DE10392971B4 - Filterschaltung - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 11
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
- H03H9/0095—Balance-unbalance or balance-balance networks using bulk acoustic wave devices
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F21/00—Variable inductances or transformers of the signal type
- H01F21/12—Variable inductances or transformers of the signal type discontinuously variable, e.g. tapped
- H01F2021/125—Printed variable inductor with taps, e.g. for VCO
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/42—Balance/unbalance networks
Abstract
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Filterschaltung, insbesondere auf eine Filterschaltung zur Umwandlung von unsymmetrischen/symmetrischen Signale in symmetrische/unsymmetrische Signale, und hier insbesondere auf eine Filterschaltung, welche BAW-Resonatoren (BAW = Bulk Acoustic Wafer = akustische Volumenwelle) umfaßt. Ferner bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Filterschaltung mit einer Mehrzahl von BAW-Resonatoren, welche eine Transformation von Impedanzpegeln zwischen einem Eingangstor und einem Ausgangstor der Filterschaltung ermöglicht.
- Auf Resonatoren basierende HF-Filter, wie beispielsweise BAW-Filter, haben zwei grundsätzliche Topologien, welche anhand der
1 und2 näher erläutert werden. - Die erste Topologie (siehe
1 ) ist das sogenannte „Ladder-Filter” (Leiterfilter). Das Ladder-Filter100 umfaßt ein Eingangstor102 mit einem ersten Eingangsanschluss104 und einem zweiten Eingangsanschluss106 . Ferner umfaßt das Filter100 ein Ausgangstor108 mit einem ersten Ausgangsanschluss110 und einem zweiten Ausgangsanschluss112 . Am ersten Eingangsanschluss104 des Eingangstors102 liegt ein Eingangssignal EIN an, und am ersten Ausgangsanschluss110 des Ausgangstors108 liegt ein Ausgangssignal AUS an. Bei dem in1 gezeigten Filter100 sind zwischen den ersten Eingangsanschluss104 und den ersten Ausgangsanschluss110 seriell zwei Serienresonatoren Rs1 und Rs2 geschaltet. Ferner sind zwei Parallelresonatoren Rp1 und Rp2 vorgesehen. Der erste Parallelresonator Rp1 ist parallel zum Eingangstor102 sowie parallel zum ersten Serienresonator Rs1 geschaltet. Der zweite Parallelresonator Rp2 ist parallel zum Ausgangstor108 sowie parallel zum zweiten Serienresonator Rs2 geschaltet. Der zweite Eingangsanschluss106 sowie der zweite Ausgangsan schluss112 sind mit einem Bezugspotential114 , z. B. Masse, verbunden. Die Parallelresonatoren Rp1 und Rp2 sind ebenfalls gegen das Bezugspotential geschaltet. Bei dem in1 dargestellten herkömmlichen Filter handelt es sich um ein Ladder-Filter mit zwei Stufen mit einem einzelnen Eingang EIN und einem einzelnen Ausgang AUS zur Übertragung unsymmetrischer Signale. - In
2 ist ein bekanntes Lattice-Filter (Brückenfilter) mit einer Stufe (zwei Serienresonatoren und zwei Parallelresonatoren) näher erläutert. Bei der Beschreibung der2 werden ähnliche oder gleiche Bauelemente, die bereits anhand der1 beschrieben wurden, mit gleichen Bezugszeichen versehen. - Das Lattice-Filter
120 empfängt ein symmetrisches Eingangssignal EIN an dem ersten Eingangsanschluss104 und an dem zweiten Eingangsanschluss106 des Eingangstors102 . Ein symmetrisches Ausgangsanschluss AUS wird am Ausgangssignal108 an den Anschlüssen110 und112 ausgegeben. Zwischen dem ersten Eingangsanschluss104 und dem ersten Ausgangsanschluss110 ist ein Serienresonator Rs1 vorgesehen. Ebenso ist zwischen dem zweiten Eingangsanschluss106 und dem zweiten Ausgangsanschluss112 ein Serienresonator Rs2 vorgesehen. Zwischen den ersten Eingangsanschluss104 und den zweiten Ausgangsanschluss112 ist ein erster Parallelresonator Rp1 geschaltet. Zwischen den zweiten Eingangsanschluss106 und den ersten Ausgangsanschluss110 ist ein zweiter Parallelresonator Rp2 geschaltet. Das in2 gezeigte Filter120 ist vollständig differential, d. h. beide Eingangstore102 und110 sind symmetrisch (balanced). - Filter mit einer guten Selektivität und niedrigen Einfügungsverlusten können unter Verwendung von BAW-Resonatoren hergestellt werden, die herangezogen werden, um einzelne Blöcke oder Stufen von Impedanzelementfiltern aufzubauen. Diese Fil ter haben zwei grundsätzliche Topologien, die anhand der
1 und2 näher erläutert werden. - Hinsichtlich der anhand der
1 und2 beschriebenen Filter ist darauf hinzuweisen, dass es sich bei den Serienresonatoren und Parallelresonatoren vorzugsweise um BAW-Resonatoren handelt, wobei die Serienresonatoren und die Parallelresonatoren jeweils mit einer vorbestimmten Resonanzfrequenz hergestellt sind. Vorzugsweise sind die Resonanzfrequenzen der Parallelresonatoren gegenüber den Resonanzfrequenzen der Serienresonatoren verstimmt, um so die erwünschte Filterwirkung zu erreichen. Es sei darauf hingewiesen, dass sich die im Ladder-Filter100 verwendeten Serienresonatoren und Parallelresonatoren von dem im Lattice-Filter120 verwendeten Serienresonatoren und Parallelresonatoren unterscheiden, insbesondere bei Filterschaltungen mit im wesentlichen gleichen Filtercharakteristika, jedoch unterschiedlicher Topologie. - Beim Ladder-Filter
100 existiert lediglich die Möglichkeit, ein unsymmetrisches Eingangssignal zu empfangen und ein entsprechendes unsymmetrisches Ausgangssignal auszugeben. Ebenso ermöglicht das Lattice-Filter120 lediglich den Empfang eines symmetrischen Eingangssignals und die Ausgabe eines symmetrischen Ausgangssignals. - Es existieren jedoch Anwendungen, bei denen es erforderlich ist, eine Transformation/Umwandlung eines unsymmetrischen Eingangssignals in ein symmetrisches Ausgangssignal durchzuführen, oder eine Transformation/Umwandlung eines symmetrischen Eingangssignals in ein unsymmetrisches Ausgangssignal durchzuführen. Ferner existieren Anwendungen, bei denen alternativ oder zusätzlich zur Umwandlung von symmetrischen/unsymmetrischen Signalen in unsymmetrische/symmetrische Signale an den Eingängen und Ausgängen unterschiedliche Torimpedanzen existieren, die ebenfalls gehandhabt werden müssen.
- Ein herkömmliches Verfahren, um eine entsprechende Umwandlung/Transformation durchzuführen, besteht darin, eine zusätzliche Komponente vorzusehen, welche als Symmetrierbauglied (Balun) bezeichnet wird. Das Symmetrierbauglied kann entweder ein magnetischer Übertrager (magnetischer Transformator), eine LC-Schaltung oder eine Streifenleitungsstruktur sein, wobei das Symmetrierbauglied auf einer gedruckten Schaltungsplatine vor oder nach einem der in
1 und2 gezeigten Filterschaltungen angeordnet ist. Die Verwendung von diskreten Symmetrierbaugliedern vor oder nach den Filtern ist zwar eine Möglichkeit, erhöht jedoch die Anzahl der erforderlichen Komponenten und des erforderlichen Platzes auf der gedruckten Schaltungsplatine. - Bei akustischen Oberflächenwellenfiltern (SAW-Filtern) kann eine akustische Symmetrierfunktion ohne zusätzliche Komponenten implementiert werden, wodurch jedoch das Verhalten des Gesamtfilters erheblich verschlechtert wird. Ferner führt diese Symmetrierfunktion dazu, dass diese Filter gegenüber elektrostatischen Entladungen sehr empfindlich sind und ferner werden die Fähigkeiten in der Handhabung von Leistungen drastisch begrenzt, d. h. die übertragbaren Leistungen über eine solche Filterstruktur sind sehr gering. Ein Beispiel für ein solches SAW-Filter ist in der
JP 2000-114917A - Ein Ansatz zur Umwandlung von unsymmetrischen Signalen in symmetrische Signale wird beispielsweise in der
EP 1 202 454 A beschrieben, gemäß der Filterstrukturen, ähnlich zu denen in1 und2 , kombiniert werden, also an den Ausgang des Ladder-Filters das Lattice-Filter angeschlossen wird. Dieser Ansatz hat jedoch erhebliche Nachteile für die praktischen Anwendungen eines solchen Filters, und ist insbe sondere dahingehend nachteilhaft, dass diese lediglich auf schwebende (floating) differentielle Lasten bezogen werden kann, also kein HF-Leckstrom gegen Masse zulässig ist. - Aus der
DE 102 22 593 A1 ist ein integrierter Filterbalun bekannt, wobei eine erste Struktur mit einer zweiten Struktur integriert ist. Dabei ist die erste Struktur eine konzentrierte Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Schaltung (Balun) und die zweite Struktur ein resonatorbasiertes Filter. - Aus der
US 3 374 448 ist eine Filterschaltung mit einem sysymmetrischen Tor und einem unsymmetrischen Tor bekannt, wobei zwischen den Toren eine Filterstufe und ein Symmetrierbauglied in Serie angeordnet sind. - Im Zusammenhang mit BAW-Filtern ist kein Ansatz bekannt, der vorschlagen würde, auf welche Art und Weise eine Impedanztransformation durchgeführt werden könnte.
- Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte Filterschaltung zu schaffen, welche auf einfache Art und Weise eine Umwandlung von symmetrischen/unsymmetrischen in unsymmetrische/symmetrische Signale ermöglicht, wobei die Filterstufe und das Symmetrierbauglied auf dem Substrat gebildet ist.
- Diese Aufgabe wird durch eine Filterschaltung gemäß Anspruch 1 gelöst.
- Die vorliegende Erfindung schafft eine Filterschaltung mit einem symmetrischen Tor, einem unsymmetrischen Tor einem Substrat und einer Serienschaltung. Die Serienschaltung weist eine Filterstufe und ein Symmetrierbauglied auf und ist zwischen dem symmetrischen Tor und dem unsymmetrischen Tor angeordnet. Das Symmetrierbauglied ist ein Übertragerelement mit zumindest zwei Spulen, wobei die Spulen beispielsweise durch Metallbahnen auf dem Substrat gebildet sind und wobei die Filterstufe auf dem Substrat gebildet ist.
- Vorzugsweise umfasst die Filterstufe der Serienschaltung eine Mehrzahl von BAW-Resonatoren, und hier zumindest einen Serien-BAW-Resonator und zumindest einen Parallel-BAW-Resonator.
- Gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die Filterstufe eine unsymmetrische Filterstufe, die mit dem unsymmetrischen Tor verbunden ist, und das Symmetrierbauglied ist mit dem symmetrischen Tor verbunden.
- Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel ist die Filterstufe eine symmetrische Filterstufe, die mit dem symmetrischen Tor verbunden ist, und das Symmetrierbauglied ist mit dem unsymmetrischen Tor verbunden.
- Gemäß wiederum einem weiteren Ausführungsbeispiel ist die Filterstufe eine symmetrische Filterstufe, die mit dem symmetrischen Tor verbunden ist, und ferner umfasst die Serienschaltung eine unsymmetrische Filterstufe, die mit dem unsymmetrischen Tor verbunden ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist das Symmetrierglied zwischen die symmetrische Filterstufe und die unsymmetrische Filterstufe geschaltet. Alle Filterstufen und das Symmetrierglied sind auch hier auf dem gleichen Substrat gebildet.
- Zusätzlich kann vorgesehen sein, Anpassungselemente in der Serienschaltung vorzusehen, welche zwischen die Filterstufe und das unsymmetrische Tor oder das symmetrische Tor geschaltet sind und zusammen mit den Elementen der Filterstufe und den Elementen des Symmetrierbauglieds auf dem Substrat gebildet sind.
- Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung sind die Spulen des Symmetrierglieds derart ausgewählt, dass diese unterschiedliche Windungszahlen aufweisen, so dass aufgrund des sich einstellenden Wicklungsverhältnisses eine Impedanztransformation zwischen den zwei Toren der Filterschaltung bewirkt wird.
- Bei dem Substrat handelt es sich vorzugsweise um ein Substrat mit einem hohen Widerstandswert, auf dem die Spulen, beispielsweise durch die Metallbahnen, gebildet sind. Alternativ kann die Spule auf dem Substrat in einem Bereich angeordnet sein, in dem ein akustischer Reflektor vorgesehen ist.
- Die vorliegende Erfindung schafft somit HF-Filter und insbesondere HF-Filter, die unter Verwendung der BAW-Technologie realisiert werden, welche zusätzliche monolithische passive Elemente, wie Umwandler (Symmetrierbauglieder) einschließen, jedoch zusätzlich auch Spulen, Kondensatoren oder Widerstandselemente.
- Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass eine Kombination der wünschenswerten Merkmale von Impedanzelementfiltern mit der Möglichkeit unsymmetrische/symmetrische Signale in symmetrische/unsymmetrische Signale umzuwandeln, dadurch erreicht werden kann, dass ein grundsätzlicher Herstellungsprozess der BAW-Resonatoren derart modifiziert wird, dass zusätzlich monolithische Symmetrierglieder (Baluns) auf den Filterchips (Substraten) hergestellt werden können. Dies eröffnet ebenfalls die Möglichkeit einer Impedanzpegeltransformation zwischen den Eingangstoren der Filter.
- Erfindungsgemäß wird es ermöglicht, Impedanzelementfilter zu verwenden und gleichzeitig eine Transformation von symmetrischen/unsymmetrischen Signalen in unsymmetrische/symmetrische Signale und gegebenenfalls zusätzlich eine Impedanzpegeltransformation innerhalb des Filterchips in monolithischer Form, also ohne externe Komponenten, durchzuführen. Die Symmetrierglieder sind vorzugsweise zwei spiralförmige Spulen, die aufeinander angeordnet sind und magnetisch miteinander gekoppelt sind.
- Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass ein Prozess, welcher zur Fertigung der Symmetrierglieder herangezogen wird, auch die Möglichkeit eröffnet, monolithische Spulen (spiralförmige Induktivitäten) mit hohen Gütefaktoren (hoher Q-Faktor) zu erzeugen, welche dann als Elements des Symmetriebauglieds oder zusätzliche als Anpasselemente verwendet werden können. Derzeit werden bei herkömmlichen Filterschaltungen diese Anpassungselemente noch als externe Ele mente außerhalb des Filterchips realisiert, was die oben erwähnten Probleme mit sich bringt.
- Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass zusätzlich zu den Induktivitäten auch Kondensatoren auf einfache Art und Weise hergestellt werden können, und zwar auch als monolithische Elemente auf dem Filterchip, da bei der Herstellung der BAW-Resonatoren verschiedene Schichten aus dielektrischem Material verwendet werden. Die so erzeugten Kondensatoren können als Anpasskondensatoren oder als Kopplungskondensatoren verwendet werden.
- Gegenüber herkömmlichen BAW-Herstellungsverfahren sind lediglich geringfügige Modifikationen erforderlich, welche notwendig sind, um die dicken Metalle, die für die Erzeugung der Elemente (Symmetrierglied, Induktivität, Kondensator) erforderlich sind, einige zusätzliche Maskenschichten erfordern, was jedoch nur zu einem geringfügigen Anstieg des Mehraufwandes des Prozesses führt.
- Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
-
1 ein bekanntes Ladder-Filter mit zwei Stufen bestehend aus zwei Serienresonatoren und zwei Parallelresonatoren; -
2 ein bekanntes Lattice-Filter mit einer Stufe und zwei Serienresonatoren und zwei Parallelresonatoren; -
3 ein erstes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Filterschaltung mit einer unsymmetrischen Filterstufe an einem unsymmetrischen Eingangstor und einem Symmetrierbauglied an einem symmetrischen Ausgang; -
4 ein zweites Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Filterschaltung mit einer symmetrischen Filterstufe an einem symmetrischen Tor und einem Symmetrierbauglied an einem unsymmetrischen Tor; -
5 ein drittes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Filterschaltung mit einer symmetrischen Filterstufe am symmetrischen Tor, einer unsymmetrischen Filterstufe am unsymmetrischen Tor und einem zwischen den zwei Filterstufen angeordneten Symmetrierbauglied; -
6 ein viertes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Filterschaltung, ähnlich dem in4 gezeigten, welches zusätzlich Anpasselemente umfaßt; und -
7 eine schematische, beispielhafte Darstellung für eine planare Symmetrierbaugliedstruktur. - Bei der nachfolgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden gleiche oder ähnlich wirkende Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen.
-
3 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Filterschaltung200 . Die Filterschaltung200 umfaßt einen unsymmetrischen Anschluss202 und einen symmetrischen Anschluss204 mit den zwei symmetrischen Toren204a und204b . Zwischen den unsymmetrischen Anschluss202 und den symmetrischen Anschluss204 ist eine Serienschaltung bestehend aus einer Filterstufe206 und einem Symmetrierbauglied (Balun)208 geschaltet. Bei dem in3 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Filterstufe206 eine unsymmetrische Filterstufe in der Form eines Ladder-Filters, wie es beispielhaft anhand der1 beschrieben wurde. Die Filterstufe206 um faßt zwei Serienresonatoren Rs1 und Rs2 sowie zwei Parallelresonatoren Rp1 und Rp2. - Der unsymmetrische Anschluss
202 umfaßt einen ersten Knoten210 und einen zweiten Knoten212 . Der zweite Knoten212 ist mit einem Bezugspotential214 , z. B. Masse, verbunden. Die Filterstufe206 umfaßt eine Serienschaltung bestehend aus den zwei Serienresonatoren Rs1 und Rs2, die zwischen den ersten Knoten210 und einen dritten Knoten216 geschaltet sind. Der erste Parallelresonator Rp1 ist zwischen das Bezugspotential214 und einen Knoten218 zwischen den ersten Serienresonator Rs1 und den zweiten Serienresonator Rs2 geschaltet. Der zweite Parallelresonator Rp2 ist zwischen den dritten Knoten216 und das Bezugspotential214 geschaltet. - Das Symmetrierbauglied
208 ist durch zwei gekoppelte Spulen220a und222a gebildet, wobei ein erster Anschluss220b der ersten Spule220a mit dem dritten Knoten216 verbunden ist. Ein zweiter Anschluss220c der ersten Spule220a ist mit dem Bezugspotential214 verbunden. - Das erste Tor
204a des symmetrischen Anschlusses204 umfaßt einen ersten Knoten224 sowie einen zweiten Knoten226 , der mit dem Bezugspotential214 verbunden ist. Ebenso umfaßt das zweite Tor204b einen ersten Anschluss228 und ebenso den gemeinsam mit dem ersten Tor204a verwendeten Knoten226 . - Zwischen den Knoten
224 und226 bzw. den Knoten228 und226 werden die symmetrischen Signale abgegriffen bzw. empfangen. - Ein erster Anschluss
222b der zweiten Spule222a des Symmetrierbauglieds208 ist mit dem ersten Knoten224 des ersten symmetrischen Tors204a verbunden. Ein zweiter Anschluss222c der zweiten Spule222a ist mit dem ersten Knoten des zweiten symmetrischen Tors204b verbunden. -
3 zeigt somit eine Topologie eines Ladder-Filters, das mit einem Symmetrierbauglied (Balun) kombiniert ist. Das Filter selbst hat eine Ladder-Struktur und kann mehr als die dort gezeigten zwei Stufen aufweisen, um die Selektivität zu verbessern. Die Stufen können zusätzlich unterschiedlich große Serien- und Parallelresonatoren aufweisen, um die Selektivität noch weiter zu verbessern. Bei den bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung handelt es sich bei den Symmetrierbaugliedern im wesentlichen um zwei spiralförmige Spulen, die magnetisch miteinander verkoppelt sind. - Um die widerstandsbehafteten Verluste und die parasitäre Kapazität niedrig zu halten, ist es wünschenswert, die zur Herstellung der Spulenelemente verwendeten Metalle mit einer ausreichenden Dicke unter Verwendung eines modifizierten BAW-Herstellungsprozesses zu erzeugen. Die Dicke der verwendeten Metallbahnen oder Metallflächen sollte derart sein, dass diese im Bereich von 800 nm bis 10 μm liegt, bzw. verglichen mit den bei den BAW-Resonatoren verwendeten Dicken der Elektrodenmetalle um den Faktor 2 bis 20 größer ist.
- Die Elemente der in
3 gezeigten Filterstufe206 sowie die Elemente des Symmetrierbauglieds208 sind gemeinsam auf einem Chip oder Substrat S gebildet, wie dies in3 schematisch angedeutet ist. Dies erfordert, wie bereits oben erläutert wurde, lediglich eine geringfügige Modifikation der Herstellungsprozesse für die BAW-Resonatoren, was nur mit geringfügig höheren Kosten einhergeht, jedoch den Vorteil hat, dass externe Komponenten auf einer Schaltungsplatine, auf der der Chip S angeordnet wird, vermieden werden. Dies führt ferner zu einer Erleichterung des gesamten Herstellungsprozesses. - Das Substrat S ist vorzugsweise ein Substrat mit einem hohen Widerstandswert, und die Spulen sind vorzugsweise von dem Substrat durch dielektrische Schichten, eine oder mehrere, getrennt. Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung kann dies auf einfache Art und Weise realisiert werden, da hier im Substrat S der erforderliche akustische Reflektor für die BAW-Resonatoren gebildet wird, und die Ausdehnung desselben derart gewählt ist, dass zusätzlich oberhalb desselben das Symmetrierbauglied
208 gebildet werden kann. - Gemäß einem Ausführungsbeispiel hat das Symmetrierbauglied ein Wicklungsverhältnis von 1:1, jedoch kann die Anzahl der Windungen in den primären und sekundären Wicklungen verändert werden, um eine erwünschte Impedanzpegeltransformation zwischen den Anschlüssen
202 und204 herbeizuführen. - Die vorliegende Erfindung hat den Vorteil, dass die Integration des Symmetrierbauglieds
208 sowie die Integration weiterer Spulen und Kondensatoren innerhalb einer auf BAW-Resonatoren basierenden Filterstruktur auf demselben Substrat S erreicht werden kann, wobei nur wenige zusätzliche Maskenschritte erforderlich sind. Die Kombination von Symmetrierbauglied und Filterstufe kann unterschiedliche Topologien aufweisen, wobei grundsätzlich gewählt werden kann, ob die Filterung vor oder nach der Transformation durchgeführt werden soll. Im erstgenannten Fall würde die Filterstufe eine Ladder-Filterstruktur enthalten und im letztgenannten Fall eine Lattice-Filterstruktur. Die Lattice-Filterstruktur wird bevorzugt, aufgrund der, verglichen zu Ladder-Filterstrukturen, verbesserten Dämpfung außerhalb des Durchlassbandes. - Nachfolgend werden anhand der
4 –6 weitere Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung näher erläutet, wobei4 ein zweites Ausführungsbeispiel zeigt, bei dem anstelle der in3 verwendeten Ladder-Filterstruktur eine Lattice-Filterstruktur verwendet wird, die mit dem symmetrischen Eingang204 der Filterschaltung verbunden ist. Das Symmetrierbauglied208 ist zwischen die Filterstufe206 und den unsymmetrischen Eingang202 geschaltet. - Bei dem in
4 dargestellten Ausführungsbeispiel ist in der Filterstufe206 ein erster Serienresonator Rs1 zwischen den ersten Anschluss222b der zweiten Spule222a des Symmetrierbauglieds208 und den Anschluss224 des symmetrischen Ausgangs204 geschaltet. Ein zweiter Serienresonator Rs2 ist zwischen den zweiten Anschluss222c der zweiten Spule222a des Symmetrierbauglieds208 und den zweiten Anschluss228 des symmetrischen Ausgangs204 geschaltet. Ein erster Parallelresonator Rp1 ist zwischen den ersten Anschluss222b der zweiten Spule222a und den zweiten Knoten228 des symmetrischen Anschlusses204 geschaltet, und ein zweiter Parallelresonator Rp2 ist zwischen den zweiten Anschluss222c der zweiten Spule222a und den ersten Knoten224 des symmetrischen Anschlusses204 geschaltet. - Der erste Knoten
210 des unsymmetrischen Anschlusses202 ist mit dem ersten Anschluss220b der ersten Spule220a des Symmetrierbauglieds208 verschaltet, und der zweite Knoten220c der ersten Spule220a ist mit dem Bezugspotential214 verbunden, ebenso wie der erste Knoten212 des unsymmetrischen Anschlusses202 . - Ähnlich wie bei dem in
3 gezeigten Ausführungsbeispiel sind auch hier die BAW-Resonatoren Rs1, Rs2, Rp1, Rp2 zusammen mit den Elementen des Symmetrierbauglieds208 auf einem gemeinsamen Substrat oder Chip gebildet. -
5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, welches sich von dem in4 dargestellten Ausführungsbeispiel dadurch unterscheidet, dass zwischen den unsymmetrischen Anschluss202 und das Symmetrierbauglied208 eine weitere Filterstufe230 geschaltet wurde, bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel eine unsymmetrische Filterstufe in der Form eines einstufigen Ladder-Filters. Die Filterstufe230 umfaßt einen Serienresonator Rs1, der zwischen den ersten Knoten210 des unsymmetrischen Anschlusses202 und den ersten Anschluss220b der ersten Spule220a des Symmetrierbauglieds208 geschaltet ist. Ferner ist ein Parallelresonator Rp1 vorgesehen, der zwischen den ersten Anschluss220b der ersten Spule220a und des Bezugspotentials214 geschaltet ist. - Auch bei dem in
5 gezeigten Ausführungsbeispiel sind alle BAW-Resonatoren sowie alle Elemente des Symmetrierbauglieds auf einem gemeinsamen Substrat gebildet. -
6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem zusätzlich zu dem in4 dargestellten Ausführungsbeispiel zwischen die Filterstufe206 und den symmetrischen Ausgang204 ein Anpassungsblock232 geschaltet ist. - Der Block
232 umfaßt ein induktives Bauelement L sowie zwei kapazitive Bauelemente C1 und C2. Sowohl die kapazitiven Bauelemente als auch das induktive Bauelement sind gemeinsam mit den Elementen des Symmetrierbauglieds208 und den BAW-Resonatoren der Filterstufe206 auf dem Filterchip gebildet. Verglichen mit4 ist das kapazitive Bauelement C1 zwischen den ersten Serienresonator Rs1 der Filterstufe206 und den ersten Knoten224 des symmetrischen Ausgangs204 geschaltet. Das zweite kapazitive Bauelement C2 ist zwischen den zweiten Serienresonator Rs2 der Filterstufe206 und den zweiten Knoten228 des symmetrischen Anschlusses204 geschaltet. Das induktive Bauelement L ist parallel zu dem symmetrischen Ausgangsanschluss204 geschaltet, zwischen einen Knoten zwischen dem ersten Serienresonator Rs1 und dem ersten kapazitiven Bauelement C1 und einen Knoten zwischen dem zweiten Resonator Rs2 und dem zweiten kapazitiven Bauelement C2. - Nachfolgend wird anhand der
7 ein Beispiel für eine Implementierung einer planaren Symmetrierbaugliedstruktur näher erläutert. In7 ist eine planare Struktur gezeigt, welche aus einer Mehrzahl von metallischen Leiterbahnen gebildet ist. Die Spulen sind durch eine Mehrzahl von spiralförmig angeordneten metallischen Leiterbahnen300 ,302 und304 gebil det, wobei die Leiterbahn302 und304 mit dem Bezugspotential214 und die elektrische Verbindung306 miteinander verbunden sind. Durch die Leiterbahn302 und304 , welche auf die oben beschriebene Art und Weise verbunden sind, ist die zweite Spule222a des Symmetrierbauglieds208 gebildet, und in7 sind die Anschlüsse222b bzw.222c dargestellt. Durch die Leiterbahn300 ist die erste Spule220a gebildet, und deren Anschlüsse220b und222c sind ebenfalls dargestellt. - Hinsichtlich der obigen Beschreibung ist darauf hinzuweisen, dass, sofern auf Eingänge und Ausgänge Bezug genommen wurde, diese grundsätzlich austauschbar sind. Dies bedeutet, dass die Richtung des Signalflusses umgekehrt werden kann, so dass alle Strukturen dazu geeignet sind, z. B. eine unsymmetrische Signalquelle und eine symmetrische Last oder eine unsymmetrische Last und eine symmetrische Signalquelle zu verwenden.
- Der Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass diese, im Gegensatz zum Stand der Technik, einen miniaturisierten, magnetischen Transformator als Zusatzelement umfaßt, der gemeinsam mit den Elementen der Filterstufe monolithisch hergestellt wurde.
- Die obige Beschreibung wurde anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele durchgeführt, wobei jedoch offensichtlich ist, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die beschriebenen Ausgestaltungen beschränkt ist. Zusätzlich zu den beschriebenen Ausgestaltungen können die erfindungsgemäßen Filterschaltungen eine oder mehrere Stufen eingangsseitig und/oder ausgangsseitig aufweisen.
-
- 100
- Ladder-Filter
- 102
- Eingangstor
- 104
- erster Eingangsanschluß des Eingangstors
- 106
- zweiter Eingangsanschluß des Eingangstors
- 108
- Ausgangstor
- 110
- erster Ausgangsanschluß des Ausgangstors
- 112
- zweiter Ausgangsanschluß des Ausgangstors
- 114
- Bezugspotential
- 120
- Lattice-Filter
- 200
- Filterschaltung
- 202
- unsymmetrischer Anschluß
- 204
- symmetrischer Anschluß
- 204a
- symmetrisches Tor
- 204b
- symmetrisches Tor
- 206
- Filterstufe
- 208
- Symmetrierbauglied
- 210, 212
- Knoten
- 214
- Bezugspotential
- 216, 218
- Knoten
- 220a
- erste Spule
- 220b
- erster Anschluß der ersten Spule
- 220c
- zweiter Anschluß der ersten Spule
- 222a
- zweite Spule
- 222b
- erster Anschluß der zweiten Spule
- 222c
- zweiter Anschluß der zweiten Spule
- 224, 226
- Knoten
des symmetrischen Anschlusses
204 - 228
- Knoten
des symmetrischen Anschlusses
204 - 230
- weitere Filterstufe
- 232
- Anpassungsstufe
- 300, 302
- Metallbahn
- 304
- Metallbahn
- 306
- Verbindungselement
- Rs1, Rs2
- Serienresonator
- Rp1, Rp2
- Parallelresonatoren
Claims (10)
- Filterschaltung, mit einem symmetrischen Tor (
204 ); einem unsymmetrischen Tor (202 ); einem Substrat (S); und einer Serienschaltung aus einer Filterstufe (206 ,230 ) und einem Symmetrierbauglied (208 ), die zwischen dem symmetrischen Tor (204 ) und dem unsymmetrischen Tor (202 ) angeordnet ist, wobei das Symmetrierbauglied (208 ) ein Übertragerelement mit zwei Spulen (220a ,222a ) ist, wobei die Spulen (220a ,222a ) durch Metallbahnen (300 ,302 ,304 ) auf dem Substrat (S) gebildet sind und wobei die Filterstufe (206 ) auf dem Substrat (S) gebildet ist. - Filterschaltung gemäß Anspruch 1, bei der die Filterstufe (
206 ) zumindest einen Serien-BAW-Resonator (Rs1, Rs2) und zumindest einen Parallel-BAW-Resonator (Rp1, Rp2) umfasst. - Filterschaltung gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der die Filterstufe (
206 ) eine unsymmetrische Filterstufe ist, die mit dem unsymmetrischen Tor (202 ) verbunden ist, wobei das Symmetrierbauglied (208 ) mit dem symmetrischen Tor (204 ) verbunden ist. - Filterschaltung gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der die Filterstufe (
206 ) eine symmetrische Filterstufe ist, die mit dem symmetrischen Tor (204 ) verbunden ist, wobei das Symmetrierbauglied (208 ) mit dem unsymmetrischen Tor (202 ) verbunden ist. - Filterschaltung gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der die Filterstufe eine symmetrische Filterstufe (
206 ) ist, die mit dem symmetrischen Tor (204 ) verbunden ist, und bei der die Serienschaltung ferner eine unsymmetrische Filterstufe (230 ) umfasst, die mit dem unsymmetrischen Tor (202 ) verbunden ist, wobei das Symmetrierbauglied (208 ) zwischen die symmetrische Filterstufe (206 ) und die unsymmetrische Filterstufe (230 ) geschaltet ist, und wobei die Filterstufen (206 ,230 ) und das Symmetrierbauglied (208 ) auf dem Substrat (S) gebildet sind. - Filterschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der die Serienschaltung ferner eines oder mehrere Anpassungselemente (
232 , L, C1, C2) umfasst, die zwischen die Filterstufe (206 ) und das unsymmetrische Tor (202 ) oder das symmetrische Tor (204 ) geschaltet sind, wobei die Anpassungselemente auf dem Substrat (S) gebildet sind. - Filterschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der die Spulen (
220a ,222b ) ein Wicklungsverhältnis aufweisen, um eine Impedanztransformation zwischen dem unsymmetrischen Tor (202 ) und dem symmetrischen Tor (204 ) zu bewirken. - Filterschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der das Substrat (S) einen hohen Widerstandswert aufweist.
- Filterschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei der das Substrat (
5 ) einen akustischen Reflektor aufweist und die BAW-Resonatoren (Rs1, Rs2, Rp1, Rp2) und die Spulen (220a ,222a ) oberhalb des akustischen Reflektors gebildet sind. - Filterschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, bei der die Metallbahnen (
300 ,302 ,304 ) der Spulen (220a ,222a ) mit einer Dicke zwischen 800 nm und 10 μm gebildet sind.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10234685.2 | 2002-07-30 | ||
DE10234685A DE10234685A1 (de) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | Filterschaltung |
PCT/EP2003/007015 WO2004019491A2 (de) | 2002-07-30 | 2003-07-01 | Schaltung aus filterstufe und symmetrierbauglied |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10392971D2 DE10392971D2 (de) | 2005-07-21 |
DE10392971B4 true DE10392971B4 (de) | 2010-07-08 |
Family
ID=30469197
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10234685A Withdrawn DE10234685A1 (de) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | Filterschaltung |
DE10392971T Expired - Fee Related DE10392971B4 (de) | 2002-07-30 | 2003-07-01 | Filterschaltung |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10234685A Withdrawn DE10234685A1 (de) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | Filterschaltung |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7199684B2 (de) |
EP (1) | EP1547245A2 (de) |
JP (1) | JP2005535264A (de) |
KR (1) | KR100687076B1 (de) |
CN (1) | CN100525099C (de) |
AU (1) | AU2003257428A1 (de) |
DE (2) | DE10234685A1 (de) |
WO (1) | WO2004019491A2 (de) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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FR2864729B1 (fr) | 2003-12-29 | 2006-05-05 | St Microelectronics Sa | Resonateur acoustique integrable , et procede d'integration d'un tel resonateur |
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2002
- 2002-07-30 DE DE10234685A patent/DE10234685A1/de not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-07-01 AU AU2003257428A patent/AU2003257428A1/en not_active Abandoned
- 2003-07-01 WO PCT/EP2003/007015 patent/WO2004019491A2/de active Application Filing
- 2003-07-01 DE DE10392971T patent/DE10392971B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-01 CN CNB038176297A patent/CN100525099C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-01 JP JP2004529988A patent/JP2005535264A/ja active Pending
- 2003-07-01 KR KR1020057001662A patent/KR100687076B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-07-01 EP EP03792167A patent/EP1547245A2/de not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-01-28 US US11/045,500 patent/US7199684B2/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050089957A (ko) | 2005-09-09 |
AU2003257428A8 (en) | 2004-03-11 |
KR100687076B1 (ko) | 2007-02-26 |
JP2005535264A (ja) | 2005-11-17 |
DE10234685A1 (de) | 2004-02-19 |
US7199684B2 (en) | 2007-04-03 |
WO2004019491A2 (de) | 2004-03-04 |
EP1547245A2 (de) | 2005-06-29 |
US20050212619A1 (en) | 2005-09-29 |
CN1672326A (zh) | 2005-09-21 |
DE10392971D2 (de) | 2005-07-21 |
CN100525099C (zh) | 2009-08-05 |
WO2004019491A3 (de) | 2005-05-06 |
AU2003257428A1 (en) | 2004-03-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law |
Ref document number: 10392971 Country of ref document: DE Date of ref document: 20050721 Kind code of ref document: P |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP (SINGAPORE) PTE, SG |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE., SG Free format text: FORMER OWNER: AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP (SINGAPORE) PTE. LTD., SINGAPORE, SG Effective date: 20110516 Owner name: NOKIA CORP., FI Free format text: FORMER OWNER: AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP (SINGAPORE) PTE. LTD., SINGAPORE, SG Effective date: 20110516 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELL, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE., SG Free format text: FORMER OWNER: AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP , NOKIA CORP., , FI Effective date: 20130715 Owner name: NOKIA CORP., FI Free format text: FORMER OWNER: AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP , NOKIA CORP., , FI Effective date: 20130715 Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE., SG Free format text: FORMER OWNERS: AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP (SINGAPORE) PTE. LTD., SINGAPORE, SG; NOKIA CORP., 02610 ESPOO, FI Effective date: 20130715 Owner name: NOKIA CORP., FI Free format text: FORMER OWNERS: AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP (SINGAPORE) PTE. LTD., SINGAPORE, SG; NOKIA CORP., 02610 ESPOO, FI Effective date: 20130715 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELL, DE Effective date: 20130715 |
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R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES INTERNATIONAL SALES PTE. LT, SG Free format text: FORMER OWNERS: AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE. LTD., SINGAPORE, SG; NOKIA CORP., 02610 ESPOO, FI Owner name: NOKIA CORP., FI Free format text: FORMER OWNERS: AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE. LTD., SINGAPORE, SG; NOKIA CORP., 02610 ESPOO, FI |
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R082 | Change of representative |
Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELL, DE Representative=s name: DILG, HAEUSLER, SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESE, DE |
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R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |