DE1563020C3 - Verstärker enthaltende Vierpolschaltung zur Transformation einer elektrischen Spannung oder eines elektrischen Stromes - Google Patents

Verstärker enthaltende Vierpolschaltung zur Transformation einer elektrischen Spannung oder eines elektrischen Stromes

Info

Publication number
DE1563020C3
DE1563020C3 DE19661563020 DE1563020A DE1563020C3 DE 1563020 C3 DE1563020 C3 DE 1563020C3 DE 19661563020 DE19661563020 DE 19661563020 DE 1563020 A DE1563020 A DE 1563020A DE 1563020 C3 DE1563020 C3 DE 1563020C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
pair
terminals
voltage
pole
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19661563020
Other languages
English (en)
Other versions
DE1563020A1 (de
DE1563020B2 (de
Inventor
Walter Dr.-Ing. 8000 Muenchen Heinlein
Warwick Harvey Ph. D. North Bridge Holmes (Australien)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of DE1563020A1 publication Critical patent/DE1563020A1/de
Publication of DE1563020B2 publication Critical patent/DE1563020B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1563020C3 publication Critical patent/DE1563020C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/347DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only in integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/34Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Verstärker enthaltende Vierpolschaltung zur Transformation einer gegebenenfalls einen Gleichspannungsanteil enthaltenden elektrischen Spannung und/oder eines gegebenen falls einen Gleichstromanteil enthaltenden elektrischen Stromes.
Die bekannteste Ausführung eines Strom- oder Spannungs-Transformators ist die unter Verwendung von magnetisch miteinander gekoppelten Spulen. Diese Ausführungsform hat indes die Eigenschaft, daß sie nur Wechselspannungen bzw. Wechselströme überträgt. Es beruht dies auf der galvanischen Trennung der Primärwicklung und der Sekundärwicklung des Transformators. In der Praxis tritt indes häufig noch die Forderung auf, auch Gleichspannungs- bzw. Gleichstromanteile mit zu übertragen.
Ein anderes Problem bei der Transformation elektrischer Spannungen bzw. Ströme ist das der Ausführung der Schaltung in der sogenannten integrierten Bauweise, die Übertrager mit Spulen und magnetischem Kreis praktisch nicht zuläßt. Die integrierte Bauweise gliedert sich in sehr unterschiedliche Ausführungsarten. Die nennenswertesten Ausführungsarten lassen sich durch folgende mechanisch-konstruktive Bauvorschriften klassifizieren.
a) Es wird vorgeschrieben, daß eine Leiterbahnen tragende Isolierstoffplatte vorgesehen ist, auf der einzelne oder mehrere der erforderlichen elektrischen Bauelemente angeordnet werden, und daß mehrere solche elektrische Bauteile tragenden Platten zu der Gesamtschaltung über besondere Verbindungen zusammengefaßt werden (z. B. Mikromodultechnik).
b) Es wird vorgeschrieben, daß auf einen Isolierstoffträger die einzelnen elektrischen Bauelemente einschließlich der zugehörigen Verbindungsleitungen
z. B. im Wege der Aufdampftechnik als dünne Schichten und Leiterbahnen aufgebracht werden, wobei gegebenenfalls Dioden und Transistoren in diese Isolierstoffplatten eingesetzt werden (z. B. Dünnfilmtechnik). Bei einer besonderen Ausführungsform werden elektrische Bauelemente, und zwar auch Transistoren und Dioden nach einem Druckverfahren mit eingebracht.
c) Es wird vorgeschrieben, daß die einzelnen elektrisehen Bauelemente in und/oder auf einem einen einzelnen Baustein bildenden Halbleiterkörper durch Legierungs-, Dotierungs- bzw. Diffusionsvorgänge gebildet werden. Die Bauelemente können dabei Transistoren, Dioden, Widerstände und Kondensatoren sein. Auch die Leitungsverbindungen werden durch entsprechende Bearbeitungsvorgänge des Halbleiterbausteins, gegebenenfalls durch Anwendung der Aufdampftechnik oder der Drucktechnik gebildet. Es handelt sich um eine integrierte Schaltung im Sinne eines Monoliths auf Halbleiterbasis.
d) Mehrere Halbleiterbausteine werden über gegebenenfalls mechanisch steife, elektrische Verbindungen zusammengehalten (beam-lead-Technik) oder auf einem Isolierstoffträger angeordnet und
über dünne Drähte verbunden.
Es gibt noch eine Reihe weiterer Mischformen zwischen diesen Bauvorschriften mechanisch-konstruktiver Art. Allen diesen Bauvorschriften ist aber gemeinsam, daß sie die Verwendung von Spulen und Übertragern praktisch nicht zulassen. Es würde sonst der Raumanteil des Übertragers ein Vielfaches von dem der sonstigen elektrischen Bauteile bzw. der Gesamtschaltung sein.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, für die erwähnten mechanisch-konstruktiven Bauvorschriften der integrierten Schaltungsbauweise eine Schaltung anzugeben, mit der es möglich ist, eine elektrische Spannung und/oder einen elektrischen Strom, in denen gegebenenfalls ein Gleichanteil enthalten ist, zu transformieren. Dabei ist der Fall denkbar, daß bei gleichem Eingangsstrom und Ausgangsstrom nur die Ausgangsspannung bzw. bei gleichen Spannungen im Eingang und Ausgang unterschiedliche Ströme im Eingang und Ausgang gefordert werden oder sowohl die Spannungen im Eingang und Ausgang als auch die Ströme verschiedene Werte haben sollen.
Diese Aufgabe wird bei einer Verstärker enthaltenden Vierpolschaltung zur Transformation einer gegebenenfalls einen Gleichspannungsanteil enthaltenden elektrischen Spannung und/oder eines gegebenenfalls einen Gleichstromanteil enthaltenden elektrischen Stromes gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die Vierpolschaltung durch einen Sechspol mit drei Anschlußklemmenpaaren 1, 2, 3 realisiert ist, bei dem das Anschlußklemmenpaar 2 den einen Anschluß der Vierpolschaltung bildet, während der andere Anschluß der Vierpolschaltung durch die Parallelschaltung der Anschlußklemmenpaare 1 und 3 gebildet wird, und der Sechspol derart aufgebaut ist, daß er von seinem hochohmigen Anschlußklemmenpaar 1 über einen Spannungs-Spannungs-Verstärker nur in Richtung zu seinem niederohmigen Anschlußklemmenpaar 2, von die-
sem über einen Strom-Spannungs-Verstärker nur zum Anschlußklemmenpaar 3 und vom Anschlußklemmenpaar 1 nur über den Spannungs-Spannungs-Verstärker und den Strom-Spannungs-Verstärker zum Anschlußklemmenpaar 3 überträgt.
Vorteilhaft ist es dabei, wenn bei der Parallelschaltung der Anschlußklemmenpaare 1 und 3 des Sechspols in die Zuleitung zum Anschlußklemmenpaar 3 ein Impedanzwandler eingefügt wird, der an der Parallelschaltungsstelle die Anschlußimpedanz des Anschlußklemmenpaares 3 hochohmig gestaltet.
Nachstehend wird die Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen näher erläutert, die sich als besonders vorteilhafte Lösungsmöglichkeiten für die Realisierung des Erfindungsgegenstandes erwiesen haben.
In der F i g. 1 ist ein Blockschaltbild gezeigt, das den erfindungsgemäßen Sechspol wiedergibt, und zwar in der Anwendung als Transformatorschaltung. Der Sechspol 5 hat drei Anschlußklemmenpaare 1, 2, 3. Für diese Anschlußklemmenpaare sollen folgende Bedingungen gelten:
a) Der Sechspol soll vom Anschlußklemmenpaar 1 in Richtung auf das Anschlußklemmenpaar 2 übertragen.
b) Der Sechspol soll in Richtung vom Anschlußklemmenpaar 2 zum Anschlußklemmenpaar 3 übertragen.
c) Der Sechspol soll nur mittelbar vom Anschlußklemmenpaar 1 über das Anschlußklemmenpaar 2 zum Anschlußklemmenpaar 3 übertragen. Es soll keine Übertragung gegeben sein vom Anschlußklemmenpaar 2 in Richtung zum Anschlußklemmenpaar t, vom Anschlußklemmenpaar 3 in Richtung auf das Anschlußklemmenpaar 1, vom Anschlußklemmenpaar 3 in Richtung auf das Anschlußklemmenpaar 2.
d) Das Anschlußklemmenpaar 1 soll eine möglichst hohe Eingangsimpedanz aufweisen, während das Anschlußklemmenpaar 2 eine demgegenüber niederohmige Eingangs- bzw. Ausgangsimpedanz haben soll. Die Ausgangsimpedanz des Anschlußklemmenpaares 3 ist gegenüber den Anschlußklemmenpaaren 1 und 2 an sich zunächst beliebig. Der Sechspol arbeitet demzufolge vom Anschlußklemmenpaar 1 in Richtung zum Anschlußklemmenpaar 2 als Spannungs-Spannungsverstärker und vom Anschlußklemmenpaar 2 in Richtung zum Anschlußklemmenpaar 3 als Strom-Spannungsverstärker oder Strom-Stromverstärker.
Den einen Anschluß I der Transformatorschaltung bildet das Anschlußklemmenpaar 2 des Sechspols S. Den anderen Anschluß II des Transformators bildet die Parallelschaltung der Anschlußklemmenpaare 1 und 3 des Sechspols 5. Diese Parallelschaltung erfordert, daß im Parallelschaltungspunkt P sowohl die Impedanz aus dem Anschlußklemmenpaar 1 als auch die Impedanz aus dem Anschlußklemmenpaar 3 möglichst hochohmig ist. Die Wertfestlegung hochohmig bzw. niederohmig im Sinn der vorstehenden Ausführungen bezieht sich dabei jeweils auf den an I bzw. II angeschalteten Lastwiderstand bzw. den dort anliegenden Generator-Innenwiderstand. Um diese Bedingung mit Sicherheit an der Stelle P auch für die Impedanz aus dem Anschlußklemmenpaar 3 sicherzustellen, ist es von Vorteil, wenn in die Zuleitung zum Anschlußklemmenpaar 3 ein Impedanzwandler / eingeschaltet wird, der, bezogen auf sein in P überführendes Anschlußklemmenpaar und die an II angeschaltete äußere Impedanz der Transformatorschaltung einen hochohmigen Ausgangswiderstand hat. Es ist dann weitgehende Freiheit dahingehend gegeben, ob nun der Übertragungsweg von 2 nach 3 im Sechspol als Strom-Spannungsverstärker oder als Strom-Stromverstärker ausgebildet ist. Das bedeutet, daß im Falle einer ausreichend hochohmigen Ausgangsimpedanz in 3 an sich der Impedanzwandler / nicht unbedingt erforderlich ist.
In den nachstehenden F i g. 3 bis 7 werden neue und vorteilhafte Realisierungsmöglichkeiten für den Sechspol gezeigt. In der F i g. 2 ist eine an sich bekannte Schaltung für den Sechspol mit einer erfindungsgemäßen Ergänzung zum Transformator und in der F i g. 8 eine neue vorteilhafte Transformatorschaltung gezeigt.
In der F i g. 2 ist ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Anordnung dargestellt. In der Umrahmung, die mit S bezeichnet ist, ist eine an sich bekannte Ausführungsform des Sechspols dargestellt. Seine drei Eingangsklemmenpaare sind mit 1, 2 und 3 gekennzeichnet. Mit J ist der Impedanzwandler bezeichnet, der dem Impedanzwandler / in der F i g. 1 entspricht. Die Eingangsstufe am Klemmenpaar 1 des Sechspols wird durch den Transistor Ti gebildet. In seiner Emitterleitung liegt der Widerstand Ri. Am Emitter des Transistors 71 ist ein Abgriff über den Widerstand A3 vorgesehen, der als Spannungsteiler dient. Der Transistor 71 erhält seine Kollektorspannung aus einer Betriebsspannungsquelle, die in der Figur mit N+ angedeutet ist. Die negative Betriebsspannung ist über den Widerstand Ri zugeführt und mit Λ/7— bezeichnet. Alle hier und in den folgenden Figuren bezeichneten Betriebsspannungen, die mit N+ und N— bzw. N1 - bezeichnet sind, befinden sich wechselspannungsmäßig auf Bezugspotential. Der Abgriff des Spannungsteilers R2, R3 führt zur Basis des Transistors 72. In der Emitterzuleitung des Transistors 72 ist eine Betriebsstromquelle QUi vorgesehen, die für den Transistor 72 einen konstanten Emittergleichstrom weitgehend unabhängig von der Spannung am Emitter liefert. Der eine Pol des Anschlußklemmenpaares 2 des Sechspols S ist am Emitter des Transistors 72 angeschlossen. Der Transistor 72 wirkt also für die Übertragungsrichtung vom Anschlußklemmenpaar 1 zum Anschlußklemmenpaar 2 als Emitterfolger. Dieses hat zur Folge, daß der Innenwiderstand, vom Anschlußklemmenpaar 2 aus gesehen, relativ sehr niedrig ist. Die Gleichstromquelle QUi in der Emitterleitung des Transistors 72 stellt sicher, daß ein vom Anschlußklemmenpaar 2 von außen eingeprägter Strom praktisch völlig über den Emitter des Transistors 72 fließt und am Kollektor des Transistors 72 austritt und den in der Kollektorleitung liegenden Widerstand R durchfließt. Die am Kollektorwiderstand R entstehende Spannungsänderung ist also proportional dem am Anschlußklemmenpaar 2 eingeprägten Strom. Das Anschlußklemmenpaar 3 ist am Kollektor des Transistors 72 angeschlossen. Den anderen Pol dieses Anschlußklemmenpaares bildet die Bezugspotentialelektrode. Eine am Anschlußklemmenpaar 1 angelegte Spannung erscheint also in proportional angeändertem Maße am Anschlußklemmenpaar 2. Wenn das Anschlußklemmenpaar 2 leer läuft, wird es nicht von einem Strom durchflossen, so daß wegen der Wirkung der Gleichstromquelle QUi auch am Anschlußklemmenpaar 3 keine Spannungsänderung auftritt.
Der Impedanzwandler J ist gebildet aus den Transistoren Qi und Q2. Das Eingangsklemmenpaar des Impedanzwandlers /ist identisch mit dem Anschlußklemmenpaar 3 des Sechspols S. Der Transistor Qi bildet
eine Emitterverstärkerstufe mit dem Kollektorlastwiderstand R22 und dem Emittergegenkopplungswiderstand R20. Die Basiszuleitung dieses Transistors Qi bildet die Eingangsklemme des Impedanzwandlers /. Der Transistor Ql bildet eine Emitterverstärkerstufe mit dem Gegenkopplungswiderstand R2i. Die Basiszuleitung des Transistors Ql ist mit dem Kollektor des Transistors Qi verbunden. Der Lastwiderstand der Transistorverstärkerstufe Ql besteht aus einer sehr hochohmigen Gleichstromquelle QUl. Der Parallelschaitungspunkt P, entsprechend der Bezeichnung im Parallelschaltungspunkt von F i g. 1, ist gebildet von der Kollektorelektrode des Transistors Ql und bildet gleichzeitig die eine Klemme des Anschlußklemmenpaares II und eine Klemme des Anschlußklemmenpaares 1 des Sechspols S. Eine am Anschlußklemmenpaar 3 liegende Spannung hat also einen aus dem Kollektor des Transistors Ql austretenden Strom zur Folge, der wegen der hochohmigen Gleichspannungsquelle QUl und wegen dem hohen Eingangswiderstand am Anschlußklemmenpaar 1 des Sechspols S am Anschlußklemmenpaar 2 bzw. II der Transformationsschaltung austritt. Da die am Anschlußklemmenpaar 3 auftretende Spannungsänderung nach dem vorhergehenden proportional dem am Anschlußklemmenpaar 2 eintretenden Strom ist, ist der in II austretende Strom auch proportional dem am Anschlußklemmenpaar 2 eintretenden Strom. Das Anschlußklemmenpaar 2 bildet den Anschluß I der Transformationsschaltung. Eine am Anschluß II angelegte Spannung erscheint im proportionalen Ausmaß am Anschluß I der Transformationsschaltung.
Die Gleichspannungsquellen QUi und QUl sind in F i g. 2 symbolisch dargestellt. Sie können in der Praxis beispielsweise durch einen zusätzlichen Transistor in einer an sich bekannten Schaltung, die in F i g. 2 unten getrennt dargestellt ist, realisiert werden.
In F i g. 3 ist eine Realisierung des Sechspols dargestellt. Die drei Anschlußklemmenpaare des Sechspols sind wieder mit 1, 2, 3 bezeichnet. Die Anschlußklemmenpaare 2 und 3 des Sechspols liegen wie bei der Ausführung gemäß F i g. 2 am Emitter des Transistors 72 bzw. am Kollektor des Transistors 72. Die andere Klemme der beiden Klemmenpaare ist jeweils durch die Bezugspotentialelektrode gebildet. In der Emitterzuleitung des Transistors T 2 liegt eine Gleichstromquelle QUi, deren Funktion bereits bei der Beschreibung von F i g. 2 erläutert wurde. In der Kollektorleitung des Transistors 72 liegt der Arbeitswiderstand R. Im Bedarfsfall kann zur Herabsetzung des Innenwider-Standes am Anschlußklemmenpaar 3 oder auch zur Heraufsetzung des Innenwiderstandes am Anschlußklemmenpaar 3 ein zusätzlicher Impedanzwandler vorgesehen werden, der am Kollektor des Transistors 72 angeschlossen wird. Das Eingangsklemmenpaar 1 des Sechspols ist gebildet aus dem einen Eingang eines Differenzverstärkers DV. Die andere Klemme des Anschlußklemmenpaares 1 wird durch die Bezugspotentialelektrode gebildet. Die zweite Eingangsklemme des Differenzverstärkers DVist mit dem Emitter des Transistors 72 verbunden. Die Ausgangsspannung des Differenzverstärkers, der einen endlichen Innenwiderstand haben kann, ist der Basis des Transistors 72 zugeführt.
Die Wirkungsweise der Schaltung nach F i g. 3 ist folgende. Am Eingang des Differenzverstärkers DV liegt eine Spannung, die gleich der Differenz aus der Spannung Ui am Anschlußklemmenpaar 1 und der Spannung Ul am Anschlußklemmenpaar 2 des Sechspols ist. Die Spannung Lh am Ausgang des Differenzverstärkers DV ist gleichphasig zur Spannungsdifferenz Ui-Ul. Sie ist um den Verstärkungsfaktor A des Differenzverstärkers DVgrößer als die genannte Spannungsdifferenz. Wegen der hohen Verstärkung A des Differenzverstärkers DV, die beispielsweise von der Größenordnung 103 sein kann, tritt zwischen Basis und Emitter des Transistors 72 bei kurzgeschlossenem Anschlußklemmenpaar 1 des Sechspols 5 eine Spannung auf, die rund tausendmal größer ist als die Spannung Ul am Klemmenpaar 2 des Sechspols S. Dies hat wegen des im allgemeinen hinreichend hohen Eingangswiderstandes des Differenzverstärkers DV zur Folge, daß der Innenwiderstand des Klemmenpaares 2 ungefähr nur ein Tausendstel desjenigen Wertes beträgt, den ein üblicher Transistor in Basisschaltung betrieben, bei kollektorseitigem Kurzschluß aufweisen würde. Wegen der hohen Verstärkung des Differenzverstärkers DV ist die Eingangsspannung zwischen den Eingangsklemmen des Differenzverstärkers praktisch nahezu gleich Null, so daß im Betrieb des Sechspols 5 am Anschlußklemmenpaar 1 die dort stehende Spannung Ui praktisch gleich der Spannung Ul am Anschlußklemmenpaar 2 des Sechspols 5 ist. Andererseits fließt ein im Anschlußklemmenpaar 2 eingeprägter Strom praktisch völlig durch Emitter und Kollektor des Transistors 72 und damit auch durch den Kollektorlastwiderstand R. Die dann am Anschlußklemmenpaar 3 des Sechspols erscheinende Spannung ist direkt proportional dem am Anschlußklemmenpaar 2 eingespeisten Strom. Vom Anschlußklemmenpaar 2 zum Anschlußklemmenpaar 1 tritt praktisch keine Rückwirkung ein, weil der Innenwiderstand, gesehen vom Anschlußklemmenpaar 2 sehr gering ist und in der Praxis beispielsweise in der Größenordnung von 10 ιηΩ liegt. Eine unmittelbare Übertragung von Anschlußklemmenpaar 1 zum Anschlußklemmenpaar 3 existiert ebenfalls nicht. Da das Anschlußklemmenpaar 3 am Kollektor des Transistors 72 angeschlossen ist, besteht auch keine Übertragung in der Richtung vom Anschlußklemmenpaar 3 zum Anschlußklemmenpaar 1 und zum Anschlußklemmenpaar 2.
Vorteilhafte und neue Realisierungen von Teilen der Sechspolschaltung nach der F i g. 3 sind in den F i g. 4, 5, 6 und 7 dargestellt In den F i g. 4 bis 7 sind der Transistor 72, sein Kollektorwiderstand R und seine Emittergleichspannungsquelle QUi unverändert aus der F i g. 3 übernommen. Ebenso sind die Anschlußklemmenpaare 2 und 3 wie in Fig.3 angeschlossen. Die F i g. 3 bis 7 unterscheiden sich durch die Ausführungsart des Differenzverstärkers DVvon·der Fig.3. Die Differenzverstärker sind in den F i g. 4 bis 7 durch gestrichelte Linien umrahmt, um sie deutlicher hervorzuheben. Die Eingangsklemmen der Differenzverstärker sind in den F i g. 4 bis 7 mit el und el bezeichnet entsprechend der Bezeichnung in Fig.3. Das Ausgangsklemmenpaar des Differenzverstärkers ist mit a bezeichnet, die andere Klemme wird von der Bezugspotentialelektrode gebildet In den F i g. 4 bis 6 ist der Differenzverstärker als zweistufiger Transistorverstärker ausgebildet, in der F i g. 7 als einstufiger Transistorverstärker.
In F i g. 4 besteht die erste Stufe des Differenzverstärkers aus dem Transistor 73, der zwischen Emitter und Basis angesteuert wird, und der seinen Lastwiderstand R23 im Kollektorkreis hat Die zweite Stufe dieses Differenzverstärkers ist ebenfalls eine Transistorverstärkerstufe mit Kollektorlastwiderstand R24. Der
Transistor ist mit 74 bezeichnet.
Die erste Stufe des Differenzverstärkers £>Vwird bei der Ausführung nach F i g. 5 von den Transistoren 75 und 76 gebildet. Die Ansteuerung dieser Verstärkerstufe geschieht zwischen den Basisanschlüssen dieser Transistoren. Die Transistoren 76 und 75 sind emittergekoppelt, gegebenenfalls über einen zusätzlich gegenkoppelnden Widerstand R27. Die Transistoren 75 und 76 bilden ein komplementäres Paar von Transistoren, die in Reihe geschaltet sind, so daß sie den Kollektorstrom gemeinsam haben. Der Lastwiderstand dieser Differenzverstärkerstufe liegt im Kollektorkreis des Transistors 76 und ist mit R25 bezeichnet. Die zweite Verstärkerstufe wird durch den Transistor 77 gebildet, dessen Arbeitswiderstand im Kollektorkreis liegt und mit R26 bezeichnet ist.
Die erste Stufe des Differenzverstärkers DV wird bei der Ausführung nach F i g. 6 von den Transistoren 78 und 79 gebildet. Diese beiden Transistoren sind emittergekoppelt. Sie sind vom gleichen Leitfähigkeitstyp. Ihr gemeinsamer Widerstand in der Emitterleitung ist mit Ä29 bezeichnet. Der Lastwiderstand dieser Differenzverstärkerstufe ist mit R2S bezeichnet und liegt im Kollektorkreis des Transistors 78. Die zweite Verstärkerstufe wird durch den Transistor 710 gebildet, dessen Arbeitswiderstand in der Kollektorzuleitung liegt und mit Ä30 bezeichnet ist.
Der Differenzverstärker DV der Schaltung nach F i g. 7 besteht aus einer einfachen Differenzverstärkerstufe mit den Transistoren 712 und 711, die beide vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp sind und vom gleichen Kollektor- bzw. Emitterstrom durchflossen sind. Die Transistoren werden jeweils an ihrer Basis angesteuert. Ihr Arbeitswiderstand ist mit R3i bezeichnet und liegt im Kollektorkreis des Transistors 712. Die Transistoren 711 und 712 sind emittergekoppelt, gegebenenfalls noch über einen zusätzlichen gegenkoppelnden Widerstand, der in der F i g. 7 gestrichelt eingezeichnet ist. Im Ausgangskreis des Differenzverstärkers von F i g. 7 ist ein Spannungsteiler vorgesehen, der aus den Widerständen R32 und R33 besteht, und dessen Mittelabgriff die Ausgangsklemme a des Differenzverstärkers bildet, die mit der Basis des Transistors 72 verbunden ist. Der Differenzverstärker von F i g. 7 ist besonders sparsam hinsichtlich des Aufwandes an Transistoren und Widerständen.
In F i g. 8 ist eine besonders vorteilhafte Ausführung der erfindungsgemäßen Transformationsschaltung dargestellt. Entsprechend den Bezeichnungen von F i g. 1 und 2 ist mit / der Impedanzwandler und mit S der Sechspol bezeichnet. Diese beiden Einheiten sind in der F i g. 8 gestrichelt umrandet. Die Ausführung des Impe-
ao danzwandlers / gleicht völlig derjenigen, die in F i g..2 dargestellt ist. Der Sechspol 5 unterscheidet sich von dem in F i g. 2 dargestellten durch die Einfügung eines gemäß F i g. 5 ausgeführten Differenzverstärkers DV zwischen den Transistoren 71 und 72, welche zusam-
*5 men mit den Schaltelementen Al, R2, R3 bzw. R und QUi dieselben Funktionen erfüllen, die bei der Erläuterung der F i g. 2 besprochen wurden. Die Einfügung des Differenzverstärkers gemäß dem Blockschaltbild von F i g. 3 hat wegen des geringen Innenwiderstandes des Klemmenpaares I zur Folge, daß die Verluste im Sechspol gemäß F i g. 8 wesentlich geringer sind als im Sechspol der Transformationsschaltung nach der F i g. 2.
Hierzu 5 Blatt Zeichnungen
409 551/132

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verstärker enthaltende Vierpolschaltung zur Transformation einer gegebenenfalls einen Gleichspannungsanteil enthaltenden elektrischen Spannung und/oder eines gegebenenfalls einen Gleichstromanteil enthaltenden elektrischen Stromes, dadurch gekennzeichnet, daß die Vierpolschaltung durch einen Sechspol (S) mit drei Anschlußklemmenpaaren 1, 2, 3 realisiert ist, bei dem das Anschlußklemmenpaar 2 den einen Anschluß der Vierpolschaltung bildet, während der andere Anschluß der Vierpolschaltung durch die Parallelschaltung der Anschlußklemmenpaare 1 und 3 gebildet wird, und der Sechspol (S) derart aufgebaut ist, daß er von seinem hochohmigen Anschlußklemmenpaar 1 über einen Spannungs-Spannungs-Verstärker nur in Richtung zu seinem niederohmigen Anschlußklemmenpaar 2, von diesem über einen Strom-Spannungs-Verstärker nur zum Anschlußklemmenpaar 3 und vom Anschlußklemmenpaar 1 nur über den Spannungs-Spannungs-Verstärker und den Strom-Spannungs-Verstärker zum Anschlußklemmenpaar 3 überträgt.
2. Verstärker enthaltende Vierpolschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Parallelschaltung der Anschlußklemmenpaare 1 und 3 des Sechspols in die Zuleitung zum Anschlußklemmenpaar 3 ein Impedanzwandler (J) eingefügt wird, der an der Parallelschaltungsstelle die Anschlußimpedanz des Anschlußklemmenpaares 3 hochohmig gestaltet.
DE19661563020 1966-09-30 1966-09-30 Verstärker enthaltende Vierpolschaltung zur Transformation einer elektrischen Spannung oder eines elektrischen Stromes Expired DE1563020C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0106295 1966-09-30

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1563020A1 DE1563020A1 (de) 1970-04-23
DE1563020B2 DE1563020B2 (de) 1974-12-19
DE1563020C3 true DE1563020C3 (de) 1975-07-31

Family

ID=7527304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19661563020 Expired DE1563020C3 (de) 1966-09-30 1966-09-30 Verstärker enthaltende Vierpolschaltung zur Transformation einer elektrischen Spannung oder eines elektrischen Stromes

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1563020C3 (de)

Also Published As

Publication number Publication date
DE1563020A1 (de) 1970-04-23
DE1563020B2 (de) 1974-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1171983B (de) Selbstgesteuerter Wechselrichter mit Transistoren
DE102019106485A1 (de) Weissach-Gleichrichteranordnung
DE1202830B (de) Elektronisches Schaltgeraet, bestehend aus zwei Transistoren, deren Emitter-Kollektor-Strecken gegensinnig in Reihe geschaltet sind
DE2653453C3 (de) Schaltungsanordnung für eine aus der Netzspannung über Gleichrichterelemente abgeleitete Hilfsspannung für mehrpolige Fehlerstrom-Schutzschalter
DE1279735C2 (de) Stromverstaerkende Abtastschaltung fuer Gleichspannungen
DE1563020C3 (de) Verstärker enthaltende Vierpolschaltung zur Transformation einer elektrischen Spannung oder eines elektrischen Stromes
DE1928914A1 (de) Staenderstromkreise fuer Wechselstrommotoren
DE1067059B (de) Torschaltung zur selektiven Zuführung eines zu schaltenden Gleichstromes an einen Belastungskreis
DE1239356B (de) Leistungsverstaerker mit mehreren zwischen einem gemeinsamen Eingang und einer gemeinsamen Lastimpedanz parallelgeschalteten Transistor-kreisen
DE1175740B (de) Einrichtung zum Schutz von Schalttransistoren gegen UEberspannung
EP0048490B1 (de) Schaltungsanordnung zum Umsetzen eines binären Eingangssignals in ein Telegrafiersignal
DE1613383C3 (de) Verstärker enthaltende Vierpolschaltung zur Transformation einer elektrischen Spannung oder eines elektrischen Stromes
DE1275198B (de) Transistorbrueckenwechselrichter
DE574924C (de) Schaltung fuer Elektronenroehren zur Abnahme einer negativen Gittervorspannung aus einer fuer Anoden- und Gittervorspannung gemeinsamen Stromquelle
DE1242276B (de) Wandlerschaltung
DE2232986A1 (de) Gyratorschaltung
DE1613381C3 (de) Verstärker enthaltende Vierpolschaltung zur Transformation einer elektrischen Spannung oder eines elektrischen Stromes
DE3430308A1 (de) Stromrichter
DE2639601C2 (de) Brückenschaltung mit geringen Spannungsverlusten
DE1913673C3 (de) Elektrischer Übertragungsvierpol
DE2132616A1 (de) Tastschaltung fuer die abgabe von fernschreibzeichen mit konstantem ausgangsstrom
DE1116274B (de) Elektronische Schaltanordnung mit Transistoren
DE3528645C2 (de)
DE2834641A1 (de) Mehrstufiger transistorverstaerker
DE1216356B (de) Selbsthaltender Magnetkernschalter

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)