DE1089075B - - Google Patents

Info

Publication number
DE1089075B
DE1089075B DENDAT1089075D DE1089075DA DE1089075B DE 1089075 B DE1089075 B DE 1089075B DE NDAT1089075 D DENDAT1089075 D DE NDAT1089075D DE 1089075D A DE1089075D A DE 1089075DA DE 1089075 B DE1089075 B DE 1089075B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
eutectic
alloyed
temperature
alloy
alloy material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DENDAT1089075D
Other languages
German (de)
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Publication of DE1089075B publication Critical patent/DE1089075B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00Bipolar junction transistors [BJT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
DENDAT1089075D 1957-05-15 Pending DE1089075B (enrdf_load_stackoverflow)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET0013593 1957-05-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1089075B true DE1089075B (enrdf_load_stackoverflow)

Family

ID=7547384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT1089075D Pending DE1089075B (enrdf_load_stackoverflow) 1957-05-15

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1089075B (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1213057B (de) * 1964-10-17 1966-03-24 Telefunken Patent Halbleiteranordnung mit legierten Elektroden

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1213057B (de) * 1964-10-17 1966-03-24 Telefunken Patent Halbleiteranordnung mit legierten Elektroden

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1056747C2 (de) Verfahren zur Herstellung von mehreren p-n-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern fuer Transistoren durch Diffusion
DE1033787B (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit doppelten p-n-UEbergaengen
DE1005646B (de) Verfahren zur Erzeugung von grossflaechigen, rissefreien Halbleiter-p-n-Verbindungen
DE1084381B (de) Legierungsverfahren zur Herstellung von pn-UEbergaengen an der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers
DE2215357A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines intermetallischen Kontakts an einem Halbleiterbauteil
DE976348C (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit pn-UEbergaengen und nach diesem Verfahren hergestellte Bauelemente
DE2450930A1 (de) Thermische wanderung metallreicher fluessiger draehte durch halbleitermaterialien
DE2142342A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1089075B (enrdf_load_stackoverflow)
DE1564373C3 (de) Legierungsdiffusionsverfahren zur Herstellung einer Siliziumdiode
DE1015937B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitern mit p-n-Schichten
DE1093643B (de) Verfahren zum Anlegieren einer Goldlegierung an einen Halbleiterkoerper
DE1186950C2 (de) Verfahren zum entfernen von unerwuenschten metallen aus einem einen pn-uebergang aufweisenden silicium-halbleiterkoerper
DE1297235B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE1266510B (de) Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkoerper mit mindestens einem Kontakt und Verfahren zum Herstellen
DE3224248A1 (de) Glaspassivierte halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung
AT247415B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen, insbesondere von Tunneldioden
DE1163977B (de) Sperrfreier Kontakt an einer Zone des Halbleiterkoerpers eines Halbleiterbauelementes
AT254268B (de) Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von mindestens zwei Halbleiterbauelementen aus einem scheibenförmigen Halbleiterkristall
DE1283975B (de) Verfahren zur sperrfreien Kontaktierung von p-leitendem Galliumarsenid
AT228273B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE1285625B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE1189657B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit legierten Elektroden
AT242197B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE2221570A1 (de) Ohm'scher kontaktanschluss und verfahren zur herstellung desselben