DE1041163B - Elektrisch steuerbares Halbleitersystem, z. B. Flaechentransistor, aus einem einkristallinen Halbleiterkoerper - Google Patents
Elektrisch steuerbares Halbleitersystem, z. B. Flaechentransistor, aus einem einkristallinen HalbleiterkoerperInfo
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Description
- Elektrisch steuerbares Halbleitersystem, z. B. Flächentransistor, aus einem einkristallinen Halbleiterkörper Die Erfindung betrifft ein elektrisch steuerbares Halbleitersystem, z. B. Flächentransistor, aus einem einkristallinen Halbleiterkörper mit elektronen- und defektelektronenleitenden Bereichen, diese verbindenden pn-Übergängen und ohne Sperrschichtbildung kontaktierenden. Elektroden. Ein solches System kann als Verstärkerelement verwendet werden. In. dieser Betriebsart weisen Systeme gemäß der Erfindung besonderen Vorteil auf.
- Bekannte Verstärkerelemente sind sogena,nnte npn-oder pnp-Transistoren, die sich aus einer n:-leitenden Zone, einer hieran anschließenden schmalen p-leitenden Zone und wieder einer n-leitenden Zone zusa.mmen:setzen. Diese Flächentransistoren weisen jedoch eine Stromverstärkung auf, welche durchweg an einen Stromverstärkungsfaktor kleiner als Eins gebunden ist. Erst durch die Benutzung von besonderen Schaltungen, z. B. der Emitterbasisschaltung. war es möglich, Flächentransistoren mit einem Eins übersteigenden effektiven Stroniverstärkungsfaktor zu erhalten. Eine andere Möglichkeit, um Stromverstärkungsfaktoren größer als Eins auszunutzen, besteht bekanntlich bei Spitzentransistoren mit einem formierten Kollektor. Diese Transistoregart ist aber in ihrer Ausgangsleistung besonders gegenüber den Flächentransistoren erheblich beschränkt.
- Eine bekannte Halbleitervorrichtung zur Erlangung von einem effektiven Stromverstärkungsfaktor größer als Eins enthält einen Halbleiterkörper aus Germanium, der eine n- und eine p-leitende Zone sowie einen von diesen Zonen gebildeten pn-Llbergang aufweist. An jeder Zone ist ein großflächiger Ohmscher Stroma.nschluß vorhanden. Über diese Kontakte ist an den pn-Übergang eine Gleichspannung in seiner Durchlaßrichtung angelegt. Die p-leitende Zone ist mit einer Spitzenelektrode versehen, welche über eine Gleichspannungsquelle und einen Widerstand mit dem Ohmschen Kontakt der p-leitenden Zone verbunden ist und durch diese eine positive Vorspannung erhält. Eine «eitere Spitzenelektrode kontaktiert die n-leitende Zone, ist über eine Gleichspannungsquelle und einen Widerstand mit dem Ohmschen Kontakt der n-leitenden Zone verbunden und erhält durch diese eine negative Vorspannung. Die Raumladungsschichten an den beiden Spitzenelektroden sind. also in Sperrichtung beansprucht. Beide Spitzenelektroden sind in unmittelbarer Nähe des pn-Überganges angeordnet.
- Diese bekannte Anordnung wird als Verstärker betrieben, indem zwischen den beiden Ohmschen Anschlüssen des pn-Überganges - in Reihe mit der Spannungsquelle, welche die Vorspannung des pn-Überganges liefert - die Signalquelle gelegt wird. Die Ausgangsspannung wird an dem Widerstand zwischen Olimschem Anschluß der p-leitenden Zone und positiv vorgespannter Spitzenelektrode, an dein Widerstand zwischen Ohmschein Anschluß der ii-leitenden Zone und negativ vorgespannter Spitzenelektrode oder an beiden Widerständen abgenommen. Die Leistungsfähigkeit dieser Halbleiter-Signalübertragungsvorrichtung ist jedoch gering. Die gegenseitige Beeinflussung der Ströme durch die beiden Spitzenelektroden geht nämlich von, den kleinen Sperrströmen. durch diese Kontakte aus. Des weiteren erfordert die bekannte Anordnung für den stabilen Betrieb, daß einer der beiden Spitzenkontakte einen Stromverstärkungsfaktor größer als Eins ergibt bzw. einen sogenannten Hook aufweist. Die gleichmäßige Herstellung solcher Kontakte ist aber sehr schwierig.
- Es sind ferner Halbleiter-Signalübertragungsvorrichtungen mit einem Halbleiterkörper bekannt, welche aus einer 1Iehrzahl von abwechselnd n- und p-leitenden Zonen bestehen. Bei diesen Anordnungen handelt es sich durchweg um eine bloße Vereinigung von mehreren jeweils drei Zonen enthaltenden Halbleitervorrichtungen. Eine solche bekannte Anordnung stellt ein Halbleiterkörper mit fünf aufeinanderfolgenden Zonen und vier von diesen gebildeten pn-Übergängen dar. Diese geht aus zwei Transistoren vom npn- oder pnp-Tvp hervor, indem die n- bzw. p-Zone des Kollektors des ersten Transistors als n- bzw. p-Zone des Emittors des zweiten Transistors verwendet und eine besondere Zone für den Emittor des zweiten Transistors fortgelassen wird. Mit dieser Ancrdnung können dementsprechend gegenüber dein Transistor mit drei Zonen zusätzliche Funktionen durchgeführt werden; beispielsweise kann eine nichtlineare Mischung von zwei Signalen vorgenommen werden. Gegenstand der Erfindung ist ein solches elektrisch steuerbares Halbleitersystem, bei welchem erstens der Halbleiterkörper aufweist: a) einen ersten großflächigen pn-Übergang. der durch Ziehen des Halbleiterkörpers aus der Elektronen-und Defektelektronenleitung bewirkende Stoffe enthaltenden Schmelze mit geregelter Wachstumsgeschwindigkeit hergestellt ist, b) einen gut Elektronen emittierenden und flächeilhaften zweiten pn-Übergang, der mit dem defektelektronenleitenden Bereich des ersten pn-Überganges in Verbindung steht, sich in einer Entfernung von der Größenordnung der Diffusionslänge, insbesondere annähernd einer Diffusionslänge, von dem ersten pn-Übergang befindet und durch Einlegieren. Eindiffusion oder/und elektrisches oder thermisches Formieren hergestellt ist, und c) einen gut Defektelektronen emittierenden und flächenhaftenden dritten pn-Übergang, der mit dem elektronenleitenden Bereich des ersten pn-Überganges in Verbindung stellt, sich in einer Entfernung von der Größenordnung der Diffusionslänge, insbesondere annähernd einer Diffusionslänge, von dem ersten pn-Übergang befindet und durch Einlegieren,Eindiffusion oderlund elektrisches oder thermisches Formieren hergestellt ist, hei welchem zweitens die die elektroneu- und defektelektronenleitenden Bereiche ohne Sperrschichtbildung kontaktierenden Elektroden aus anlegierten, aufgedampften oder aufgespritzten Metallen bestehen und bei «-elchen drittens an die Elektroden. derart gepolte Spannungen angelegt sind, daß der erste 1 )ii- Übergang in Sperrichtung z3 und die beiden anderen gtit emittierenden pn-Übergänge in Flußrichtung arbeiten.
- Die Anordnung nach der Erfindung ermöglicht eine hohe Ausgangsleistung und außerdem die günstige Ausnutzung eines Stromverstärkungsfaktors größer als Eins. Die Leistungssteigerung der mit dein elektrisch steuerbaren Halbleitersystem zu bewirkenden Verstärkung kann durch sich gegenseitig fördernde Elektronen- und Defektelektroneninjektion auf den in Sperrichtung arbeitenden pn-Übergang, der etwa mit dein Kollektor bekannter Kristallverstärker verglichen werden kann, zurückgeführt werden. Eine Steigerung der Verstärkungswirkung des elektrisch steuerbaren Halbleitersystems kann nun nach der Erfindung durch Anordnung von gut injizierenden und in flächenhafter Ausdehnung sowie in besonders wirksanienl Abstand von dem in Sperrichtung arbeitenden pn-Ü tiergang vorgesehenen pn-C'1>ergängen erzielt werden, welche durch Einlegieren, Eindiffusion oder/und elektrisches oder thermisches Formieren hergestellt worden sind. Weiterhin ist für die vorteilhafte Erhöhung des Verstärkungsgrades des elektrisch steuerbaren Halbleitersystems gemäß der Erfindung die Mitwirkung von Elektroden wichtig, welche gemäß der Erfindung die elektroneu- und defektelektroneiileitenden Bereiche ohne Sperrschichtbildung kontaktieren und aus anlegierten, aufgedampften oder aufgespritzten 'Metallen bestehen.
- An die die elektroneu- bzw. defektelektrGnenleitenden Bereiche kontaktierenden Elektroden sind derart gepolte Spannungen angelegt, daß der durch Ziehen des einkristallinen Halbleiterkörpers mit geregelter Wachstumsgeschwindigkeit hergestellte 1)n-rbergang in Sperrichtung arbeitet und daß die beiden gut emittierenden und flächenhaften pn-Übergäiige in Flußrichtung arbeiten. Durch die Wahl der Größe der Vorspannungen kann auch der Verstärkungsgrad des elektrisch steuerbaren Systems gemäß der Erfindung beeinflußt werden. Insbesondere kann eine z. B. durch Vorversuch ermittelte Wahl getroffen werden, welche ein Optimum der Verstärkungswirkung ergibt.
- In weiterer Ausbildung der Erfindung kann das elektrisch steuerbare Halbleitersystem auch so ausgebildet sein, daß der gut Elektronen emittierende und flächenhafte pn-Übergang durch einen ebenfalls flächenhaften, sperrschichtbildend.en Halbleitermetallkontakt guter Elektronenemissionsfähigkeit oder/und der gut Defektelektronen emittierende und flächenhafte pn-Überga.ng durch. einen ebenfalls flächenhaften, sperrschichtbild:enden Halbleitermetallkontakt ersetzt ist und beide Hälbleitermetallkontakte außerdem als kontal-,tierende Elektroden dienen. Außerdem ist es in weiterer Ausführung der Erfindung möglich, daß der Halbleiterkörper des elektrisch steuerbaren Halbleitersystems einen in Sperrichtung betriebenen großflächigen pn-Überga.ng aufweist, der durch Ziehen des Halbleiterkörpers aus der Schmelze und geregeltes Zugeben von Elektronen- und Defektelektronenleitung bewirkenden Stoffen hergestellt ist. Eine durch ihre Einfachheit vorteilhafte Spannungsversorgung des elektrisch steuerbaren Halbleitersystems ergibt sich, wenn erfindungsgemäß die an die Elektroden angelegten, den Arbeitspunkt der pn-Übergänge bestimmenden Spannungen, insbesondere durch Span.nungsabgriff, einer einzigen Spannungsquelle entnommen sind.
- Eine Steuerspanilung bzw. ein Steuerstrom kann günstig an einem einzigen gut emittierenden pn-Übergang des elektrisch steuerbaren Halbleitersystems zugeführt und eine gesteuerte Spannung bzw. ein gesteuerter Strom an dem in Sperrichtung arbeitenden pn-Übergang abgenommen werden.
- Besonders zweckmäßig erfolgt die Zuführung von Steuerspannungen bzw. Steuerströmen an. beiden gut emittierenden pn-Übergängen, wobei diese Spannungen bzw. Ströme aus einer einzigen Steuerspannungs- bzw. Steuerstrornquelle abgeleitet sind. Eine gesteuerte Spannung bzw. ein gesteuerter Strom kann dann an dem in Sperrichtung arbeitenden pn-Übergang abgenommen werden. Bevorzugt können die Steuerspannungen bzw. Steuerströme an die beiden gut emittierenden pn-Übergänge mit einer gegenseitigen Phasenverschiebung zugeführt werden. Im Zusammenhang mit der Zahl der Arbeitspunkte der beiden gut emittierenden pn7Übergän.ge sowie des Arbeitspunktes des in Sperrichtung arbeitenden pn-Überganges durch eine entsprechende Wahl der angelegten Vorspannungen kann durch die Wahl einer z. B. durch Vorversuch ermittelten geeigneten Phasenverschiebung eine optimale Verstärkung bewirkt werden.
- Das elektrisch steuerbare Halbleitersystem kann weiterhin vorteilhaft auch zur überlagernden Verstärkung von zwei Steuerspannungen bzw. zwei Steuerströmen verwendet werden. Hierbei kann man durch das Halbleitersystem entweder die Mischung von zwei Steuerspannungen bzw. Steuerströmen oder lediglich die gemeinsame Verstärkung und allschließende Trennung der verstärkten Spannung bzw. Ströme bezwecken. Dieses Ziel der überlagernden Verstärkung wird zweckmäßig dadurch erreicht, daß der beiden gut emittierenden pn-Übergängen Steuerspannungen bzw. Steuerströme von unabhängigen und beispielsweise verschiedenen Steuerspannungen bzw. Steuerstromquellen zugeleitet werden und eine gesteuerte Spannung bzw. ein gesteuerter Strom an dein in Sperrichtung arbeitenden pn-Übergang abgenommen wird.
- Zweckmäßig kann ein elektrisch steuerbares Halbleitersystem aus einem einkristallinen Germaniumkörper bestehen, welcher einen gut Elektronen emittierenden, flächenhaften und durch Einlegieren, Eindiffusion oder Anschmelzen von Antimon hergestellten pn-Übergang, einen gut Defektelektronen emittierenden, flächenhaften und durch Einlegieren, Eindiffusion oder Anschmelzen von Iridium hergestellten pn-Übergang aufweist. Dieser Germaniumkörper kann außerdem vorteilhaft mit einem großflächigen und in Sperrichtung betriebenen pn-Übergang versehen sein, der durch Ziehen aus der Antimon und Iridium oder Gallium enthaltenden. Germaniumschrnelze hergestellt ist. Besonders günstig ist ein hohes Sperrvermögen des durch Ziehen mit geregelter Wachstumsgeschwindigkeit hergestellten pn-Ü berganges. Eine zweckmäßige Ausführung des elektrisch steuerbaren Halbleitersystems kann mit einem Halbleiterkörper aus Germanium erhalten werden, der einen großflächigen und in Sperrichtung betriebenen pn-Übergang aufweist, welcher günstig durch Ziehen des Halbleiterkörpers aus einer Arsen und Iridium oder Gallium enthaltenden Schmelze mit geregelter Wachstumsgeschwindigkeit hergestellt worden ist. Ferner ist es möglich, den in Sperrichtung beanspruchten pn-Übergang mit etwas anderen günstigen Eigenschaften zu versehen, indem dieser durch Ziehen aus der Schmelze und geregeltes Zugeben von Arsen und Iridium oder Gallium hergestellt wird.
- Eine andere vorteilhafte Ausführung des elektrisch steuerbaren. Halbleitersystems weist einen Halbleiterkörper aus Germanium, einen durch Anlegieren einer Blei-Antimon-Legierung hergestellten, gut Elektronen emittierenden pn-Übergang und einen durch Anlegieren einer Gold-Gallium-Legierung hergestellten gut Defektelektronen emittierenden pn-Übergang auf.
- Ein elektrisch steuerbares Halbleitersystem hoher Wirksamkeit kann andererseits einen Halbleiterkörper aus Silizium enthalten, der einen durch Ziehen des Siliziumkörpers aus der mit Aluminium und Antimon versehenen Schmelze mit geregelter Wachstumsgeschwindigkeit hergestellten pn-Übergang aufweist. Als Elektroden. des elektrisch steuerbaren Halbleitersystems können beispielsweise sperrschichtbildende und eine Sperrschichtbildung verhindernde Metalle aufgedampft werden, während die übrigen Merkmale gegenüber dem Germanium-Ausführungsbeispiel unverändert oder nur durch Äquivalente abgewandelt sind.
- Weiterhin kann das elektrisch steuerbare Halbleitersystem gemäß der Erfindung aus einem einkristallinen Halbleiterkörper aus einer halbleitenden Verbindung, insbesondere einer intermeta,llischen Verbindung oder einer Verbindung aus Elementen der III. und V. Gruppe des Periodischen Systems der Elemente, oder einer Legierung aus Silizium und Germanium bestehen sowie aus den Halbleiterkörper kontaktierenden Elektroden, welche diesen: Halbleiterkörper je nach ihrer Funktion ohne unter der Sperrschichtbildung kontaktieren; die übrigen Merkmale können gegenüber dem Germanium-Ausführungsbeispiel unverändert oder nur durch Äquivalente abgewandelt sein.
- Der weiteren Erläuterung der Erfindung kann die Figur dienen, in welcher in zum Teil schematischer Darstellung ein Beispiel eines elektrisch steuerbaren Halbleitersystems gemäß der Erfindung gezeichnet ist.
- Der Halbleiterkörper 1 kann aus einkristallinem Germanium bestehen, das aus der beispielsweise Antimon und Iridium oder Gallium enthaltenden Schmelze gezogen wurde. Durch Ziehen mit geregelter Wachstumsgeschwindigkeit kann zweckmäßig der defektelektronenleitende Bereich. 4 und der elektronenleitende Bereich 6 soEvie der an der Grenze dieser beiden Bereiche liegende großflächige pn-Übergang 2, insbesondere mit einem hohen Sperrvermögen, erzeugt werden. Der einen. großflächigen und durch die Herstellung gekennzeichneten pn-Übergang 2 aufweisende Halbleiterkörper 1 aus Germanium besitzt weiterhin einen flächenhaften und gut Elektronen emittierenden pn-tTbergang 3, der mit dem defektelektronenleitenden Bereich 4 derart in Verbindung steht, daß er sich von dem pn-Übergang 2 in einer Entfernung von der Größenordnung der Diffusionslänge, insbesondere annähernd einer Diffusionslänge, befindet. Dieser pn-Übergang 3 kann zweckmäßig durch. z. B. elektrisches Formieren nach Anbringen einer Antimonelektrode, also beispielsweise mittels einer Umwandlung des äußeren Teiles des defektelektronenleitenden Bereiches 4 in einen elektronenleitenden Bereich 7 gebildet worden sein.
- Außerdem enthält der Halbleiterkörper 1 aus Germanium einen flächenhaften und gut Defektelektronen emittierenden pn-Übergang 5, der mit dem elektronenleitenden. Bereich, 6 derart in Verbindung steht, daß er sich von dem pn-Übergang 2 in einer Entfernung von der Größenordnung der Diffusionslänge, insbesondere annähernd einer Diffusionslänge, befindet. Dieser pn:-Übergang 5 kann beispielsweise ebenfalls durch elektrisches Formieren, aber mittels einer Indiumelektrode, also durch die Erzeugung eines defektelektronenleitenden Bereiches 9, hergestellt worden sein. Alle elektronen- bzw. defektelektronenleitenden Bereiche 4, 6, 7 und 9 werden ohne Sperrschichtbildung von beispielsweise aaslegierten Antimon- bzw. Indiumelektroden 8 und 11 bzw. 10 und 12 kontaktiert.
- Die Antimonelektrode 8 wird in dem Ausführungsbeispiel mit dem negativen Pol einer Batterie 13 verbunden, deren positiver Pol an die Indiumelektrode 12 angeschlossen ist. In Reihe mit der Batterie 13 befindet sich der Eingang 14 einer z. B. aus einer einzigen Spannungsquelle abgeleiteten Steuerspannung. Symmetrisch zu diesem Eingangskreis 7-3-4-12-13-14-8 wird die Indiumelektrode 10 mit dem positiven Pol einer Batterie 15 und die Antimonelektrode 11 mit dem negativen Pol der Batterie 15 verbunden. In Reihe mit der Batterie 15 ist der Eingang 16 angeordnet, welcher eine zweite aus einer einzigen Steuerspann.ungsquelle abgeleitete, insbesondere eine mit einer Phasenverschiebung gegenüber der ersteren abgeleitete Steuerspannung aufnimmt.
- Über die Elektroden 11 und 12 wird mittels der Batterie 17 der pn-Übergang 2 in Sperrichtung vorgespannt. Dieser Ausgangskreis 4-2-6-11-17-18-12 enthält als Ausgang beispielsweise einen Lastwiderstand 18.
- Bei diesem elektrisch steuerbaren Halbleitersystem gemäß der Erfindung erhält der in Sperrichtung insbesondere hoch vorgespannte pn-Übergang 2 den durch den pn-Übergang 3 emittierten Elektronenstrom und den von dem pn-Übergang 5 emittierten Defektelektronenstrom in maximaler Stärke, und zwar durch die Steuerspannung der Eingänge 14 und 16 in ihrer Stärke moduliert. Die gemeinsame Beeinflussung des p n- -C Tberganges 2 und die gegenseitige Wechselwirkung von Elektronen- und Defektelektronenstrom haben eine vorteilhafte Steigerung der Steuerung des Stromes des den pn-Übergang 2 enthaltenden Ausgangskreises 4-2-6-11-17-18-12 zur Wirkung.
Claims (7)
- PATENTANSPRÜCHE 1. Elektrisch steuerbares Halbleitersystem, z. B. Flächentransistor, aus einem einkristallinen Halbleiterkörper mit elektronen- und defektelektronenleitenden Bereichen, diese verbindenden pn-Übergängen und ohne Sperrschichtbildung kontaktierenden Elektroden, dadurch gekennzeichnet, daß erstens der Halbleiterkörper (1) aufweist: a) einen ersten großflächigen pn-Übergang (2), der durch Ziehen des Halbleiterkörpers (1) aus der Elektronen- und Defektelektronenleitung bewirkende Stoffe enthaltenden Schmelze mit geregelter Wachstumsgeschwindigkeit hergestellt ist, b) einen gut Elektronen emittierenden und flächenhaften zweiten pn-Übergang (3), der mit dem defektelektronenleitenden Bereich (4) des ersten pn-Überganges (2) in Verbindung steht. sich in einer Entfernung von der Größenordnung der Diffusionslänge, insbesondere annähernd einer Diffusionslänge, von dem ersten pn-Übergang (2) befindet und durch Einlegieren, Eindiffusion oder/und elektrisches oder thermisches Formieren hergestellt ist, c) einen gut Defektelektronen emittierenden und flächenhaften dritten pn-Übergang (5), der mit dem elektronenleitenden Bereich (6) des ersten pn-Überganges (2) in Verbindung steht, sich in einer Entfernung von der Größenordnung der Diffusionslänge, insbesondere annähernd einer Diffusionslänge, von dem ersten pn-Ü'bergang (2) befindet und durch Einlegieren, Eindiftusictt cder/und elektrisches oder thermisches Formieren hergestellt ist, daß zweitens die die elektronen- und defektelektronenleitenden Bereiche (4, 6, 7 und 9) ohne Sperrschich.tbildung kontaktierenden Elektroden (8, 10, 11 und 12) aus anlegierten, aufgedampften oder aufgespritzten Metallen bestehen und daß drittens an die Elektroden (8, 10, 11 und 12) derart gepolte Spannungen angelegt sind, daß der erste pn-Übergang (2) in Sperrichtung und die beiden anderen gut emittierenden pn-Übergänge (3 und 5) in Durchlaßrichtung arbeiten.
- 2. Elektrisch steuerbares Halbleitersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, da.ß der Halbleiterkörper (1) einen ersten pn-Übergang (2) aufweist, der durch Ziehen des Halbleiterkörpers (1) aus der Schmelze und geregeltes Zugeben Elektronen- und Defektelektronenleitung bewirkender Stoffe hergestellt ist.
- 3. Elektrisch steuerbares Halbleitersystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite gut Elektronen emittierende und flächenhafte pn-Übergang (3) durch einen flächenhaften sperrschichtbildenden Halbleitermetallkontakt guter Elektronenemissionsfähigkeit oder; und der dritte gut Defektelektronen emittierende und flächenhafte pn-Übergang (5) durch einen flächenhaften sperrschichtbildenden Halblcitermetallkontakt guter Defektelektronen.emissionsfähigkeit ersetzt ist und beide Halbleitermetallkontakte außerdem als kontaktierende Elektroden ausgeführt sind.
- 4. Elektrisch steuerbares Halbleitersystem nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die an die Elektroden: des Systems angelegten, den Arbeitspunkt der pn-Übergänge (2, 3 und 5) bestimmenden Spannungen, insbesondere durch Spannungsabgriff, einer einzigen Spannungsquelle entnommen sind.
- 5. Elektrisch steuerbares Halbleitersystem nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß eine Steuerspannung bzw. ein Steuerstrom an dem zweiten oder dritten gut emittierenden pn-Übergang (3 oder 5) zugeführt und eine gesteuerte Spannung bzw. ein gesteuerter Strom an dem ersten pn-Übergang (2) abgenommen wird.
- 6. Elektrisch steuerbares Halbleitersystem nach Anspruch 4 oder einem vorhergehenden, dadurch gekennzeichnet, daß Steuerspannungen bzw. Steuerströme an dem zweiten und dritten gut emittierenden pn-Übergang (3 und 5) zugeführt werden, die aus einer einzigen Steuerspannungs-bzw. Steuerstromquelle abgeleitet sind, und eine gesteuerte Spannung bzw. ein gesteuerter Strom an dem ersten pn-Übergang (2) abgenommen wird.
- 7. Elektrisch steuerbares Halbleitersystem nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerspannungen bzw. Steuerströme an dem zweiten und dritten gut emittierenden pn-Ü tiergang (3 und 5) mit einer gegenseitigen Phasenverschiebung zugeführt werden. B. Elektrisch steuerbares Halbleitersystem nach Anspruch 4 oder einem vorhergehenden, dadurch gekennzeichnet, daß dem zweiten und dritten gut emittierenden pn-Übergang (3 und 5) Steuerspannungen bzw. Steuerströme von unabhängigen Steuerspannu.ngs- bzw. Steuerstromquellen zugeleitet werden und eine gesteuerte Spannung bzw. ein gesteuerter Strom an dem ersten pn-Übergang (2) abgenommen wird. 9. Elektrisch steuerbares Halbleitersystem nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der einkristalline Halbleiterkörper (1) aus Germanium, der zweite gut Elektronen emittierende pn-Übergang (3) aus einem durch Einlegieren, Eindiffusion oder Anschmelzen von Antimon hergestellten pn-Übergang und der dritte gut Defektelektronen emittierende pn-Übergang (5) aus einem durch Einlegieren, Eindiffusion oder Anschmelzen von Iridium hergestellten pn-Übergang besteht. 10. Elektrisch steuerbares Halbleitersystem nach Anspruch 8 oder einem vorhergehenden, dadurch gekennzeichnet, daß der einkristalline Halbleiterkörper (1) aus Germanium, der zweite gut Elektronen emittierende pn-Übergang (3) aus einem durch Anlegieren einer Blei-Antimon-Legierung hergestellten pn-Übergang und der dritte gut Defektelektronen emittierende pn-Übergang (5) aus einem durch Anlegieren einer Gold-Gallium-Legierung hergestellten pn-Übergang besteht. 11. Elektrisch steuerbares Halbleitersystem nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der einkristalline Halbleiterkörper (1) aus Germanium besteht und einen ersten prnllbergang (2) aufweist, der durch Ziehen des Halbleiterkörpers (1) aus einer Antimon und Iridium oder Gallium enthaltenden Schmelze mit geregelter Wachstumsgeschwindigkeit hergestellt ist. 12. Elektrisch steuerbares Halbleitersystem nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der einkristalline Halbleiterkörper (1) aus Germanium besteht und einen ersten pn-Übergang (2) aufweist, der durch Ziehen des Halbleiterkörpers (i) aus einer Arsen und Indium oder Gallium enthaltenden Schmelze mit geregelter Wachstumsgeschwindigkeit hergestellt ist. 13. Elektrisch steuerbares Halbleitersystem nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der einkristalline Halbleiterkörper (1) aus Silizium besteht und einen ersten pn-Übergang (2) aufweist, der durch Ziehen des Halbleiterkörpers (1) aus einer Aluminium und Antimon enthaltenden Schmelze mit geregelter Wachstumsgeschwindigkeit hergestellt ist. 14. Elektrisch steuerbares Halbleitersystem nach einem oder mehreren. der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der einkristalline Halbleiterkörper (1) aus einer halbleitenden Verbindung, insbesondere einer Verbindung aus Elementen der III. und V. Gruppe des Periodischen Systems der Elemente, oder einer Legierung aus Silizium und Germanium besteht. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 814 487, 881973, 836 826; Electronic Engineering, Sept. 1953, S. 359; Electronics, Sept. 1953, S. 140 bis 143; Zeitschrift für Naturforschung, B.d. 7 a, 1952, S. 744 ff. ; Das Elektron, Bd. 5, 1951/52, Heft 13/14, S. 432ff.; Zeitschrift für Elektrochemie, B-d. 58, Nr. 5, 1954, S. 303 bis 305.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEL21298A DE1041163B (de) | 1955-03-02 | 1955-03-02 | Elektrisch steuerbares Halbleitersystem, z. B. Flaechentransistor, aus einem einkristallinen Halbleiterkoerper |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| DEL21298A DE1041163B (de) | 1955-03-02 | 1955-03-02 | Elektrisch steuerbares Halbleitersystem, z. B. Flaechentransistor, aus einem einkristallinen Halbleiterkoerper |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1041163B true DE1041163B (de) | 1958-10-16 |
Family
ID=7262032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEL21298A Pending DE1041163B (de) | 1955-03-02 | 1955-03-02 | Elektrisch steuerbares Halbleitersystem, z. B. Flaechentransistor, aus einem einkristallinen Halbleiterkoerper |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1041163B (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1132247B (de) * | 1959-01-30 | 1962-06-28 | Siemens Ag | Gesteuerte Vierschichtentriode mit vier Halbleiterschichten abwechselnden Leitfaehigkeitstyps |
| DE1207010B (de) * | 1963-02-01 | 1965-12-16 | Ibm | Flaechentransistor mit einem Halbleiterkoerper mit vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps, Verfahren zum Herstellen und Schaltung solcher Flaechentransistoren |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE814487C (de) * | 1948-06-26 | 1951-09-24 | Western Electric Co | Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie |
| DE836826C (de) * | 1949-10-11 | 1952-04-17 | Western Electric Co | Halbleiter-UEbertragungsvorrichtung |
| DE881973C (de) * | 1951-09-03 | 1953-05-21 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen |
-
1955
- 1955-03-02 DE DEL21298A patent/DE1041163B/de active Pending
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