DE112006003788T5 - Leadframe mit einem nichtleitenden Verbindungssteg - Google Patents

Leadframe mit einem nichtleitenden Verbindungssteg Download PDF

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Abstract

Ein elektronisches Bauteil (46) mit folgenden Merkmalen:
– ein Leadframe (16) mit einem Wärmeverteilerbereich (9), eine Mehrzahl von leitenden Lead-Fingern (12), eine oder mehrere nichtleitende Verbindungsstege (15), und Metallanschlüsse (6) welche die nichtleitenden Verbindungsstege (15) mit dem Wärmeverteilerbereich (9) verbindenden,
– ein Halbleiterchip (8) ist auf einem Die-Pad (20), das auf dem Wärmeverteilerbereich (9) angeordnet ist, vorgesehen, und
– ein Vergusskörper (36), der zumindest einen Teil des Halbleiterchips (8), zumindest einen Teil der nichtleitenden Verbindungsstege (15) und einen Teil des Leadframes (16) bedeckt.

Description

  • Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterchips
  • Die US 6 821 822 offenbart ein Verfahren zum Gießen eines Halbleiterchips. Bei diesem Verfahren reichen ein oder mehrere Stützpins in den Formhohlraum hinein, um den Leadframe während des Gussverkapselungsprozesses zu stützen. Der Stützpin tritt aus der Gießformanordnung hervor, wenn die Gussmasse auszuhärten beginnt. Dieses Verfahren weist den Nachteil auf, dass die Bewegung des Stützpins innerhalb der geschmolzenen Gussmasse eine starke Abnutzung des Stützpins verursacht, was wiederum Kosten für einen Austausch nach sich zieht. Darüber hinaus können die Pins auf den Fluss der geschmolzenen Gussmasse innerhalb des Formhohlraums störend einwirken.
  • Es ist Aufgabe der Erfindung ein verbessertes Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterchips anzugeben und insbesondere ein verbessertes Verfahren zum Verkapseln eines single-ended Gehäuses.
  • Gemäß der Erfindung weist ein elektronisches Bauteil einen Leadframe auf. Der Leadframe weist ein als ein Wärmeverteilerbereich dienendes Die-Paddle bzw. einen Chip-Unterbau, leitende Finger und nichtleitende Verbindungsstege auf, welche die Form von Lead-Fingern haben können. Die nichtleitenden Verbindungsstege können aus einer Folie oder als separat gegossenes Kunststoffteil hergestellt sein. Metallanschlüsse sind an dem Wärmeverteilerbereich als Metallverbindungsstück zum Verbinden der nichtleitenden Verbindungsstege mit dem Wärmeverteilerbereich vorgesehen.
  • Ein Halbleiterchip ist auf einem Die-Pad angeordnet, das auf dem Die-Paddle angeordnet ist. Eine Gussmasse bedeckt den Halbleiterchip, zumindest einen Teil der nichtleitenden Verbindungsstege und einen Teil des Leadframes. Das elektronische Bauteil gemäß der Erfindung weist zusätzlich nicht leitende Lead-Finger auf, um die Stabilität des Leadframes während des Verkapselungsprozesses des Gehäuses zu verbessern.
  • Das elektronische Bauteil gemäß der Erfindung weist Metallanschlüsse oder Metallverbindungsstücke auf, die bedeckt sind, um alten Verbundstoff elektrisch zu isolieren. Die Metallanschlüsse können ein Material aufweisen, wie beispielsweise Kupfer, welches zum Korrodieren neigt, wenn es ungeschützt ist. Darüber hinaus verhindert das Umhüllen der Metallanschlüsse, dass externe elektrische Signale den Halbleiterchip über den Metallanschluss erreichen.
  • Gemäß der Erfindung sind die nichtleitenden Verbindungsstege mit dem Rahmen verbunden, der als leitender Steg dient. Dies hilft, die Lead-Finger davon abzuhalten, dass sie sich während des Herstellungsprozesses bewegen. Die Handhabung während des Herstellungsprozesses könnte sonst die nichtleitenden Verbindungsstege verschieben und während des Gießprozesses unwirksam machen.
  • Gemäß der Erfindung ist der Rahmen aus einem steifen Material gefertigt. Die Steifheit des leitenden Stegs verhindert, dass der Rahmen sich während des Herstellungsprozesses be wegt. Um die Steifheit beizubehalten weist der leitende Steg ein thermoplastisches Material auf. Der leitende Steg hat vorzugsweise eine Dicke von mehr als 0,5 mm. Die nichtleitenden Lead-Finger des Leadframes sind vorzugsweise weniger als 10 mm voneinander beabstandet angeordnet.
  • Ein elektronisches Bauteil gemäß der Erfindung stellt weiterhin sicher, dass die Oberflächen der nichtleitenden Verbindungsstege mit der Oberfläche der Gussmasse des elektronischen Bauteils eine Ebene bilden. Die nichtleitenden Verbindungsstege stehen während des Gießprozesses aus der Gussmasse hervor. Nach dem Gießprozess werden die Teile der nichtleitenden Verbindungsstege, die aus der Gussmasse hervorstehen, entfernt.
  • Gemäß der Erfindung weist der nichtleitende Verbindungssteg ein Material auf, das einen Schmelzpunkt größer 200°C aufweist. Der nichtleitende Verbindungssteg ist während des Verkapselungsprozesses des Gehäuses von einer geschmolzenen Gussmasse umgeben. Der hohe Schmelzpunkt des nichtleitenden Verbindungsstegs bewirkt, dass der nichtleitende Verbindungssteg der geschmolzenen Gussmasse standhält. Die Gussmasse hat einen Schmelzpunkt von ungefähr 175°C.
  • Gemäß der Erfindung weist der nichtleitende Verbindungssteg ein steifes Material auf. Der steife nichtleitende Verbindungssteg verhindert, dass sich der Leadframe während des Gießprozesses bewegt.
  • Gemäß der Erfindung, weist das elektronische Bauteil an einer Seite die leitenden Lead-Finger auf. Die leitenden Lead-Finger unterstützen den Leadframe während des Gießprozesses.
  • Ein Leadframe mit leitenden Lead-Fingern an nur einer Seite des Leadframes ist anfällig für eine Bewegung während des Verkapselungsprozesses des Gehäuses. Die Erfindung verbessert die Stabilität des Leadframes dadurch, dass nichtleitende Verbindungsstege vorgesehen sind, die als Ankerpunkte zur Sicherungen des Leadframes während des Gießprozesses dienen.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils weist den Schritt des Formens eines nichtleitenden Verbindungssteges über einem Metallanschluss des Leadframes auf, wobei das Metallverbindungsstück oder der Metallanschluss vorzugsweise am Wärmeverteilerbereich des Leadframe angeordnet ist. Danach wird ein Halbleiterchip durch Mittel wie etwa Klebstoff mit dem Die-Pad des Leadframes verbunden. Danach werden elektrische Kontakte wie etwa Kontaktierungsdrähte zwischen Kontaktbereichen des Halbleiterchips und den Kontaktierungsfingern des Leadframe vorgesehen. Der nächste Schritt ist die Verkapselung des Gehäuses, wobei der Halbleiterchip, die nichtleitenden Lead-Finger und der Leadframe mit einer Gussmasse bedeckt sind. Anschließend werden die nichtleitenden Verbindungsstege, die aus der Oberfläche des Vergusskörpers hervorstehen, entfernt, so dass die Oberfläche der nichtleitenden Verbindungsstege mit dem Vergusskörper eine Ebene bildet.
  • Nichtleitende Verbindungsstege werden vorzugsweise auf den Metallanschlüssen des freiliegenden Leadframes ausgebildet. Das Formen nichtleitender Verbindungsstege auf dem Metallverbindungsstück nach dem Schritt des Vorsehens eines elektrischen Kontakts zwischen dem Kontaktierungsfinger und den Kontaktbereichen des Halbleiterchips könnte die elektrischen Kontakte zerstören.
  • Gemäß der Erfindung weist das Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils weiterhin den Schritt des Einspannens leitender Lead-Finger des Leadframes durch eine Gießformanordnung während des Schritts der Verkapselung des Gehäuses auf. Das Einspannen der leitenden Lead-Finger verhindert, dass sich die leitenden Lead-Finger verschieben. Dies wiederum verhindert, dass sich der Leadframe, der mit den leitenden Lead-Fingern verbunden ist, bewegt. Geschmolzene Gussmasse wird während des Verkapselungsprozesses in den Formhohlraum des Gehäuses eingespritzt. Die fließende geschmolzene Gussmasse übt eine Bewegungskraft auf den Leadframe aus, jedoch verhindern die eingespannten Lead-Finger, dass sich der Leadframe bewegt. Dies unterscheidet sich vom Stand der Technik, bei dem Stützpins in den Formhohlraum hineinreichen, um zu verhindern, dass sich der Leadframe bewegt.
  • Gemäß der Erfindung weist ein bevorzugtes Herstellungsverfahren einen weiteren Schritt des Einspannens der nichtleitenden Verbindungsstege des Leadframes durch eine Gießformanordnung während des Schritts der Verkapselung des Gehäuses auf. Das Einspannen des nichtleitenden Verbindungsstegs hält die nichtleitenden Lead-Finger fixiert und verbessert dadurch die Stabilität des Leadframes während des Gießprozesses.
  • 1 zeigt eine Querschnittsansicht einer Gießformanordnung gemäß der Erfindung,
  • 2 zeigt eine Draufsicht der Leadframe-Anordung gemäß der Erfindung,
  • 3 zeigt eine Seitenansicht der Leadframe-Anordung der 2, und
  • 4 zeigt ein mit der Gießformanordnung der 1 gemäß der Erfindung hergestelltes elektronisches Bauteil.
  • 1 zeigt eine Querschnittsansicht der Gießformanordnung 1. Die Gießformanordnung 1 besteht aus einer unteren Form 2 und einer über der unteren Form 2 angeordneten oberen Form 3. Der Raum zwischen der unteren Form 2 und der oberen Form 3 bildet einen Formhohlraum 4. Eine Durchgangsöffnung 5 ist als ein Kanal an der Außenfläche der linken Seite der oberen Form 3 ausgebildet.
  • Innerhalb des Formhohlraums 4 der Form ist ein metallener Leadframe 16 mit einem Halbleiterchip 8 vorgesehen. Der Leadframe 16 wird durch einen Rahmen 35 gestützt, der nichtleitende Verbindungsstege 15 aufweist.
  • Der Leadframe 16 weist einen Wärmeverteilerbereich 9 mit einem Befestigungsloch 7, Metallanschlüssen 6, einem Metallverbindungssteg 10, Kontaktierungsfingern 11 und Lead-Fingern 12 und nichtleitende Verbindungsstege 15 auf. Der Metallverbindungssteg 10 ist an der rechten Seite des Die-Paddles 9 in 1 angeordnet, und er verbindet den Wärmeverteilerbereich 9 mit den Kontaktierungsfingern 11. Jeder Kontaktierungsfinger 11 weist einen Lead-Finger 12 auf. Die Lead-Finger 12 sind durch die Metallanschlussbereiche 25 miteinander verbunden, was am besten anhand der 2 zu erkennen ist.
  • Metallanschlüsse 6 sind links von dem Wärmeverteilerbereich 9 angeordnet, wobei die Metallanschlüsse 6 mit einem Stanz- oder Prägeprozess ausgeformt werden können, wenn der Leadframe 16 hergestellt wird. Jeder Metallanschluss 6 ist mit einem nichtleitenden Verbindungssteg 15 verbunden. Die Verbindung kann mit einem Verbindungsbereich unter Verwendung von Klebstoff hergestellt werden. Dazu können miteinander in Eingriff stehende Vertiefungen und Vorsprünge sowohl an dem Metallanschluss 6 als auch an dem nichtleitenden Verbindungssteg 15 vorgesehen sein, um den Kontaktbereich zwischen ihnen zu vergrößern.
