DE1071844B - - Google Patents
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 3
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/60—Impurity distributions or concentrations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/228—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DET0014297 | 1957-10-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1071844B true DE1071844B (en, 2012) | 1959-12-24 |
Family
ID=7547604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DENDAT1071844D Pending DE1071844B (en, 2012) | 1957-10-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1071844B (en, 2012) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1126514B (de) * | 1960-01-29 | 1962-03-29 | Intermetall | Verfahren zur Herstellung von Zenerdioden mit einem Halbleiterkoerper eines Leitfaehigkeitstyps |
| DE1141723B (de) * | 1960-06-10 | 1962-12-27 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem n-leitenden Siliziumkristall, insbesondere eines Flaechentransistors vom pnp-Typ |
| DE1194065B (de) * | 1959-11-10 | 1965-06-03 | Westinghouse Electric Corp | Halbleiterbauelement mit teilweise fallender Charakteristik und Betriebsschaltung |
-
0
- DE DENDAT1071844D patent/DE1071844B/de active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1194065B (de) * | 1959-11-10 | 1965-06-03 | Westinghouse Electric Corp | Halbleiterbauelement mit teilweise fallender Charakteristik und Betriebsschaltung |
| DE1126514B (de) * | 1960-01-29 | 1962-03-29 | Intermetall | Verfahren zur Herstellung von Zenerdioden mit einem Halbleiterkoerper eines Leitfaehigkeitstyps |
| DE1141723B (de) * | 1960-06-10 | 1962-12-27 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem n-leitenden Siliziumkristall, insbesondere eines Flaechentransistors vom pnp-Typ |
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