstärke
des Lichts maximiert, das die im Randbereich angeordneten Beleuchtungsflächen 17a abstrahlen,
oder will man wie in 8A dargestellt, die zahlreichen
Beleuchtungsflächen 17a mit gleichen Abständen
anordnen und legt man die Beleuchtungsstärke des Lichts,
das die Beleuchtungsflächen 17a im Bereich A abstrahlen,
geringer aus als die Beleuchtungsstärke des Lichts, das
die Beleuchtungsflächen 17a im Bereich B abstrahlen,
so kann man dies beispielsweise, siehe unten, durch ein geeignetes
Umordnen der Lichtleiter 17 erreichen.
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9 zeigt
eine Ansicht eines Beispiels der Anordnung von Lichtleitern 17.
In 9 sind die zahlreichen Lichtleiter 17 so
umgeordnet, dass sie, je näher sie am Mittenbereich der
Lichtquelle 16 liegen, umso näher an den Randbereichen
der Anordnungspositionen der Beleuchtungsflächen 17a der
Lichtleiter 17 im Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 angeordnet
sind. Nimmt man die Umordnung der Lichtleiter in dieser Weise vor
und weist die Lichtquelle 16 eine Charakteristik auf, bei
der die Beleuchtungsstärke des vom Mittenbereich abgestrahlten Lichts
groß ist und die Beleuchtungsstärke des von den
Randbereichen abgestrahlten Lichts gering ist, so wird im Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 Licht
mit geringer Beleuchtungsstärke von dem im Mittenbereich
untergebrachten Beleuchtungsflächen 17a abgestrahlt,
und Licht mit hoher Beleuchtungsstärke wird von den in
den Randbereichen angeordneten Beleuchtungsflächen 17a abgegeben.
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Zudem
ist vor den Beleuchtungsflächen 17a im Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 die
zylindrische plankonvexe Linse 20 angeordnet (siehe 4). 10 zeigt
eine Ansicht des Herstellungsvorgangs für eine zylindrische
plankonvexe Linse. Die zylindrische plankonvexe Linse 20,
siehe 10, wird durch dadurch hergestellt,
dass man einen Zylinder 60 aus Glas, Kunststoff oder einem
anderen lichtdurchlässigen Material entlang seiner Erstreckungsrichtung
(Richtung senkrecht zur kreisförmigen ersten Hauptoberfläche
und zweiten Hauptoberfläche) durchschneidet.
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11A zeigt eine Seitenansicht eines Beispiels für
einen Mechanismus, der dem Justieren der Neigungswinkel der Spiegel 12 und 14 dient. 11B zeigt eine Vorderansicht eines Beispiels für einen
Mechanismus, der dem Justieren der Neigungswinkel der Spiegel 12 und 14 dient.
Dieser Einstellmechanismus, siehe 11A und 11B, besteht aus den Halteteilen 32 und 34,
den Wellen 36, 37 und den Schenkelteilen 40, 41, 42 und 43.
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Das
Halteteil 32 ist am Spiegel 12 befestigt und trägt
diesen Spiegel 12. Zudem ist das Halteteil 32 an
einem Ende seines Unterteils mit einem Schenkelteil 40 versehen
sowie mit einem Schenkelteil 41 am anderen Ende. Das Schenkelteil 40 ist so
befestigt, dass es sich um eine Welle 36 drehen kann. Das
Schenkelteil 41 ist so befestigt, dass es sich um eine
Welle 37 drehen kann. Das Halteteil 34 ist am
Spiegel 14 befestigt und trägt diesen Spiegel 14.
Zudem ist das Halteteil 34 an einem Ende seines Oberteils
mit einem Schenkelteil 42 versehen sowie mit einem Schenkelteil 43 am
anderen Ende. Das Schenkelteil 42 ist so befestigt, dass
es sich um die Welle 36 drehen kann. Das Schenkelteil 43 ist
so befestigt, dass es sich um die Welle 37 drehen kann.
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Mit
einer derartigen Anordnung kann man die Neigungswinkel der Spiegel 12 und 14 um
die Wellen 36 und 37 beliebig einstellen. Durch
das Einstellen der Neigungswinkel der Spiegel 12 und 14 kann
man die Bilder der ersten äußeren Umfangsneigungsfläche 101b und
der zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche 101c des
Halbleiterwafers 100 zur Kameralinse 22 führen.
Zudem ist ein Spalt 44 zwischen dem Unterteil des Halteteils 32 und
dem Oberteil des Halteteils 34 ausgebildet. Durch das Anordnen
des Randbereichs des Halbleiterwafers 100 in diesem Spalt 44 kann
man das Bild der ersten äußeren Umfangsneigungsfläche 101b des
Halbleiterwafers 100 zuverlässig zum Spiegel 12 führen,
und man kann das Bild der zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche 101c zuverlässig
zum Spiegel 14 führen.
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Auf
diese Weise besitzt die Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung 10 dieser
Ausführungsform die Eigenschaft, dass, wenn das Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 Licht
mit einer konstanten Beleuchtungsstärkenverteilung abstrahlt,
das Bild der äußeren Umfangsendfläche 101a des
Halbleiterwafers 100, das über den Mittenbereich
der Kameralinse 22 auf der Abbildungsfläche 24 erzeugt
wird, eine hohe Helligkeit aufweist, und dass die Bilder der ersten äußeren
Umfangsneigungsfläche 101b des Halbleiterwafers 100 und
der zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche 101c,
die über die Randbereiche auf der Abbildungsfläche 24 erzeugt
werden, eine geringe Helligkeit aufweisen. Hinsichtlich dieser Gegebenheiten
beleuchtet das Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 die äußere
Umfangsendfläche 101a, die erste äußere
Umfangsneigungsfläche 101b und die zweite äußere
Umfangsneigungsfläche 101c derart, dass die erste äußere
Umfangsneigungsfläche 101b und die zweite äußere
Umfangsneigungsfläche 101c verglichen mit der äußeren
Umfangsendfläche 101a des Halbleiterwafers 100 heller
werden.
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12A zeigt eine Darstellung von Bildern der äußeren
Umfangsendfläche, der ersten äußeren Umfangsneigungsfläche
und der zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche
in einer herkömmlichen Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung. 12B zeigt eine Ansicht der Beleuchtungsstärken-Merkmale
einer Beleuchtungseinheit. 12C zeigt
eine Ansicht der Helligkeitsmerkmale eines durch eine Kameralinse erzeugten
Bilds. 12D zeigt eine Ansicht der Helligkeitsmerkmale
eines Bilds. In der Vergangenheit, siehe 12B,
war die Beleuchtungsstärke der Beleuchtungseinheit im Mittenbereich
hoch und nahm zu den Randbereichen hin allmählich ab. Die
Helligkeit des über den Mittenbereich der Kameralinse erzeugten
Bilds war hoch, siehe 12C,
und die Helligkeit des über die Randbereiche erzeugten
Bilds nahm zum Rand hin immer mehr ab. Durch die Überlagerung
der Beleuchtungsstärken-Merkmale einer derartigen Beleuchtungseinheit
und der Helligkeitseigenschaften des über die Kameralinse
erzeugten Bilds, siehe 12A,
hatte das Bild 51 der äußeren Umfangsendfläche 101a des Halbleiterwafers 100 eine
hohe Helligkeit, und das Bild 52 der ersten äußeren
Umfangsneigungsfläche 101b des Halbleiterwafers 100 und
das Bild 53 der zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche 101c besaß eine
geringere Helligkeit. Dadurch, siehe 12D,
weist das Bild im Mittenbereich eine hohe Helligkeit auf, die zu
den Randbereichen hin mehr und mehr abnimmt.
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Dagegen
zeigt 13A eine Darstellung von Bildern
der äußeren Umfangsendfläche 101a, der
ersten äußeren Umfangsneigungsfläche 101b und
der zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche 101c in
der Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung 10 der Ausführungsform. 13B zeigt eine Ansicht der Beleuchtungsstärken-Merkmale
des Beleuchtungs-Lichtführungslampenteils 18. 13C zeigt eine Ansicht der Helligkeitsmerkmale
des durch die Kameralinse 22 erzeugten Bilds. 13D zeigt eine Ansicht der Helligkeitsmerkmale
des Bilds. Wie in der Vergangenheit, siehe 13C,
weist das über den Mittenbereich der Kameralinse 22 erzeugte
Bild eine hohe Helligkeit auf, und die über die Randbereiche erzeugten
Bilder werden umso dunkler, je näher man den Randbereichen
kommt. In der Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung 10 der
Ausführungsform, siehe 13B,
ist jedoch die Beleuchtungsstärken-Charakteristik der Beleuchtungseinheit 16 so
eingestellt, dass die Helligkeitseigenschaften des über
die Kameralinse 22 erzeugten Bilds kompensiert werden. Somit
kann man, siehe 13A, die Helligkeit des Bilds 51 der äußeren
Umfangsendfläche 101a des Halbleiterwafers 100 und
die Helligkeiten des Bilds 52 der ersten äußeren
Umfangsneigungsfläche 101b und des Bilds 53 der
zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche 101c so
weit wie möglich angleichen. Anders formuliert liegen die
Helligkeiten in einem vorbestimmten Bereich, und damit, siehe 13D, liegt die Helligkeit des Gesamtbilds in einem
vorbestimmten Bereich. Somit liegen auch bei einfachen Erkennungsbedingungen
für die Helligkeit in den Bildern 51 bis 53 keine
zu großen oder zu geringen Helligkeiten vor, und man kann
ausgehend von diesen Bildern 51 bis 53 den Zustand
des äußeren Umfangskantenabschnitts 101 des
Halbleiterwafers 100 geeignet prüfen.
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Man
beachte, dass in der obigen Ausführungsform das Prüfen
des Zustands des äußeren Umfangskantenabschnitts 101 eines
Halbleiterwafers 100 erklärt wurde. Man kann die
Erfindung jedoch leicht auf den Fall anwenden, dass der äußere Umfangskantenabschnitt
eines anderen plattenförmigen Teils geprüft wird,
der vergleichbar mit dem Halbleiterwafer 100 einen äußeren
Umfangskantenabschnitt aufweist, der aus einer äußeren
Umfangsendfläche, einer ersten äußeren
Umfangsneigungsfläche und einer zweiten äußeren
Umfangsneigungsfläche besteht.
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Zudem
strahlt in der obigen Ausführungsform das Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 Licht
mit einer Beleuchtungsstärkenverteilung ab, die der Helligkeitsverteilung
der Bilder entgegengesetzt ist, die auf der Abbildungsfläche 24 entstehen,
wenn man Licht mit einer konstanten Beleuchtungsstärkenverteilung
einstrahlt. Andernfalls gestaltet man die Beleuchtungsstärke
des Lichts, das auf die äußere Umfangsendfläche 101a projiziert
wird, geringer als die Helligkeiten des Lichts, das auf die erste äußere Umfangsneigungsfläche 101b und
die zweite äußere Umfangsneigungsfläche 101c projiziert
wird. Solange jedoch die Bilder der äußeren Umfangsendfläche 101a,
der ersten äußeren Umfangsneigungsfläche 101b und
der zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche 101c,
die auf der Abbildungsfläche 24 erzeugt werden,
eine Helligkeit in einem vorbestimmten Bereich aufweisen, ist die
Beleuchtungsstärkenverteilung des Beleuchtungs-Lichtführungslampenteils 18 nicht
auf diese Beleuchtungsstärkenverteilungen eingeschränkt.
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Zudem
weist in der obigen Ausführungsform die Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung 10 die
Korrekturlinse 26 auf, und das Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18 besitzt
die zylindrische plankonvexe Linse 20. Die Erfindung kann
jedoch auch so konfiguriert sein, dass sie entweder die Korrekturlinse 26 oder
die zylindrische plankonvexe Linse 20 oder beide Teile
nicht umfasst. Weiterhin wird in der obigen Ausführungsform
das Licht von der Lichtquelle 16 über die Lichtleiter 17 geführt
und von den Vorderenden der Lichtleiter 17 abgestrahlt,
d. h. von den Beleuchtungsflächen 17a. Anstelle
der Lichtquelle 16 und der Lichtleiter 17 kann
man jedoch auch eine Anzahl Leuchtdioden an den Positionen der Beleuchtungsflächen
anordnen und Licht von diesen Leuchtdioden abstrahlen.
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GEWERBLICHE ANWENDUNG
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Mit
der Oberflächen-Prüfvorrichtung der Erfindung
kann man in geeigneter Weise den äußeren Umfangskantenabschnitt
eines plattenförmigen Teils prüfen, und sie ist
als Oberflächen-Prüfvorrichtung einsetzbar.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Die
Aufgabe liegt in der Bereitstellung einer Oberflächen-Prüfvorrichtung,
die den äußeren Umfangskantenabschnitt eines Halbleiterwafers
oder eines anderen plattenförmigen Teils sachgerecht prüfen
kann. Die technische Lösung ist eine Halbleiterwafer-Prüfvorrichtung 10,
umfassend eine Kameralinse 22, die so angeordnet ist, dass
sie einem äußeren Umfangskantenabschnitt 101 eines
Halbleiterwafers 100 gegenüberliegt; eine Abbildungsfläche 24, die
bezogen auf die Kameralinse 22 einer äußeren Umfangsendfläche
eines Halbleiterwafers 100 gegenüberliegend angeordnet
ist; einen Spiegel 12, der über die Kameralinse 22 ein
Bild einer ersten äußeren Umfangsneigungsfläche 101b des
Halbleiterwafers 100 auf der Abbildungsfläche 24 erzeugt;
einen Spiegel 14, der über die Kameralinse 22 ein
Bild einer zweiten äußeren Umfangsneigungsfläche 101c des
Halbleiterwafers 100 auf der Abbildungsfläche 24 erzeugt;
eine Korrekturlinse 26, die über den Mittenbereich
der Kameralinse 22 ein Bild der äußeren Umfangsendfläche 101a des
Halbleiterwafers 100 auf der Abbildungsfläche 24 erzeugt;
und ein Beleuchtungs-Lichtführungslampenteil 18,
das die Oberflächen derart beleuchtet, dass die erste äußere Umfangsneigungsfläche 101b und
die zweite äußere Umfangsneigungsfläche 101c verglichen
mit der äußeren Umfangsendfläche 101a heller
werden.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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