  • Der Halbleiterchip 8 ist über dem Wärmeverteilerbereich 9 angeordnet. Der Halbleiterchip 8 weist eine elektrische Schaltungsanordnung und eine Mehrzahl von mit der elektrischen Schaltungsanordnung verbundenen Verbindungsgliedern auf. Die elektrische Schaltungsanordnung und die Verbindungsglieder sind in der 1 nicht gezeigt. Kontaktierungsdrähte 13 verbinden die Verbindungsglieder des Halbleiterchips 8 mit den Kontaktierungsfingern 11 des Leadframes 16.
  • Der Leadframe 16 ist seitlich über der unteren Form 2 angeordnet.
  • Der Wärmeverteilerbereich 9 ist rechts von dem Befestigungsloch 7 angeordnet. Die Lead-Finger 12 sind über der Außenfläche der rechten Seite der unteren Form 2 angeordnet. Die Lead-Finger 12 stehen von der Gießformanordnung 1 nach außen hervor.
  • Wenn sich die Gießformanordnung 1 der 1 in einem geschlossenen Zustand befindet, ist die obere Form 3 dicht über der unteren Form 2 angeordnet. Die Außenflächen der oberen und untere Formen 2 and 3 bilden eine Klemmvorrichtung über den Lead-Fingern 12 und über den nichtleitenden Verbindungsstegen 15. Die Durchgangsöffnung 5, die links von der Gießformanordnung 1 angeordnet ist, ist ein Durchgang für das Einspritzen geschmolzener Gussmasse durch einen hydraulischen Kolben in den Formhohlraum 4 der Form hinein, um einen gekapselten Körper über dem Halbleiterchip 8 auszubilden. Der hydraulische Kolben ist in der 1 nicht gezeigt. Die Gussmasse schmilzt bei einer Temperatur von ungefähr 175°C. Wenn die geschmolzene Gussmasse in den Formhohlraum 4 der Form hineinfließt, kühlt sie ab und erhöht ihre Viskosität. Die Durchflussmenge und die Viskosität der geschmolzenen Gussmasse übt eine Kippkraft auf den Halbleiterchip 8 und den Leadframe 16 in Richtung des Flusses der Gussmasse aus. Der Halbleiterchip 8 und der Leadframe 16 in der Gießformanordnung 1 sind gegen diese Kippkraft durch die Lead-Finger 12 und den Rahmen 35 mit den nichtleitenden Verbindungsstegen 15 verankert. Die Lead-Finger 12 und die nichtleitenden Verbindungsstege 15 sind mit dem Leadframe 16 verbunden und werden deshalb an einem Verschieben durch die Klemmkraft, welche die Gießformanordnung 1 auf die Lead-Finger 12 und auf die nichtleitenden Verbindungsstege 15 ausübt, gehindert.
  • 2 zeigt eine Draufsicht der Leadframe-Anordung 45 gemäß der Erfindung. Die Leadframe-Anordung 45 wird in der Gießformanordnung 1 der 1 angewendet und weist einen Leadframe 16 auf. Der Leadframe 16 weist einen Wärmeverteilerbereich 9 auf. Auf dem Die-Paddle 9 ist ein Befestigungsloch 7 vorgesehen.
  • Metallanschlüsse 6 sind Teil des Wärmeverteilerbereichs 9, und sie sind links und rechts von dem Die-Paddle 9 angeordnet. Die Lead-Finger 15 sind über den Metallanschlüssen 6 angeordnet. Der untere Teil des nichtleitenden Verbindungsstegs 15 weist den oberen Teil der Metallanschlüsse 6 auf. Die oberen Teile der nichtleitenden Verbindungsstege 15 sind durch einen horizontalen Rahmen 35 miteinander verbunden. An der Vorderfläche des Wärmeverteilerbereichs 9 ist ein Die-Pad 20 angeordnet. Kontaktierungsfinger 11 erstrecken sich unterhalb des Wärmeverteilerbereichs 9. Der mittlere Kontaktierungsfinger 11 verbindet den Wärmeverteilerbereich 9 mit den Lead-Fingern 12. Unter jedem Kontaktierungsfinger 11 ist ein vertikaler Lead-Finger 12 angebracht. Am unteren Ende der Lead-Finger 12 sind Lead-Spitzen 23 vorgesehen. Die Lead-Spitzen 23 sind mit einem horizontalen unteren Metallstreifen 24 verbunden, der unterhalb der Lead-Spitzen 23 angeordnet ist. Unterhalb der Kontaktierungsfinger 11 angeordnete Metallverbindungsstücke 25 verbinden die benachbarten Lead-Finger 12 miteinander. Die Metallverbindungsstücke 25 bilden einen horizontalen Sperrsteg 26. Dieser Leadframe 16 ist Teil eines Leadframe-Streifens, der in der Figur nicht gezeigt ist. Der Leadframe-Streifen weist fünfzehn Leadframes 16 auf.
  • Die nichtleitenden Verbindungsstege 15 und der Rahmen 35 sind aus einem thermoplastischen Material hergestellt, das nichtleitend ist. Die Dicke des Verbindungsstegs beträgt un gefähr 0,7 mm. Die Separation d zwischen den nichtleitenden Verbindungsstegen 15 beträgt ungefähr 7 mm. Das Befestigungsloch 7 ist für einen späteren Anschluss eines Kühlkörpers in einer Endverbraucherapplikation vorgesehen. Das Die-Pad 20 wird für eine spätere Anordnung eines Halbleiterchips verwendet. Der Kontaktierungsfinger 11 dient als ein Aufnahmeteil für einen späteren Anschluss eines Bondingdrahts zwischen dem Kontaktierungsfinger 11 und einem Kontaktglied des Halbleiterchips. Während eines Verkapselungsprozesses des Gehäuses bedeckt geschmolzene Gussmasse den oberen Teil des Leadframes 16. Der Sperrsteg 26 verhindert, dass geschmolzene Gussmasse die unterhalb des Sperrstegs 26 angeordneten Lead-Finger 12 erreicht. Nach dem Gießprozess werden die Metallverbindungsstücke 25 zwischen benachbarten Lead-Fingern 12, der horizontale Rahmen 35 und der horizontale unteren Metallstreifen 24 sämtlich entfernt. Ein Teil des nichtleitenden Verbindungsstegs 15, der aus der Gussmasse hervorsteht, wird nach dem Gießprozess ebenfalls entfernt. Nach dem Entfernen des hervorstehenden Teils bildet die Oberfläche des nichtleitenden Verbindungsstegs 15 mit der Oberfläche der Gussmasse eine Ebene.
  • 3 zeigt eine Seitenansicht der Leadframe-Anordung 45 der 2. Die nichtleitenden Verbindungsstege 15 bilden ein Anbauteil an den Metallanschlüssen 6, die mit dem Wärmeverteilerbereich 9 verbunden sind.
  • 4 zeigt ein mit der Gießformanordnung der 1 gemäß der Erfindung hergestelltes elektronisches Bauteil 46. 4 zeigt eine Draufsicht und eine Seitenansicht des elektronischen Bauteils 46. Der obere Teil des elektronischen Bauteils 46 zeigt einen Vergusskörper 36. Der Vergusskörper 36 hat einen oberen Teil 37 und einen unteren Teil 38. Die Dicke des oberen Teils 37 ist geringer als die Dicke des unteren Teils 38. Die Rückfläche 39 des Vergusskörpers 36 ist flach. Der obere Teil 37 des Vergusskörpers 36 hat ein Befestigungsloch 40. Die Lead-Finger 12 sind unterhalb des unteren Teils 38 des elektronischen Bauteils 46 angeordnet.
  • Das elektronische Bauteil 46 ist in der 4 teilweise im Aufriss dargestellt. Man erkennt eine Querschnittsansicht eines Teils des Wärmeverteilerbereichs 9, die Metallanschlüsse 6 und den nichtleitender Verbindungssteg 15. Der nichtleitende Verbindungssteg 15 ist aus einem nichtleitenden Material hergestellt. Im Gegensatz dazu sind die Lead-Finger 12 aus einem leitenden Material hergestellt. Die nichtleitenden Verbindungsstege 15 sind nach dem Gießprozess abgeschnitten worden, um mit der Oberfläche des Vergusskörpers 36 bündig zu sein.
  • Zusammenfassung
  • Leadframe mit einem nichtleitenden Verbindungssteg
  • Ein elektronisches Bauteil (46) weist einen Leadframe (16) auf. Der Leadframe (16) weist einen Wärmeverteilerbereich (9), eine Vielzahl von leitenden Lead-Fingern (12), ein oder mehrere nichtleitende Verbindungsstege (15) und einen Metallanschluss (6) auf, der den nichtleitenden Verbindungssteg (15) mit dem Wärmeverteilerbereich (9) verbindet. Ein Halbleiterchip (8) ist auf einem Die-Pad (20) vorgesehen, das sich auf dem Wärmeverteilerbereich (9) befindet. Ein Vergusskörper (36) bedeckt zumindest einen Teil des Halbleiterchips (8), zumindest einen Teil der nichtleitenden Verbindungsstege (15) und einen Teil des Leadframes (16).
  • 1
    Gießformanordnung
    2
    untere Form
    3
    obere Form
    4
    Formhohlraum
    5
    Durchgangsöffnung
    6
    Metallanschluss
    7
    Befestigungsloch
    8
    Halbleiterchip
    9
    Wärmeverteilerbereich
    10
    Metallverbindungssteg
    11
    Kontaktierungsfinger
    12
    Lead-Finger
    13
    Kontaktierungsdraht
    15
    nichtleitender Verbindungssteg
    16
    Leadframe
    20
    Die-Pad
    23
    Lead-Spitze
    24
    unterer Metallstreifen
    25
    Metallanschlussbereich
    26
    Sperrsteg
    35
    Rahmen
    36
    Vergusskörper
    37
    oberer Teil
    38
    unterer Teil
    39
    Rückfläche
    40
    Befestigungsloch
    45
    Leadframe-Anordung
    46
    elektronisches Bauteil
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - US 6821822 [0002]

Claims (11)

  1. Ein elektronisches Bauteil (46) mit folgenden Merkmalen: – ein Leadframe (16) mit einem Wärmeverteilerbereich (9), eine Mehrzahl von leitenden Lead-Fingern (12), eine oder mehrere nichtleitende Verbindungsstege (15), und Metallanschlüsse (6) welche die nichtleitenden Verbindungsstege (15) mit dem Wärmeverteilerbereich (9) verbindenden, – ein Halbleiterchip (8) ist auf einem Die-Pad (20), das auf dem Wärmeverteilerbereich (9) angeordnet ist, vorgesehen, und – ein Vergusskörper (36), der zumindest einen Teil des Halbleiterchips (8), zumindest einen Teil der nichtleitenden Verbindungsstege (15) und einen Teil des Leadframes (16) bedeckt.
  2. Das elektrische Bauteil (46) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Metallanschluss (6) vollständig im Vergusskörper (36) eingeschlossen ist.
  3. Das elektrische Bauteil (46) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die nichtleitenden Verbindungsstege (15) durch einen Verbindungsrahmen (35) miteinander verbunden sind.
  4. Das elektrische Bauteil (46) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Verbindungsrahmen (35) ein Material aufweist, das steif ist.
