DE1102119B - Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von anorganischen und organischen Siliciumverbindungen - Google Patents

Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von anorganischen und organischen Siliciumverbindungen

Info

Publication number
DE1102119B
DE1102119B DEW25448A DEW0025448A DE1102119B DE 1102119 B DE1102119 B DE 1102119B DE W25448 A DEW25448 A DE W25448A DE W0025448 A DEW0025448 A DE W0025448A DE 1102119 B DE1102119 B DE 1102119B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
reaction
solids
inorganic
flow
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEW25448A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Eduard Enk
Dr Julius Nickl
Dr Otto Harbich
Dr Walter Schindelin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wacker Chemie AG
Original Assignee
Wacker Chemie AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Chemie AG filed Critical Wacker Chemie AG
Priority to DEW25448A priority Critical patent/DE1102119B/de
Publication of DE1102119B publication Critical patent/DE1102119B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/04Hydrides of silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

  • Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von anorganischen und organischen Siliciumverbindungen Es ist bekannt, daß chemische Umsetzungen zwischen Silicium oder Siliciumlegierungen und Gasen gerne zu Überhitzungen im Reaktionsbett neigen und dadurch eine gezielte Reaktionsführung erschweren.
  • Die Ausbildung von sogenannten Reaktionsuestern und lokalen Merhitzungen wird beim Silicium gefördert durch seine relativ kleine Wärmeleitfähigkeit und durch den exothermen Reaktionsverlauf, der den meisten Reaktionen zwischen Silicium und gasförmigen Stoffen eigen ist.
  • So liefert z. B. die Umsetzung zwischen Silicium und gasförmigem Chlorwasserstoff zu Siliciumchloroform und Wasserstoff rund 1650 Kilokalorien pro Kilogramm verbrauchtem Silicium. Auch die Reaktion zwischen Kupfer-Silicium-Legierungen und Chlormethyl oder Äthylchlorid zu alkylierten Chlorsilanen liefert annähernd die gleicheWärmemenge pro Kilogramm umgesetztem Silicium.
  • Nun ist es aber bei der Reaktion zwischen Silicium und Chlorwasserstoff bzw. zwischen Silicium und Aryl- oder Alkylhalogeniden wichtig, die Reaktion innerhalb eines engen Temperaturbereiches durchzuführen, um die gewünschten Produkte, z. B. Siliciumchloroform oder alkylierte Chiorsilane, zu erhalten. Treten im Reaktionsbett lokale Überhitzungen auf, so erhält man stets Siliciumtetrachlorid als unerwünschtes Nebenprodukt. Bei der Reaktion mit Chlormethyl oder anderen Alkyl- oder Arylhalogeniden fallen außerdem noch große Mengen Ruß und organische Spaltprodukte an.
  • Es wurde nun ein Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von anorganischen und organischen Siliciumverbindungen aus gekörntem Silicium undloder Siliciumlegierungen und Gasen und/oder Dämpfen gefunden, wobei das Körnergemisch in an sich bekannter Weise durch eine Vibrationsvorrichtung in Bewegung gehalten wird. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß das umzusetzende Körnergemisch im Kreislauf geführt und dabei ständig in rotierender Vibrationsbewegung gehalten wird und daß die Kreislaufhewegung durch die Vibrationsvorrichtung bewirkt wird.
  • Den Bewegungszustand des gekörnten Siliciums erzeugt man durch rasch aufeinanderfolgende, mehr oder weniger eindeutig gerichtete Impulse, die den einzelnen Körnern von der Unterlage her erteilt werden.
  • Als Impulsgeber können bekannte mechanische Erreger, z. B. rotierende Unwuchtmassen, dienen. Vorteilhafter benutzt man elektromagnetische Vibratoren.
  • Bei dieser Vorrichtung ist die Bewegung des gekörnten Siliciums in weiten Grenzen variierbar und unabhängig vom Gasstrom. Eine auf diese Weise erzeugte Bewegungsform bewirkt außerdem eine gezielte Reaktionsführung, da die einzelnen Körner schnell und stets ihre Lage und ihren Aufenthaltsort wechseln.
  • Es tritt eine stetige Mischung des Festbettes ein, was zu einer erhöhten Wärmeleitfähigkeit führt.
  • Das Verfahren bringt eine Reihe von Vorteilen.
  • Beispielsweise kann die Kornverteilung des Festkorpers in weiten Grenzen variiert werden, z. B. von etwa 0,1 bis etwa 30mm. Dies ist bei dem Wirbelschichtverfahren nicht möglich, da dort die Körnung an den Durchmesser des Wirbelkornes gebunden ist.
  • Außerdem arbeitet das Verfahren ohne Rührer oder ähnliche Vorrichtungen, und der Feststoff kann kontinuierlich im Kreislauf geführt werden, wobei er, wenn nötig, verschiedene Verfahrensstufen durchläuft. So kann z. B. das Silicium nach einmaligem Durchgang durch den Reaktionsraum für die Reaktion neu aktiviert werden.
  • Das Verfahren gestattet, Reaktionen bis zu etwa 8000 C durchzuführen, sofern die Reaktionsgefäße aus Metall bestehen. Oberhalb der genannten Temperatur ist es schwierig, eine Legierung oder ein Metall zu finden, das den dauernden Schwingungen standhält.
  • Wählt man jedoch andere Materialien, z. B. keramische Stoffe wie Porzellan oder Quarzglas bzw.
  • Quarzgut, und armiert diese Stoffe außen mit Metallen, so lassen sich auch Reaktionen oberhalb 8000 C durchführen.
  • Der Druck, bei dem die Reaktionen ablaufen, kann ebenfalls in weiten Grenzen von Unterdruck bis Hochdruck variiert werden. Für die meisten Umsetzungen hat sich ein verhältnismäßig geringer Überdruck von 1 bis 101 ast als geeignet erwiesen.
  • Bei rasch ablaufenden Reaktionen, wozu die Reaktionen zwischen Halogenwasserstoffen mit Silicium und dessen Legierungen zählen, ist es vorteilhaft, dem Feststoffstrom eine Geschwindigkeit von einigen Millimetern bis zu mehreren Metern pro Sekunde zu verleihen.
  • Neben dieser in das Auge fallenden Bewegungsrichtung ist es, wie schon erwähnt, vorteilhaft, den einzelnen Körnern gleichzeitig eine kreisende Bewegung zu geben. Diese kreisende Bewegung bewirkt, daß bei einem mehrere Zentimeter dicken Feststoffstrom auch die untersten Schichten nach oben und die oberen nach unten befördert werden. Es hat sich gezeigt, daß gerade diese kreisende Bewegung der Körner lokale Überhitzungen verhindert und eine gezielte Reaktionsführung ermöglicht. Aus gekörntem, technisch reinem Silicium mit 98e/o Silicium und einem Korngrößenbereich von 0,75 bis 3,0mm wird durch Umsatz mit trockenem Chlorwasserstoff in der nachfolgend beschriebenen Apparatur (s. Abb. 1) Siliciumchloroform hergestellt.
  • Um ein senkrechtes Rohr 1 ist ein schraubenförmiger Reaktionsraum 2 angeordnet, den das Rohr 3 nach außen abgrenzt Das Antriebsaggregat 4 mit dem gefederten Unterteil 5 erzeugt periodisch rasch aufeinanderfolgende und gerichtete Impulse derart, daß das geliiirnte Silicium von 11 aus auf der Wendel 6 emporsteigt, bei 12 in das Puffergefäß 7 fällt, in dem der Feststoffstrom abgebremst wird. Von dort aus wird es über das Ventil 8 wieder zurück in den Reaktionsraum 2 geschleust. Bei 13 oder 14 kann neues Silicium zufließen und bei 15 nicht umgesetztes Silicium abgezogen werden. Chlorwasserstoff strömt von 16 aus im schraubenförmigen Reaktionsraum abwärts und dem Siliciumfeststoffstrom entgegen, verläßt den Reaktor 17 und kann, wenn nötig, mit einem Gebläse ganz oder teilweise nach 16 zurückgeführt werden.
  • Es ist für den Gasstrom wesentlich, daß der Siliciumfeststoffstrom im Puffergefäß 7 teilweise gestaut wird. Dadurch wird dem Gas der Weg von 12 nach 11 versperrt, und es strömt den längeren Weg durch den schraubenförmigen Reaktionsraum nach 17. Um die Reaktion in Gang zu setzen, wird mittels der Heizvorrichtung 9 die Anlage aufgeheizt Während der Chlorwasserstoffzugabe wird bei gedrosselter oder abgestellter Heizung 9 die erzeugte Reaktionswärme mittels des Kühlmantels 10, den beispielsweise Siliciumtetrachloriddampf als Kühlmittel durchströmt, abgeführt. Thermoelemente, die innerhalb des Feststoffstromes liegen, zeigen, daß ein völlig gleichmäßig temperierter Feststoffstrom den schraubenförmigen Raum 2 durchströmt und die Reaktionstemperatur auf 285 + 50 C gehalten wird.
  • Die Gleichmäßigkeit der Temperaturkonstanz zeigt, daß sich keine Reaktionsnester und überhitzte Steilen ausbilden können. Diese gleichmäßige und auch gezielte Reaktionsführung wird ebenfalls durch den geringen Siliciumtetrachloridgehalt des kondensierten Reaktionsproduktes, der zwischen 0,5 und 0,8 Gewichtsprozent liegt, belegt. Soll die erzeugte Siliciumchloroformmenge erhöht werden, so wird außer bei 16 noch bei 18 oder anderen geeigneten Steilen Chlorwasserstoff zugesetzt und/oder bei 5 at Überdruck gearbeitet.
  • In der gleichen Apparatur lassen sich gekörnte Siliciumlegierungen, beispielsweise Kupfer-Silicium-Legierungen, im Gegen- oder Gleichstrom mit Alkyl-und/oder Arylhalogeniden zu wasserstofffreien und/ oder wasserstoffhaltigen Halogensilanen umsetzen.
  • Bei der Gewinnung dieser Verbindungen ist es vorteilhaft, die gasförmigen- Stoffe im Kreislauf zu führen, um einen erhöhten Umsatz an Alkyl- und Arylhalogeniden zu erreichen. Ferner ist es möglich, bei der Herstellung von organischen Siliciumverbindungen ein Gemisch aus gekörntem Silicium oder Siliciumlegierungen zusammen mit einem katalytisch wirkenden gekörnten oder pulverförmigen Stoff einzusetzen. Beispielsweise läßt man ein Gemisch aus gekörntem, technisch reinem Silicium mit einer Korngröße von etwa 0,5 bis 5 mm und elementarem gekörntem Kupfer, Silber oder anderen bekannten katalytisch wirksamen Metallen mit ähnlicher Korngröße als einheitlichen Feststoffstrom im Kreislauf strömen.
  • Es ist ferner möglich, bei 17 und 18 Chlorwasserstoff zuzugeben und bei 16 das Reaktionsgas abzuziehen.
  • Es ist ein wesentlicher Vorteil des Verfahrens, daß der beschriebenen Arbeitsweise und Vorrichtung Änderungen zugänglich sind, ohne daß man auf die Vorteile der kontinuierlichen Reaktionsführung im Gleich- oder Gegenstrom verzichten muß.
  • Die Vorrichtungen können den einzelnen Erfordernissen stets angepaßt werden. So ist es möglich, den Reaktionsraum verschiedenartig zu gestalten, z. B. als Rohrschlange, in welcher der gekörnte Siliciumfeststoffstrom von unten nach oben und das Gas von oben nach unten fließt.
  • Oft ist es von Vorteil, mehrere Reaktoreinheiten von einem gleichen Antriebsaggregat aus anzutreiben, wozu sich die in Abb. 1 gezeigte Vorrichtung besonders eignet.
  • Wie der Siliciumfeststoffstrom, so ist auch der Gasstrom verschiedenartig lenkbar, und es können terschiedene Gase an verschiedenen Stellen dem Feststoffstrom entgegentreten und den Feststoffstrom durchströmen.
  • Auch das Puffergefäß kann verschieden gestaltet werden. Die Abb. 3 zeigt z. B. einen Tauchverschluß innerhalb des Siliciumfeststoffkreislaufes. Das Gas tritt bei 29 in den Reaktionsraum ein und bei 30 aus.
  • Ihm fließt der Siliciumfeststoffstrom von unten nach oben entgegen, fällt im zentralen Rohr 1 hinab und gelangt schließlich über den Tauchverschluß 31 wieder in den Reaktionsraum.
  • Mit der Abb. 4 wird das Fließschema einer Vorrichtung gebracht, bei der zwei Vorrichtungen in entgegengesetztem Sinne den Siliciumfeststoff fördern.
  • Im linken Reaktor fließt der Siliciumfeststoffstrom von oben nach unten und im rechten in umgekehrter Richtung. Auch hier strömt das Gas dem Siliciumfeststoffstrom entgegen. Eine derartige Vorrichtung läßt sich jedoch auch mit einem einzigen Aggregat ausführen, bei dem das zentrale Rohr 1 in Abb. 1 als schraubenförmiger Raum ausgebildet ist und der Übergang von der inneren Schraube auf die äußere über einen Tauchverschluß erfolgt, wie es Abb. 3 zeigt.
  • Mittels der genannten Einzelaggregate lassen sich Vorrichtungen zusammenstellen, in denen der Siliciumfeststoffstrom auch mit mehreren Gasen in Kontakt gebracht wird (s. Abb. 5), wobei z.B. in der linken Vorrichtung mit Gas I und in der rechten mit Gas II gearbeitet wird.
  • Es ist zwar die Umsetzung von Feststoffen mit Gasen in einem Vibratorreaktionsraum bekannt Dabei überströmt das körnige Material treppenförmige Elemente, und die Aufenthaltszeit des Materials ist im wesentlichen durch die Abmessungen der Vorrichtung gegeben. Es kann zwar durch langsames Rütteln eine geringe Stoffflußgeschwindigkeit erreicht werden, dies hat jedoch eine schwache gegenseitige Bewegung der Körner untereinander zur Folge. Diesem Übelstand hilft die rotierende Vibrationsbewegung des Verfahrens auch bei geringem Stofffluß ab, so daß in diesem Falle ebenfalls eine intensive Bewegung der Körner untereinander gewährleistet ist Bei einem weiteren bekannten Verfahren wird die kreisförmige Bewegung in einem topfförmigen Behälter erzeugt, ein kontinuierliches Arbeiten, bei dem eingesetzte und entstehende Stoffe im Kreislauf geführt werden können, ist dabei jedoch nicht möglich.
  • Ähnlich liegen die Verhältnisse bei einem anderen Verfahren, bei welchem die Vibrationsbewegung in das Reaktionsmedium eingebaut ist und dieses bewegt.
  • Dabei handelt es sich im wesentlichen nur um einen Durchmischungseffekt, und das durchgeschleuste Material kann nicht, wie dies bei dem erfindungsgemäßen Verfahren der Fall ist, durch die gleiche Vorrichtung im Kreislauf geführt werden.
  • Bei einer weiteren vorveröffentlichten Arbeitsweise wird das Material von Etage zu Etage bewegt, wobei in jeder Kammer eine Vibrationsbewegung erzeugt werden muß. In diesem Falle kann das Material nicht von unten nach oben transportiert werden untergleichzeitiger Ausführung einer kreisenden Bewegung.
  • Es ist fernerhin ein Verfahren bekannt, bei welchem körniges Gut durch Schwingungen schalenförmig an die Wand des Reaktionsbehälters angelagert wird.
  • Dabei bleibt in der Mitte des Gefäßes ein Raum frei, durch welchen die andere Reaktionskomponente strömt. Der Nachteil dieses Verfahrens gegenüber der Erfindung ist darin zu sehen, daß die Körnerschicht nicht im Kreislauf geführt werden kann. Außerdem ist die Größe der reaktionsfähigen Fläche durch die Gefäßwand bedingt.
  • Schließlich sei noch eine weitere Veröffentlichung erwähnt, bei welcher auf den mechano-chemischen Effekt hingewiesen wird. Dabei werden feste Stoffe durch Vermahlen reaktionsfähiger. Um diesen Effekt bei Silicium zu erzielen, sind erhebliche mechanische Kräfte notwendig. Es ist deshalb überraschend, daß bei der vibrierend fließenden Bewegung die Reaktionsfreudigkeit des Materials zunimmt, obwohl der mechano-chemische Effekt nicht eintritt, da dafür die erforderlichen mechanischen Kräfte nicht vorhanden sind, um diesen bei Silicium und dessen Legierungen auszulösen.
  • PATENTANSPROCHE: 1. Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von anorganischen und organischen Siliciumverbindungen aus gekörntem Silicium und/oder Siliciumlegierungen und Gasen und/oder Dämpfen, wobei das Körnergemisch durch eine Vibrationsvorrichtung in Bewegung gehalten wird, dadurch gekennzeichnet, daß das umzusetzende Körner gemisch im Kreislauf geführt und dabei ständig in rotierender Vibrationsbewegung gehalten wird und daß die Kreislaufbewegung durch die Vibrationsvorrichtung bewirkt wird.

Claims (1)

  1. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Druck von 1 bis 10 Atmosphären gearbeitet wird.
    In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 939806, 725 325; USA.-Patentschrift Nr. 2498 405; schweizerische Patentschrift Nr. 183 677; französische Patentschrift Nr. 907049; Angew. Chemie, 69. Jahrgang (1957), S. 563.
DEW25448A 1959-04-22 1959-04-22 Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von anorganischen und organischen Siliciumverbindungen Pending DE1102119B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEW25448A DE1102119B (de) 1959-04-22 1959-04-22 Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von anorganischen und organischen Siliciumverbindungen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEW25448A DE1102119B (de) 1959-04-22 1959-04-22 Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von anorganischen und organischen Siliciumverbindungen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1102119B true DE1102119B (de) 1961-03-16

Family

ID=7598091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEW25448A Pending DE1102119B (de) 1959-04-22 1959-04-22 Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von anorganischen und organischen Siliciumverbindungen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1102119B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4585643A (en) * 1985-05-31 1986-04-29 Union Carbide Corporation Process for preparing chlorosilanes from silicon and hydrogen chloride using an oxygen promoter

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH183677A (de) * 1934-02-24 1936-04-30 Ig Farbenindustrie Ag Verfahren zur Durchführung chemischer und physikalischer Prozesse.
DE725325C (de) * 1937-09-12 1942-09-18 Ig Farbenindustrie Ag Verfahren und Vorrichtung zur Durchfuehrung chemischer und physikalischer Prozesse zwischen Stoffen verschiedener Phasen
FR907049A (fr) * 1944-03-30 1946-02-27 Dispositifs vibrants pour favoriser les actions physiques et chimiques des corps solides, liquides ou gazeux entre eux
US2498405A (en) * 1946-03-11 1950-02-21 Jeffrey Mfg Co Continuous vibrating reaction chamber
DE939806C (de) * 1951-07-27 1956-03-01 Andre Hereng Vorrichtung zur Behandlung von pulverfoermigen Stoffen und Fluessigkeiten und/oder Gasen

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH183677A (de) * 1934-02-24 1936-04-30 Ig Farbenindustrie Ag Verfahren zur Durchführung chemischer und physikalischer Prozesse.
DE725325C (de) * 1937-09-12 1942-09-18 Ig Farbenindustrie Ag Verfahren und Vorrichtung zur Durchfuehrung chemischer und physikalischer Prozesse zwischen Stoffen verschiedener Phasen
FR907049A (fr) * 1944-03-30 1946-02-27 Dispositifs vibrants pour favoriser les actions physiques et chimiques des corps solides, liquides ou gazeux entre eux
US2498405A (en) * 1946-03-11 1950-02-21 Jeffrey Mfg Co Continuous vibrating reaction chamber
DE939806C (de) * 1951-07-27 1956-03-01 Andre Hereng Vorrichtung zur Behandlung von pulverfoermigen Stoffen und Fluessigkeiten und/oder Gasen

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4585643A (en) * 1985-05-31 1986-04-29 Union Carbide Corporation Process for preparing chlorosilanes from silicon and hydrogen chloride using an oxygen promoter

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2306517C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Chlor und Eisenoxid durch Umsetzen von Sauerstoff mit Eisenchlorid in der Dampfphase
EP0272377B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur thermischen und/oder reduzierenden Behandlung von festen, körnigen und/oder agglomerierten Einsatzmaterialien
DE1102119B (de) Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von anorganischen und organischen Siliciumverbindungen
DE2154835B2 (de) Kristallisationkolonne
DE1143797B (de) Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
DE102019003790A1 (de) Amorphes Silicumdioxid, Vorrichtung zur Herstellung von amporphem Siliciumdioxid, Verfahren zur Herstellung von amporphem Siliciumdioxid, aus amporphem Siliciumdoixid hergestelltes Silicium, und Verfahren zur Herstellung von Silicium
US3351428A (en) Process for the production of refractory hard metal materials
DE1218422C2 (de) Verfahren zur Herstellung von reinem Molybdaentrioxyd
DE2616828A1 (de) Wirbelschichtreaktor
DE2163594A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung von Aluminium(IH)chlorid
AT219292B (de) Verfahren zur Gewinnung von Aluminium-Silizium-Legierungen und Ofen zur Durchführung dieses Verfahrens
DE2605346C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Urantetrafluorid
DE3623493A1 (de) Verfahren zur herstellung von siliciumhexachlorid
DE2462372C3 (de) Verwendung eines gasdicht ummantelten Vibrationswendelförderers zur kontinuierlichen Herstellung aktiver Massen für galvanische Elemente
DE1063117B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Kondensieren von sublimierbaren Metallchloriden
DE1105398B (de) Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von Siliciumchloroform und/oder Siliciumtetrachlorid
DE975293C (de) Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung von Natriumaluminium-fluoriden und Silicium-Aluminium-Legierungen
RU2478080C2 (ru) Способ получения порошка оксида висмута (iii)
DE564503C (de) Verfahren und Ofen zur Bindung von Ammoniak bei hoher Temperatur in Form von Verbindungen ein- oder zweiwertiger Metalle, wie Cyanide, Cyanate, Cyanamide oder Gemische dieser Verbindungen
DE1468802C3 (de) Verfahren zur Oxychlorierung von aliphatischen Kohlenwasserstoffen, die 1 bis 4 Kohlenstoff atome aufweisen, oder ihrer teilweise chlorierten Derivate
AT209665B (de) Verfahren zur Abscheidung von Metallüberzügen auf feinverteilten Stoffen
DE1668831A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Organochlorsilanen
DE1136123B (de) Verfahren und Ofen zur elektrothermischen Herstellung von Aluminium-Silicium-Legierungen
AT209314B (de) Ofen für die kontinuierliche Erzeugung von Aluminiumnitrid
AT223174B (de) Verfahren zur Herstellung von hochdispersen Stoffen, insbesondere aus Metallen und Metallverbindungen und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens