DE1090769B - Verfahren zur Herstellung von Leitfaehigkeits- oder pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern nach dem Aufschmelzverfahren - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Leitfaehigkeits- oder pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern nach dem AufschmelzverfahrenInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE554048A BE554048A (US20080138455A1-20080612-C00006.png) | 1957-01-09 | 1957-01-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1090769B true DE1090769B (de) | 1960-10-13 |
Family
ID=3883078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEN14525A Pending DE1090769B (de) | 1957-01-09 | 1958-01-04 | Verfahren zur Herstellung von Leitfaehigkeits- oder pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern nach dem Aufschmelzverfahren |
Country Status (4)
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3168687A (en) * | 1959-12-22 | 1965-02-02 | Hughes Aircraft Co | Packaged semiconductor assemblies having exposed electrodes |
| NL255865A (US20080138455A1-20080612-C00006.png) * | 1960-09-13 | 1900-01-01 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1088007A (fr) * | 1952-10-22 | 1955-03-02 | Rca Corp | Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs |
| FR1115448A (fr) * | 1953-10-16 | 1956-04-24 | Thomson Houston Comp Francaise | Dispositif semi-conducteur à jonctions à forte évacuation thermique |
-
1957
- 1957-01-09 BE BE554048A patent/BE554048A/xx unknown
-
1958
- 1958-01-04 DE DEN14525A patent/DE1090769B/de active Pending
- 1958-01-06 GB GB46558A patent/GB873490A/en not_active Expired
- 1958-01-07 FR FR1197761D patent/FR1197761A/fr not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1088007A (fr) * | 1952-10-22 | 1955-03-02 | Rca Corp | Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs |
| FR1115448A (fr) * | 1953-10-16 | 1956-04-24 | Thomson Houston Comp Francaise | Dispositif semi-conducteur à jonctions à forte évacuation thermique |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE554048A (US20080138455A1-20080612-C00006.png) | 1957-01-31 |
| GB873490A (en) | 1961-07-26 |
| FR1197761A (fr) | 1959-12-02 |
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