  5. Das elektrische Bauteil (46) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Oberfläche des nichtleitenden Verbindungsstegs (15) sich auf derselben Ebene wie die Oberfläche der Vergussmasse des elektronischen Bauteils (46) angeordnet ist.
  6. Das elektrische Bauteil (46) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der nichtleitende Verbindungssteg (15) ein Material aufweist, das einen Schmelzpunkt größer 200°C aufweist.
  7. Das elektrische Bauteil (46) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der nichtleitende Verbindungssteg (15) ein Material aufweist, das steif ist.
  8. Das elektrische Bauteil (46) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die leitenden Lead-Finger (12) an einer der Seiten des elektronischen Bauteils (46) angeordnet sind.
  9. Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils (46), wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: – Ausbilden eines nichtleitenden Verbindungsstegs (15) über dem Metallanschluss (6) eines Leadframes (16), – Vorsehen eines Halbleiterchips (8) auf dem Leadframe (16), wobei der Leadframe (16) Kontaktierungsfinger (11) aufweist, – Vorsehen einer Kontaktierungseinrichtung (13) zwischen Kontaktbereichen des Halbleiterchips und den Kontaktierungsfingern (11), – Bedecken zumindest eines Teils des Halbleiterchips (8), eines Teils der nichtleitenden Verbindungsstege (15) und eines Teils des Leadframes (16) mit einer Vergussmasse, und – Entfernen eines Teils der nichtleitenden Verbindungsstege (15), der aus der Oberfläche der Vergussmasse des elektronischen Bauteils (46) hervorsteht.
  10. Das Verfahren zur Herstellung eines elektronisches Bauteils (46) nach Anspruch 9, wobei das Verfahren weiterhin den Schritt des Einspannens leitender Lead-Finger (12) des Leadframes (16) durch eine Gießformanordnung (1) während des Schritts des Bedeckens des Halbleiterchips (8), zumindest eines Teils der nichtleitenden Verbindungsstege (15) und eines Teils des Leadframes (16) mit Vergussmasse aufweist.
  11. Das Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils (46) nach Anspruch 9 oder 10, wobei das Verfahren weiterhin den Schritt des Einspannens nichtleitender Verbindungsstege (15) des Leadframes (16) durch eine Gießformanordnung (1) während des Schritts des Bedeckens des Halbleiterchips (8), zumindest eines Teils der nichtleitenden Verbindungsstege (15) und eines Teils des Leadframes (16) mit Vergussmasse aufweist.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110278706A1 (en) * 2010-05-11 2011-11-17 iQXPRZ Power Inc. Power Electronic Device Package
US9368434B2 (en) 2013-11-27 2016-06-14 Infineon Technologies Ag Electronic component
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6821822B1 (en) 1998-03-26 2004-11-23 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing semiconductor device, molding device for semiconductor device, and semiconductor device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57147260A (en) * 1981-03-05 1982-09-11 Matsushita Electronics Corp Manufacture of resin-sealed semiconductor device and lead frame used therefor
JPS59130449A (ja) * 1983-01-17 1984-07-27 Nec Corp 絶縁型半導体素子用リードフレーム
US4768077A (en) * 1986-02-20 1988-08-30 Aegis, Inc. Lead frame having non-conductive tie-bar for use in integrated circuit packages
US5049055A (en) * 1987-12-31 1991-09-17 Sanken Electric Co., Ltd. Mold assembly
JP2927660B2 (ja) * 1993-01-25 1999-07-28 シャープ株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2003324116A (ja) 2002-04-26 2003-11-14 Sanken Electric Co Ltd 樹脂封止金型および樹脂封止装置
DE10247610A1 (de) * 2002-10-11 2004-04-29 Micronas Gmbh Elektronisches Bauelement mit einem Systemträger

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6821822B1 (en) 1998-03-26 2004-11-23 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing semiconductor device, molding device for semiconductor device, and semiconductor device

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