DE1101627B - Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit mindestens einer einlegierten Elektrode - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit mindestens einer einlegierten Elektrode

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DE1101627B
DE1101627B DES61374A DES0061374A DE1101627B DE 1101627 B DE1101627 B DE 1101627B DE S61374 A DES61374 A DE S61374A DE S0061374 A DES0061374 A DE S0061374A DE 1101627 B DE1101627 B DE 1101627B
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Germany
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Dipl-Phys Reimer Emeis
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Siemens AG
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Siemens AG
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Description

DEUTSCHES
Es ist bekannt, zwecks metallischer Kontaktierung einer Halbleiteranordnung eine gegebenenfalls Dotierungsstoff enthaltende Goldfolie in einen einkristallinen Siliziumgrundkörper bei einer Temperatur von etwa 800° C unter Luftabschluß einzulegieren. Dabei werden das Gold und ein ihm benachbarter Teil des Siliziumkörpers gelöst, so daß eine Gold-Silizium-Schmelze entsteht. Bei der Abkühlung wird durch Rekristallisation Silizium aus der Schmelze wieder ausgeschieden und an das ursprüngliche, nicht gelöste Silizium wieder ankristallisiert. Der Legierungsvorgang wird unterhalb der Schmelztemperatur des Eutektikums, welche mit 370° C weit unter den Schmelzpunkten der Legierungspartner liegt, durch Festkörperdiffusion in den Berührungspunkten der aneinanderliegenden Flächen eingeleitet. Diese Diffusion im festen Zustand ist wesentlich für die Gleichmäßigkeit der entstehenden Legierungsfront.
Die Goldfolie wird zur Einlegierung auf den Siliziumgrundkörper gelegt und unter leichtem Anpreßdruck langsam aufgeheizt. Dabei diffundieren bereits unterhalb der eutektischen Temperatur Siliziumatome in das Gold und umgekehrt auch Goldatome in das Silizium. Wenn in einer Berührungsschicht des Siliziums der Goldgehalt ungefähr 94% (Gewichtsprozent) erreicht, so schmilzt diese Schicht bei 370° C. Entsprechend schmilzt auf der Goldseite eine Schicht bei 370° C, wenn in ihr der Siliziumgehalt 6% erreicht hat. In diesem Stadium befindet sich also zwischen der festen Goldfolie und dem festen Siliziumkristall eine Gold-Silizium-Schmelze. In dieser Schmelze lösen sich von beiden Seiten her fortlaufend weitere Mengen der beiden Legierungspartner, bis einer von beiden völlig aufgebraucht ist.
Die obenerwähnte Einleitung des Legierungsvorganges durch Diffusion von Atomen im festen Zustand unterhalb der eutektischen Temperatur geht verhältnismäßig langsam vor sich. Wird die Temperatur während des Aufheizvorganges stetig erhöht und der Bereich unterhalb des eutektischen Punktes in kurzer Zeit durchschritten, so steht für die Festkörperdiffusion nicht genügend Zeit zur Verfügung, und es ist infolgedessen möglich, daß sich die zu Beginn des Legierungsvorganges beim Durchschreiten der eutektischen Temperatur entstehenden Schmelzschichten nur stellenweise ausbilden und die Legierungsbildung an anderen Stellen erst später einsetzt oder sogar ganz unterbleibt. Diese Nachteile werden durch das Verfahren nach der Erfindung vermieden.
Demgemäß betrifft dieses die Herstellung von Halbleiteranordnungen mit mindestens einer durch Einlegieren von Metall in den Halbleiterkörper erzeugten Elektrode, deren Metallanteil mit dem Halbleitermaterial ein Eutektikum bildet. Erfindungs-
Verfahren zur Herstellung
von Halbleiteranordnungen
mit mindestens einer einlegierten
Elektrode
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke
Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Dipl.-Phys. Reimer Emeis, Ebermannstadt,
ist als Erfinder genannt worden
gemäß wird während des zum Einlegieren erforderlichen Aufheizvorganges die Temperatursteigerung der miteinander zu legierenden Teile bei Annäherung an die eutektische Temperatur verlangsamt. Die Temperatur kann z. B. dicht unterhalb des eutektischen Punktes vorübergehend konstant gehalten werden. Infolge dieser Maßnahme kann durch Festkörperdiffusion wechselweise eine genügende Anzahl von Atomen zum Legierungspartner übertreten, so daß in einer dünnen Oberflächenschicht über die gesamte Berührungsfläche die eutektische Konzentration schon hergestellt ist und damit der Legierungsvorgang gleichmäßig über die gesamte Berührungsfläche einsetzt, sobald die eutektische Temperatur erreicht wird. Je langer diese Temperung durchgeführt wird, um so dicker und gleichmäßiger wird die Schicht, welche beim Durchschreiten der eutektischen Temperatur sofort flüssig wird.
Bei der großflächigen Kontaktierung von Siliziumscheiben mit Gold hat es sich beispielsweise als vorteilhaft erwiesen, die Temperatur bei etwa 365° C etwa 1Iz Stunde oder langer konstant zu halten.
Das Verfahren nach der Erfindung kann auch bei anderen einkristallinen Halbleiteranordnungen, z. B. Germanium oder einer intermetallischen Verbindung oder Elementen der III. und V. Gruppe des Periodischen Systems, mit Vorteil angewendet werden.

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit mindestens einer durch Einlegieren von Metall in den Halbleiterkörper
109 529/563
erzeugten Elektrode, deren Metallanteil mit dem vom Halbleiterkörper gelösten Material ein Eutektikum bildet, dadurch gekennzeichnet, daß wahrend des zum Einlegieren des Metalls erforderlichen Aufheizvorganges die Temperatursteigerung der miteinander zu legierenden Teile bei Annäherung an die eutektische Temperatur verlangsamt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur der miteinander zu legierenden Teile dicht unterhalb der eutektischen Temperatur vorübergehend konstant gehalten wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß beim Einlegieren von Gold in Silizium die Temperatur dicht unterhalb 370° C mindestens 1Is Stunde konstant gehalten wird.
In Betracht gezogene Druckschriften: F. J. Bioudi, »Transistor Technology«, Bd. III, S. 182/183.
© 109 529/563 2.61
DES61374A 1959-01-17 1959-01-17 Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit mindestens einer einlegierten Elektrode Pending DE1101627B (de)

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FR810818A FR1242004A (fr) 1959-01-17 1959-11-20 Procédé de fabrication de dispositifs électroniques semi-conducteurs comportant au moins une électrode métallique fixée par alliage
CH10960A CH383504A (de) 1959-01-17 1960-01-04 Verfahren zur Herstellung elektronischer Halbleiteranordnungen mit einer einlegierten Metallelektrode
GB140760A GB864239A (en) 1959-01-17 1960-01-14 A process for providing a semi-conductor body with a metal electrode

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GB (1) GB864239A (de)
NL (1) NL245806A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2606551A1 (fr) * 1986-11-07 1988-05-13 Arnaud D Avitaya Francois Procede de formation de contacts ohmiques sur du silicium

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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None *

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2606551A1 (fr) * 1986-11-07 1988-05-13 Arnaud D Avitaya Francois Procede de formation de contacts ohmiques sur du silicium

Also Published As

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GB864239A (en) 1961-03-29
CH383504A (de) 1964-10-31
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FR1242004A (fr) 1960-09-23

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