DE10330047A1 - Halbleitersensor für eine dynamische Größe - Google Patents

Halbleitersensor für eine dynamische Größe Download PDF

Info

Publication number
DE10330047A1
DE10330047A1 DE10330047A DE10330047A DE10330047A1 DE 10330047 A1 DE10330047 A1 DE 10330047A1 DE 10330047 A DE10330047 A DE 10330047A DE 10330047 A DE10330047 A DE 10330047A DE 10330047 A1 DE10330047 A1 DE 10330047A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
adhesive
sensor
sensor chip
organic resin
resin material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10330047A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10330047B4 (de
Inventor
Masaaki Kariya Tanaka
Toshiya Kariya Ikezawa
Takashige Kariya Saitou
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Publication of DE10330047A1 publication Critical patent/DE10330047A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10330047B4 publication Critical patent/DE10330047B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G01L9/0055Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

Ein Halbleitersensor (1) für eine dynamische Größe weist einen Trägerabschnitt (2), einen Klebstoff (4) und einen Sensorchip (5) auf. Der Klebstoff (4) befindet sich auf einer Oberfläche des Trägerabschnitts (2). Der Sensorchip (5) befindet sich auf dem Klebstoff (4). Der Sensorchip (5) und der Trägerabschnitt (2) sind durch Erwärmen des Klebstoffs (4) aneinander befestigt worden. Der Klebstoff (4) weist bei der Temperatur, bei welcher der Klebstoff (4) zum Befestigen des Sensorchips (5) und des Trägerabschnitts (2) aneinander erwärmt wird, einen Deformationsfaktor von 0,5% oder niedriger auf, um die Spannung, die durch die Aushärtungsschrumpfung des Klebstoffs (4) verursacht wird, zu verringern.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleitersensor für eine dynamische Größe und betrifft insbesondere einen Klebstoff zum Befestigen eines Sensorchips.
  • Ein Glas mit einem niedrigen Schmelzpunkt ist als ein Klebstoff verwendet worden, wenn ein Drucksensorchip, welcher ein Halbleitersensor für eine dynamische Größe ist, zum Beispiel auf einer Metallmembran befestigt wird. Das Glas eines niedrigen Schmelzpunkts wird bezüglich Umweltaspekten in bleihaltige oder bleifreie klassifiziert und insbesondere die bleihaltigen, die ein Bleioxid enthalten, weisen unter Berücksichtigung der jüngsten Umweltproblematik ein Problem bei ihrer Verwendung auf. Andererseits erfordern die bleifreien eine Befestigungstemperatur von zum Beispiel 400 bis 500°C, da es schwierig ist, den Schmelzpunkt ohne Hinzufügen eines Bleioxids zu verringern. Deshalb gibt es Probleme, daß eine zusätzliche thermische Energie für das Befestigen erforderlich ist, oder daß der Sensorchip durch die Befestigungstemperatur beschädigt werden kann.
  • In diesen Jahren ist es untersucht worden, den Sensorchip unter Verwendung eines organischen Harzmaterials zu befestigen, was ein Befestigen einer niedrigen Temperatur realisieren würde. Jedoch wird gemäß den Untersuchungsergebnissen der Erfinder der vorliegenden Erfindung, wenn ein organisches Harzmaterial, wie zum Beispiel ein Epoxydharz, als ein Klebstoff verwendet wird, die Deformation aufgrund des Aushärtungsschwunds nach einem Erwärmen derart hoch, daß eine Spannung derart in dem Sensorchip erzeugt werden würde, daß sich das Sensorausgangssignal ändert. Weiterhin würde die Spannung, wenn ein derartiger Sensor tatsächlich verkapselt werden würde, aufgrund der Kriecherscheinung bei der Temperatur bei einer Verwendung abgeschwächt werden. Als ein Ergebnis würde sich das Sensorausgangssignal aufgrund der Kriecherscheinung ebenso ändern.
  • Die vorliegende Erfindung ist im Hinblick auf die vorhergehenden Probleme mit einer Aufgabe geschaffen worden, einen Halbleitersensor für eine dynamische Größe zu schaffen, dessen Ausgangsänderung verhältnismäßig klein ist.
  • Diese Aufgabe wird mit den in Anspruch 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.
  • Genauer gesagt weißt ein Halbleitersensor für eine dynamische Größe gemäß der vorliegenden Erfindung, um die vorhergehende Aufgabe zu lösen, einen Trägerabschnitt, einen Klebstoff und einen Sensorchip auf. Der Klebstoff befindet sich auf einer Oberfläche des Trägerabschnitts. Der Sensorchip befindet sich auf dem Klebstoff. Der Sensorchip und der Trägerabschnitt sind durch den Klebstoff aneinander befestigt worden. Der Klebstoff weist bei der Temperatur, bei welcher der Klebstoff zum Befestigen des ganzen Sensorchip und des Trägerabschnitts aneinander erwärmt wird, einen Deformationsfaktor von 0,5 % oder kleiner auf, um die Spannung zu verringern, die durch die Aushärtungsschwund des Klebstoffs verursacht wird.
  • Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Die vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert.
  • Es zeigt:
  • 1A eine schematische perspektivische Ansicht eines Drucksensors gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 1B eine entlang der Linie IB-IB genommene schematische perspektivische Querschnittsansicht des Sensors in 1A;
  • 2 eine Draufsicht des Sensors in 1A, wenn er von oberhalb des Sensorchips des Sensors in 1A betrachtet wird;
  • 3 einen Graphen der Beziehung zwischen dem Sensorausgangssignal und dem Deformationsfaktor;
  • 4 eine die Parameter einer Simulation zeigende Tabelle; und
  • 5 einen Graph der Beziehung zwischen dem Sensorausgangssignal und der Zeit bei dem Deformationsfaktor bei 120°C.
  • Die vorliegende Erfindung wird im Detail unter Bezugnahme auf verschiedene Ausführungsbeispiele beschrieben.
  • Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
  • 1A zeigt eine schematische perspektivische Ansicht eines Drucksensors 1 als ein Beispiel des vorliegenden Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung. Der Drucksensor 1, welcher ein Halbleitersensor für eine dynamische Größe ist, kann zum Beispiel zum Steuern des Kraftstoffeinspritzdrucks einer Brennkraftmaschine oder des Bremsdrucks eines Fahrzeugs verwendet werden. Der Drucksensor weist einen Metallschaft oder Metallsockel 3 auf, der eine scheibenförmige Metallmembran oder einen Trägerabschnitt 2 aufweist. Der Drucksensor 1 weist ebenso einen Klebstoff 4 und einen Sensorchip 5 auf. Der Sensorchip 5 ist bei einer vorbestimmten Befestigungstemperatur unter Verwendung des Klebstoffs 4 auf der oberen Oberfläche des Trägerabschnitts 2 befestigt worden.
  • Wie es in den 1A und 1B gezeigt ist, weist der Metallschaft 3 einen Hohlraum 6 unter der oberen Oberfläche auf, an der sich der Sensorchip 5 befindet. Ein vorbestimmtes Druckmedium, wie zum Beispiel ein Gas und eine Flüssigkeit, ist in den Hohlraum 6 eingebracht und der Druck des Druckmediums wird auf der Grundlage der Deformation des Trägerabschnitts 2 und der Deformation des Sensorchips 5 erfaßt.
  • Die Befestigungstemperatur, wenn der Sensorchip 5 unter Verwendung des Klebstoffs 4 an dem Trägerabschnitt 2 zu befestigen ist, beträgt vorzugsweise 350°C oder niedriger. Wenn die Befestigungstemperatur höher als 350°C ist, können die Elemente, die den Sensorchip 5 ausbilden, welche in der Figur nicht dargestellt sind, thermisch zerstört werden. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es, wie später beschrieben wird, möglich, den Sensorchip 5 und den Trägerabschnitt 2 bei einer niedrigen Temperatur, die niedriger als 350°C ist, unter Verwendung eines organischen Harzmaterials als den Klebstoff 4 ausreichend aneinander zu befestigen. Weiterhin ist es möglich, die Kosten durch Verringern der thermischen Energie, die in dem Befestigungsschritt verbraucht wird, unter Verwendung des Befestigens bei einer niedrigen Temperatur herabzusetzen.
  • Der Metallschaft 3 besteht zum Beispiel aus KOVAR, welches eine Legierung des Fe-Ni-Co-Systems ist. Der Metallschaft 3 sollte vorzugsweise aus einem Material bestehen, das einen linearen Expansionskoeffizienten aufweist, der so nahe wie möglich zu dem des Sensorchips 5 ist. Der Metallschaft 3 weist den Hohlraum 6 auf, welcher durch Stanzen in der Form eines Zylinders bearbeitet worden ist, und der Trägerabschnitt 2, welcher eine Membran ist, befindet sich an dem Ende des Metallschafts 3. Wie es durch einen Pfeil in 1B dargestellt ist, ist das Druckmedium von außen in den Hohlraum 6 eingebracht, um den Trägerabschnitt 2 unter Druck zu setzen.
  • Der Sensorchip 5 besteht zum Beispiel aus einem quadratischen einkristallinen Siliziumsubstrat, welches ein Halbleitersubstrat ist. Der Sensorchip 5 ist unter Verwendung des Klebstoffs 4 an einer ersten Oberfläche von ihm an der oberen Oberfläche des Trägerabschnitts 2 befestigt worden. Obgleich es in der Figur nicht dargestellt ist, sind in einer zweiten Oberfläche des Sensorchips 5, welche der ersten Oberfläche gegenüberliegt, 4 Piezowiderstandselemente, die einem vorbestimmten Widerstandswert aufweisen, ausgebildet und an vorbestimmten Positionen angeordnet worden. Die Piezowiderstandselemente bilden zusammen mit Verdrahtungsleitungen und Elektroden, welche auch nicht in der Figur dargestellt sind, eine Brückenschaltung aus. Die zweite Oberfläche ist mit einem Passivierungsfilm, wie zum Beispiel Siliziumnitrid, welcher auch nicht in der Figur dargestellt ist, bedeckt worden.
  • Der Drucksensor 1 erfaßt wie folgt einen Druck. Wenn ein Druck in der Richtung ausgeübt wird, die durch den Pfeil in 1B gezeigt ist, werden der Trägerabschnitt 2 und der Sensorchip 5 durch das Druckmedium deformiert, um eine Spannung in dem Sensorchip 5 zu erzeugen. Zu diesem Zeitpunkt weist jedes der vorhergehenden Piezowiderstandselemente einen Spannungspegel auf. Die Differenz zwischen den Spannungspegeln verursacht die Änderung des Sensorausgangssignals und die Änderung des Sensorausgangssignals wird als die Änderung des Drucks erfaßt.
  • Ein organisches Harzmaterial, ein Flüssigkristallpolymer, ein Material, das durch Hinzufügen eines anorganischen Füllmittels zu einem organischen Harzmaterial vorbereitet ist, oder ein Hybridmaterial, in welchem ein organisches Harzmaterial und ein anorganischer Füllstoff chemisch verbunden worden sind, kann als der Klebstoff 4 verwendet werden, um den Sensorchip an dem Trägerabschnitt 2 zu befestigen. Die gemeinsame Charakteristik der Klebstoffe 4, die aus den vorhergehenden Materialien bestehen, ist, daß jeder der Klebstoffe 4 einen Deformationsfaktor von 0,5 % oder kleiner aufweist, welcher auf der Grundlage des Schwundwerts von jedem der Klebstoffe 4, wenn er ausgehärtet wird, definiert ist, und daß jeder der Klebstoffe 4 in der Form eines Films ausgebildet ist.
  • Der Deformationsfaktor des Klebstoffs 4 ist durch die folgende Gleichung GI. 1 definiert: Deformationsfaktor (%) = {(aa – bb)/aa} * 100 Gl. 1 wobei aa der Durchmesser des Klebstoffs 4 ist, bevor der Klebstoff 4 erwärmt wird, und bb der Durchmesser des geschwundenen Klebstoffs 4a ist, der durch Erwärmen des Klebstoffs 4 auf eine vorbestimmte Temperatur, welche zum Beispiel 100 bis 150°C ist, für eine vorbestimmte Dauer, welche zum Beispiel 1 bis 8 Stunden ist, ausgebildet wird, um den Sensorchip 5 an dem Trägerabschnitt 2 zu befestigen.
  • 3 zeigt einen Graph der Beziehung zwischen dem Sensorausgangssignal und dem Deformationsfaktor. Die Sensorausgangssignalwerte, die in 3 aufgetragen sind, sind durch eine Simulation unter Verwendung der Parameter berechnet worden, die in 4 aufgelistet sind. Wenn die Toleranz des falschen Sensorausgangssignals des Drucksensors 1, das durch die Deformation des Klebstoffs 4 erzeugt wird, ± B mV ist, muß der Deformationsfaktor ungefähr 0,5 % oder kleiner sein, um zu erfüllen, daß das falsche Sensorausgangssignal innerhalb der Toleranz ist.
  • Es kann einen Fall geben, daß das Sensorausgangssignal des Drucksensors 1 bei der tatsächlichen Umgebungstemperatur, welche zum Beispiel –40 bis 120°C ist, beim Verwenden des Drucksensors 1 auch dann von seinem Anfangswert abweicht, wenn der Anfangswert eine vorbestimmte Pro duktspezifikation erfüllt. Unter Berücksichtigung des Falls bestätigen die Erfinder der vorliegenden Erfindung unter Verwendung einer Simulation, wie viel das Sensorausgangssignal des Drucksensors 1 von seinem Anfangswert abweicht, wenn die Spannung, die in dem Sensorchip 5 erzeugt wird, aufgrund des Aushärtungsschwunds des Klebstoffs 4 abweicht und sich aufgrund der Kriecherscheinung mit der Zeit bei 120°C verringert, welches die maximale Temperatur bei der vorhergehenden tatsächlichen Umgebungstemperatur ist.
  • 5 zeigt die Simulationsergebnisse. Die Simulation ist unter Verwendung der Parameter ausgeführt worden, die in 4 aufgelistet sind. In 5 bezeichnen die Symbole x, Δ, und ☐ jeweils die Simulationsergebnisse bei Deformationsfaktoren von 0,5, 1,0 bzw. 1,6%. Das Symbol ? stellt den tatsächlich gemessenen Wert bei einem Deformationsfaktor von 1,6 dar. Die vorhergehenden Deformationsfaktoren werden durch Leiten der Wärme bei 80°C für 2 Stunden, 150°C für 4 Stunden bzw. 230°C für eine Stunde erzielt.
  • Hierbei muß der Deformationsfaktor des Klebstoffs 4, wenn die Toleranz der Abweichung von dem Anfangssensorausgangssignal ± C mV ist, ungefähr 0,5 % oder kleiner sein, wie es in 5 gezeigt ist. Deshalb ist es, wie es sich aus den Ergebnissen versteht, die in den 3 und 5 gezeigt sind, möglich, die Abweichungen von dem Anfangssensorausgangssignal aufgrund des Aushärtungsschwunds des Klebstoffs 4 und der Kriecherscheinung, die bei der tatsächlichen Umgebungstemperatur bei einem Verwenden des Drucksensors erzeugt wird, zu steuern.
  • Als nächstes wird eine Erläuterung bezüglich des Klebstoffs 4 gegeben. Als Epoxydharz alleine als das organische Harzmaterial für den Klebstoff 4 verwendet worden ist, war der Deformationsfaktor aufgrund der Volumenverringerung, die durch die Phasenverschiebung von flüssig nach fest und des Verflüchtigens eines Lösemittels bei der Befestigungstemperatur verursacht worden ist, ungefähr 1,8 %. Als Ergebnis hat die Spannung, die in dem Sensorchip 5 aufgrund der Deformation erzeugt worden ist, die Abweichung des Sensorausgangsignals erhöht.
  • Jedoch ist es, wenn ein flüssiges Epoxydharz dünn auf einen Trägerfilm aufgebracht wird, der aus PET usw. besteht, und halb gehärtet wird, um einen filmförmigen Klebstoff 4 auszubilden, möglich, den Deformationsfaktor bei der Temperatur, wenn der Sensorchip 5 an dem Trägerabschnitt 2 befestigt wird, auf ungefähr 0,5 % zu verringern, da der Klebstoff 4 im wesentlichen einen festen Zustand aufweist, obgleich eine zusätzliche Härtereaktion noch erforderlich ist. Deshalb kann der filmförmige Klebstoff 4 zum Herstellen des Drucksensors 1 verwendet werden. Im übrigen kann Polyimid und Polyurethan als das andere organische Harzmaterial als ein Epoxydharz verwendet werden.
  • Alternativ kann ein filmförmiger Klebstoff 4 unter Verwendung eines Flüssigkristallpolymers anstelle des flüssigen Epoxydharz verwendet werden. Ein Flüssigkristallpolymer weist in seinem flüssigen Zustand eine Kristallinität auf, so daß es keine Volumenverringerung gibt, die in ordinalen organischen Harzmaterialien während der Verschiebung von der amorphen Phase zu der kristallinen Phase verursacht wird, und der gesamte Schwundfaktor ist verhältnismäßig klein. Weiterhin weist das Flüssigkristallpolymer eine Ausrichtung auf und ist entlang seiner Fließrichtung ausgerichtet, so daß der lineare Expansionskoeffizient entlang der Richtung verhältnismäßig klein ist. Deshalb ist es unter Verwendung des Flüssigkristallpolymers als das organische Harzmaterial für den Klebstoff 4 möglich, den Deformationsfaktor des Klebstoffs 4 auf 0,5 % oder kleiner zu verringern, und ist es ebenso möglich, die Ausgangssignalabweichung bei der tatsächlichen Umgebungstemperatur bei einem Verwenden des Drucksensors auf ungefähr 0,05 mV zu verringern.
  • Alternativ kann, wie es zuvor beschrieben worden ist, ein Material, das durch Hinzufügen einer vorbestimmten Menge eines anorganischen Füllstoffs zu einem organischen Harzmaterial vorbereitet worden ist, für den Klebstoff 4 verwendet werden, um den Sensorchip 5 an dem Trägerabschnitt 2 zu befestigen. Genauer gesagt kann das Material, das durch Hinzufügen von einkristallinen Silizium oder Siliziumoxid zu einem Epoxidharz, Polyimid oder Polyurethan mit einem Verhältnis von 70 bis 90 Gewichts-% bis 10 bis 30 Gewichts-% in der Form eines Films ausgebildet werden. Der lineare Expansionskoeffizient des organischen Harzmaterials ist so hoch wie zum Beispiel 40 bis 70 ppm.
  • Jedoch ist es durch Hinzufügen von Silizium oder Siliziumoxid zum Verringern des linearen Expansionskoeffizienten möglich, den linearen Expansionskoeffizienten des Klebstoffs 4 zu dem des Siliziumsubstrats, das als das Halbleitersubstrat des Sensorchips 5 verwendet wird, und zu dem des Sensorschafts 3 anzunähern. Die linearen Expansionskoeffizienten des Siliziumsubstrats und des Metallschafts 3 sind zum Beispiel 1 bis 10 ppm. Es ist möglich, jede Spannung, die in jedem Teil erzeugt wird, durch Annähern des linearen Expansionskoeffizienten des Klebstoffs 4 zu dem des Siliziumsubstrats und dem des Metallschafts 3 zu verringern. In diesem Fall ist es ebenso möglich, den Deformationsfaktor von ungefähr 0,5 % zu verringern.
  • Alternativ kann, wie es vorhergehend beschrieben worden ist, ein Hybridmaterial, in welchem ein organisches Harzmaterial und ein anorganischer Füllstoff chemisch verbunden worden sind, für den Klebstoff 4 verwendet werden, um den Sensorchip 5 ebenso an dem Trägerabschnitt 2 zu befestigen. Ein derartiges Hybridmaterial kann zum Beispiel vorbereitet werden, durch: Mischen einer vorbestimmten Menge eines Epoxydharzes, welches ein organisches Harzmaterial ist, und einer vorbestimmten Menge von Alkoxysilan, welches ein anorganischer Füllstoff ist; und Unterstützen einer Sol-Gel-Reaktion, welche eine Hydrolyse und Kondensation von Alkoxysilan ist, durch Erwärmen auf 100 bis 200°C für 1 bis 2 Stunden.
  • In diesem Fall ist es ebenso durch Hinzufügen von Silizium möglich, den linearen Expansionskoeffizienten des Klebstoffs 4 zu dem des Siliziumsubstrats und dem des Metallschafts 3 anzunähern. Weiterhin weist der Klebstoff 4 aufgrund der Sol-Gel-Reaktion einen halbgehärteten Zustand auf, so daß der Deformationsfaktor bei der Aushärtungsreaktion verringert wird. Als Ergebnis ist es möglich, den Deformationsfaktor auf ungefähr 0,5 zu verringern.
  • In diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die Spannung, die durch den Aushärtungsschwund des Klebstoffs 4 in den Befestigungsschritt verursacht wird, zu verringern, und ist es möglich, die Anfangsausgangssignalabweichung des Drucksensors 1 zu verringern, unter Verwendung: eines organisches Harzmaterial; eines Flüssigkristallpolymers; eines Materials, das durch Hinzufügen eines anorganischen Füllmittelstofts zu einem organischen Harzmaterial vorbereitet ist; oder eines Hybridmaterials, in welchem ein organisches Harzmaterial und ein anorganischer Füllstoff chemisch verbunden worden sind, als einen Klebstoff, der einen Deformationsfaktor von 0,5 % oder kleiner aufweist, wenn der Sensorchip 5 unter Verwendung des Klebstoffs 4 bei der vorbestimmten Befestigungstemperatur an dem Trägerabschnitt 2 befestigt wird.
  • Weiterhin wird die Spannungsabschwächung aufgrund der Kriecherscheinung bei der tatsächlichen Umgebungstemperatur beim Verwenden des Drucksensors 1 nach einem Verkapseln durch die vorhergehende Spannungsverringerung verringert. Deshalb wird die Ausgangssignalabweichung aufgrund der Spannungsabschwächung unterdrückt und arbeitet der Drucksensor 1 stabil.
  • Nachstehend erfolgt die Beschreibung von anderen Ausführungsbei spielen der vorliegenden Erfindung.
  • In dem ersten Ausführungsbeispiel ist der Klebstoff 4 in der Form eines Films ausgebildet. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt und muß der Klebstoff 4 nicht in der Form eines Films ausgebildet werden, solange der Deformationsfaktor des Klebstoffs 4 0,5% oder niedriger ist.
  • In dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird der Sensorchip 5 unter Verwendung des Klebstoffs 4, der einen Deformationsfaktor von 0,5% oder niedriger aufweist, an der Metallmembran 2 oder dem Trägerabschnitt 2 befestigt. Jedoch muß der Trägerabschnitt 2 keine Metallmembran sein und kann aus einem anderen Material bestehen.

Claims (6)

  1. Halbleitersensor (1) für eine dynamische Größe, der aufweist: einen Trägerabschnitt (2); einen Klebstoff (4), welcher sich auf einer Oberfläche der Trägerabschnitts (2) befindet; und einen Sensorchip (5), welcher sich auf dem Klebstoff (4) befindet, wobei der Sensorchip (5) und der Trägerabschnitt (2) durch Erwärmen des Klebstoffs (4) aneinander befestigt worden sind, und der Klebstoff (4) bei einer Temperatur, bei welcher der Klebstoff (4) zum Befestigen des Sensorchips (5) und des Trägerabschnitts (2) aneinander erwärmt wird, einen Deformationsfaktor von 0,5% oder kleiner aufweist, um eine Spannung zu verringern, die durch einen Aushärtungsschwund des Klebstoffs (4) erzeugt wird.
  2. Sensor (1) nach Anspruch 1, wobei der Klebstoff (4) eine Form eines Films aufweist.
  3. Sensor (1) nach Anspruch 2, wobei der Klebstoff (4) aus einem eines organischen Harzmaterials und eines Flüssigkristallpolymers besteht.
  4. Sensor (1) nach Anspruch 2, wobei der Klebstoff (4) aus einem Material besteht, das durch Hinzufügen einer vorbestimmten Menge eines anorganischen Füllstoffs zu einem organischen Harzmaterial vorbereitet wird.
  5. Sensor (1) nach Anspruch 2, wobei der Klebstoff (4) aus einem Hybridmaterial besteht, in welchem ein organisches Harzmaterial und ein anorganischer Füllstoff chemisch verbunden worden sind.
  6. Sensor (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Temperatur, auf welche der Klebstoff (4) erwärmt wird, 35°C oder niedriger ist.
DE10330047A 2002-07-11 2003-07-03 Halbleitersensor für eine dynamische Größe Expired - Fee Related DE10330047B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002/202448 2002-07-11
JP2002202448A JP2004045184A (ja) 2002-07-11 2002-07-11 半導体力学量センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10330047A1 true DE10330047A1 (de) 2004-01-22
DE10330047B4 DE10330047B4 (de) 2011-07-28

Family

ID=29774559

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10330047A Expired - Fee Related DE10330047B4 (de) 2002-07-11 2003-07-03 Halbleitersensor für eine dynamische Größe

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6898974B2 (de)
JP (1) JP2004045184A (de)
CN (1) CN1201137C (de)
DE (1) DE10330047B4 (de)
FR (1) FR2842353B1 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003302299A (ja) * 2002-04-10 2003-10-24 Denso Corp 力学量検出装置の製造方法
US6983517B2 (en) * 2002-10-19 2006-01-10 General Motors Corporation Releasable fastener system
US6944920B2 (en) * 2002-10-19 2005-09-20 General Motors Corporation Electrostatically releasable fastening system and method of use
JP4683618B2 (ja) * 2005-02-10 2011-05-18 キヤノンアネルバ株式会社 隔膜型圧力センサ及びその製造方法
JP5044896B2 (ja) 2005-04-27 2012-10-10 富士電機株式会社 圧力検出装置
DE102006047395A1 (de) * 2006-10-06 2008-04-10 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Sensorbauelements und Sensorbauelement
WO2012131788A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 シチズンファインテックミヨタ株式会社 エンジン用シリンダ内圧センサ
CN104729770B (zh) * 2015-02-16 2017-12-05 福建上润精密仪器有限公司 一种硅片和金属基座的无应力组合方法及其结构
CN114136527A (zh) * 2021-11-29 2022-03-04 浙江吉利控股集团有限公司 敏感元件和车辆
CN114413965B (zh) * 2022-01-18 2023-11-17 三一重机有限公司 支重轮应力测试方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1463087A (en) * 1974-09-17 1977-02-02 Welwyn Electric Ltd Transducers
JPS57184914A (en) * 1981-05-09 1982-11-13 Kyowa Dengiyou:Kk Mechanical-electrical
US5225373A (en) * 1990-03-07 1993-07-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor pressure sensor device with two semiconductor pressure sensor chips
US5061549A (en) * 1990-03-20 1991-10-29 Shores A Andrew Substrate attach adhesive film, application method and devices incorporating the same
DE4101554A1 (de) * 1991-01-21 1992-07-23 Bosch Gmbh Robert Drucksensor fuer gase und fluessigkeiten
JP3445641B2 (ja) * 1993-07-30 2003-09-08 株式会社デンソー 半導体装置
US5770706A (en) * 1995-06-07 1998-06-23 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Snap-cure epoxy adhesives
JPH09232595A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Denso Corp 圧力検出装置
US5867886A (en) * 1997-10-20 1999-02-09 Delco Electronics Corp. Method of making a thick film pressure sensor
US6193910B1 (en) * 1997-11-11 2001-02-27 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Paste for through-hole filling and printed wiring board using the same
US6410415B1 (en) * 1999-03-23 2002-06-25 Polymer Flip Chip Corporation Flip chip mounting technique
JP2002005951A (ja) * 2000-06-26 2002-01-09 Denso Corp 半導体力学量センサ及びその製造方法
JP5142424B2 (ja) * 2001-02-22 2013-02-13 日東電工株式会社 コンデンサ素子巻止め用粘着テープ
JP2002310827A (ja) 2001-04-11 2002-10-23 Denso Corp 圧力センサ

Also Published As

Publication number Publication date
CN1201137C (zh) 2005-05-11
FR2842353B1 (fr) 2006-09-15
DE10330047B4 (de) 2011-07-28
CN1470857A (zh) 2004-01-28
FR2842353A1 (fr) 2004-01-16
JP2004045184A (ja) 2004-02-12
US20040007068A1 (en) 2004-01-15
US6898974B2 (en) 2005-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4242789C2 (de) Beschleunigungssensor
EP1805101B1 (de) Verfahren zum montieren von halbleiterchips und entsprechende halbleiterchipanordnung
DE69434234T2 (de) Chipkarte und Herstellungsmethode
WO1998031998A1 (de) Halbleiter-drucksensor
DE10330047A1 (de) Halbleitersensor für eine dynamische Größe
DE3937522A1 (de) Mit einem traegerelement verbundener halbleiter-drucksensor
DE102004041388A1 (de) Drucksensorzelle und diese verwendende Drucksensorvorrichtung
DE102006013414A1 (de) Drucksensorvorrichtung
EP0495935B1 (de) Verfahren zur herstellung eines druckgebers zur druckerfassung im brennraum von brennkraftmaschinen
DE3928542A1 (de) Halbleiter-druckwandler
DE102012204414A1 (de) Drucksensor
DE60305326T2 (de) Dehnungsmesser
DE102011078055A1 (de) Halbleitersensor für eine physikalische Größe
DE19919716A1 (de) Mikroelektronische Baugruppe
DE102008041942A1 (de) Sensoranordnung, Verfahren zum Betrieb einer Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
DE3874653T2 (de) Si-kristall-kraftwandler.
DE102019201492B4 (de) Sensor für eine physikalische grösse und halbleitervorrichtung
DE112017006403T5 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen derselben
DE10215104B4 (de) Drucksensor, bei welchem ein Harzhaftmittel zwischen einem Halbleiter-Sensorelement und einem Metallschaft verwendet wird
DE102004023063A1 (de) Mikromechanische piezoresistive Drucksensorenvorrichtung
DE19535989C3 (de) Chipmodul
DE102014019692A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer flächeneffizienten Druckerfassungsvorrichtung mit einer mikrofluidischen Dichtung in direktem Kontakt zu einer integrierten Schaltungskomponente
DE3208717A1 (de) Durchflussmesser
DE102018204772B3 (de) Chip-Stapelanordnung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102019129411A1 (de) Aufnehmerkörper mit einem Messelement und Herstellungsverfahren für einen Aufnehmerkörper

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20111029

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee