DE2808744A1

DE2808744A1 - Active surface antenna for motor vehicles - has input transistor amplifier with low-ohmic output resistance

Info

Publication number: DE2808744A1
Application number: DE19782808744
Authority: DE
Inventors: Gerd Dipl Ing Sauer
Original assignee: Vegla Vereinigte Glaswerke GmbH
Current assignee: Vegla Vereinigte Glaswerke GmbH
Priority date: 1978-03-01
Filing date: 1978-03-01
Publication date: 1979-09-13

Abstract

The antenna has its conductor secured on the vehicle windscreen, or embedded in it. It contains an amplifier circuit with a high-ohmic transistor input in amplitude modulated region and with a low-ohmic output resistor of less than 100 ohms. The amplifier circuit has a transistor (16) as its final stage, which is connected in a collector-base circuit. Alternately the amplifier final stage may be in the form of a push-pull stage with two complementary transistors. Between the socket point of the antenna conductor and the input of the amplifier transistor may be incorporated a pi-element consisting of the capacitors and an inductance, rated to match the transistor input with respect to the noise equalising.

Description

Beschreibungdescription

Die Erfindung. betrifft eine aktive Scheibenantenne für Kraftfahrzeuge mit einem oder auf einer Windschutzscheibe angeordneten Antennenleiter und einer einen im AM-Bereich hochohmigen Transistoreingang aufweisenden Verstärkerschaltung, die aufeinander abgestimmt sind.The invention. relates to an active window antenna for motor vehicles with one or on a windshield arranged antenna conductor and one an amplifier circuit with a high-resistance transistor input in the AM range, which are coordinated.

Die Autoradios der üblichen Bauart besitzen für den AM-Bereich einen Eingangskreis hoher Güte, der ebenfalls abgestimmt wird. Der Eingangskreis, in den die Antenne: miteinbezogen ist, weist infolgedessen eine hohe Selektionsfähigkeit, und eine hohe Empfindlichkeit durch Resonanzüberhöhung, sowie eine hohe Spiegelfrequenzsicherheit auf. Diese Vorteile gehen aber teilweise verloren, wenn anstelle einer passiven Antenne mit hohem Fußpunktwiderstand eine aktive Antenne mit einer der bekannten Verstärkerschaltungen in den Eingangskreis einbezogen wird. Die bekannten. Verstärkerschaltungen weisen nämlich einen mittelohmigen Ausgangswiderstand in der Größenordnung von einigen Kilo-Ohm auf. Durch den Einsatz der bekannten aktiven Antennen wird aber der beim Einsatz von passiven Antennen sehr schmalbandige Eingangskreis des Empfängers bedämpft und dadurch die Durdchlaßkurve verbreitert, was zu den erwähnten Nachteilen führt.The car radios of the usual design have one for the AM range High quality input circle, which is also tuned. The input circle into which the antenna: is involved, therefore has a high ability to select, and a high level of sensitivity due to excessive resonance, as well as a high level of image frequency security on. However, these advantages are partially lost if instead of a passive one Antenna with high base resistance an active antenna with one of the known Amplifier circuits is included in the input circuit. The known. Amplifier circuits namely have a medium-ohmic output resistance in the order of magnitude of a few Kilo-ohms on. However, through the use of the known active antennas, the Use of passive antennas very narrow-band input circuit of the receiver attenuated and thereby widens the passage curve, which leads to the disadvantages mentioned.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine aktive Antenne, d.h. eine Antenne mit nachgeschalteter Verstärkerschaltung, insbesondere eine aktive Scheibenantenne zu schaffen, die die Selektionseigenschaften des Eingangskreises eines für eine passive Antenne vorgesehenen Autoradios nicht bzw. nicht wesentlich verschlechtert.It is an object of the invention to provide an active antenna, i. an antenna with a downstream amplifier circuit, in particular an active one Glass antenna to create the selection characteristics of the input circuit a car radio provided for a passive antenna is not or is not essential worsened.

Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die Verstärkerschaltung der aktiven Antenne eine Endstufe mit niederohmigem Ausgang aufweist.According to the invention, this object is achieved in that the amplifier circuit the active antenna has an output stage with a low-resistance output.

Während bei einer passiven Antenne der Ausgangswiderstand der Antenne im AM-Bereich sehr hoch ist, wodurch die Bedämpfung des Eingangskreises des Empfängers niedrig ist, wird gemäß der Erfindung derselbe Effekt bei einer aktiven Antenne dadurch erreicht, daß der Ausgangswiderstand sehr niedrig, und zwar vorzugsweise auf einen Wert unterhalb von etwa 100 Ohm, eingestellt wird. Dieser Weg ist wirkungsvoller, und darüberhinaus einfacher zu lösen.While with a passive antenna the output resistance of the antenna in the AM range is very high, which reduces the attenuation of the receiver's input circuit is low, according to the invention, the same effect becomes with an active antenna achieved in that the output resistance is very low, and preferably to a value below about 100 ohms. This way is more effective and moreover easier to solve.

Gemäß einer ersten vorteilhaften Ausführungsform weist die Verstärkerschaltung eine als Kollektorbasisschaltung ausgeführte Endstufe auf.According to a first advantageous embodiment, the amplifier circuit an output stage designed as a collector base circuit.

Eine andere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeichnet sich-dadurch aus, daß die Verstärkerschaltung eine als Gegentaktstufe mit zwei komplementären Transistoren ausgeführte Endstufe aufweist.Another preferred embodiment of the invention is distinguished by this from that the amplifier circuit is a push-pull stage with two complementary Having transistors executed output stage.

Die Wirksamkeit einer erfindungsgemäßen aktiven Scheibenantenne im AM-Bereich wird dadurch weiter erhöht, und gleichzeitig der Aufbau des Verstärkers vereinfacht, daß zwischen dem Fußpunkt des Antennenleiters und-dem Eingang des Verstärkertransistors ein aus zwei Kapazitäten und einer Induktivität bestehendes # - Glied vorgesehen ist, das nach den Gesichtspunkten der gewünschten Durchlaßcharakteristik im AM-Bereich und der transformierenden Wirkung im FM-Bereich im Hinblick auf Rauschanpassung an den Transistoreingang dimensioniert ist Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen aktiven Scheibenantenne sind Gegenstand der Unteransprüche.The effectiveness of an active window antenna according to the invention im AM range is thereby further increased, and at the same time the structure of the amplifier simplified that between the base of the antenna conductor and the input of the amplifier transistor a # element consisting of two capacitances and an inductance is provided is that from the point of view of the desired transmission characteristic in the AM range and the transforming effect in the FM field with regard to noise adaptation is dimensioned to the transistor input Advantageous further training the active window antenna according to the invention are the subject of the subclaims.

Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung werden anhand der Zeichnungen näher beschrieben. Von den Zeichnungen zeigt Fig. 1 eine schematische Darstellung einer aus Antennenleiter und Verstärker bestehenden aktiven Antenne; Fig. 2 das Schaltbild einer Kollektorbasisschaltung als zusätzlicher Verstärkerstufe mit niederohmigem Ausgang; Fig. 3 das Schaltbild einer Gegentaktstufe mit zwei komplementären Transistoren als zusätzlicher Verstärkerstufe mit niederohmigem Ausgang; Fig. 4 das vollständige Schaltbild einer erfindungsgemäßen Verstärkerschaltung für eine aktive Scheibenantenne, und Fig. 5 das Schaltbild einer Verstärkerschaltung mit einem zusätzlichen, auf die Verstärkung wirkenden Regelkreis.Preferred embodiments of the invention are based on the drawings described in more detail. 1 shows a schematic representation of the drawings an active antenna consisting of an antenna conductor and amplifier; Fig. 2 the Circuit diagram of a basic collector circuit as an additional amplifier stage with low resistance Exit; 3 shows the circuit diagram of a push-pull stage with two complementary transistors as an additional amplifier stage with a low-resistance output; Fig. 4 the complete Circuit diagram of an amplifier circuit according to the invention for an active window antenna, and FIG. 5 shows the circuit diagram of an amplifier circuit with an additional one the gain acting control loop.

Der Antennenleiter umfaßt einen in der Mitte der Windschutzscheibe vertikal angeordneten Leiterabschnitt 2 und einen in Form einer Schleife entlang dem oberen Scheibenrand horizontal angeordneten Leiterabschnitt 3. Der schleifenartige Leiterabschnitt 3 ist in seinem unteren Abschnitt auf einer Seite unterbrochen (Unterbrechung 4). Diese Unterbrechung 4 macht die Antenne elektrisch unsymmetrisch. Durch. Verlagerung der Unterbrechung 4 kann die Richtwirkung der Antenne in gewissen Grenzen korrigiert werden Am unteren End 5 des Mittelleiters 2, dem Fußpunkt der Antenne, ist ein Anschlußelement für die Verbindung mit dem Verstärker angeordnet.The antenna conductor includes one in the center of the windshield vertically arranged conductor section 2 and one in the form of a loop along the upper edge of the pane horizontally arranged conductor section 3. The loop-like Ladder section 3 is in its lower section on one side interrupted (interruption 4). This interruption 4 makes the antenna electrical unbalanced. By. Shifting the interruption 4 can reduce the directivity of the Antenna can be corrected within certain limits At the lower end 5 of the center conductor 2, the base of the antenna, is a connection element for the connection with the Amplifier arranged.

Der Antennenleiter 2, 3 befindet sich auf oder in der Windschutzscheibe, wo er entweder in der Zwischenfolie eingelegt ist, wenn es sich um eine Windschutzscheibe aus Verbundglas handelt, oder aber in Form eines schmalen leitenden Streifens auf der Oberfläche der Windschutzscheibe aufgedruckt und gegebenenfalls eingebrannt ist.The antenna conductor 2, 3 is on or in the windshield, where it is either inserted in the intermediate film, if it is a windshield is made of laminated glass, or in the form of a narrow conductive strip printed on the surface of the windshield and possibly burned in is.

Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Antennenleiter 2, 3 möglichst kapazitätsarm über einen Koppelkondensator 8 mit einer Kapazität von größenordnungsmäßig 20 pF, der die untere Grenzfrequenz im AM-Bereich bestimmt, auf ein #- Glied geschaltet. Dieses #- Glied besteht aus einer ersten Kapazität 10, einer Längsspule 11 und einer zweiten Kapazität 12. Die Induktivität der Längsspule 11 bestimmt die obere Grenzfrequenz im AM-Bereich. Das in - Glied kann mit Hilfe eines Widerstandsdiagramms graphisch dimensioniert werden. Unter der Forderung, daß der Fußpunktwiderstand des Antennenleiters in der Mitte des FM-Bereichs, d.h. bei etwa 95 MHz, so transformiert wird, daß der Punkt der optimalen Rauschanpassung zopt für den verwendeten Transistor erreicht wird, ergibt die Auswertung für die Kapazität t0 bei Verwendung eines MOS-Feldeffekttransistors einen Wert. von 4,5 pF, für die Längsspule 11 eine Induktivität von 0,5 µH, und für die Kapazität 12 einen Wert von 1,3 pF. Mit dieser Dimensionierung erhält man sowohl eine sehr gute Rauschanpassung als auch eine gute Durchlaß charakteristik in den interessierenden Frequenzbereichen. Die Verwendung eines solchen #- Glieds bei der Verstärkerschaltung einer aktiven Scheibenantenne ist im übrigen Gegenstand der älteren Patentanmeldung P 26 39 947.3.In the illustrated embodiment, the antenna conductor 2, 3 with as little capacitance as possible via a coupling capacitor 8 with a capacitance of of the order of 20 pF, which determines the lower limit frequency in the AM range, switched to a # element. This # -link consists of a first capacitance 10, a series coil 11 and a second capacitance 12. The inductance of the series coil 11 determines the upper limit frequency in the AM range. The in-link can help a resistance diagram can be graphically dimensioned. Under the requirement that the base resistance of the antenna conductor is in the middle of the FM range, i.e. at about 95 MHz, is transformed so that the point of optimal noise adaptation zopt is achieved for the transistor used, the evaluation for the Capacitance t0 when using a MOS field effect transistor has a value. from 4.5 pF, for the series coil 11 an inductance of 0.5 μH, and for the capacitance 12 has a value of 1.3 pF. With this dimensioning you get both a very good noise matching as well as a good transmission characteristic in the frequency ranges of interest. The use of such a # -link in the The amplifier circuit of an active window antenna is also the subject of older patent application P 26 39 947.3.

An das #- Glied 10, 11, 12 schließt sich der eigentliche Verstärker 1:4 mit einem MOS-Feldeffekttransistor an, der ein- oder mehrstufig ausgeführt werden kann, je nach dem, welcher Verstärkungsgrad gefordert wird.The actual amplifier is connected to the # element 10, 11, 12 1: 4 with a MOS field effect transistor, which can be implemented in one or more stages can, depending on which degree of reinforcement is required.

An den mittelohmigen Ausgang des Verstärkers 14 schließt sich eine weitere Verstärkerstufe mit niederohmigem Ausgang an.The medium-impedance output of the amplifier 14 is followed by a another amplifier stage with a low-resistance output.

Eine erste mögliche Ausführungsform für eine solche Verstärkerendstufe mit niederohmigem Ausgang ist in Fig. 2 dargestellt. Hierbei handelt es sich um die einfachste Realisierungsform, nämlich um eine sogenannte Kollektorbasisschaltung. Bei der Kollektorbasis- oder auch Emitterfolgerschaltung wird die hohe Stromverstärkung zur Erzeugung des niederohmigen Ausgangswiderstandes ausgenutzt.A first possible embodiment for such an amplifier output stage with a low-resistance output is shown in FIG. This is the simplest form of implementation, namely a so-called collector base circuit. In the collector base or emitter follower circuit, the high current gain is used to generate the low output resistance.

Die Schaltung umfaßt einen bipolaren Transistor 16 vom npn-Typ, beispielsweise der Typ BF 240. Der Kollektor 17 ist unmittelbar mit der Betriebsspannung von +12 V verbunden. Im Emitterkreis liegt der Arbeitswiderstand 18 mit einem Wert von etwa 100 Ohm. Die Auskoppelung des Signals auf den nachfolgenden Empfänger geschieht über den Kondensator 19 mit einem Wert von 68 pF. Die Arbeitspunkteinstellung für den Transistor 16 erfolgt über die Widerstande 20 und 21, die je einen Wert von 10 Kilo-Ohm aufweisen. Das von der Vorstufe des Verstärkers kommende Signal wird über den Kondensator 22 mit einem Wert von 1 nF auf den Transistor 16 angekoppelt.The circuit comprises a bipolar transistor 16 of the npn type, for example the type BF 240. The collector 17 is directly connected to the operating voltage of +12 V connected. The working resistance 18 with a value of approximately lies in the emitter circuit 100 ohms. The signal is decoupled to the following receiver through the capacitor 19 with a value of 68 pF. The working point setting for the transistor 16 takes place via the resistors 20 and 21, each having a value of 10 kilo-ohms. The signal coming from the preamp of the amplifier becomes coupled to transistor 16 via capacitor 22 with a value of 1 nF.

Bei der in Fig. 3 dargestellten Verstärkerendstufe handelt es sich um eine Gegentaktstufe mit zwei komplementären Transistoren 26, 27. Diese Gegentaktstufe unterscheidet sich von der in Fig. 2 dargestellten Endstufe im Prinzip dadurch, daß der Widerstand 18 durch einen Transistor 27 ersetzt worden ist. Durch die zusätzliche Stromverstärkung des Transistors 27 wird der Ausgangswiderstand der Schaltung entsprechend niederohmiger.The amplifier output stage shown in FIG. 3 is a push-pull stage with two complementary transistors 26, 27. This push-pull stage differs from the output stage shown in Fig. 2 in principle in that that the resistor 18 has been replaced by a transistor 27. By the additional Current gain of transistor 27 becomes the output resistance of the circuit accordingly lower resistance.

Der Transistor 26 ist ein bipolarer Transistor vom npn-Typ, der Transistor 27 ein bipolarer Transistor vom pnp-Typ. Hierfür eignen sich beispielsweise die unter den Bezeichnungen BCX 17 (pnp) und BCX 19 (npn) im Handel erhältlichen Transistoren. Der Kollektor 28 des Transistors 26 ist unmittelbar mit der Betriebsspannung von: +12 V verbunden, der Kollektor 29 des Transistors 27 unmittelbar mit der Masse. Die Auskoppelung erfolgt über die gemeinsame Emitterleitung 30.The transistor 26 is a bipolar transistor of the npn type, the transistor 27 a bipolar transistor of the PNP type. For example, the commercially available transistors under the designations BCX 17 (pnp) and BCX 19 (npn). The collector 28 of the transistor 26 is directly connected to the operating voltage of: +12 V connected, the collector 29 of the transistor 27 directly to ground. The decoupling takes place via the common emitter line 30.

Als Koppelkondensator 31 dient ein Kondensator mit einer Kapazität von 68 pF. Die Arbeitspunkteinstellung des Transistorpaares 26, 27 erfolgt über die drei Widerstände 32, 33 und 34. Die Widerstände 32 und 34 weisen einen Wert von jeweils 10 Kilo-Ohm auf, der Widerstand 33 einen Wert von 1,8 Kilo-Ohm. Die Ankoppelung an die Vorstufe erfolgt über die beiden Kondensatoren 35 und 36 mit jeweils einem Wert von 1 nF.A capacitor with a capacitance is used as the coupling capacitor 31 from 68 pF. The operating point setting of the transistor pair 26, 27 takes place via the three resistors 32, 33 and 34. The resistors 32 and 34 have a value of 10 kilo-ohms each, the resistor 33 has a value of 1.8 kilo-ohms. the Coupling to the preliminary stage takes place via the two capacitors 35 and 36 each with a value of 1 nF.

Figur .4 stellt das Schaltbild eines vollständigen Verstärkers mit den Merkmalen der Erfindung dar. Das vom Antennenleiter komnende Einganassignalwird über den Koppelkondensator 8 mit einem Wert von t8 pF über die Luftspule 11 mit 28 Windungen aus 0,3 mm dickem Kupferlackdraht und einem Innendurchmesser von 3,5 mm auf das Gate G2 des MOS-Feldeffekttransistors 40 (beispielsweise Typ BF 900) gekoppelt. Die statische Vorspannung des Gate G2 wird über den Widerstand 41 mit einem Wert von 470 Kilo-Ohm auf Null-Volt-Potential eingestellt.Figure .4 shows the circuit diagram of a complete amplifier the features of the invention. The input signal coming from the antenna conductor becomes via the coupling capacitor 8 with a value of t8 pF via the air core coil 11 28 turns of 0.3 mm thick enamelled copper wire and an inner diameter of 3.5 mm on the gate G2 of the MOS field effect transistor 40 (for example type BF 900) coupled. The static bias of the gate G2 is via the resistor 41 with a value of 470 kilo-ohms set to zero-volt potential.

Der Arbeitspunkt des MOS-FET 40 wird über das Gate G1 und über den Widerstand 42 von 100 Kilo-Ohm und den Widerstand 43 von 47 Kilo-Ohm eingestellt. Der Kondensator 44 legt das Gate G1 wechselspannungsmäßig auf Masse.The operating point of the MOS-FET 40 is via the gate G1 and via the Resistor 42 set to 100 kilo-ohms and resistor 43 to 47 kilo-ohms. The capacitor 44 applies the AC voltage to the gate G1 to ground.

Der Arbeitswiderstand 45 mit einem Wert von 1 Kilo-Ohm ist mit dem Drain D des Transistors 40 verbunden. Die Source S des Transistors 40 ist über die RC-Kombination aus dem Widerstand 46 mit einem Wert von 150 Ohm, und dem Kondensator 47 mit einem Wert von 10 @F mit Masse verbunden. Durch die gegenkoppelnde Wirkung des Widerstandes 46 wird der statische Arbeitspunkt des Transistors 40 stabilisiert. Der Kondensator 47 verhindert eine dynamische Gegenkoppelung.The working resistance 45 with a value of 1 kilo-ohm is with the Drain D of transistor 40 connected. The source S of transistor 40 is across the RC combination of the resistor 46 with a value of 150 ohms, and the capacitor 47 connected to ground with a value of 10 @F. Due to the negative coupling effect of the resistor 46, the static operating point of the transistor 40 is stabilized. The capacitor 47 prevents dynamic negative feedback.

Die Endstufe umfaßt den Transistor 48 vom pnp-Typ, beispielsweise den unter der Bezeichnung BF 450 im Handel erhältlichen Transistor in Kollektorbasisschaltung.The output stage comprises transistor 48 of the PNP type, for example the transistor in collector base circuit available commercially under the designation BF 450.

Die Basis B des Transistors 48 ist unmittelbar mit dem Drain D des Transistors 40 verbunden. Der Arbeitspunkt des Transistors 48 wird durch die Drainspannung des Transistors 40 festgelegt. Der Emitter E des Transistors 48 ist über den Arbeitswiderstand 49 mit einem Wert von 100 o@@ mit der Betriebsspannung von @12 V verbunden. Die Auskoppelung erfolgt über den Kondensator 50 mit einem Wert von 47 pF.The base B of the transistor 48 is directly connected to the drain D of the Transistor 40 connected. The operating point of transistor 48 is determined by the drain voltage of transistor 40 set. The emitter E of transistor 48 is across the load resistance 49 with a value of 100 o @@ with the operating voltage of @ 12 V connected. The decoupling takes place via the capacitor 50 with a value of 47 pF.

Um zu verhindern, daß Störspannungen von der Batterie in den Vorverstärker gelangen, ist in der Speiseleitung eine Filterkombination aus den beiden Kondensatoren 51 mit 10 nF und 52 mit 0,33 µF und der Spule 53 mit einer Induktivität. von 25 µB eingefügt.To prevent interference voltages from the battery in the preamplifier a filter combination of the two capacitors is in the feed line 51 with 10 nF and 52 with 0.33 µF and the coil 53 with an inductance. from 25 µB inserted.

Die in Fig. 5 dargestellte Schaltung stellt eine weitere Ergänzung der zuletzt beschriebenen Schaltung dar, und zwar durch einen Regelverstarker. Uber den Kondensator 60 (1 nF) wird die Ausgangsspannung des Transistors 48 auf das Gate 62 des, Transistors 61 geführt. Diese - ein J-FET des Typs BF 245 z.B. - wird in Source-Schaltung betrieben und dient zur Entkoppolung des Signalweges vom nachfolgenden Gleichrichter. Der Widerstand 63 (1 MOhm) legt das Gate des Transistors 61 auf Null-Potential und damit seinen Arbeitspunkt fest.The circuit shown in Fig. 5 represents a further addition the circuit last described, through a control amplifier. Above The capacitor 60 (1 nF) is the output voltage of the transistor 48 on the gate 62 des, transistor 61 out. This - a J-FET of the type BF 245, for example - is used in Source circuit operated and used to decouple the signal path from the following Rectifier. The resistor 63 (1 MOhm) sets the gate of the transistor 61 to zero potential and thus its working point.

Eine direkte Gleichrichtung des Ausgangssignals würde unerwünschte Oberwellenbildung zur Folge haben. Aus demselben Grunde wurde für 61 kein bipolarer Transistor genommen.Direct rectification of the output signal would be undesirable Result in harmonics. For the same reason 61 did not become bipolar Transistor taken.

Dieser könnte durch die nicht lineare Widerstandskennlinie der Basis-Emitterstrecke zusätzliche Oberwellen erzeugen.This could be due to the non-linear resistance characteristic of the base-emitter path generate additional harmonics.

Der Widerstand 64 (1 kOhm) bildet den Arbeitswiderstand des Transistors 61.Die verstärkte Signalspannung wird über den Kondensator 65 auf den Gleichrichter, bestehend aus den Dioden 66 und 67 (BAY 19) gegeben. Am Ladekondensator 68 entsteht eine negative Gleichspannung in Abhängigkeit von der Verstärkerausqangsspannung. Die Dioden 66 und 67 arbeiten hier in Spannungsverdopplerschaltung. Der Widerstand 69 entlädt den Kondensator 68. Mit einer Dimensionierung von t µF für den Kondensator 68 und 1 MOhm für den Widerstand 69 ergibt sich eine Entladezeitkonstante von t sec.Resistor 64 (1 kOhm) forms the working resistance of the transistor 61 The amplified signal voltage is fed to the rectifier via the capacitor 65, consisting of diodes 66 and 67 (BAY 19). Arises at the charging capacitor 68 a negative DC voltage as a function of from the amplifier output voltage. The diodes 66 and 67 work here in a voltage doubler circuit. The resistance 69 discharges the capacitor 68. With a dimensioning of t µF for the capacitor 68 and 1 MOhm for resistor 69 results in a discharge time constant of t sec.

Die Regelspannung wird über eine Z-Diode 70 (Typ ZPD 6,2 beispielsweise) an das Gate 1 des Transistors 40 geführt.The control voltage is supplied via a Zener diode 70 (type ZPD 6.2, for example) led to gate 1 of transistor 40.

Die Z-Spannung beträgt etwa 6 Volt, so daß erst eine Ladespannung von -t Volt am Kondensator 68 die Verstärkung des Transistors 40 beeinflußt. Größere Ladespannungen verringern linear die Gate 1-Spannung und damit die Verstärkung des Transistors 40 entsprechend seiner Regelcharakteristik.The Z-voltage is about 6 volts, so that only a charging voltage of -t volts across capacitor 68 influences the gain of transistor 40. Bigger ones Charging voltages reduce the gate 1 voltage linearly and thus the gain of the Transistor 40 according to its control characteristics.

Claims

Active antenna, in particular active window antenna for motor vehicles Claims 1. Active windshield barrel for motor vehicles with cinem in or on a windshield arranged on an antenna ladder and one in the AM area high-impedance transistor input having amplifier circuit, one on top of the other are matched so that the amplifier circuit has a low output resistance.

2. Active window antenna according to claim 1, characterized in that that the output resistance of the amplifier circuit is less than 100 ohms.

3. Active window antenna according to claim 1 and 2, characterized in that that the amplifier circuit as an output stage is connected in a collector base circuit Having transistor (16; 48).

4. Active window antenna according to claim 1 and 2, characterized in that that the amplifier circuit as an output stage. a push-pull stage with has two complementary transistors (26, 27).

5. Active window antenna according to one or more of claims t. to 4, characterized in that between the base of the antenna conductor and the input of the amplifier transistor one of two capacitors (10, 12) and one Inductance (1t) existing # - element is provided, which according to the point of view the desired transmission characteristic in the AM range and the transforming effect Dimensioned in the FM range with regard to noise adaptation to the transistor input is.

6. Active window antenna according to claims 1 to 5, characterized in that that the amplifier circuit is a double gate MOS field effect transistor (40) with a has high input resistance.

7. Active window antenna according to claim 1 to 6, characterized in that that the gate G2 of the double gate MOS field effect transistor (40) as a control electrode, and the gate G1 is used to set the operating point.

8. Active window antenna according to claim 1 to 7, characterized in that that when using a double gate MOS field effect transistor and a T-shaped Antenna conductor with a base point resistance in the FM range of cqa. 300 ohm the first capacitance (10) of the # - element about 4 pF, the inductance (t1) about 0.5 LLH, and the second capacitance (12) is approximately t pF.

9. Active window antenna according to claim 1 to 8, characterized in that that the first capacity (10) of the # - - limb through the capacitive one Proportion of the antenna feed line and the conductor capacitance of the circuit, and the second Capacitance (12) by the conductor capacitance of the circuit and the input capacitance of the subsequent transistor is formed

10. Active window antenna according to claim. 1 to 9, characterized in that the input of the amplifier containing the # element via a coupling capacitor with a low capacitance of the order of 20 pF (8) is connected to the antenna conductor.

11. Active window antenna according to claim 1 to 10, characterized in that that the antenna conductor consists of a vertical center conductor (2) and one at the top Edge of the disc horizontally arranged loop-shaped part (3) with a capacity in the AM range from 20 to 60 pF, preferably 30 to 40 pF, and a parallel resistance in the AM range of around 250 kOhm and a base point resistance in the FM range of around 400 ohms.

12. Active window antenna according to claim 1 to 11, characterized in that that the horizontally arranged loop-shaped part (3) of the antenna conductor a Has asymmetrically arranged interruption (4).

13. Active window antenna according to claim 1 to 12, characterized in that that the amplifier circuit has a control loop that is dependent on the Output voltage of the amplifier regulates the gain.