DE1046782B - Halbleiteranordnung mit scheibenfoermigem, im wesentlichen einkristallinem Halbleitergrundkoerper - Google Patents

Halbleiteranordnung mit scheibenfoermigem, im wesentlichen einkristallinem Halbleitergrundkoerper

Info

Publication number
DE1046782B
DE1046782B DES48482A DES0048482A DE1046782B DE 1046782 B DE1046782 B DE 1046782B DE S48482 A DES48482 A DE S48482A DE S0048482 A DES0048482 A DE S0048482A DE 1046782 B DE1046782 B DE 1046782B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
semiconductor wafer
electrode
edge
conductivity type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES48482A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Dipl-Phys Reimer Emeis
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL216645D priority Critical patent/NL216645A/xx
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES48482A priority patent/DE1046782B/de
Priority to CH352410D priority patent/CH352410A/de
Priority to FR1173654D priority patent/FR1173654A/fr
Priority to GB1329357A priority patent/GB864120A/en
Priority to GB3678260A priority patent/GB864121A/en
Publication of DE1046782B publication Critical patent/DE1046782B/de
Priority to NL6401835A priority patent/NL6401835A/xx
Priority to SE918865A priority patent/SE308930B/xx
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
DES48482A 1956-04-26 1956-04-26 Halbleiteranordnung mit scheibenfoermigem, im wesentlichen einkristallinem Halbleitergrundkoerper Pending DE1046782B (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL216645D NL216645A (ja) 1956-04-26
DES48482A DE1046782B (de) 1956-04-26 1956-04-26 Halbleiteranordnung mit scheibenfoermigem, im wesentlichen einkristallinem Halbleitergrundkoerper
CH352410D CH352410A (de) 1956-04-26 1957-04-24 Halbleitergerät
FR1173654D FR1173654A (fr) 1956-04-26 1957-04-25 Appareil semi-conducteur
GB1329357A GB864120A (en) 1956-04-26 1957-04-25 Improvements in or relating to semi-conductor devices
GB3678260A GB864121A (en) 1956-04-26 1957-04-25 Improvements in or relating to semi-conductor devices
NL6401835A NL6401835A (ja) 1956-04-26 1964-02-26
SE918865A SE308930B (ja) 1956-04-26 1965-07-12

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES48482A DE1046782B (de) 1956-04-26 1956-04-26 Halbleiteranordnung mit scheibenfoermigem, im wesentlichen einkristallinem Halbleitergrundkoerper

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1046782B true DE1046782B (de) 1958-12-18

Family

ID=7486876

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES48482A Pending DE1046782B (de) 1956-04-26 1956-04-26 Halbleiteranordnung mit scheibenfoermigem, im wesentlichen einkristallinem Halbleitergrundkoerper

Country Status (6)

Country Link
CH (1) CH352410A (ja)
DE (1) DE1046782B (ja)
FR (1) FR1173654A (ja)
GB (2) GB864120A (ja)
NL (2) NL6401835A (ja)
SE (1) SE308930B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1130525B (de) * 1959-02-26 1962-05-30 Westinghouse Electric Corp Flaechentransistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper eines bestimmten Leitungstyps
DE2412924A1 (de) * 1974-03-18 1975-10-02 Sergej Fedorowitsch Kausow Halbleiterdiode

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1105522B (de) * 1958-11-12 1961-04-27 Licentia Gmbh Transistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper
JPH0215652A (ja) * 1988-07-01 1990-01-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2703855A (en) * 1952-07-29 1955-03-08 Licentia Gmbh Unsymmetrical conductor arrangement

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2703855A (en) * 1952-07-29 1955-03-08 Licentia Gmbh Unsymmetrical conductor arrangement

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1130525B (de) * 1959-02-26 1962-05-30 Westinghouse Electric Corp Flaechentransistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper eines bestimmten Leitungstyps
DE2412924A1 (de) * 1974-03-18 1975-10-02 Sergej Fedorowitsch Kausow Halbleiterdiode

Also Published As

Publication number Publication date
FR1173654A (fr) 1959-02-27
CH352410A (de) 1961-02-28
NL216645A (ja)
GB864120A (en) 1961-03-29
GB864121A (en) 1961-03-29
NL6401835A (ja) 1966-09-26
SE308930B (ja) 1969-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1614283B2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1489937A1 (de) Halbleiterbauelement
DE3009511A1 (de) Kompressions-halbleitervorrichtung
DE1294558B (de) Hochspannungsgleichrichter und Verfahren zum Herstellen
DE1906479C2 (de) Halbleiterbauelement
DE2021160C2 (de) Thyristortriode
DE1564420B2 (de) Symmetrisch schaltendes Halbleiterbauelement
DE2002810B2 (de) Halbleiterdiode zum erzeugen oder verstaerken von mikrowellen und verfahren zu ihrem betrieb
DE1213920B (de) Halbleiterbauelement mit fuenf Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps
DE2944069A1 (de) Halbleiteranordnung
DE2238564C3 (de) Thyristor
DE1046782B (de) Halbleiteranordnung mit scheibenfoermigem, im wesentlichen einkristallinem Halbleitergrundkoerper
DE1293900B (de) Feldeffekt-Halbleiterbauelement
DE1539070A1 (de) Halbleiteranordnungen mit kleinen Oberflaechenstroemen
DE1211339B (de) Steuerbares Halbleiterbauelement mit vier Zonen
DE1278023B (de) Halbleiterschaltelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1261603B (de) Steuerbares Halbleiterbauelement
DE1614250C3 (de) Halbleiteranordnung mit Gruppen von sich kreuzenden Verbindungen
DE2639799C2 (de) Halbleiterverbundanordnung
DE1282195B (de) Halbleiterbauelement mit gesinterter Traeger-Zwischenplatte
DE2520134C3 (de) Thyristor mit einem rechteckigen Halbleiterelement
DE1202906B (de) Steuerbarer Halbleitergleichrichter mit einem scheibenfoermigen vierschichtigen einkristallinen Halbleiterkoerper und Verfahren zu seinem Herstellen
DE1274245B (de) Halbleiter-Gleichrichterdiode fuer Starkstrom
DE1166940B (de) Halbleiterbauelement mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und vier Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps und Verfahren zum Herstellen
AT233119B (de) Halbleiteranordnung mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper