DE1102835B

DE1102835B - Circuit arrangement for suppressing an increase in voltage of the high-frequency oscillations in a parallel resonant circuit

Info

Publication number: DE1102835B
Application number: DEN16692A
Authority: DE
Inventors: Johannes Meijer Cluwen
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1959-05-09
Filing date: 1959-05-09
Publication date: 1961-03-23
Also published as: GB953918A

Description

Schaltungsanordnung zur Unterdrückung einer Spannungszunahme der Hochfrequenzschwingungen in einem Parallelschwingkreis Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Unterdrückung einer Spannungszunahme der Hochfrequenzschwingungen an einem Parallelschwingkreis, dem die Emitter-Kollektor-Strecke eines Transistors, vorzugsweise eines symmetrischen Transistors, parallel geschaltet ist und dessen Mittelanzapfung über eine für die Modulationsfrequenzen durchlässige Parallelschaltung eines Widerstandes und eines Kondensators mit der Basis des Transistors verbunden ist, nach Patentanmeldung N 14531 VIII a21 a4.Circuit arrangement for suppressing an increase in voltage in the high-frequency oscillations in a parallel resonant circuit The invention relates to a circuit arrangement to suppress an increase in voltage of the high-frequency oscillations in a parallel resonant circuit, the emitter-collector path of a transistor, preferably a symmetrical one Transistor, is connected in parallel and its center tap via a for the Modulation frequencies permeable parallel connection of a resistor and a Capacitor is connected to the base of the transistor, according to patent application N 14531 VIII a21 a4.

Eine solche Schaltungsanordnung kann den Nachteil haben, daß der Transistor den Resonanzkreis zu stark dämpft, was insbesondere für kleine Empfangssignale unerwünscht ist. Es ist daher zweckmäßig, dafür zu sorgen, daß die Dämpfung erst oberhalb eines gewissen Schwellwertes einsetzt.Such a circuit arrangement can have the disadvantage that the transistor attenuates the resonance circuit too much, which is undesirable, especially for small received signals is. It is therefore useful to ensure that the attenuation is only above one certain threshold value is used.

Bei einer Schaltungsanordnung der eingangs erwähnten Art wird dies erreicht, wenn gemäß der Erfindung eine konstante Sperrspannung im Kreis zwischen der Mittelanzapfung und der Basis des Transistors wirksam gemacht ist.In the case of a circuit arrangement of the type mentioned at the outset, this will be the case achieved when according to the invention a constant reverse voltage in the circuit between the center tap and base of the transistor is made effective.

Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung beispielsweise näher erläutert.The invention is illustrated below with reference to the drawing, for example explained in more detail.

Fig. 1 veranschaulicht ein Prinzipschaltbild nach der Erfindung; Fig. 2 veranschaulicht eine Abänderung der Anordnung nach Fig. 1; in Fig. 3 wird die Anordnung nach Fig. 2 in einer Rundfunkempfangsschaltung angewendet; Fig. 4 veranschaulicht eine besondere Ausführung der Anordnung nach Fig. 2.Fig. 1 illustrates a basic circuit diagram according to the invention; Fig. Figure 2 illustrates a modification of the arrangement of Figure 1; in Fig. 3 is the The arrangement of Figure 2 applied in a radio receiving circuit; Fig. 4 illustrates a special embodiment of the arrangement according to FIG. 2.

Die zu begrenzenden Schwingungen werden einem Parallelresonanzkreis 1 hoher Güte zugeführt. Diesem Kreis 1 ist die Emitter-Kollektor-Strecke eines Transistors 2, insbesondere eines symmetrischen Grenzschichttransistors, parallel geschaltet. Unter »symmetrischem Transistor« wird dabei ein solcher verstanden, bei dem die Kennlinien des Transistors nach Vertauschung der Emitter- und Kollektoranschlüsse unverändert bleiben.The oscillations to be limited become a parallel resonance circuit 1 high quality supplied. This circuit 1 is the emitter-collector path of a transistor 2, in particular a symmetrical boundary layer transistor, connected in parallel. The term “symmetrical transistor” is understood to mean one in which the Characteristic curves of the transistor after swapping the emitter and collector connections remain unchanged.

Der Kreis 1 ist mit einer Mittelanzapfung 3 versehen, die über die Parallelschaltung eines Widerstandes 4 und eines Kondensators 5 mit der Basis des Transistors 2 verbunden ist. Die Zeitkonstante der Widerstands-Kondensator-Parallelschaltung ist so groß bemessen, daß die Modulationsfrecluenzen von dieser Parallelschaltung durchgelassen werden. Über die RC-Parallelschaltung 4,- 5 wird somit eine der mittleren Signalamplitude entsprechende Sperrspannung erzeugt, und Amplitudenschwankungen des Signals, die über diese Vorspannung hinausgehen, bewirken erhebliche Stromänderungen durch den Transistor, die den Kreis 1 derartig dämpfen, daß diese Schwankungen unterdrückt werden. In der Praxis wird der Widerstand 4 so gewählt, daß bei der mittleren Signalamplitude durch den Transistor 2 ein so großer Vorstrom fließt, daß die der zu unterdrückenden Amplitudenmodulation entsprechenden Stromänderungen kleiner als dieser Vorstrom bleiben. Dieser Vorstrom bewirkt aber eine wesentliche Ruhedämpfung des Kreises 1. Zur Herabsetzung dieser Ruhedämpfung wird nach der Erfindung eine weitere Sperrspannung im Kreis zwischen der Mittelanzapfung 3 und der Basis des Transistors 2 wirksam gemacht.The circle 1 is provided with a center tap 3, which over the Parallel connection of a resistor 4 and a capacitor 5 with the base of the Transistor 2 is connected. The time constant of the resistor-capacitor parallel connection is dimensioned so large that the modulation frequencies of this parallel connection be let through. Via the RC parallel circuit 4, -5, one of the middle Signal amplitude generated corresponding reverse voltage, and amplitude fluctuations of the signal that go beyond this bias will cause significant current changes through the transistor, which attenuate circuit 1 in such a way that these fluctuations are suppressed will. In practice, the resistor 4 is chosen so that at the mean signal amplitude so large a bias current flows through the transistor 2 that that to be suppressed Amplitude modulation corresponding current changes smaller than this bias current stay. However, this bias current causes a substantial damping of rest of the circuit 1. To reduce this damping at rest, a further reverse voltage is used according to the invention effective in the circuit between the center tap 3 and the base of the transistor 2 made.

Nach Fig. 1 wird dies dadurch erzielt, daß diesem Kreis ein zusätzlicher Strom aus einer gesonderten Quelle 6 über einen Widerstand 7 zugeführt wird. Die Ruhedämpfung der ungenügend großen Signale wird dadurch wesentlich geringer, weil die Quelle 6 über den Widerstand 4 bereits einen Teil der erforderlichen Vorspannung erzeugt und der Vorstrom durch den Transistor 2 somit kleiner sein kann, ohne dabei die Amplitudenmodulationsunterdrückung der großen Signale zu beeinträchtigen. Die Spannung der Quelle 6 entspricht dabei vorzugsweise der mittleren Signalstärke, das Verhältnis der Widerstände 7 und 4 dem Verhältnis zwischen dieser mittleren und der keinsten noch zu begrenzenden Signalstärke.According to Fig. 1, this is achieved in that this circle is an additional Current is supplied from a separate source 6 via a resistor 7. the Rest attenuation of the insufficiently large signals is significantly less because the source 6 already has a part of the required bias voltage via the resistor 4 generated and the bias current through the transistor 2 can thus be smaller without doing so affect the amplitude modulation suppression of the large signals. the The voltage of the source 6 preferably corresponds to the mean signal strength, the ratio of the resistors 7 and 4 to the ratio between this middle one and the signal strength that is not yet to be limited.

In der Schaltung nach Fig. 2 ist die RC-Parallelschaltung 4, 5 durch eine Zenerdiode 10 ersetzt worden. Die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 2 ist einem Teil des Resonanzkreises 1 parallel geschaltet, und die Mittelanzapfung 3 ist entsprechend diesem Teil gewählt. Sobald die Teilspannungsamplitude die Zenerspannung der Diode 10 überschreitet, erfolgt ein Durchschlag, und der den Kreis 1 bedämpfende Strom durch den Transistor wächst sehr schnell an. Weil aber nur ein sehr geringer Strom durch die Diode 10 zu fließen braucht, besteht eine Gefahr der Überlastung dieser Diode. Durch Reihenanordnung der Diode 10 und des RC-Gliedes 4, 5 nach Fig. 1 wird eine ähnliche Wirkung wie mit den Schaltelementen 6, 7 nach Fig. 1 erreicht.In the circuit according to FIG. 2, the RC parallel circuit 4, 5 is through a zener diode 10 has been replaced. The emitter-collector path of the transistor 2 is connected in parallel to a part of the resonance circuit 1, and the center tap 3 is chosen according to this part. As soon as the partial stress amplitude the Zener voltage of the diode 10 exceeds, a breakdown occurs, and the Circuit 1 damping current through the transistor grows very quickly. But because only a very small current needs to flow through the diode 10, there is one Risk of overloading this diode. By arranging the diode 10 and the in series RC element 4, 5 according to FIG. 1 has a similar effect as with the switching elements 6, 7 according to FIG. 1 reached.

In Fig.3 ist der Strom durch die Zenerdiode zur selbsttätigen Stärkeregelung einer FM-Rundfunkempfänger-Schaltung herangezogen. Infolge der plötzlichen Stromzunahme durch die Diode 10 wird eine Vorstromverlagerung in dem Transistor 11 hervorgerufen, wodurch sich der Eingangsinnenwiderstand und folglich die Verstärkung des Transistors 11 in einem derartigen Sinne ändert, daß bei größer werdenden Eingangssignalen die Verstärkung kleiner wird. Der Transistor 11 ist nach Fig. 3 in den Zwischenfrequenzverstärker aufgenommen; er kann aber auch im Hochfrequenzteil des Empfängers aufgenommen sein.In Fig.3 the current is through the Zener diode for automatic strength control an FM radio receiver circuit is used. As a result of the sudden increase in current the diode 10 causes a bias current shift in the transistor 11, which increases the input internal resistance and consequently the gain of the transistor 11 changes in such a way that with increasing input signals the Gain becomes smaller. The transistor 11 is shown in FIG. 3 in the intermediate frequency amplifier recorded; but it can also be included in the high-frequency part of the receiver.

Der Kondensator 12 kann für die ungewünschten Amplitudenmodulationsfrequenzen durchlässig sein, so daß eine übliche selbsttätige Verstärkungsregelung erhalten wird. Wenn er aber nur für die Zwischenfrequenzschwingungen durchlässig ist und also ein im Modulationsfrequenzrhythmus variierendes Signal über diesen Kondensator 12 erzeugt wird, wird gleichzeitig eine Gegenmodulation der unerwünschten Amplitudenmodulation erhalten.The capacitor 12 can be used for the undesired amplitude modulation frequencies be permeable, so that a conventional automatic gain control obtained will. But if it is only permeable to the intermediate frequency oscillations and thus a signal that varies in the modulation frequency rhythm via this capacitor 12 is generated, a counter modulation of the undesired amplitude modulation is simultaneously obtain.

In Fig. 4 ist ein besonderes Schaltelement 20 veranschaulicht worden, das gleichzeitig die Funktion des Transistors 2 und der Zenerdiode 10 nach Fig. 2 erfüllt. Es besteht aus einem Körper 21 aus halbleitendem Material des einen Leitfähigkeitstyps, auf dem drei Elektroden 22, 23 und 24 des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps angeordnet sind. Die Elektroden 22 und 23 sind vorzugsweise mit gleich großer Oberfläche ausgestaltet, so daß sie die Eigenschaften des Emitters und des Kollektors eines symmetrischen Transistors erfüllen. Die Durchschlagspannung des zwischen der Elektrode 24 und dem Körper 21 gebildeten p-n-Übergangs ist niedriger als die jeder der Grenzschichten zwischen den Elektroden 22 bzw. 23 und dem Körper 21. Zu diesem Zweck kann die Elektrode 24 eine größere Leitfähigkeit aufweisen als jede der Elektroden 22 bzw. 23, und/oder der Körper 21 kann in der Nähe der Elektrode 24 eine größere Leitfähigkeit aufweisen als in der Nähe der Elektroden 22 bzw. 23.In Fig. 4, a special switching element 20 has been illustrated, which at the same time the function of the transistor 2 and the Zener diode 10 according to Fig. 2 fulfilled. It consists of a body 21 made of semiconducting material of one conductivity type, on which three electrodes 22, 23 and 24 of opposite conductivity type are arranged are. The electrodes 22 and 23 are preferably designed with the same size surface, so that they have the properties of the emitter and the collector of a symmetrical one Meet transistor. The breakdown voltage of the between the electrode 24 and The p-n junction formed in the body 21 is lower than that of each of the boundary layers between the electrodes 22 or 23 and the body 21. For this purpose, the electrode 24 have a greater conductivity than each of the electrodes 22 or 23, and / or the body 21 can have a greater conductivity in the vicinity of the electrode 24 than in the vicinity of the electrodes 22 and 23, respectively.

Claims

PATENT CLAIMS; 1. Circuit arrangement for suppressing an increase in voltage the high-frequency oscillations in a parallel resonant circuit, which is the emitter-collector path a transistor, preferably a symmetrical transistor, connected in parallel and its center tap via a permeable for the modulation frequencies Parallel connection of a resistor and a capacitor with the base of the transistor is connected, according to patent application N 14531 VIIIa / 21 a4, characterized in that that a constant reverse voltage in the circle between the center tap (3) and the Base of the transistor (2) is made effective.

2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the reverse voltage is caused by one of the Parallel connection of the resistor and the capacitor supplied additional Electricity from a separate source.

3. Circuit arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the resistor-capacitor parallel circuit in Is connected in series with or is replaced by a Zener diode.

4. Circuit arrangement according to claim 3, characterized in that the Zener diode is used as an additional p-n junction is arranged on the transistor and has a breakdown voltage which is lower is than that of the single-emitter-base and that of the collector-base boundary layer. Into consideration Drawn publications:. German Auslegeschrift S 36162 VIIIa / 21 a4 (published on October 31, 1956).