DE1058333B

DE1058333B - Process for etching the surface of a semiconducting body made of a telluride of a divalent metal

Info

Publication number: DE1058333B
Application number: DEN11497A
Authority: DE
Inventors: Dirk De Nobel
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1954-12-01
Filing date: 1955-11-28
Publication date: 1959-05-27

Description

Verfahren zum Abätzen der Oberfläche eines halbleitenden Körpers aus einem Tellurid eines zweiwertigen Metalls Die Erfindung bezieht sich auf das Abätzen von halbleitenden Körpern aus einem Tellurid eines zweiwertigen Metalls, um eine saubere Oberfläche zu erhalten. Unter einer sauberen Oberfläche ist eine solche zu verstehen, die frei ist von Verunreinigungen, z. B. Oxyden, und frei von Kristallgitterfehlern, die während vorangehender Bearbeitungen des Einkristalls, z. B. Sägen oder Schleifen, an der Oberfläche des Einkristalls entstanden sind.Method for etching the surface of a semiconducting body a telluride of a divalent metal The invention relates to etching of semiconducting bodies made of a telluride of a divalent metal to a to get a clean surface. Under a clean surface there is one to understand that is free from impurities, e.g. B. Oxides, and free from crystal lattice defects, during previous workings of the single crystal, e.g. B. sawing or grinding, have arisen on the surface of the single crystal.

Die Telluride der Metalle Zn, Cd, Hg, Sn und Pb können mit den üblichen chemischen Mitteln, z. B. mit einem rein sauren oder rein alkalischen Mittel, nicht in solcher Weise abgeätzt werden, daß eine saubere Oberfläche erhalten wird. Bei einer Oxydationsbehandlung in einem sauren Mittel tritt eine Reaktion auf, wobei an der Oberfläche, in Abhängigkeit von der Stärke der Oxydation, eine haftende Schicht aus Tellur oder Telluroxyd entsteht.The tellurides of the metals Zn, Cd, Hg, Sn and Pb can be mixed with the usual chemical agents, e.g. B. with a purely acidic or purely alkaline agent, not be etched away in such a way that a clean surface is obtained. at a reaction occurs to an oxidation treatment in an acidic agent, whereby on the surface, depending on the strength of the oxidation, an adhesive layer from tellurium or tellurium oxide.

Gemäß der Erfindung ergibt sich eine saubere Oberfläche, indem ein halbleitender Körper aus einem Tellurid eines zweiwertigen Metalls mittels einer oxydierenden Lösung oberflächlich in Tellur oder Telluroxyd umgewandelt und darauf die entstandene Oberflächenschicht mittels einer Lösung von Nag S2 04 und NaOH entfernt wird.According to the invention, a clean surface is obtained by a semiconducting body made of a telluride of a divalent metal by means of a oxidizing solution superficially converted into tellurium or tellurium oxide and put on it the resulting surface layer was removed using a solution of Nag S2 04 and NaOH will.

Die Konzentrationen beider Stoffe können innerhalb weiter Grenzen, d. h. zwischen einigen Prozenten und der Sättigung, geändert werden. Da die Na2S204 Lösungen nicht beständig sind, ist es vorteilhaft, stets frisch hergestellte Lösungen zu verwenden. Tellur bildet mit der Lösung unmittelbar in Wasser lösliche Verbindungen (d. h. Natriumtellurid und -polytelluride), während Telluroxyd durch das Na2S204 reduziert und dadurch in lösliches Tellurid umgewandelt wird. Das Ablösen der durch Oxydation erhaltenen Schicht kann durch Erhitzen beschleunigt werden und wird vorzugsweise in einer siedenden Lösung durchgeführt.The concentrations of both substances can be within wide limits, d. H. between a few percent and the saturation. Since the Na2S204 Solutions are not permanent, it is advantageous to always freshly prepared solutions to use. Tellurium forms compounds that are directly soluble in water with the solution (i.e. sodium telluride and poly-tellurides), while tellurium oxide by the Na2S204 is reduced and thereby converted into soluble telluride. The detachment of the Oxidation obtained layer can be accelerated by heating and is preferred carried out in a boiling solution.

Die oberflächliche Oxydation des Tellurids läßt sich mittels Lösungen verschiedener oxydierender Stoffe durchführen, z. B. J2, Fe C13, H2 02 und H INT 03. Die Einwirkung dieser Stoffe kann durch Erhöhung der Konzentration, der Temperatur und des pÄ Wertes beschleunigt werden.The superficial oxidation of the telluride can be achieved by means of solutions perform various oxidizing substances, e.g. B. J2, Fe C13, H2 02 and H INT 03. The effect of these substances can be increased by increasing the concentration, the temperature and the pa value can be accelerated.

Beispiel 1 Eine Platte aus n-leitfähigem CdTe wird nach Abscheuern und Polieren während einer Minute mit einer auf 40° C erwärmten, 22% H N 03 Lösung behandelt. Die Oberfläche schwärzt sich dabei infolge der Bildung von Telluroxyd. Darauf wird sie 5 Minuten mit einer siedenden Lösung von 10% NaOH und 10% Nag S2 04 behandelt, wodurch eine saubere, glänzendschwarze Cd Te-Oberfläche erhalten wird, die frei von Tellur und Telluroxyd ist.Example 1 A plate made of n-conductive CdTe is made after abrasion and polishing for one minute with a 22% H N 03 solution heated to 40 ° C treated. The surface blackens as a result of the formation of tellurium oxide. She is then treated with a boiling solution of 10% NaOH and 10% Nag S2 for 5 minutes 04 treated, resulting in a clean, shiny black Cd Te surface, which is free of tellurium and tellurium oxide.

Beispiel 2 Ein Platte aus p-leitfähigem Pb Te wird nach Abscheuern und Polieren mit einer 22 % H N 03 -Lösung behandelt, wobei sich eine weiße Schicht bildet. Darauf wird mit einer siedenden Lösung von 5 % Na O H und 5%. Na2S204 behandelt. Auf diese Weise entsteht eine saubere, glänzendschwarze Oberfläche, die frei von Tellur und Telluroxyd ist.Example 2 A sheet of p-type Pb Te is made after abrasion and polishing treated with a 22% H N 03 solution, leaving a white layer forms. This is followed by a boiling solution of 5% Na O H and 5%. Na2S204 treated. This creates a clean, glossy black surface that is free of Is tellurium and tellurium oxide.

Beispiel 3 Eine Platte aus n-leitfähigem SnTe wird nach Abscheuern und Polieren mit einer 0,lnormalen Jodlösung behandelt, die mit bis zu 20% H Cl angesäuert ist. Nach dem Sieden in einer Lösung von 5% Na O H und 1% Nag S2 04 entsteht eine saubere, glänzendschwarze Oberfläche, die frei von Tellur und Telluroxyd ist.Example 3 A plate made of n-conductive SnTe is made after abrasion and polishing treated with a 0.1 normal iodine solution containing up to 20% H Cl is acidified. After boiling in a solution of 5% Na O H and 1% Nag S2 04 is formed a clean, shiny black surface that is free of tellurium and tellurium oxide.

Claims

PATENT CLAIM: Process for etching off the surface of a semiconducting Body made from a telluride of a divalent metal, characterized in that a surface layer of telluride in tellurium by means of an oxidizing solution or Telluroxy d converted and then this surface layer by means of a solution of 1,7a2 S2 04 and NaOH is removed.