DE1056747C2
(de )
1959-10-15
Verfahren zur Herstellung von mehreren p-n-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern fuer Transistoren durch Diffusion
DE1033787B
(de )
1958-07-10
Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit doppelten p-n-UEbergaengen
DE1005646B
(de )
1957-04-04
Verfahren zur Erzeugung von grossflaechigen, rissefreien Halbleiter-p-n-Verbindungen
DE1084381B
(de )
1960-06-30
Legierungsverfahren zur Herstellung von pn-UEbergaengen an der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers
DE2215357A1
(de )
1972-10-12
Verfahren zum Herstellen eines intermetallischen Kontakts an einem Halbleiterbauteil
DE976348C
(de )
1963-07-18
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit pn-UEbergaengen und nach diesem Verfahren hergestellte Bauelemente
DE2450930A1
(de )
1975-05-07
Thermische wanderung metallreicher fluessiger draehte durch halbleitermaterialien
DE2142342A1
(de )
1972-03-16
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1089075B
(enExample )
DE1015937B
(de )
1957-09-19
Verfahren zur Herstellung von Halbleitern mit p-n-Schichten
DE1564373B2
(de )
1973-03-01
Legierungsdiffusionsverfahren zur herstellung einer siliziumdiode
DE1113034B
(de )
1961-08-24
Diffusionsverfahren zur gleichzeitigen Bildung von PN-UEbergaengen in mehreren Halbleiter-koerpern von Halbleiteranordnungen
DE1093643B
(de )
1960-11-24
Verfahren zum Anlegieren einer Goldlegierung an einen Halbleiterkoerper
DE1186950C2
(de )
1975-10-02
Verfahren zum entfernen von unerwuenschten metallen aus einem einen pn-uebergang aufweisenden silicium-halbleiterkoerper
DE1297235B
(de )
1969-06-12
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE1266510B
(de )
1968-04-18
Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkoerper mit mindestens einem Kontakt und Verfahren zum Herstellen
DE3224248A1
(de )
1983-01-13
Glaspassivierte halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung
AT247415B
(de )
1966-06-10
Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen, insbesondere von Tunneldioden
DE1163977B
(de )
1964-02-27
Sperrfreier Kontakt an einer Zone des Halbleiterkoerpers eines Halbleiterbauelementes
AT254268B
(de )
1967-05-10
Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von mindestens zwei Halbleiterbauelementen aus einem scheibenförmigen Halbleiterkristall
DE1283975B
(de )
1968-11-28
Verfahren zur sperrfreien Kontaktierung von p-leitendem Galliumarsenid
AT228273B
(de )
1963-07-10
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE1285625B
(de )
1974-12-05
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE1189657B
(de )
1965-03-25
Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit legierten Elektroden
AT242197B
(de )
1965-09-10
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung