DE10362312B4

DE10362312B4 - Halbleiter-Schaltungsanordnung mit Grabenisolation und mit ladungsspeichernder Schicht und Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number: DE10362312B4
Application number: DE10362312.4A
Authority: DE
Inventors: Klaus Knobloch; Achim Gratz; Dr. Schuler Franz
Original assignee: Infineon Technologies AG; Qimonda AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2003-02-14
Filing date: 2003-02-14
Publication date: 2014-10-30
Anticipated expiration: 2023-02-15

Abstract

Halbleiter-Schaltungsanordnung (76), mit einem Substrat (10), das in der angegebenen Reihenfolge trägt: eine dotierte Halbleiterschicht (14) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine elektrisch isolierende Schicht (16), und eine elektrisch leitfähige ladungsspeichernde Schicht (18) oder eine elektrisch isolierende ladungsspeichernde Schicht (18), die zum Speichern von Ladungen geeignet ist, und mit mindestens einem tiefen Graben (32), der die elektrisch isolierende Schicht (16) und die ladungsspeichernde Schicht (18) durchdringt und sich auch in die dotierte Halbleiterschicht (14) hinein erstreckt, wobei der Graben (32) die dotierte Halbleiterschicht (14) durchdringt, und mit mindestens einen im Vergleich zu dem die elektrisch isolierende Schicht (16) durchdringenden tiefen Graben (32) flacheren und breiteren Graben (100), der in der Halbleiterschicht (14) des ersten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist und der von dem die ladungsspeichernde Schicht (18) durchdringenden tiefen Graben (32) durchdrungen wird, mit mehreren nebeneinander angeordneten Gräben, zwischen denen jeweils eine Vielzahl von Speicherzellen angeordnet sind, wobei die Speicherzellen EEPROM-Speicherzellen oder Flash-EEPROM-Speicherzellen sind, dadurch gekennzeichnet, dass der tiefe Graben ein Isolationsgraben ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Schaltungsanordnung mit einem Substrat, das in der angegebenen Reihenfolge trägt:

– eine dotierte Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps bzw. Leitungstyps,
– eine elektrisch isolierende Schicht,
– und eine elektrisch leitfähige oder eine elektrisch isolierende ladungsspeichernde Schicht, die zur Speicherung von Ladungen geeignet ist.

Außerdem enthält die Halbleiter-Schaltungsanordnung mindestens einen Graben, der die ladungsspeichernde Schicht durchdringt und sich auch in die dotierte Halbleiterschicht hinein erstreckt.
Das Substrat ist beispielsweise ein Plättchen aus einem Halbleitermaterial, z. B. aus Silizium. Die zur Speicherung von Ladungen geeignete Schicht wird insbesondere bei Schaltungsanordnungen mit Speicherzellen auch als Floating-Gate bezeichnet.
Aus der US 2002/0 081 809 A1 ist eine Schaltungsanordnung mit flachem Graben (trench) und tiefem Graben (trench) bekannt. Aus der US 6 214 696 B1 ist ein Verfahren zum Herstellen einer tiefen und flachen Grabenisolation (trench) bekannt. Die US 2002/0 024 111 A1 zeigt ein Verfahren zum Herstellen einer tiefen-flachen Grabenisolation. Die US 5 536 675 A zeigt die Ausbildung einer Isolationsstruktur mit flachen und tiefen Gräben (trench). Die US 6 303 413 B1 zeigt eine flache und tiefe Grabenisolation (trench). Die US 6 495 853 B1 zeigt einen Halbleiter mit selbst ausgerichtetem Gate. Die US 2002/0 024 081 A1 betrifft eine vertikale Halbleiterspeicherzelle. Die nicht vorveröffentlichte US 2003/0 075 773 A1 betrifft eine Halbleiterspeicheranordnung.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine einfach herzustellende und eine einfach anzusteuernde integrierte Schaltungsanordnung anzugeben, die insbesondere sehr gute elektrische Eigenschaften hat. Insbesondere soll eine Schaltungsanordnung mit einer Vielzahl von Speicherzellen angegeben werden. Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahren, mit dem sich insbesondere die Halbleiter-Schaltungsanordnung herstellen lässt.
Die auf die Schaltungsanordnung bezogene Aufgabe wird durch eine Schaltungsanordnung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben. Das Verfahren wird weiter unten genauer erläutert.
Die Erfindung geht von der Überlegung aus, dass es grundsätzlich zwei Möglichkeiten für die Herstellung des Grabens gibt. So ist es möglich, den Graben abgesehen von Hilfsschichten, die nach dem Ausbilden des Grabens wieder vollständig entfernt werden, vor dem Aufbringen von Schichten herzustellen, die in der Schaltungsanordnung verbleiben, so dass diese Schichten nicht von dem Graben durchdrungen werden. Andererseits besteht die Möglichkeit, den Graben erst nach dem Aufbringen von in der Schaltungsanordnung verbleibenden Schichten auf das Substrat einzubringen, so dass diese Schichten von dem Graben durchdrungen werden.
Die Erfindung geht weiterhin von der Überlegung aus, dass das Erzeugen des Grabens nach dem Aufbringen von in der Schaltungsanordnung verbleibenden Schichten gleichzeitig die Strukturierung dieser Schichten und die Ausrichtung des Grabens bezüglich der strukturierten Bereiche zulässt, d. h. ein sogenanntes Self-Alignement. Es besteht jedoch die Möglichkeit, dem Graben weitere Funktionen in der integrierten Schaltungsanordnung zuzuordnen. Bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung dient der Graben außerdem noch zum Unterteilen der dotierten Halbleiterschicht. Dies erfordert, dass der Graben tiefer ist, als die Dicke der dotierten Halbleiterschicht. Damit hat der Graben bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung neben der Isolierfunktion zum Isolieren von benachbarten Bauelementen noch zwei weitere Funktionen, nämlich:

– die Strukturierung der ladungsspeichernden Schicht, und
– die Strukturierung und Isolierung der dotierten Halbleiterschicht.

Bei einer Ausgestaltung enthält die Schaltungsanordnung mehrere nebeneinander angeordnete Gräben, beispielsweise zueinander parallel liegende Gräben. Zwischen den Gräben sind jeweils eine Vielzahl von Speicherzellen angeordnet, insbesondere EEPROM-Speicherzellen oder sogenannte Flash-EEPROM-Speicherzellen (Electrical Erasable Programmable Read Only Memory). Bei einer nächsten Ausgestaltung ist die ladungsspeichernde Schicht quer zu der Richtung, in der die Gräben liegen, in ladungsspeichernde Bereiche unterteilt.
Bei einer Weiterbildung der Schaltungsanordnung ist zwischen der dotierten Halbleiterschicht und dem Substrat eine dotierte Halbleiterschicht mit zum ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp angeordnet. Der Graben durchdringt auch die Halbleiterschicht entgegengesetztem Leitungstyps und erstreckt sich bis in das Substrat. Die Unterteilung einer dotierten Halbleiterschicht durch zwei Gräben, z. B. in der sogenannten Bitline-Richtung, führt bereits zu einer Vielzahl von Vorteilen bezüglich des Betriebes der Speicherzellen. Beispielsweise können Speicherzellen selektiv gelöscht werden. Das Abgrenzen einer weiteren unter der oberen Halbleiterschicht liegenden unteren Halbleiterschicht mit Hilfe der Gräben führt zu einer weiteren Verbesserung der elektrischen Eigenschaften. Beispielsweise reduziert sich die Übergangskapazität zwischen den beiden Halbleiterschichten für jede einzelne Bitleitung. Ferner ergeben sich zusätzliche Optionen für die elektrische Ansteuerung der Bauelemente.
Bei einer alternativen Weiterbildung mit zwei zusätzlichen Halbleiterschichten endet der Graben dagegen in der Halbleiterschicht entgegengesetzten Leitungstyps, so dass nur die Halbleiterschicht des ersten Leitungstyps durch die Gräben getrennt wird. Diese Maßnahme ist für viele Anwendungen ausreichend und einfacher durchzuführen als die Durchtrennung beider oder mehr als zwei Halbleiterschichten mit Hilfe der Gräben.
Bei einer Ausgestaltung ist das Substrat ein Halbleitersubstrat, das vorzugsweise Silizium enthält oder aus Silizium besteht. Das Silizium ist beispielsweise schwach vordotiert. Bei einer anderen Ausgestaltung bildet die dotierte Halbleiterschicht das Kanalgebiet eines Transistors bzw. die Kanalgebiete einer Vielzahl von Transistoren. Bei einer nächsten Ausgestaltung ist der erste Leitfähigkeitstyp der p-Leitfähigkeitstyp, d. h. einer elektrischen Leitung durch Defektelektronen oder sogenannte Löcher. Bei einer alternativen Ausgestaltung ist der erste Leitfähigkeitstyp der n-Leitfähigkeitstyp, d. h. einer elektrischen Leitung durch Leitungselektronen.
Bei einer nächsten Ausgestaltung enthält die elektrisch isolierende Schicht ein Oxid oder besteht aus einem Oxid, insbesondere aus einem vorzugsweise thermisch erzeugten oder abgeschiedenen Siliziumdioxid. Die an das Substrat grenzende elektrisch isolierende Schicht wird beim Programmieren und Löschen der Speicherzellen von Ladungsträgern durchtunnelt oder überwunden. In der ladungsspeichernden Schicht werden beim Programmieren bspw. Elektronen oder Elektronenlöcher gespeichert. Ladungsträger, die in diesem Zusammenhang auch als hot carrier bezeichnet werden, werden beim Programmieren und/oder Löschen auf Grund eines elektrischen Feldes so beschleunigt, dass sie eine Energiebarriere zwischen der ladungsspeichernden Schicht und dem Substrat überwinden können. Alternativ kann durch Anlegen eines geeigneten Potentialgefälles die Energiebarriere so verringert werden, dass Ladungsträger diese durchtunneln können.
Bei einer nächsten Ausgestaltung enthält die ladungsspeichernde Schicht polykristallines Silizium oder besteht aus polykristallinem Silizium, vorzugsweise aus dotiertem polykristallinen Silizium. Bei einer alternativen Ausgestaltung enthält die ladungsspeichernde Schicht ein Nichtmetallnitrid oder besteht aus einem Nichtmetallnitrid, insbesondere aus Siliziumnitrid. Bei einer anderen alternativen Ausgestaltung enthält die ladungsspeichernde Schicht ein anderes Material, das in der Lage ist, Ladungsträger beispielsweise in Materialfehlstellen zu binden, wie beispielsweise Aluminiumoxid oder Hafniumoxid.
Bei einer Weiterbildung der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung ist eine elektrisch leitfähige Schicht vorgesehen, die als Wortleitungen strukturiert ist. Zwischen der elektrisch leitfähigen Schicht und der ladungsspeichernden Schicht ist eine weitere elektrisch isolierende Schicht angeordnet. Diese elektrisch leitfähige Schicht und diese elektrisch isolierende Schicht werden bei einer Ausgestaltung nicht von dem Graben bzw. von den Gräben durchdrungen, die sich bis in die Halbleiterschicht erstrecken.
Bei einer Ausgestaltung enthält die elektrisch leitfähige Schicht ein polykristallines Material oder ein Metall. Beispielsweise besteht die elektrisch leitfähige Schicht aus polykristallinem Silizium, insbesondere aus dotiertem polykristallinen Silizium. Bei einer nächsten Ausgestaltung ist die elektrisch leitfähige Schicht in Streifen unterteilt, die quer bzw. im Winkel von 90 Grad zu den Gräben liegen. Bei einer anderen Ausgestaltung hat die elektrisch leitfähige Schicht Unterteilungen an Stellen, an denen auch die ladungsspeichernde Schicht unterteilt ist, d. h. dass beide Schichten mit der gleichen Maske strukturiert worden sind.
Bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung gibt es mindestens einen im Vergleich zu dem die elektrisch isolierende Schicht durchdringenden Graben flacheren und breiteren Graben, der in der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist und der von dem die elektrisch isolierende Schicht durchdringenden tiefen Graben durchdrungen wird. Durch diese Maßnahme entstehen ohne größeren prozesstechnischen Aufwand Freiheitsgrade für die Verfahrensdurchführung, weil der flache Graben als zusätzliche Isolation benutzt werden kann. Der prozesstechnische Mehraufwand ist deshalb gering, weil in vielen Schaltungsanordnungen ohnehin flache Gräben zu erzeugen sind. Insbesondere werden flache Gräben in Logikschaltungen verwendet. Flache Gräben haben typischerweise eine Tiefe kleiner als 500 nm (Nanometer). Dagegen hat der tiefe Graben eine Tiefe größer als 700 nm, größer als 1 μm (Mikrometer) oder sogar größer als 1,5 μm. Die Tiefe des tiefen Grabens hängt insbesondere von den Spannungsverhältnissen ab, weil diese wiederum die Dicke der dotierten Halbleiterschichten bestimmen, die durch die tiefen Gräben parallel zu den Bitleitungen unterteilt werden sollen.
Bei einer nächsten Weiterbildung der Schaltungsanordnung durchdringt der flache Graben die ladungsspeichernde Schicht und/oder die elektrisch isolierende Schicht nicht. Damit muss der flache Graben vor dem Aufbringen dieser beiden Schichten hergestellt und insbesondere auch gefüllt worden sein. Dies bedeutet, dass die Prozessierung von flachem Graben und tiefem Graben unabhängig voneinander erfolgt. Insbesondere lassen sich die Tiefen der verschiedenen Grabenarten unabhängig voneinander festlegen und optimieren. Weiterhin werden bei dieser Verfahrensführung Probleme vermieden, die aufgrund der starken Höhenunterschiede beim gleichzeitigen Füllen von flachen Gräben und tiefen Gräben beim nachfolgenden Einebnen der Oberfläche entstehen.
Bei einer Weiterbildung ist der flache Graben vollständig mit einem elektrisch isolierenden Material gefüllt oder der flache Graben enthält ein elektrisch isolierendes Material, beispielsweise Siliziumdioxid. Bei einer nächsten Weiterbildung ragt der flache Graben symmetrisch über den tiefen Graben hinaus, so dass die Isolationseigenschaften in mehrere Richtungen gleich gut sind.
Bei einer nächsten Weiterbildung gibt es mindestens einen weiteren flachen Graben, der von keinem Graben durchdrungen ist, insbesondere von keinem tiefen Graben. Bei einer nächsten Weiterbildung liegt der von dem tiefen Graben durchdrungene flache Graben in einem Speicherzellenfeld und der nicht von einem Graben durchdrungene flache Graben in einer Logik-Schaltungsanordnung, in der beispielsweise logische Grundfunktionen erbracht werden, z. B. NAND-Schaltfunktionen. Die Logikschaltung ist bspw. Teil eines monolithischen Schaltkreises, der auch ein Speicherzellenfeld mit tiefen Gräben enthält.
Bei einer nächsten Weiterbildung sind die nicht vom tiefen Graben durchdrungene elektrisch leitfähige Schicht und/oder die nicht vom tiefen Graben durchdrungene elektrisch isolierende Schicht zumindest teilweise in dem flachen Graben angeordnet. Durch diese Maßnahme kann eine Aussparung in die vom tiefen Graben nicht durchdrungene elektrisch leitfähige Schicht ohne strenge Anforderungen an deren Tiefe eingebracht werden. Wichtig ist nur, dass die elektrisch leitfähige Schicht vollständig unterbrochen wird. Für das Hineinragen der Aussparung in den flachen Graben gibt es einen größeren Spielraum, von beispielsweise mehr als 10 nm oder mehr als 20 nm. Trotz verschiedener Tiefen ist gewährleistet, dass der Kopplungsfaktor zwischen der Kapazität der ladungsspeichernden Schicht und der elektrisch leitfähigen Schicht relativ unabhängig von der Tiefe ist, wenn die Aussparung innerhalb der Grabenränder des flachen Grabens liegt.
Bei einer nächsten Weiterbildung der Schaltungsanordnung enthält die Schaltungsanordnung eine weitere ladungsspeichernde Schicht, die an die ladungsspeichernde Schicht angrenzt und die bei einer Ausgestaltung aus dem gleichen Material besteht. In der weiteren ladungsspeichernden Schicht ist mindestens eine Aussparung angeordnet, deren Boden vorzugsweise vollständig innerhalb des Randes des tiefen Grabens bzw. des flachen Grabens liegt. Auch die Tiefe dieser Aussparung ist unkritisch, sofern die weitere ladungsspeichernde Schicht vollständig strukturiert wird. Hinsichtlich des Koppelfaktors der Kapazitäten gelten die gleichen Zusammenhänge wie im vorhergehenden Absatz erläutert.
Bei einer anderen Weiterbildung ist der Graben mit einem elektrisch isolierenden Material gefüllt oder der Graben enthält ein elektrisch isolierendes Material. Zum Füllen des Grabens sind insbesondere Oxide wie beispielsweise Siliziumdioxid geeignet. Bei einer nächsten Weiterbildung enthält der Graben ein von der Grabenwand isoliertes elektrisch leitfähiges oder elektrisch halbleitendes Material, beispielsweise ein polykristallines Material, insbesondere polykristallines Silizium, das dotiert oder undotiert ist.
Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Schaltungsanordnung, insbesondere zum Herstellen der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung oder einer ihrer Weiterbildungen. Damit gelten die oben genannten technischen Wirkungen auch für das Verfahren.
Bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird zum Einbringen des tiefen Grabens eine Hartmaskenschicht verwendet. Die Hartmaskenschicht lässt sich vor dem Füllen des Grabens entfernen. Jedoch lässt sich die Hartmaskenschicht auch erst nach dem Füllen des Grabens mit einem Füllmaterial und einem anschließenden Rückätzen des Füllmaterials entfernen. Durch diese Maßnahme wird erreicht, dass beim Rückätzen unter der Hartmaske liegende Schichten durch die Hartmaske geschützt sind.
Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der beiliegenden Zeichnungen erläutert. Darin zeigen:
1A bis 1F Herstellungsstufen gemäß einer ersten Verfahrensvariante (ohne flachen Graben nicht erfindungsgemäß) mit einer Hartmaskenschicht, die unmittelbar nach dem Herstellen von tiefen Gräben entfernt wird,
2 eine Herstellungsstufe gemäß einer zweiten Verfahrensvariante (mit flachem Graben erfindungsgemäß) mit einer Hartmaskenschicht, die über mehrere Verfahrensschritte genutzt wird,
3A und 3B Herstellungsstufen gemäß einer dritten Verfahrensvariante mit flachen Gräben, die von tiefen Gräben durchdrungen werden, und
4A und 4B Herstellungsstufen gemäß einer weiteren, nicht erfindungsgemäßen Verfahrensvariante mit Floating-Gate-Doppelschicht.
1A zeigt ein schwach p-dotiertes Halbleitersubstrat 10 aus Silizium. In das Halbleitersubstrat 10 wurde eine n-dotierte Halbleiterschicht eindotiert, die beispielsweise in einer Tiefe von 800 nm bis 1,6 μm (Mikrometer) liegt. Außerdem wurde im Halbleitersubstrat 10 eine p-dotierte Halbleiterschicht 14 erzeugt, die sich von der Oberfläche des Halbleitersubstrats bis in eine Tiefe von etwa 800 nm erstreckt. An den Rändern eines Zellenfeldes können die Halbleiterschichten 12 und 14 als Wanne ausgebildet sein, d. h. dass sie bis an die Oberfläche des Halbleitersubstrats 10 geführt sind. Jedoch werden bei einem anderen Ausführungsbeispiel auch andere Kontaktierungsmöglichkeiten genutzt.
Beispielsweise werden die Dotierungen der Halbleiterschichten 12 und 14 durch Implantation hergestellt. Wannenförmig ausgebildete Halbleiterschichten 12 und 14 werden auch als n-well oder als p-well bezeichnet.
Anschließend wird beispielsweise thermisch eine Oxidschicht 16 aufgebracht, die beispielsweise eine Dicke von 6 bis 15 nm hat. Auf der Oxidschicht 16 wird dann eine Floating-Gate-Schicht 18 abgeschieden, die beispielsweise aus in-situ-dotiertem polykristallinen Silizium besteht und beispielsweise eine Dicke von 50 bis 150 nm hat.
In einem folgenden Verfahrensschritt wird auf der Floating-Gate-Schicht 18 eine Hartmaskenschicht 20 aufgebracht, beispielsweise eine TEOS-Schicht (Tetra Ethyl Ortho Silicate) mit einer Dicke von mehreren 100 nm. Die Dicke hängt von der Selektivität der Grabenätzung ab. D. h. bei einer sehr selektiven Ätzung oder einem anderen Hartmaskenmaterial kann die Dicke u. U. auch dünner sein.
Wie in 1B dargestellt, wird zunächst die Hartmaskenschicht 20 mit Hilfe eines Lithografieverfahrens und einer nicht dargestellten Fotomaske strukturiert, wobei zunächst nur in der Hartmaskenschicht 20 eine Aussparung 30 entsteht. Beim Herstellen der Aussparung 30 wird beispielsweise zeitgesteuert geätzt. Nach dem Strukturieren der Hartmaskenschicht 20 wird der Fotolack entfernt. Anschließend wird mit Hilfe der strukturierten Hartmaskenschicht 20 die Aussparung 30 zu einem Graben 32 erweitert, der eine Tiefe von beispielsweise etwa 1,8 μm hat, gemessen von der Grenze zwischen Hartmaskenschicht 20 und Floating-Gate-Schicht 18. Zum Ätzen des Grabens 32 wird beispielsweise ein reaktives Ionenätzen RIE (Reactive Ion Etching) durchgeführt. Der Graben 32 hat beispielsweise eine Breite von 200 nm. Beim Ätzen des Grabens 32 wird die Hartmaskenschicht 20 bereits stark gedünnt, so dass nur noch eine Ätzreserve von beispielsweise 100 nm verbleibt.
Wie in 1C dargestellt, wird anschließend die Hartmaskenschicht 20 entfernt bzw. weggeätzt. Anschließend wird eine sogenannte Liner-Oxidation durchgeführt, bei der an der Wand des Grabens 32 und auf der Floating-Gate-Schicht 18 eine Oxidschicht 40 erzeugt wird, die beispielsweise eine Dicke von 40 nm hat. Nach dem Erzeugen der Liner-Oxidschicht 40 wird eine polykristalline Siliziumschicht 42 abgeschieden, die den Graben 32 vollständig füllt. Zum Abscheiden der Siliziumschicht 42 wird beispielsweise ein Niederdruck-CVD-Verfahren (Chemical Vapor Deposition) genutzt. Im Ausführungsbeispiel ist die polykristalline Siliziumschicht 42 undotiert. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird jedoch eine dotierte polykristalline Siliziumschicht 42 hergestellt.
Wie in 1D dargestellt, werden anschließend außerhalb des Grabens 32 liegende Bereiche der Siliziumschicht 42 entfernt, beispielsweise mit Hilfe eines reaktiven Ionenätzverfahrens. Außerdem wird im oberen Bereich des Grabens 32 selektiv zur Oxidschicht 40 die Siliziumschicht 42 entfernt, beispielsweise bis in eine Tiefe von 300 nm unterhalb der Grenze zwischen Oxidschicht 16 und p-dotierter Halbleiterschicht 14. Nach dem Ätzen der Siliziumschicht 42 wird ein isolierende Füllmaterial 50 in den oberen Teil des Graben 32 eingebracht, beispielsweise Siliziumdioxid mit Hilfe eines HDP-Verfahrens (High Density Plasma). Im oberen Bereich des Grabens 32 und auf der Floating-Gate-Schicht 18 entsteht eine Oxidschicht 50.
Wie in 1E dargestellt, wird anschließend die Oxidschicht 50 ganzflächig zurückgeätzt, wobei eine Aussparung 60 im oberen Bereich des Grabens 32 entsteht. Das Rückätzen der Oxidschicht 50 wird beispielsweise mit Hilfe eines RIE-Verfahrens (Reactive Ion Etching) oder mit Hilfe einer Nassätzung durchgeführt. Der Boden der Aussparung 60 sollte nicht unterhalb der Grenze zwischen Oxidschicht 16 und p-dotierter Halbleiterschicht 14 liegen.
Wie in 1F gezeigt, wird anschließend eine Dielektrikumsschicht 70 abgeschieden, beispielsweise eine ONO-Schicht (Oxid-Nitrid-Oxid). Die Dielektrikumsschicht 70 hat beispielsweise eine Dicke von weniger als 20 nm. Nach dem Aufbringen der Dielektrikumsschicht 70 wird eine Control-Gate-Schicht 72 aufgebracht, beispielsweise aus in-situ-dotiertem polykristallinen Silizium und mit einer Dicke von bspw. größer 100 nm.
In nicht dargestellten folgenden Verfahrensschritten werden die Control-Gate-Schicht 72, die Dielektrikumsschicht 70 und die Floating-Gate-Schicht 18 gleichzeitig in einer Wordline-Richtung strukturiert, die parallel zur Blattebene liegt, siehe Pfeil 74. Eine Bitline-Richtung liegt senkrecht zur Blattebene und stimmt mit der Richtung des Grabens 32 überein. Nach dem Strukturieren der Control-Gate-Schicht 72 werden in die p-dotierte Halbleiterschicht 14 Kanal- und Sourcegebiete eindotiert, die bezogen auf 1F vor bzw. hinter der Blattebene liegen. In weiteren Verfahrensschritten wird eine oder mehrere Metallisierungsschichten zum Kontaktieren der Speicherzellen aufgebracht. Schließlich wird ein Speicherschaltkreis 76 fertig gestellt, der die in 1F dargestellte Anordnung enthält.
2 zeigt eine Herstellungsstufe gemäß einem zweiten Verfahren, bei dem eine Hartmaskenschicht 20a über mehrere Verfahrensschritte verwendet wird. Ausgehend von einem Halbleitersubstrat 10a werden die oben an Hand der 1A und 1B aufgeführten Verfahrensschritte zum Erzeugen einer n-dotierten Halbleiterschicht 12a, einer p-dotierten Halbleiterschicht 14a, einer Oxidschicht 16a und einer Floating-Gate-Schicht 18a ausgeführt. Bezüglich der Einzelheiten wird auf die 1A bis 1B verwiesen. Anschließend wird die Hartmaskenschicht 20a aufgebracht und mit Hilfe eines fotolithografischen Verfahrens strukturiert, wobei die Floating-Gate-Schicht 18a zunächst unstrukturiert bleibt. Nach dem Entfernen des Fotolacks wird die strukturierte Hartmaskenschicht 20a zum Erzeugen eines Grabens 32a verwendet, der die gleichen Eigenschaften wie der Graben 32 hat.
Bei noch auf der Oxidschicht 18a vorhandener Hartmaskenschicht 20a wird anschließend eine beispielsweise thermische Liner-Oxidation zum Erzeugen einer Oxidschicht 40a durchgeführt, die an den Wänden des Grabens 32a und auf der Hartmaskenschicht 20a liegt.
In einem nächsten Verfahrensschritt wird eine dotierte oder undotierte polykristalline Siliziumschicht 42a abgeschieden, die den Graben 32a vollständig füllt. Danach wird die polykristalline Siliziumschicht 42a beispielsweise mit Hilfe eines reaktiven Ionenätzverfahrens zurückgeätzt, wobei die Siliziumschicht 42a außerhalb des Grabens 32a und in dessen oberem Bereich entfernt wird. Auch die auf der Hartmaskenschicht 20a liegenden Bereiche der Oxidschicht 20a werden dabei entfernt. Die Hartmaskenschicht 20a schützt die Floating-Gate-Schicht 18a während des Rückätzens.
Nach dem Rückätzen wird die Hartmaskenschicht 20a entfernt. Anschließend wird, so wie oben an Hand der 1D bis 1F erläutert, weiter prozessiert, d. h. Aufbringen einer der Oxidschicht 50 entsprechenden Oxidschicht usw.
Die 3A und 3B zeigen Herstellungsstufen gemäß einer dritten Verfahrensvariante, bei der ein flacher Graben 100 von einem tiefen Graben 32b durchdrungen wird. Der flache Graben 100 wird in ein dem Halbleitersubstrat 10 entsprechendes Halbleitersubstrat 10b vor oder nach dem Aufbringen einer der Oxidschicht 16 entsprechenden Oxidschicht 16b und einer der Floating-Gate-Schicht 18 entsprechenden Floating-Gate-Schicht 18b erzeugt, beispielsweise vor der Implantation zum Erzeugen einer n-dotierten Halbleiterschicht 12b bzw. einer p-dotierten Halbleiterschicht 14b. Bis auf das Einbringen des Grabens 100 werden die an Hand der 1A bis 1D erläuterten Verfahrensschritte unverändert ausgeführt, siehe gestrichelte Linie 100 in diesen Figuren. Wenn der in 1D dargestellte Stand erreicht ist, wird eine der Oxidschicht 50 entsprechende Oxidschicht zurückgeätzt, wobei eine Aussparung 60b im oberen Bereich des Grabens 32b entsteht. Beim Zurückätzen ist es unkritisch, wenn der Boden der Aussparung 60b unterhalb der Grenze zwischen der Oxidschicht 16b und der Halbleiterschicht 14b liegt. Beispielsweise kann mehrere 10 nm in den flachen Graben 100 hineingeätzt werden, siehe gestrichelte Linie 102. Der Graben 100 ist mit einem Isoliermaterial gefüllt, beispielsweise mit Siliziumdioxid. Dieses Isoliermaterial bietet auch bei tiefer liegendem Boden der Aussparung 60b eine ausreichende Isolierung zwischen dem später aufgebrachten Control-Gate und der Halbleiterschicht 14b.
Der Graben 100 hat nämlich eine größere Breite als der Graben 32b. Im Ausführungsbeispiel hat der flache Graben 100 eine Breite von 300 nm und eine Tiefe von 400 nm. Bei symmetrischer Anordnung des tiefen Grabens 32b bezüglich des flachen Grabens 100 ragt der flache Graben 100 auf jeder Seite mit einem Abstand A von 50 nm über den tiefen Graben 32b hinaus. auf Grund der größeren Breite des Grabens 100 werden auch Anätzungen des Tunneloxides 16b in Randbereichen des Grabens 100 beim Ätzen der Aussparung 60b vermieden, siehe Bereiche 104 und 106, was zu einer höheren Zuverlässigkeit führt.
Wie in 3B dargestellt, wird anschließend eine Dielektrikumsschicht 70b aufgebracht, die der Dielektrikumschicht 70 entspricht. Danach wird eine Control-Gate-Schicht 72b aufgebracht, die der Control-Gate-Schicht 72 entspricht. Anschließend werden die anderen an Hand der 1F erläuterten Verfahrensschritte ausgeführt.
Das Verfahren mit einem flachen Graben, der von einem tiefen Graben durchdrungen wird, wird gemäß einer vierten Verfahrensvariante auch bei der an Hand der 2 erläuterten Verfahrensvariante durchgeführt, siehe gestrichelte Linie 100 in 2. Das heißt, dass eine der Hartmaskenschicht 20a entsprechende Hartmaskenschicht auch dann für mehrere Verfahrensschritte genutzt werden kann, wenn der flache Graben 100 von einem dem tiefen Graben 32a entsprechenden tiefen Graben durchdrungen wird.
Die 4A bis 4B zeigen eine fünfte Verfahrensvariante, die nicht erfindungsgemäß ist und bei der eine Floating-Gate-Doppelschicht aus einer der Floating-Gate-Schicht 18 entsprechenden Floating-Gate-Schicht 18c und einer Floating-Gate-Schicht 110 hergestellt wird. Die Verfahrensschritte bis zum Rückätzen einer der Oxidschicht 50 entsprechenden Oxidschicht 50c sind die gleichen, wie oben an Hand der 1A bis 1D erläutert. Für ein Halbleitersubstrat 10c, eine n-dotierte Halbleiter-Schicht 12c, eine p-dotierte Halbleiterschicht 14c, eine Oxidschicht 16c, einen Graben 32c, eine Oxidschicht 40c und eine polykristalline Siliziumgrabenfüllung 42c wird auf die Ausführungen zu den 1A bis 1D verwiesen.
Abweichend von dem an Hand der 1D erläuterten Verfahren wird die Oxidschicht 50c nur bis zur Floating-Gate-Schicht 18c zurückgeätzt, wobei die Floating-Gate-Schicht 18c als Ätzstoppschicht dient. Der Graben 32c bleibt also auch in seinem oberen Bereich mit der Oxidschicht 50c gefüllt.
Durch diese Vorgehensweise wird, wie auch an Hand der 3A erläutert, das dünne Oxid der Oxidschicht 160 an den Rändern 112 und 114 des Grabens 32c beim Rückätzen der Oxidschicht nicht geschädigt.
Danach wird die Floating-Gate-Schicht 110 abgeschieden, beispielsweise polykristallines Silizium, das in-situ dotiert wird.
Wie in 4B dargestellt, wird danach mit Hilfe eines fotolithografischen Verfahrens die Floating-Gate-Schicht 110 strukturiert. Dabei wird oberhalb des Grabens 32c eine Aussparung 120 erzeugt, deren Breite geringer als die Breite des Grabens 32c ist. Die Aussparung 120 wird symmetrisch zur Grabenmitte des Grabens 32c ausgerichtet. Beim Ätzen der Aussparung 120 muss nur darauf geachtet werden, dass die Floating-Gate-Schicht 110 vollständig durchtrennt wird. Eine Überätzung ist unkritisch, weil der Boden der Aussparung 120 allseitig von dem im Graben 32c verbliebenen Teil der Oxidschicht 50c umgeben ist, siehe gestrichelte Linie 122. Auch bei unterschiedlicher Lage des Bodens der Aussparung 120 verändert sich ein Koppelfaktor der Kapazitäten zwischen dem Floating-Gate und dem Control-Gate der herzustellenden Speicherzellen auf Grund des Überstandes der Floating-Gate-Schicht 110 über die Floating-Gate-Schicht 18c nur unwesentlich.
Anschließend werden die oben an Hand der 1F erläuterten Verfahrensschritte durchgeführt. An Stelle einer dreilagigen ONO-Schicht lässt sich auch eine einlagige dielektrische Schicht verwenden.
Gemäß einer sechsten Verfahrensvariante werden die Verfahren gemäß 2 und gemäß der 4A und 4B kombiniert, so dass die Hartmaske für mehrere Verfahrensschritte auch bei einem Verfahren genutzt wird, bei dem eine Floating-Gate-Doppelschicht erzeugt wird. Das Rückätzen der Oxidschicht wird dann bspw. zeitgesteuert durchgeführt. Danach wird die Hartmaske entfernt.
Die Aussparung 120 lässt sich auch breiter als der Graben 32c ausführen. Auf Grund der beiden Lithografieverfahren für die beiden Floating-Gate-Schichten 18c und 110 lassen sich die Breite des Grabens 32c und die Breite der Aussparung 120 unabhängig voneinander wählen.
Bei anderen Ausführungsbeispielen wird an Stelle eines Rückätzens auch ein CMP-Verfahren (Chemical Mechanical Polishing) eingesetzt. An Stelle einer Hartmaskenschicht aus TEOS lässt sich auch eine Hartmaskenschicht aus einem anderen Material einsetzen, beispielsweise aus einem Nitrid wie Siliziumnitrid. Falls der tiefe Graben eine geringere Tiefe als in den Ausführungsbeispielen hat, kann an Stelle der Hartmaske auch eine Fotolackschicht verwendet werden.
Somit sind mehrere Varianten zum Herstellen von nichtflüchtigen Speicherzellen erläutert worden, bei denen:

– tiefe Isoliergräben für Flash-EEPROM-Speicherzellen bzw. für einfache EEPROM-Speicherzellen eingesetzt werden,
– sich Verfahrensabschnitte, d. h. sogenannte Module, zum Herstellen von flachen Isolationsgräben (STI – Shallow Trench Isolation) und Module zum Herstellen und Füllen von tiefen Gräben (DTI – Deep Trench Isolation) in einem Herstellungsprozess auf einfache Art insbesondere nacheinander durchführen lassen, und
– die Probleme der ”klassischen” Integration, bei der tiefe Gräben und flache Gräben am Anfang des Verfahrens hergestellt werden, vermieden werden. Insbesondere entstehen keine Probleme beim Planarisieren von HDP-Oxidfüllungen High Density Plasma), die eine unterschiedliche Höhe oberhalb der flachen Gräben und der tiefen Gräben haben.

Bei den erläuterten Ausführungsbeispielen führen tiefe Grabenisolationen zu isolierten Wannenstreifen. Die Gräben im Speicherzellenfeld haben eine größere Tiefe als Gräben in der Ansteuerschaltung des Speicherfeldes oder in einer auf demselben Chip aufgebrachten Logikschaltung. Aufgrund der Füllung mit polykristallinem Silizium lassen sich tiefe Gräben mit einem kleinen Verhältnis von Breite zu Tiefe herstellen, z. B. mit Verhältnissen kleiner 1/4 oder 1/10.
Die erläuterten Verfahren sind insbesondere für Speicherzellen geeignet, die auf einem Zellenkonzept beruhen, bei denen die Ladungen aufgrund des Fowler-Nordheim-Tunneleffektes auf das Floating-Gate gebracht werden bzw. vom Floating-Gate entfernt werden.
Die nicht erfindungsgemäße Variante mit einem tiefen Graben, der keinen flachen Graben durchdringt, ermöglicht es:

– mit einer geringen Chipfläche für die Isolation auszukommen,
– Probleme der Ausrichtung zwischen flachen Gräben und tiefen Gräben zu vermeiden, so dass keine zusätzlichen Toleranzen vorgesehen werden müssen, und
– außerhalb des Zellenfeldes liegende flache Gräben problemlos zu planarisieren.

Die Variante mit einem tiefen Graben, der einen flachen Graben durchdringt, ermöglicht es

– die Isolation zwischen Control-Gate und Substrat bzw. p-dotiertem Bereich zu verbessern,
– größere Kopplungsfaktoren auf Grund der geringeren Kopplung von Floating-Gate und Substrat zu erzielen,
– den Kopplungsfaktor besser einstellen zu können, und
– das Fülloxid des Grabens auf leichtere Art rückätzen zu können.

Beide Varianten ermöglichen es:

– zusätzliche CMP-Schritte (Chemical Mechanical Polishing) zu vermeiden,
– ein CMP-Verfahren mit starken Höhendifferenzen zu vermeiden, und
– Prozesse zum Herstellen der flachen Gräben von Prozessen zum Herstellen der tiefen Gräben unabhängig voneinander durchzuführen und zu optimieren.

Durch die erläuterten Verfahren lassen sich insbesondere Schädigungen des empfindlichen Tunneloxides insbesondere an den Rändern der Gräben vermeiden bzw. reduzieren, so dass die Ausbeute und Zuverlässigkeit steigt. Außerdem lassen sich so auf einfache Art und Weise in Bitline-Richtung verlaufende Streifen aus den dotierten Wannen erzeugen.
Bei anderen Ausführungsbeispielen werden die gleichen Strukturen basierend auf anderen Dotierschichtenfolgen herstellt, z. B. p-Substrat und n-Wanne. Alternativ wird mit n-Substrat und p-Wanne gearbeitet. Bei einer dritten Alternative wird mit n-Substrat und p-Wanne sowie n-Wanne gearbeitet.
Bezugszeichenliste

10 bis 10c: Halbleitersubstrat
12 bis 12c: n-dotierte Halbleiterschicht
14 bis 14c: p-dotierte Halbleiterschicht
16 bis 16c: Oxidschicht
18 bis 18c: Floating-Gate-Schicht
20, 20a: Hartmaskenschicht
30: Aussparung
32 bis 32c: Graben
40 bis 40c: Oxidschicht
42 bis 42c: Siliziumschicht
50, 50c: Oxidschicht
60, 60b: Aussparung
70, 70b: Dielektrikumsschicht
72: Control-Gate-Schicht
74: Pfeil
76: Speicherschaltkreis
100: flacher Graben
102: gestrichelte Linie
104, 106: Tunneloxid an einer Grabenwand
110: Floating-Gate-Schicht
112, 114: Tunneloxid an einer Grabenwand
120: Aussparung
122: gestrichelte Linie

Claims

Halbleiter-Schaltungsanordnung (76), mit einem Substrat (10), das in der angegebenen Reihenfolge trägt: eine dotierte Halbleiterschicht (14) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine elektrisch isolierende Schicht (16), und eine elektrisch leitfähige ladungsspeichernde Schicht (18) oder eine elektrisch isolierende ladungsspeichernde Schicht (18), die zum Speichern von Ladungen geeignet ist, und mit mindestens einem tiefen Graben (32), der die elektrisch isolierende Schicht (16) und die ladungsspeichernde Schicht (18) durchdringt und sich auch in die dotierte Halbleiterschicht (14) hinein erstreckt, wobei der Graben (32) die dotierte Halbleiterschicht (14) durchdringt, und mit mindestens einen im Vergleich zu dem die elektrisch isolierende Schicht (16) durchdringenden tiefen Graben (32) flacheren und breiteren Graben (100), der in der Halbleiterschicht (14) des ersten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist und der von dem die ladungsspeichernde Schicht (18) durchdringenden tiefen Graben (32) durchdrungen wird, mit mehreren nebeneinander angeordneten Gräben, zwischen denen jeweils eine Vielzahl von Speicherzellen angeordnet sind, wobei die Speicherzellen EEPROM-Speicherzellen oder Flash-EEPROM-Speicherzellen sind, dadurch gekennzeichnet, dass der tiefe Graben ein Isolationsgraben ist.
Halbleiter-Schaltungsanordnung (76) nach Anspruch 1, bei der die ladungsspeichernde Schicht (18) quer zu der Richtung, in der die Gräben (40) verlaufen, in ladungsspeichernde Bereiche unterteilt ist.
Halbleiter-Schaltungsanordnung (76) nach Anspruch 1 oder 2, mit einer zwischen der dotierten Halbleiterschicht (14) und dem Substrat (10) angeordneten dotierten Halbleiterschicht (12) mit zum ersten Leitungstyp entgegengesetztem Leitungstyp, wobei der Graben (32) auch die Halbleiterschicht (12) entgegengesetzten Leitungstyps durchdringt und sich bis in das Substrat (10) erstreckt, oder wobei der Graben (32) in der Halbleiterschicht (12) entgegengesetzten Leitungstyps endet.
Halbleiter-Schaltungsanordnung (76) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit einer elektrisch leitfähigen Schicht (72) und einer zwischen der elektrisch leitfähigen Schicht (72) und der ladungsspeichernden Schicht (18) angeordneten weiteren elektrisch isolierenden Schicht (70).
Halbleiter-Schaltungsanordnung (76) nach Anspruch 1, bei der der flache Graben (100) die ladungsspeichernde Schicht (18) und/oder die elektrisch isolierende Schicht (16) nicht durchdringt, und/oder bei der der flache Graben (100) mit einem elektrisch isolierenden Material gefüllt ist oder ein elektrisch isolierendes Material enthält.
Halbleiter-Schaltungsanordnung (76) nach Anspruch 5, bei der der das elektrisch isolierende Material Siliziumdioxid ist.
Halbleiter-Schaltungsanordnung (76) nach Anspruch 1, 5 oder 6, bei der der flache Graben (100) symmetrisch über den tiefen Graben (32) hinausragt (A).
Halbleiter-Schaltungsanordnung (76) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit mindestens einem weiteren flachen Graben, der von keinem Graben durchdrungen ist, und/oder wobei der vom tiefen Graben (32) durchdrungene flache Graben (100) in einem Speicherzellenfeld und der nicht von einem Graben durchdrungene flache Graben in einer Logikschaltungsanordnung angeordnet sind, und/oder wobei mindestens ein von einem tiefen Graben (32) durchdrungener flacher Graben (100) die gleiche Tiefe wie mindestens ein nicht von einem tiefen Graben durchdrungener flacher Graben hat.
Halbleiter-Schaltungsanordnung (76) nach Anspruch 4 und nach einem der Ansprüche 5 bis 8, bei der sich die elektrisch leitfähige Schicht (72) und/oder die weitere elektrisch isolierende Schicht (70) zumindest teilweise in den flachen Graben (100) hinein erstreckt.
Halbleiter-Schaltungsanordnung (76) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit einer weiteren ladungsspeichernden Schicht (110), die an die vom Graben (32) durchdrungene ladungsspeichernde Schicht (18) angrenzt, und mit mindestens einer in der weiteren ladungsspeichernden Schicht (110) angeordneten Aussparung (120), deren Boden innerhalb des Randes des tiefen Grabens (32) und/oder des flachen Grabens (100) liegt,
Halbleiter-Schaltungsanordnung (76) nach Anspruch 10, bei der der Boden der Aussparung vollständig innerhalb des Randes liegt, und/oder wobei die weitere ladungsspeichernde Schicht (110) nicht von dem tiefen Graben (32) durchdrungen wird.
Halbleiter-Schaltungsanordnung (76) nach einem der vorhergehenden, bei der der Graben (32) mit einem elektrisch isolierenden Material gefüllt ist oder ein elektrisch isolierendes Material enthält.
Halbleiter-Schaltungsanordnung (76) nach Anspruch 12, bei der das elektrisch isolierende Material ein Oxid oder Siliziumdioxid ist.
Halbleiter-Schaltungsanordnung (76) nach Anspruch 12 oder 13, bei der der Graben (32) ein von der Grabenwand isoliertes elektrisch leitfähiges oder elektrisch halbleitendes Material enthält.
Halbleiter-Schaltungsanordnung (76) nach Anspruch 14, bei der das isolierte elektrisch leitfähige oder das elektrisch halbleitende Material ein polykristallines Material oder polykristallines Silizium ist, das dotiert oder undotiert ist.
Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Schaltungsanordnung (76), mit den folgenden Schritten: Erzeugen einer Dotierung eines ersten Leitfähigkeitstyps in einer Halbleiterschicht (14), Aufbringen einer elektrisch isolierenden Schicht (16) vor oder nach dem Erzeugen der Dotierung, Aufbringen einer elektrisch leitfähigen oder einer weiteren elektrisch isolierenden ladungsspeichernden Schicht (18), die zum Speichern von Ladung geeignet ist, nach dem Aufbringen der elektrisch isolierenden Schicht (16), Einbringen eines tiefen Grabens (32), der ein Isolationsgraben ist, der die elektrisch isolierende Schicht (16) und die ladungsspeichernde Schicht (18) durchdringt und der die Halbleiterschicht (14) in einer Dicke durchdringt, die größer als die Dicke der dotierten Halbleiterschicht (14) ist, Einbringen mindestens eines im Vergleich zu dem tiefen Graben (32b) flacheren und breiteren Grabens (100) in die Halbleiterschicht (14b) vor dem Aufbringen der ladungsspeichernden Schicht (18b), Füllen des flachen Grabens (100) vor dem Aufbringen der ladungsspeichernden Schicht (18b), Planarisieren der Grabenfüllung des flachen Grabens (100) vor dem Aufbringen der ladungsspeichernden Schicht (18b).
Verfahren nach Anspruch 16, enthaltend die Schritte: Aufbringen einer Maskenschicht (20) nach dem Aufbringen der ladungsspeichernden Schicht (18), Einbringen des Grabens (32) mit Hilfe der Maskenschicht (20).
Verfahren nach Anspruch 17, enthaltend die Schritte: Entfernen der Maskenschicht (20) nach dem Einbringen des Grabens (32), Füllen des Grabens (32) mit einem Füllmaterial (42) nach dem Entfernen der Maskenschicht (20), Rückätzen des Füllmaterials (42), oder durch die Schritte: Füllen des Grabens (32) mit einem Füllmaterial (42a) bei noch vorhandener Maskenschicht (20a), und Rückätzen des Füllmaterials (42a) bei noch vorhandener Maskenschicht (20a).
Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, enthaltend die Schritte: Erzeugen einer Randschicht (40) an den Rändern des Grabens (32), vor dem Füllen des Grabens (32) mit einem Füllmaterial (42).
Verfahren nach Anspruch 19, bei dem die Randschicht durch thermische Oxidation erzeugt wird.
Verfahren nach Anspruch 18, 19 oder 20, bei dem das Füllmaterial (42) so weit zurückgeätzt wird, dass sich ein beim Rückätzen freigelegter Bereich auch in einen Bereich erstreckt, in dem ursprünglich die Halbleiterschicht (14) angeordnet war, und/oder Füllen des freigelegten Bereiches mit einem weiteren Füllmaterial (50).
Verfahren nach Anspruch 21, bei dem das weitere Füllmaterial ein Oxid ist.
Verfahren nach Anspruch 16, wobei mindestens ein flacher Graben (100) in einem Bereich angeordnet wird, der später von einem tiefen Graben (32b) durchdrungen wird.
Verfahren nach Anspruch 16 oder 23, wobei mindestens ein flacher Graben nicht von einem tiefen Graben (32) durchdrungen wird.
Verfahren nach Anspruch 22 oder 23 und Anspruch 16 oder 23 oder 24, wobei das weitere Füllmaterial (50b) so weit zurückgeätzt wird, dass ein beim Rückätzen freigelegter Bereich (60b) sich auch in einen Bereich erstreckt, in dem ursprünglich die Halbleiterschicht (14b) angeordnet war, und/oder Füllen des freigelegten Bereiches (60b) mit einer weiteren elektrisch isolierenden Schicht (70b) und/oder mit einer elektrisch leitfähigen Schicht (72b).
Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 25, enthaltend die Schritte: Aufbringen mindestens einer weiteren elektrisch leitfähigen oder elektrisch isolierenden ladungsspeichernden Schicht (110) angrenzend an die andere ladungsspeichernde Schicht (18) nach dem Einbringen und Füllen des Grabens (32c), Strukturieren der weiteren ladungsspeichernden Schicht.
Verfahren nach Anspruch 26, bei dem das Strukturieren der weiteren ladungsspeichernden Schicht vor dem Aufbringen weiterer Schichten erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 26 oder 27, wobei eine beim Strukturieren der weiteren ladungsspeichernden Schicht (110) entstehende Aussparung (120) bis in den Graben (32c) hinein erstreckt wird.