DE1061830B - Verstaerker mit zwei starkleitenden Halbleiterdioden (Schaltdioden) - Google Patents
Verstaerker mit zwei starkleitenden Halbleiterdioden (Schaltdioden)Info
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- DE1061830B DE1061830B DEW23700A DEW0023700A DE1061830B DE 1061830 B DE1061830 B DE 1061830B DE W23700 A DEW23700 A DE W23700A DE W0023700 A DEW0023700 A DE W0023700A DE 1061830 B DE1061830 B DE 1061830B
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/10—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with diodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
DEUTSCHES
kl. 21a2 18/08
INTERNAT. KL. H 03 f
PATENTAMT
W23700VIIIa/21a2
ANMELDETAG: 15.JULI1958
B EKANNTMACHUNG
DEK ANMELDUNG
UND AUSGABE DEE
AUSLEGESCHKIFT: 23. JULI 1959
DEK ANMELDUNG
UND AUSGABE DEE
AUSLEGESCHKIFT: 23. JULI 1959
Die Erfindung bezieht sich auf Verstärker unter Verwendung starkleitender Halbleiterdioden (Schaltdioden),
d. h. Dioden, die im Sperrbereich ein Gebiet negativen Widerstandes aufweisen. Bei solchen an
sich bekannten Dioden verschwindet nämlich bei 5 Überschreiten einer bestimmten Größe des Stromes
und der Spannung in Sperrichtung plötzlich der Sperrwiderstand, so daß auch bei Verringerung der
Spannung auf einen kleineren Wert ein Strom fließen kann, solange der Strom über einem bestimmten
Schwellwert liegt und eine Spannung vorhanden ist. Bei Überschreiten dieses Schwellwertes oder
Fortfall der Spannung in Sperrichtung wird die Diode wieder gesperrt für den Strom in Sperrichtung.
Diese Wirkungsweise hat nichts mit dem Zener- oder dem Avalanche-Effekt zu tun. Das vorgenannte
Betriebsverhalten der sogenannten Schaltdiode kann beliebig oft erreicht werden.
Solche Halbleiterdioden mit steuerbarer Durchbruchcharakteristik sind bereits vorgeschlagen worden
und enthalten z. B. eine erste Basis aus einem halbleitenden Element, das zur Erzeugung eines N-
oder P-Halbleitertyps mit entsprechenden Verunreinigungen
versetzt ist. Auf dieser ersten Basis ist ein Emitter aufgebracht, der aus halbleitendem Material z5
von jeweils entgegengesetztem Halbleitertyp besteht. Der Emitter kann aus der Legierung einer mit Verunreinigungen
versetzten Pille mit einem Plättchen vom gleichen halbleitenden Material wie die erste
Basis bestehen. Der Anschluß an den Emitter erfolgt an der Zone zwischen der ersten Basis und dem
Emitter. Zum leichten Anschluß der Diode an einen elektrischen Stromkreis ist vorzugsweise eine Schicht
aus Silber oder anderem gut leitendem Material mit der Oberfläche des Emitters durch Aufschmelzen,
Legieren oder Löten in innige Verbindung gebracht. Kupferdrähte können dann beispielsweise leicht mit
dieser Schicht verlötet werden. Eine zweite Basis von entgegengesetztem Halbleitertyp schließt sich an die
erste Basis an. Die Berührungszone zwischen der ersten und zweiten Basis bildet die Kollektorverbindung.
Unmittelbar auf die zweite Basis ist eine Metallmasse aufgeschmolzen, gelötet, legiert oder sonstwie
fest aufgebracht, die als Trägerquelle dient und wesentlich das Betriebsverhalten der Diode mitbestimmt.
Die Metallmasse kann elektrisch neutral sein oder dieselben Verunreinigungszusätze wie die zweite
Basis haben.
Die Stromspannungscharakteristik einer solchen Diode ist in Fig. 3 dargestellt. Im ersten Quadranten
steigt der Strom bei. Erreichen einer bestimmten Spannung in Durchlaßrichtung plötzlich steil an, so
daß bei Auftreten einer Spannung von beispielsweise 1 Spannungseinheit (Volt) ein Strom von annähernd
Verstärker mit zwei starkleitenden
Halbleiterdioden (Schaltdioden)
Halbleiterdioden (Schaltdioden)
Anmelder:
Westinghouse Electric Corporation,
East Pittsburgh, Pa. (V. St. A.)
East Pittsburgh, Pa. (V. St. A.)
Vertreter: Dr.-Ing. P. Ohrt, Patentanwalt,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Beanspruchte Priorität:
V. St. τ. Amerika, vom 21. Oktober 1957
V. St. τ. Amerika, vom 21. Oktober 1957
Edward A. Petrocelli, Glenshaw, Pa. (V. St. A.),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
3 Stromeinheiten (Ampere) auftritt. Wenn die Spannung an der Diode 50 umgepolt wird, so tritt bis zu
einer Spannung in Sperrichtung von beispielsweise 55 Spannungseinheiten (Volt) praktisch kein Strom
in Sperrichtung auf. Bei Überschreiten der genannten Durchbruchsspannung wird die Diode plötzlich in der
Sperrichtung leitend, und die Spannung fällt annähernd auf 1 Spannungseinheit ab, wie dies im
dritten Quadranten gestrichelt dargestellt ist. So wird also die Diode plötzlich leitend und weist nur mehr
einen geringen ohmschen Widerstand in Sperrichtung auf, der einen plötzlichen Stromanstieg in Sperrrichtung
auf mehrere Stromeinheiten zuläßt. Es ist dabei nur eine geringe Energie zur Aufrechterhaltung
der großen Leitfähigkeit in Sperrichtung notwendig. Durch Verminderung des Stromes unter einen bestimmten
Schwellwert bei einer Spannung unterhalb der Durchbruchsspannung nimmt die Diode in Sperrrichtung
wieder den vorherigen Sperrwiderstand an. Die Veränderung des Widerstandswertes der Diode
in Sperrichtung kann beliebig oft wiederholt werden durch passende Steuerung der Größe des Stromes und
der Spannung in Sperrichtung.
Gegenstand der Erfindung ist ein elektrischer Verstärker mit solchen Dioden und mit entsprechenden
Last- und Steuerstromkreisen. Die Erfindung besteht darin, daß der eine speisende Wechselspannungsquelle
enthaltende Laststromkreis mindestens zwei je eine Halbwelle im gesperrten Zustand unterdrückende
starkleitende Halbleiterdioden enthält, denen jeweils ein eigener Steuerstromkreis zur Er-
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Claims (3)
1. Verstärker mit starkleitenden Halbleiterdioden (Schaltdioden) und mit einem Last- sowie
einem Steuerstromkreis, dadurch gekennzeichnet, daß der eine speisende Wechselspannungsquelle
enthaltende Laststromkreis mindestens zwei je eine Halbwelle im gesperrten Zustand unterdrückende
Schaltdioden enthält, denen jeweils ein eigener Steuerstromkreis zur Erzeugung einer die
Durchbruchsspannung in Sperrichtung der Dioden übersteigenden Spannung bei Auftreten eines
Steuersignals zugeordnet ist, daß beide Steuerkreise synchron betrieben sind und daß die Speisespannung
kleiner als die Durchbruchsspannung der Dioden bemessen ist.
2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Laststromkreis in zwei parallele
Teilkreise mit der gemeinsamen Last (70) und Wechselspannungsquelle (61, 62) unterteilt
ist und in jedem Teilkreis eine Diode (35, 45) sowie ein Sperrgleichrichter (63, 64) mit entgegengesetzter
Durchlaßrichtung derart angeordnet sind, daß im geöffneten Zustand der Dioden die eine Halbwelle der Wechselspannung den einen
Teilkreis, die andere Halbwelle den anderen Teilkreis durchfließt (Fig. 1).
3. Verstärker nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Steuersignal der
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US851394XA | 1957-10-21 | 1957-10-21 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1061830B true DE1061830B (de) | 1959-07-23 |
Family
ID=22189695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEW23700A Pending DE1061830B (de) | 1957-10-21 | 1958-07-15 | Verstaerker mit zwei starkleitenden Halbleiterdioden (Schaltdioden) |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS3610871B1 (de) |
BE (1) | BE572206A (de) |
DE (1) | DE1061830B (de) |
FR (1) | FR1206425A (de) |
GB (1) | GB851394A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3053998A (en) * | 1959-10-14 | 1962-09-11 | Bell Telephone Labor Inc | Three stable state semiconductive device |
DE1243237B (de) * | 1958-06-19 | 1967-06-29 | Westinghouse Electric Corp | Anordnung zum Steuern der einer Last zugefuehrten Leistung, mit zwei hyperkonduktiven Halbleiterelementen |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE919303C (de) * | 1951-08-29 | 1954-10-18 | Int Standard Electric Corp | Kristallgleichrichter |
-
0
- BE BE572206D patent/BE572206A/xx unknown
-
1958
- 1958-07-15 DE DEW23700A patent/DE1061830B/de active Pending
- 1958-10-17 GB GB33194/58A patent/GB851394A/en not_active Expired
- 1958-10-20 FR FR1206425D patent/FR1206425A/fr not_active Expired
- 1958-10-21 JP JP3025058A patent/JPS3610871B1/ja active Pending
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US3053998A (en) * | 1959-10-14 | 1962-09-11 | Bell Telephone Labor Inc | Three stable state semiconductive device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE572206A (de) | |
FR1206425A (fr) | 1960-02-09 |
GB851394A (en) | 1960-10-19 |
JPS3610871B1 (de) | 1961-07-18 |
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